RU2193610C2 - Способ нейтронно-трансмутационного легирования кремния - Google Patents
Способ нейтронно-трансмутационного легирования кремния Download PDFInfo
- Publication number
- RU2193610C2 RU2193610C2 RU2000124650A RU2000124650A RU2193610C2 RU 2193610 C2 RU2193610 C2 RU 2193610C2 RU 2000124650 A RU2000124650 A RU 2000124650A RU 2000124650 A RU2000124650 A RU 2000124650A RU 2193610 C2 RU2193610 C2 RU 2193610C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- irradiation
- silicon
- time
- fluence
- container
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технологии нейтронно-трансмутационного легирования (НТЛ) кремния при промышленном производстве на энергетических реакторах типа РБМК, широко применяемого в технологии изготовления приборов электронной и электротехнической промышленности. Сущность изобретения: в способе нейтронно-трансмутационного легирования кремния, включающем циклическое облучение нейтронным потоком по дозно-временному регламенту контейнера со слитком кремния в канале ядерного реактора с известным исходным, но изменяющимся во времени высотным распределением плотности нейтронного потока, контроль за усредненным по длине слитка в контейнере флюенсом нейтронов, предложено вместе с легируемым кремнием в контейнере разместить несколько контрольных кремниевых шайб, облучение периодически прерывать, контейнер извлекать, производить отжиг контрольных шайб и измерения электрофизических параметров одной из них. Операции облучения и измерения повторяют до получения требуемых электрофизических параметров у кремния, а время каждого последующего облучения определяют по формуле tфакт=(t1+ti), где ti=0,7t - первый цикл облучения; ti=(фо-фi)/φт(o)- последующие циклы облучения; где tфакт - фактическое время облучения слитков кремния при циклическом облучении, с; t1 - время облучения слитков кремния за 1-й цикл облучения, с; ti - время облучения слитков кремния за i-й цикл облучения, с; t0 - теоретически расчетное время облучения слитков кремния для набора расчетного флюенса, с; фо - расчетный флюенс облучения для достижения заданных электрофизических параметров кремния, см-2; фi - флюенс, набираемый слитками кремния при i-м цикле облучения, см-2; φт(o)- плотность потока тепловых нейтронов, измеренная перед началом нейтронного облучения кремния, на основании которого рассчитывается to(n/см2 • с-1). Использование предлагаемого способа получения легированных фосфором монокристаллов кремния повышает качество радиационно-легированного до низких номиналов УЭС кремния: снижает разброс УЭС; позволяет сохранить монокристаллическую структуру слитка, что в конечном итоге приводит к снижению внутренних механических напряжений и повышению времени жизни неосновных носителей заряда. 1 з.п.ф-лы, 2 ил., 3 табл.
Description
Изобретение относится к технологии нейтронно-трансмутационного легирования (НТЛ) кремния при промышленном производстве на энергетических реакторах типа РБМК, широко применяемого в технологии изготовления приборов электронной и электротехнической промышленности.
Образование (НТЛ) осуществляется по ядерной реакции [1,4]:
при облучении слитков кремния в ядерном реакторе потоком тепловых нейтронов, в результате которой в конечном итоге образуются ядра легирующей примеси фосфора. Распределение этих ядер следует за распределением флюенса тепловых нейтронов по объему слитков кремния. В технологии НТЛ к кремнию предъявляют жесткие требования по точности набора флюенса - 8-10% или менее (количество образующихся ядер фосфора, а в конечном итоге заданное удельное сопротивление НТЛ кремния).
при облучении слитков кремния в ядерном реакторе потоком тепловых нейтронов, в результате которой в конечном итоге образуются ядра легирующей примеси фосфора. Распределение этих ядер следует за распределением флюенса тепловых нейтронов по объему слитков кремния. В технологии НТЛ к кремнию предъявляют жесткие требования по точности набора флюенса - 8-10% или менее (количество образующихся ядер фосфора, а в конечном итоге заданное удельное сопротивление НТЛ кремния).
