RU2183026C1 - Process of manufacture of optical waveguide device - Google Patents
Process of manufacture of optical waveguide device Download PDFInfo
- Publication number
- RU2183026C1 RU2183026C1 RU2000129006/28A RU2000129006A RU2183026C1 RU 2183026 C1 RU2183026 C1 RU 2183026C1 RU 2000129006/28 A RU2000129006/28 A RU 2000129006/28A RU 2000129006 A RU2000129006 A RU 2000129006A RU 2183026 C1 RU2183026 C1 RU 2183026C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- workpiece
- optical
- semiconductors
- accelerated particles
- preform
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/134—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by substitution by dopant atoms
- G02B6/1345—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by substitution by dopant atoms using ion exchange
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к технологии изготовления оптических волноводов, а именно светопроводящих каналов, и может быть использовано для создания оптических процессоров для ЭВМ, оптических усилителей и/или генераторов для оптоволоконной связи, а также для изготовления элементов трехмерной памяти. The invention relates to a technology for manufacturing optical waveguides, namely light guide channels, and can be used to create optical processors for computers, optical amplifiers and / or generators for fiber optic communication, as well as for the manufacture of three-dimensional memory elements.
Известен способ изготовления одномодового светопроводящего канала в прозрачном диэлектрике путем модификации структуры диэлектрика (см. описание к патенту РФ 2150135, G 02 В 6/13, 2000 [1]). Для реализации способа из прозрачного диэлектрика - алмаза, кварца, сапфира, стекла - изготавливают плоскопараллельную пластину и фокусируют на выбранной ее области воздействующее излучение фемтосекундного лазера с помощью аксикона. В результате на пути прохождения излучения превышается пороговая интенсивность ионизации диэлектрика и возникает плазма. В результате чего происходит очень быстрый, сильный нагрев (до 106 К) области фокусировки, занятой плазмой, и, следовательно, здесь развивается огромное давление (порядка 108 бар). В этих экстремальных условиях температуры и давления после прохождения импульса происходит модификация структуры вещества диэлектрика (что подтверждено экспериментально). Вследствие чего вдоль линии фокусировки аксикона образуется светопроводящий канал с измененным показателем преломления. Продольный и поперечный размеры канала определяются геометрией фокусировки (углом при вершине аксикона), энергией импульса и параметрами материала диэлектрика. Недостатками известного способа являются сложность его реализации и ограниченность применения, обусловленная тем, что с его помощью можно формировать только прямолинейные каналы.A known method of manufacturing a single-mode light guide channel in a transparent dielectric by modifying the structure of the dielectric (see the description of the patent of the Russian Federation 2150135, G 02
Известен способ изготовления оптического волноводного устройства, раскрытый в описании к патенту РФ 2151412, G 02 В 6/138, 2000 [2]. Для изготовления оптического волноводного устройства на поверхности стеклянной подложки формируют первый слой оболочки, поверх которого формируют металлический слой. Путем избирательного травления металлического слоя создают металлический шаблон для формирования в нем волноводной жилы. Затем в металлическом шаблоне формируют слой оптического полимера. Слой оптического полимера в свободных от металла участках металлического шаблона подвергают облучению ультрафиолетовым светом со стороны нижней поверхности подложки, что меняет его свойства. Волноводную жилу формируют путем удаления оставшейся части слоя оптического полимера, за исключением его облученной части, и металлического слоя. Поверх первого слоя оболочки и волноводной жилы формируют второй слой оболочки. Недостатком известного способа является сложность его реализации, поскольку процесс содержит много стадий, требует значительных количеств дорогостоящих расходных материалов и при этом не обеспечивается высокая плотность размещения оптических элементов на структуре, изготовленной этим способом. A known method of manufacturing an optical waveguide device disclosed in the description of the patent of the Russian Federation 2151412, G 02 In 6/138, 2000 [2]. To fabricate an optical waveguide device, a first sheath layer is formed on the surface of the glass substrate over which a metal layer is formed. By selectively etching the metal layer, a metal template is created to form a waveguide core in it. Then, an optical polymer layer is formed in the metal template. The optical polymer layer in the metal-free areas of the metal template is exposed to ultraviolet light from the side of the lower surface of the substrate, which changes its properties. A waveguide core is formed by removing the remaining portion of the optical polymer layer, with the exception of its irradiated portion, and the metal layer. A second layer of the sheath is formed on top of the first layer of the sheath and the waveguide core. The disadvantage of this method is the complexity of its implementation, since the process contains many stages, requires significant quantities of expensive consumables and it does not provide a high density of the optical elements on the structure made by this method.
