RU2197006C2 - Process of manufacture of diffraction optical elements on diamond and diamond-like substrates - Google Patents
Process of manufacture of diffraction optical elements on diamond and diamond-like substrates Download PDFInfo
- Publication number
- RU2197006C2 RU2197006C2 RU2001108328A RU2001108328A RU2197006C2 RU 2197006 C2 RU2197006 C2 RU 2197006C2 RU 2001108328 A RU2001108328 A RU 2001108328A RU 2001108328 A RU2001108328 A RU 2001108328A RU 2197006 C2 RU2197006 C2 RU 2197006C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- diamond
- optical elements
- diffraction optical
- substrate
- substrates
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к оптическому приборостроению и предназначено для создания сложных дифракционных оптических элементов (ДОЭ) - киноформов, фокусаторов, корректоров и т.д. The invention relates to optical instrumentation and is intended to create complex diffractive optical elements (DOE) - kinoforms, focusers, correctors, etc.
Известен способ выполнения маркировки на алмазе (патент RU 2102231, MПK B 28 D 5/00, В 23 К 26/00, опубл. БИ 2, 20.01.98), в котором для выполнения маркировки район на маркируемой поверхности облучается лазером с длиной волны 190 - 350 нм и уровнем мощности, достаточным для перевода алмаза в легколетучее или легкорастворимое состояние, причем излучение пропускается через маски и уменьшительную оптику. A known method of marking on a diamond (patent RU 2102231, MPK B 28 D 5/00, 23 K 26/00, publ.
Недостатками данного способа являются сложность оборудования, применение ультрафиолетовой силовой оптики, наличие тугоплавких масок и низкая точность процесса из-за взрывного характера воздействия. The disadvantages of this method are the complexity of the equipment, the use of ultraviolet power optics, the presence of refractory masks and the low accuracy of the process due to the explosive nature of the effect.
Наиболее близким к предлагаемому техническому решению является способ размерной обработки алмаза (а.с. SU 852586, МПК B 28 D 5/00, опубл. БИ 29, 07.08.81), который заключается в растворении последнего в твердом металле или сплаве, из которых изготовлен инструмент-маска, с последующим удалением растворенного углерода из зоны контакта за счет диффузии и транспортного газа-реагента. Процесс происходит в среде Н2, Н2О и др., при нагреве в печи при температуре 1100-1250oС. Процесс отличается точностью воспроизведения размеров.Closest to the proposed technical solution is a method for the dimensional processing of diamond (a.s. SU 852586, IPC B 28 D 5/00, publ. BI 29, 08/08/81), which consists in dissolving the latter in a solid metal or alloy, of which a mask tool was made, with the subsequent removal of dissolved carbon from the contact zone due to diffusion and the transport reagent gas. The process takes place in an environment of H 2 , H 2 O, etc., when heated in an oven at a temperature of 1100-1250 o C. The process is notable for the accuracy of reproducing dimensions.
Однако недостатком этого изобретения является необходимость общего нагрева и подложки (алмаза), и инструмента (маски) в печи, что приводит к деструкции обрабатываемой подложки (алмаза). However, the disadvantage of this invention is the need for general heating of both the substrate (diamond) and the tool (mask) in the furnace, which leads to the destruction of the processed substrate (diamond).
Поставлена задача разработать способ изготовления ДОЭ на алмазных и алмазоподобных подложках повышенной точности без общего нагрева обрабатываемой подложки (алмаза). The task is to develop a method for manufacturing DOE on diamond and diamond-like substrates of increased accuracy without general heating of the processed substrate (diamond).
Поставленная задача достигается тем, что в способе изготовления дифракционных оптических элементов на алмазных и алмазоподобных подложках, заключающемся в нанесении на подложку каталитической маски и последующем нагреве структуры в среде транспортного газа, согласно изобретению нагрев осуществляют широкоапертурным потоком излучения с длиной волны, лежащей в окне прозрачности обрабатываемого материала. The object is achieved by the fact that in the method for manufacturing diffractive optical elements on diamond and diamond-like substrates, which consists in applying a catalytic mask to the substrate and then heating the structure in a transport gas medium, the heating is carried out according to the invention with a wide-aperture radiation flux with a wavelength lying in the transparency window of the processed material.
Сущность изобретения поясняется прилагаемыми чертежами. The invention is illustrated by the accompanying drawings.
На фиг.1-3 показан процесс образования микрорельефа ДОЭ в слое алмаза. Figure 1-3 shows the process of formation of the microrelief DOE in the diamond layer.
На фиг.4 - фрагмент профилограммы микрорельефа ДОЭ. Figure 4 - fragment profilogram microrelief DOE.
На фиг.1-3 цифрами обозначено: 1 - подложка, 2 - каталитическая маска, 3 - поток широкоапертурного излучения, 4 - зона обработки. 1-3, the numbers indicate: 1 — substrate, 2 — catalytic mask, 3 — wide-aperture radiation flux, 4 — processing zone.