Известен способ получения НТЛ кремния [2], включающий перемещение контейнера со слитками кремния по каналу реактора из одного крайнего положения в другое, в котором середина слитков совмещена с серединой выбранного участка для облучения.
Недостатком этого способа является, то, что для достижения требуемой точности набора флюенса следует перед каждым облучением формировать нейтронное поле с помощью поглотителей и замедлителей тепловых нейтронов. Однако, если происходит изменение нейтронного поля в процессе облучения, то точность набора флюенса падает, что приводит к переоблучению или недооблучению кремния.
Известен способ нейтронно-трансмутационного легирования кремния [3], включающий возвратно-поступательное перемещение не менее двух контейнеров со слитком кремния по каналу реактора через зону облучения по рассчитанному заранее дозно-временному регламенту. При смене направления движения контейнеров в зоне облучения должен присутствовать хотя бы один из контейнеров. После одного или нескольких циклов перемещения процесс облучения прерывают и производят смену контейнеров местами или замену по крайней мере одного из них. Скорость перемещения контейнеров является величиной переменной и зависит от требуемой величины флюенса.
Данный способ является трудоемким, недостаточно производительным и не обеспечивает требуемой точности набора флюенса.
Известен также способ НТЛ кремния [4], включающий перемещение через канал ядерного реактора с постоянной скоростью непрерывно следующих друг за другом контейнеров большой протяженности со слитками кремния. В этом способе контейнеры загружают в канал реактора с одной стороны, а выгружают с другой. Главное и серьезное достоинство этого способа - это почти полное использование объема зоны облучения в канале для легирования кремния. Если пренебречь зазором между кремнием в соседних контейнерах, то получается, что весь объем канала и его зоны облучения заняты кремнием.
Однако такой способ можно реализовать лишь на канале реактора, к которому возможен доступ с обоих торцов.
Наиболее близким аналогом заявляемого изобретения является способ нейтронно-трансмутационного легирования кремния [5], включающий возвратно-поступательное перемещение контейнера через зону облучения по каналу реактора и контроль за усредненным по длине слитков флюенсом нейтронов. Предварительно в канале реактора формируют нейтронное поле и вдоль канала выбирают участок, на котором распределение плотности потока тепловых нейтронов является четной функцией. В контейнере размещают слитки кремния общей длиной не более длины выбранного участка в канале. В процессе облучения контейнер со слитками перемещают по каналу из крайнего в положение, при котором середина длины слитков совмещена с серединой выбранного участка. После облучения половинным от требуемого флюенса нейтронов процесс облучения прерывают, контейнер разворачивают, меняя местами его торцы, и точно также дооблучают контейнер оставшимся флюенсом нейтронов.
Недостатком этого способа является его трудоемкость, связанная с тем, что для достижения требуемой точности набора флюенса следует перед каждым облучением формировать нейтронное поле с помощью поглотителей и замедлителей тепловых нейтронов, а если происходит изменение нейтронного поля в процессе облучения, то точность набора флюенса падает, что приводит к переоблучению или недооблучению кремния.
Задачей, решаемой заявленным изобретением, является повышение точности набора флюенса, а в конечном итоге, получение заданного удельного сопротивления НТЛ кремния с точностью до 3% и снижение трудозатрат.
Сущность изобретения состоит в том, что в способе нейтронно-трансмутационного легирования кремния, включающем циклическое облучение нейтронным потоком по дозно-временному регламенту контейнера со слитками кремния в канале ядерного реактора с известным исходным, но изменяющимся во времени высотным распределением плотности нейтронного потока, контроль за усредненным по длине слитка в контейнере флюенсом нейтронов, предложено вместе с легируемым кремнием в контейнере разместить несколько контрольных кремниевых шайб, облучение периодически прерывать, контейнер извлекать, производить отжиг контрольных шайб и измерения электрофизических параметров одной из них.