Наиболее близким к заявляемому по своей технической сущности и достигаемому результату является способ изготовления плоских оптических волноводных структур, известный из описания к патенту США 5896484, НКИ 385/132, 1999 [3] . Известный способ осуществляется следующим образом. На подложку наносят кварцевое покрытие, а затем материал заготовки, в качестве которого используют германосиликат (кремний с добавкой окиси германия), предварительно насыщенный водородом. Затем заготовку облучают ультрафиолетовым светом, либо сканируя по заданной траектории по поверхности заготовки сфокусированным лучом, либо освещая заготовку через трафарет с выполненным в нем рисунком. В результате в материале заготовки в областях, подвергнутых облучению, происходит преобразование его оптических свойств. В данном случае изменяется показатель преломления и таким образом в заготовке, имеющей один показатель преломления, формируются каналы с заданной топологией, имеющие иной показатель преломления. Closest to the claimed in its technical essence and the achieved result is a method of manufacturing a flat optical waveguide structures, known from the description of US patent 5896484, NKI 385/132, 1999 [3]. The known method is as follows. A quartz coating is applied to the substrate, and then a workpiece material, which is used as germanosilicate (silicon with the addition of germanium oxide), previously saturated with hydrogen. Then the workpiece is irradiated with ultraviolet light, either by scanning along a predetermined path along the surface of the workpiece with a focused beam, or by illuminating the workpiece through a stencil with a pattern made in it. As a result, in the workpiece material in the regions subjected to irradiation, its optical properties are transformed. In this case, the refractive index changes, and thus, channels with a given topology and having a different refractive index are formed in the workpiece having one refractive index.
Недостатками известного способа являются сложность реализации, заключающаяся в необходимости насыщения водородом материала заготовки, однородного распределения которого по объему достичь достаточно трудно, а кроме того, достигаемая разность показателей преломлений невелика, что приводит к потерям через стенки сформированных волноводов проходящего по ним светового потока и ограничивает спектр длин волн, для которых такие волноводы можно использовать, поскольку в волноводах, основанных на разнице показателей преломления волноводного канала и покрытия, прохождение светового потока по каналу обеспечивается за счет полного внутреннего отражения, которое зависит от длины волны (см. Физический энциклопедический словарь. - М.: "СЭ", 1983, с. 562 [4]). The disadvantages of this method are the complexity of the implementation, which consists in the need to saturate the workpiece with hydrogen, a uniform distribution of which over the volume is difficult to achieve, and in addition, the achieved difference in refractive indices is small, which leads to the loss of the light flux passing through them and limits the spectrum wavelengths for which such waveguides can be used, since in waveguides based on the difference in refractive indices, the waveguide channel and cover, the light flux passing through the channel provided by the total internal reflection, which is dependent on the wavelength (see Encyclopedic Dictionary of Physics -.. M .: "SE", 1983, 562 [4].).
Заявляемый в качестве изобретения способ изготовления оптического волноводного устройства направлен на упрощение технологии, снижение потерь проходящего по волноводам светового потока и расширение спектрального диапазона, а также на уменьшение размеров, повышение плотности и устранение ограничений в конфигурации создаваемого рисунка. The inventive method for manufacturing an optical waveguide device is aimed at simplifying the technology, reducing the loss of the light flux passing through the waveguides and expanding the spectral range, as well as reducing the size, increasing the density and eliminating the configuration limitations of the created pattern.