Способ осуществляют следующим образом. Каталитическую маску наносят, например напылением, на поверхность алмазной подложки (фиг.1). В замкнутый объем, например из кварцевого стекла, подают с небольшим расходом водород и осуществляют инициацию реакции разложения алмаза засветкой широкоапертурным потоком излучения с длиной волны, лежащей в окне прозрачности обрабатываемого материала (фиг.2). В области маскирования происходит поглощение излучения и за счет диффузионных процессов разложившийся материал подложки удаляется транспортным газом (фиг.3). Таким образом получают или бинарный, или, после периодической замены масок, многоградационный микрорельеф ДОЭ (фиг.4). Из-за того, что длина волны излучения лежит в окне прозрачности алмаза, а реакция протекает с применением катализа, достигаются высокая точность воспроизведения микрорельефа и отсутствие деградации материала подложки. The method is as follows. The catalytic mask is applied, for example by spraying, on the surface of the diamond substrate (figure 1). In a closed volume, for example of quartz glass, hydrogen is supplied at a low flow rate and the diamond decomposition reaction is initiated by exposure to a wide-aperture radiation flux with a wavelength lying in the transparency window of the processed material (Fig. 2). In the masking region, radiation is absorbed and due to diffusion processes, the decomposed substrate material is removed by the transport gas (Fig. 3). Thus, either binary or, after periodic replacement of the masks, a multi-gradation microrelief of the DOE is obtained (Fig. 4). Due to the fact that the radiation wavelength lies in the transparency window of the diamond, and the reaction proceeds with the use of catalysis, a high fidelity of the microrelief and the absence of degradation of the substrate material are achieved.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2001108328A RU2197006C2 (en) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | Process of manufacture of diffraction optical elements on diamond and diamond-like substrates |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2001108328A RU2197006C2 (en) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | Process of manufacture of diffraction optical elements on diamond and diamond-like substrates |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2197006C2 true RU2197006C2 (en) | 2003-01-20 |
Family
ID=20247739
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2001108328A RU2197006C2 (en) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | Process of manufacture of diffraction optical elements on diamond and diamond-like substrates |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2197006C2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2587528C1 (en) * | 2015-04-30 | 2016-06-20 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской академии наук (ИАиЭ СО РАН) | Method of monitoring error of making diffraction optical elements (doe) |
-
2001
- 2001-03-27 RU RU2001108328A patent/RU2197006C2/en not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
ХИМИЧЕСКАЯ ЭНЦИКЛОПЕДИЯ/ Под ред. И.Л.Кнунянца. - М.: Советская энциклопедия, 1988, т.1, с. 106. * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2587528C1 (en) * | 2015-04-30 | 2016-06-20 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской академии наук (ИАиЭ СО РАН) | Method of monitoring error of making diffraction optical elements (doe) |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0172604A2 (en) | Method for depositing a micron-size metallic film on a transparent substrate utilizing a visible laser | |
US4324854A (en) | Deposition of metal films and clusters by reactions of compounds with low energy electrons on surfaces | |
TWI226508B (en) | Laser machining method and apparatus | |
EP0184352A1 (en) | Method of surface treatment | |
Veiko et al. | Laser-induced local oxidation of thin metal films: physical fundamentals and applications | |
JPH0286128A (en) | Method of removing surface pollutive material by irradiation from high energy source, and device | |
NO901480D0 (en) | CLOSE FLUID PHOTO CHEMICAL PROCEDURE FOR SUBSTRATE TREATMENT. | |
Ding et al. | Laser-induced back-side wet etching of fused silica with an aqueous solution containing organic molecules | |
US20090038636A1 (en) | Cleaning method | |
Baum et al. | Projection printing of gold micropatterns by photochemical decomposition | |
RU2197006C2 (en) | Process of manufacture of diffraction optical elements on diamond and diamond-like substrates | |
JPS6021224B2 (en) | Laser thin film forming equipment | |
JPS58165330A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
Sergeev et al. | Changes in the spectral characteristics of quartz-glass plates when they are processed with laser-induced plasma | |
Gololobov et al. | Laser nanoablation of a diamond surface in air and vacuum | |
JPS595621A (en) | Forming method for thin-film | |
WO1989007285A1 (en) | Integrated circuit micro-fabrication using dry lithographic processes | |
EP1710623B1 (en) | Method of cleaning a substrate surface from a crystal nucleus | |
JP2006086249A (en) | Form transferring method and device thereof | |
JPS60216549A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
Veiko et al. | Mechanisms of thin Cr films modification under multipulse femtosecond laser action | |
Eichler et al. | Material processing | |
JPS63307450A (en) | Method for forming resist pattern | |
Bäuerle | Laser induced chemical vapor deposition | |
Rappe et al. | Principles And Conception Of LCVD Reactors For Photolytic And Pyrolytic Applications In Microelectronics |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20080328 |