Операции облучения и измерения повторяют до получения требуемых электрофизических параметров у кремния, а время каждого последующего облучения определяют по формуле:
tфакт=(t1+ti),
где ti=0,7t - первый цикл облучения;
ti=(фо-фi)/φт(o)- последующие циклы облучения;
tфакт - фактическое время облучения слитков кремния при циклическом облучении, с;
t1 - время облучения слитков кремния за 1-й цикл облучения, с;
ti - время облучения слитков кремния за i-й цикл облучения, с;
t0 - теоретически расчетное время облучения слитков кремния для набора расчетного флюенса, с;
фо - расчетный флюенс облучения для достижения заданных электрофизических параметров кремния, см-2;
фi - флюенс, набираемый слитками кремния при i-ом цикле облучения, см-2;
φт(o)- плотность потока тепловых нейтронов, измеренная перед началом нейтронного облучения кремния, на основании которого рассчитывается to(n/см2 с-1).
tфакт=(t1+ti),
где ti=0,7t - первый цикл облучения;
ti=(фо-фi)/φт(o)- последующие циклы облучения;
tфакт - фактическое время облучения слитков кремния при циклическом облучении, с;
t1 - время облучения слитков кремния за 1-й цикл облучения, с;
ti - время облучения слитков кремния за i-й цикл облучения, с;
t0 - теоретически расчетное время облучения слитков кремния для набора расчетного флюенса, с;
фо - расчетный флюенс облучения для достижения заданных электрофизических параметров кремния, см-2;
фi - флюенс, набираемый слитками кремния при i-ом цикле облучения, см-2;
φт(o)- плотность потока тепловых нейтронов, измеренная перед началом нейтронного облучения кремния, на основании которого рассчитывается to(n/см2 с-1).
Кроме того, предлагается первоначальное облучение проводить в течение времени, составляющем 60÷70% от расчетного, а время повторного облучения выбрать из интервала 20÷30% от расчетного.
В заявляемом способе реализуется метод последовательного статистического контроля и анализа процесса облучения кремния в реакторе с помощью контрольных кремниевых шайб, при этом время облучения кремния на каждом последующем этапе экспонирования определяют по предложенной зависимости, которая учитывает значение достигнутых электрофизических характеристик кремния и значения текущего высотного распределения плотности потока нейтронов в зоне облучения непосредственно перед началом очередного цикла облучения. Таким образом удается вести строго контролируемое по величине и во времени облучение кремния. Способ позволяет автоматически учесть влияние стенок контейнера и неоднородность исходных электрофизических характеристик данной конкретной партии кремния на достижение его конечных электрофизических характеристик. Вероятность передозировки кремния практически исключена, т.к. время облучения каждого последующего цикла непрерывно снижается и строго регламентируется. С учетом практики выполнения облучения рекомендуется облучение проводить на первом этапе в течение времени, составляющем 60÷70% от расчетного, а повторное - в течение 20÷30% времени от расчетного. Это исключает возможность передозировки. Кремний, как полупроводниковый материал, характеризуется рядом электрофизических параметров, таких как:
- удельное электрическое сопротивление (УЭС) ρ,
- время жизни неосновных носителей заряда τ,
- подвижность носителей заряда μ,
- концентрация носителей заряда η.
В результате облучения кремния тепловыми нейтронами по ядерной реакции концентрация вносимого при нейтронном легировании фосфора определяется по формуле:
Np = Nsi•K30•σ30•φт•t,
где Nsi - концентрация атомов кремния в исходной смеси изотопов, ат/см2 (5•1022);
K30 - относительное содержание изотопа Si30 (0,031);
σ30- - сечение активации, см2 (0,11•10-24);
φт- - плотность потока тепловых нейтронов n/(см2•с);
t - время облучения, (с).
- удельное электрическое сопротивление (УЭС) ρ,
- время жизни неосновных носителей заряда τ,
- подвижность носителей заряда μ,
- концентрация носителей заряда η.
В результате облучения кремния тепловыми нейтронами по ядерной реакции концентрация вносимого при нейтронном легировании фосфора определяется по формуле:
Np = Nsi•K30•σ30•φт•t,
где Nsi - концентрация атомов кремния в исходной смеси изотопов, ат/см2 (5•1022);
K30 - относительное содержание изотопа Si30 (0,031);
σ30- - сечение активации, см2 (0,11•10-24);
φт- - плотность потока тепловых нейтронов n/(см2•с);
t - время облучения, (с).