Указанный результат достигается тем, что способ изготовления оптического волноводного устройства включает преобразование оптических свойств материала заготовки облучением, при этом для облучения используют пучки ускоренных частиц, а исходно прозрачный материал заготовки преобразуют в непрозрачный или менее прозрачный. This result is achieved in that the method of manufacturing an optical waveguide device involves converting the optical properties of the workpiece material by irradiation, while beams of accelerated particles are used for irradiation, and the initially transparent workpiece material is converted to opaque or less transparent.
Указанный результат достигается тем, что в качестве ускоренных частиц используют электроны, протоны, ионы гелия, атомы водорода или гелия. This result is achieved in that electrons, protons, helium ions, hydrogen or helium atoms are used as accelerated particles.
Указанный результат достигается тем, что в качестве материала заготовки используют многоатомные соединения металлов и/или полупроводников с кислородом, водородом, азотом, фтором. This result is achieved in that polyatomic compounds of metals and / or semiconductors with oxygen, hydrogen, nitrogen, fluorine are used as the workpiece material.
Указанный результат достигается тем, что в качестве материала заготовки используют оксиды металлов или полупроводников, а в качестве оксидов металлов или полупроводников используют оксиды меди, железа, вольфрама, германия. This result is achieved by the fact that metal or semiconductor oxides are used as the workpiece material, and copper, iron, tungsten, and germanium oxides are used as metal or semiconductor oxides.
Указанный результат достигается тем, что в качестве материала заготовки используют гидриды металлов, а в качестве гидридов металлов используют гидрид лантана или эрбия. This result is achieved in that metal hydrides are used as the workpiece material, and lanthanum or erbium hydride is used as metal hydrides.
Указанный результат достигается тем, что в качестве материала заготовки используют нитриды металлов или полупроводников, а в качестве нитридов металлов или полупроводников используют нитрид галлия или кремния. This result is achieved in that metal nitrides or semiconductors are used as the workpiece material, and gallium or silicon nitride is used as metal nitrides or semiconductors.
Указанный результат достигается тем, что в качестве материала заготовки используют фториды металлов, а в качестве фторидов металлов используют фторид кальция. This result is achieved in that metal fluorides are used as the workpiece material, and calcium fluoride is used as metal fluorides.
Указанный результат достигается тем, что используют слой материала заготовки толщиной 1-100 нм. The specified result is achieved by using a layer of workpiece material with a thickness of 1-100 nm.
Указанный результат достигается тем, что заготовку выполняют из нескольких последовательно создаваемых слоев различных материалов, каждый из которых последовательно преобразует свои оптические свойства под воздействием одного вида частиц. The specified result is achieved in that the preform is made of several successively created layers of various materials, each of which successively converts its optical properties under the influence of one kind of particles.
Отличительными признаками заявляемого изобретения являются:
- использование для облучения пучков ускоренных частиц;
- преобразование исходно прозрачного материала заготовки в непрозрачный или менее прозрачный;
- использование в качестве ускоренных частиц электронов;
- использование в качестве ускоренных частиц протонов;
- использование в качестве ускоренных частиц ионов гелия;
- использование в качестве ускоренных частиц атомов водорода или гелия;
- использование в качестве материала заготовки многоатомных соединений металлов и/или полупроводников;
- использование в качестве материала заготовки оксидов металлов или полупроводников;
- использование в качестве оксидов металлов или полупроводников, оксидов меди, железа, вольфрама кобальта, никеля, германия;
- использование в качестве материала заготовки гидридов металлов;
- использование в качестве гидридов металлов гидридов лантана или эрбия;
- использование в качестве материала заготовки нитридов металлов или полупроводников;
- использование в качестве нитридов металлов или полупроводников нитрида галлия или кремния;
- использование в качестве материала заготовки фторидов металлов;
- использование в качестве фторидов металлов фторида кальция;
- использование слоя материала заготовки толщиной 1-100 нм;
- выполнение заготовки из нескольких последовательно создаваемых слоев различных материалов, каждый из которых последовательно преобразует свои оптические свойства под воздействием одного вида частиц.Distinctive features of the claimed invention are:
- use for irradiation of beams of accelerated particles;
- the conversion of the initially transparent material of the workpiece into opaque or less transparent;
- use as accelerated particles of electrons;
- the use of protons as accelerated particles;
- the use of helium ions as accelerated particles;
- the use of hydrogen or helium atoms as accelerated particles;
- use as a preform material polyatomic compounds of metals and / or semiconductors;
- use as a workpiece material metal oxides or semiconductors;
- use as metal oxides or semiconductors, oxides of copper, iron, tungsten cobalt, nickel, germanium;
- use of metal hydrides as a workpiece;
- the use of metal hydrides as hydrides of lanthanum or erbium;
- the use of metal nitrides or semiconductors as a workpiece;
- use as nitrides of metals or semiconductors of gallium nitride or silicon;
- the use of metal fluoride as a workpiece;
- the use of calcium fluoride as metal fluorides;
- the use of a layer of workpiece material with a thickness of 1-100 nm;
- the implementation of the workpiece from several successively created layers of various materials, each of which successively converts its optical properties under the influence of one type of particles.