После подстановки констант выражение будет иметь вид:
В результате облучения кремния образуется некоторая концентрация фосфора, являющаяся легирующей примесью, которая и приводит к изменению удельного электрического сопротивления (УЭС) кремния. Таким образом, управляя плотностью потока тепловых нейтронов (φт) и временем облучения (t), можно управлять количеством образующейся концентрации фосфора (Np) и как следствие значением (УЭС). При нейтронном легировании кремния на реакторах РБМК-1000 для получения необходимой концентрации фосфора в кремнии управляют временем облучения (t), а поток тепловых нейтронов (φт) является нерегулируемой физической характеристикой реактора.
В результате облучения кремния образуется некоторая концентрация фосфора, являющаяся легирующей примесью, которая и приводит к изменению удельного электрического сопротивления (УЭС) кремния. Таким образом, управляя плотностью потока тепловых нейтронов (φт) и временем облучения (t), можно управлять количеством образующейся концентрации фосфора (Np) и как следствие значением (УЭС). При нейтронном легировании кремния на реакторах РБМК-1000 для получения необходимой концентрации фосфора в кремнии управляют временем облучения (t), а поток тепловых нейтронов (φт) является нерегулируемой физической характеристикой реактора.
Технологическая последовательность нейтронного облучения кремния по выбранному способу проиллюстрирована фиг.1, где поз.1 - облучательный канал реактора типа РБМК-1000, поз.2 - контейнер для облучения кремния, поз.3 - слитки кремния, поз. 4 - контрольные кремниевые шайбы, поз.5 - зона нейтронно-трансмутационного легирования кремния с высотным распределением потока тепловых нейтронов не хуже 1,5%, и заключается в следующем: непосредственно перед загрузкой кремния в реактор на облучение производят сканирование облучательного канала (ОК) по всей высоте активной зоны реактора камерой деления типа КТ-19.
По полученным значениям тока камеры КТ-19 рассчитывают фактическое значение плотности потока тепловых нейтронов по высоте активной зоны реактора и находят участок облучения (см. фиг.2), где значения (φт) не превышало бы 1,5%. Длина такого участка [1] (фиг.1) обычно находится в пределах 1000÷1500 мм. В соответствии с длиной полученного участка облучения в канале 1 реактора заполняют контейнер 2 слитками кремния 3 и дополнительно укладывают туда 3 шт. контрольных кремниевых шайб 4, которые облучают по расчетному времени (t1). По истечении расчетного времени контейнер 2 с кремнием 3 выгружают из канала 1 реактора, извлекают одну контрольную шайбу 4. Производят контроль шайбы 4 и по полученному УЭС рассчитывают следующий режим облучения (время облучения - t2). Затем вновь загружают контейнер 2 с кремнием 3 и контрольными шайбами 4 в ОК и облучают по расчетному времени (t2). Выгружают контейнер 2 с кремнием 3 из канала 1 реактора, извлекают вторую контрольную шайбу 4. Производят после отжига контроль шайбы 4 и по полученному УЭС рассчитывают следующий режим облучения (время облучения - t3). Таким образом, за счет многократного контроля набираемого флюенса в период облучения слитков 3 кремния, без нарушения режима работы реактора, дозно-временные циклы продолжают до тех пор, пока в кремнии не будет достигнут заданный флюенс с точностью до 2%.
Способ поясняется примерами 1, 2, 3.
Примеры нейтронно-трансмутационного легирования кремния по данной технологии сведены в табл. 1, 2, 3.
Облучение кремния проводилось на реакторе РБМК-1000 в облучательном канале (ОК), установленном вместо канала системы управления и защиты (СУЗ).
1. При помощи камеры КТ-19 измерено высотное распределение плотности потока тепловых нейтронов (φт(o)) и определено "плато" с радиальным распределением (φт(o)) не хуже 1,5% (столбец 5).
2. По исходным значениям ρисх (столбец 2) и заданным значениям ρкон (столбец 3) кремния произведены расчеты набираемого флюенса ф0 (столбец 4) и время облучения t0 (столбец 6).
3. В контейнер с кремнием, подготовленный для облучения, загрузили 3 контрольные кремниевые шайбы с измеренными исходными значениями ρисх и загрузили контейнер в ОК на "плато".
1-й цикл облучения:
облучение проводится в течение 70% t0.
облучение проводится в течение 70% t0.
По окончании t1 (столбец 7) контейнер с кремнием выгрузили из ОК и поместили его в бассейн выдержки для спада радиоактивности на 2-е суток. После спада активности извлекли из контейнера 1 контрольную шайбу, произвели отжиг, измерили ее ρ1, по исходному значению ρисх и полученному после облучения ρ1 рассчитали набранную дозу ф1 (столбец 8) облучения за t1.
2-й цикл облучения:
по выражению ф2=(ф0-ф1)/0,5 рассчитываем флюенс для облучения на 2-й цикл.
по выражению ф2=(ф0-ф1)/0,5 рассчитываем флюенс для облучения на 2-й цикл.
По выражению
рассчитываем время облучения 2-го цикла.
рассчитываем время облучения 2-го цикла.
По окончании t2 (столбец 9) выгрузили контейнер с кремнием из ОК и поместили его в бассейн выдержки для спада радиоактивности на 2-е суток. После спада активности извлекли из контейнера 2-ю контрольную шайбу, произвели отжиг, измерили ее ρ2 по исходному значению ρисх и полученному после облучения ρ2 рассчитали набранный флюенс ф1+ф2 (столбец 10) облучения за t1+t2.
3-й цикл облучения:
по выражению ф3=(ф0-ф1-ф2) рассчитываем флюенс для облучения 3-го цикла.
по выражению ф3=(ф0-ф1-ф2) рассчитываем флюенс для облучения 3-го цикла.
По выражению 
рассчитываем время облучения 3-го цикла.
По окончании t3 (столбец 11) выгрузили контейнер с кремнием из ОК и поместили его в бассейн выдержки для спада радиоактивности на 2-е суток. После спада активности извлекли из контейнера 3-ю контрольную шайбу, произвели отжиг, измерили ее ρкон, рассчитали набранный флюенс ф3 (столбец 12) облучения за t1+t2+t3=tфакт (столбец 11). По окончании 3-го цикла кремний выгружается из облучательного контейнера, проходит дезактивацию, промывку, упаковку и отправку заказчикам. Количество циклов определяется требованиями к облучаемому кремнию.
Примеры нейтронно-трансмутационного легирования кремния по данной технологии сведены в табл. 1, 2, 3. Как видно из данных таблиц, отклонение задаваемого флюенса от фактически полученного после облучения кремния (столбец 13) укладывается в пределах ±2%, что характеризует качество получаемой продукции.
Возможность получения высококачественного монокристаллического кремния, легированного фосфором до низких значения УЭС, будет способствовать увеличению выхода годных приборов с улучшенными характеристиками в электронной и электротехнической промышленности. Использование термической обработки после окончания очередного цикла легирования позволяет значительно снизить уровень дефектности, производимой в процессе радиационного легирования, увеличить точность попадания в номинал УЭС. Таким образом, достигается сохранение монокристаллической структуры слитка кремния после облучения большими интегральными потоками нейтронов и снижение погрешности попадания в номинал УЭС. Использование предлагаемого способа получения легированных фосфором монокристаллов кремния повышает качество радиационно-легированного до низких номиналов УЭС кремния: снижает разброс УЭС; позволяет сохранить монокристаллическую структуру слитка, что в конечном итоге приводит к снижению внутренних механических напряжений и повышению времени жизни неосновных носителей заряда.
Используемая литература
1. Смирнов Л.С. и др. "Легирование полупроводников методом ядерных реакций", Новосибирск, Наука, 1981 г., с.138.
1. Смирнов Л.С. и др. "Легирование полупроводников методом ядерных реакций", Новосибирск, Наука, 1981 г., с.138.
2. Новости физики твердого тела, выпуск 11, под редакцией Дж. Миза, "Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников", Изд-во Москва, МИР, 1982 г.
3. Патент Российской Федерации RU 2008373 С1, "Способ нейтронно-трансмутационного легирования кремния".
4. DЕ 2516514 А, Simens AG 21.10.1976г.
5. Патент Российской Федерации RU 2089011 С1, "Способ нейтронно-трансмутационного легирования кремния".
Claims (2)
1. Способ нейтронно-трансмутационного легирования кремния, включающий циклическое облучение нейтронным потоком по дозно-временному регламенту контейнера со слитками кремния в канале ядерного реактора с известным исходным, но изменяющимся во времени высотным распределением плотности нейтронного потока, контроль за усредненным по длине слитка в контейнере флюенсом нейтронов, отличающийся тем, что вместе с легируемым кремнием в контейнере размещают несколько контрольных кремниевых шайб, облучение периодически прерывают, контейнер извлекают, производят отжиг контрольных шайб и измерения электрофизических параметров одной из них, причем, операции облучения и измерения повторяют до получения требуемых электрофизических параметров у кремния, а время каждого последующего облучения определяют по формуле:
tфакт= (t1+ti),
где ti= 0,7t - первый цикл облучения;
ti= (фо-фi)/φт(o)- последующие циклы облучения;
tфакт - фактическое время облучения слитков кремния при циклическом облучении, с;
t1 - время облучения слитков кремния за 1-й цикл облучения, с;
ti - время облучения слитков кремния за i-й цикл облучения, с;
t0 - теоретически расчетное время облучения слитков кремния для набора расчетного флюенса, с;
фо - расчетный флюенс облучения для достижения заданных электрофизических параметров кремния, см-2;
фi - флюенс, набираемый слитками кремния при i-м цикле облучения, см-2;
φт(o) - плотность потока тепловых нейтронов, измеренная перед началом нейтронного облучения кремния, на основании которого рассчитывается to(n/см2 с-1).
tфакт= (t1+ti),
где ti= 0,7t - первый цикл облучения;
ti= (фо-фi)/φт(o)- последующие циклы облучения;
tфакт - фактическое время облучения слитков кремния при циклическом облучении, с;
t1 - время облучения слитков кремния за 1-й цикл облучения, с;
ti - время облучения слитков кремния за i-й цикл облучения, с;
t0 - теоретически расчетное время облучения слитков кремния для набора расчетного флюенса, с;
фо - расчетный флюенс облучения для достижения заданных электрофизических параметров кремния, см-2;
фi - флюенс, набираемый слитками кремния при i-м цикле облучения, см-2;
φт(o) - плотность потока тепловых нейтронов, измеренная перед началом нейтронного облучения кремния, на основании которого рассчитывается to(n/см2 с-1).
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что первоначальное облучение проводят в течение времени, составляющем 60-70% от расчетного, а время повторного облучения составляет 20-30% от расчетного.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2000124650A RU2193610C2 (ru) | 2000-09-27 | 2000-09-27 | Способ нейтронно-трансмутационного легирования кремния |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2000124650A RU2193610C2 (ru) | 2000-09-27 | 2000-09-27 | Способ нейтронно-трансмутационного легирования кремния |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2000124650A RU2000124650A (ru) | 2002-09-20 |
| RU2193610C2 true RU2193610C2 (ru) | 2002-11-27 |
Family
ID=20240479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2000124650A RU2193610C2 (ru) | 2000-09-27 | 2000-09-27 | Способ нейтронно-трансмутационного легирования кремния |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2193610C2 (ru) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2514943C1 (ru) * | 2012-12-25 | 2014-05-10 | Георгий Николаевич ПЕТРОВ | Способ и устройство для нейтронного легирования вещества |
| DE102015120689A1 (de) | 2014-12-10 | 2016-06-16 | Injector Llc | Verfahren zur Bestrahlung von Isotopen schwerer chemischer Elemente, Umwandlung von Kernenergie in Wärmeenergie und Anlage dafür |
| CN112885493A (zh) * | 2021-01-19 | 2021-06-01 | 中国核动力研究设计院 | 一种反应堆单晶硅辐照控制系统 |
-
2000
- 2000-09-27 RU RU2000124650A patent/RU2193610C2/ru not_active IP Right Cessation
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2514943C1 (ru) * | 2012-12-25 | 2014-05-10 | Георгий Николаевич ПЕТРОВ | Способ и устройство для нейтронного легирования вещества |
| WO2014104945A2 (ru) * | 2012-12-25 | 2014-07-03 | Petrov Georgy Nikolaevich | Способ и устройство для нейтронного легирования вещества |
| WO2014104945A3 (ru) * | 2012-12-25 | 2014-08-07 | Petrov Georgy Nikolaevich | Способ и устройство для нейтронного легирования вещества |
| DE102015120689A1 (de) | 2014-12-10 | 2016-06-16 | Injector Llc | Verfahren zur Bestrahlung von Isotopen schwerer chemischer Elemente, Umwandlung von Kernenergie in Wärmeenergie und Anlage dafür |
| CN112885493A (zh) * | 2021-01-19 | 2021-06-01 | 中国核动力研究设计院 | 一种反应堆单晶硅辐照控制系统 |
| CN112885493B (zh) * | 2021-01-19 | 2022-04-29 | 中国核动力研究设计院 | 一种反应堆单晶硅辐照控制系统 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Vogl et al. | Unusual dynamical properties of self-interstitials trapped at Co impurities in Al | |
| Nakae et al. | Irradiation induced lattice defects in UO2 | |
| Devine et al. | Creation and annealing kinetics of magnetic oxygen vacancy centers in SiO2 | |
| Ott | Quasistatic treatment of spatial phenomena in reactor dynamics | |
| RU2193610C2 (ru) | Способ нейтронно-трансмутационного легирования кремния | |
| Haas et al. | Silicon doping by nuclear transmutation | |
| US4260448A (en) | Process for decreasing crystal damages in the production of n-doped silicon by neutron bombardment | |
| US5904767A (en) | Neutron transmutation doping of silicon single crystals | |
| Hall | Hp Ge: Purification, crystal growth, and annealing properties | |
| Konobeevskii et al. | An investigation of structural changes caused by neutron irradiation of a uranium molybdenum alloy | |
| RU2193609C2 (ru) | Способ нейтронно-трансмутационного легирования кремния | |
| RU2000124650A (ru) | Способ нейтронно-трансмутационного легирования кремния | |
| Varlachev et al. | Technology for Silicon NTD Using Pool-Type Research Reactors | |
| Stanley et al. | Irradiation-enhanced short-range ordering in austenitic stainless steel | |
| RU2162256C1 (ru) | Способ снижения концентрации радиационных дефектов в нейтронно-легированном кремнии при импульсном облучении | |
| RU2145128C1 (ru) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЯДЕРНО-ЛЕГИРОВАННОГО КРЕМНИЯ n-ТИПА (ВАРИАНТЫ) | |
| Beretz et al. | The Production Rate of Point Defects by Irradiation: A Comparative Study in a Ag-24 at% Zn Alloy, for y-Rays, Fast | |
| Matzke et al. | Damage recovery in the U-sublattice of ion implanted UO2 between 5 K and 2000 K | |
| Kuznetsov et al. | Peculiarities of divacancy annealing in radiation defect clusters | |
| Cheng et al. | Temperature dependence of production rate of divacancy and near edge absorption in Si by fission neutrons | |
| Kirk | Cascade Defect Production and Irradiation Enhanced Diffusion in Cu sub 3 Au.(Retroactive Coverage) | |
| Mahata | Recent progresses in studies of fission of pre-actinide nuclei | |
| Bondarenko et al. | Void coalescence in metals at high irradiation doses | |
| Sadaoka et al. | Effects of microstructural factors on irradiation growth in zirconium-niobium alloys | |
| Gol’din et al. | Control of the power of a fast reactor in the self-regulation regime and reactor startup |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD4A | Correction of name of patent owner | ||
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20160928 |