Преобразование оптических свойств материала заготовки путем перевода выбранных областей из прозрачного состояния в непрозрачное или менее прозрачное позволяет снизить потери в сформированных волноводных структурах и расширить спектральный диапазон используемого оптического излучения, т.к. на границе раздела "прозрачный материал - непрозрачный" отражение от границы раздела происходит независимо от длины волны (в отличие от полного внутреннего отражения). The conversion of the optical properties of the workpiece material by transferring selected regions from a transparent state to an opaque or less transparent state allows one to reduce losses in the formed waveguide structures and expand the spectral range of the used optical radiation, since at the “transparent material - opaque” interface, reflection from the interface occurs regardless of the wavelength (as opposed to total internal reflection).
Использование для облучения пучков ускоренных частиц позволяет обеспечить преобразование оптических свойств материала заготовки путем перевода из прозрачного состояния в непрозрачное или менее прозрачное, что является следствием взаимодействия ускоренных частиц с веществом заготовки. The use of accelerated particles for irradiation of beams allows the conversion of the optical properties of the workpiece material by transferring from a transparent state to an opaque or less transparent state, which is a consequence of the interaction of accelerated particles with the workpiece material.
Как было установлено экспериментально, в качестве ускоренных частиц, обеспечивающих преобразование оптических свойств материала заготовки, могут быть использованы пучки электронов, протонов, ионов гелия, а также атомов водорода и гелия. As it was experimentally established, beams of electrons, protons, helium ions, as well as hydrogen and helium atoms can be used as accelerated particles providing the conversion of the optical properties of the workpiece material.
Материал заготовки может быть выбран из числа известных прозрачных оксидов, гидридов, нитридов и фторидов металлов или полупроводников. В перечисленных материалах под воздействием ускоренных частиц происходит изменение химического состава материала, а именно - в облученных участках этих материалов остаются только атомы металлов или полупроводников за счет селективного удаления атомов кислорода, водорода, азота или фтора. The workpiece material may be selected from among known transparent oxides, hydrides, nitrides and fluorides of metals or semiconductors. In these materials, under the influence of accelerated particles, the chemical composition of the material changes, namely, only metal or semiconductor atoms remain in the irradiated areas of these materials due to the selective removal of oxygen, hydrogen, nitrogen or fluorine atoms.
При этом для каждого вида частиц и обрабатываемого ими материала экспериментально подбираются режимы обработки - плотность пучка, скорость частиц в пучке, время экспозиции и т.п., а также пары "вид частиц - вид материала", обеспечивающие наиболее эффективное преобразование оптических свойств. In this case, for each type of particles and the material they process, the processing regimes are experimentally selected — beam density, particle velocity in the beam, exposure time, etc., as well as pairs of “particle type - material type” that provide the most efficient conversion of optical properties.
Использование заготовок толщиной 1-100 нм позволяет обеспечить достижение дополнительного технического результата - повышение плотности размещения оптических элементов создаваемой волноводной структуры. The use of blanks with a thickness of 1-100 nm makes it possible to achieve an additional technical result - an increase in the density of the optical elements of the generated waveguide structure.
В частности, если взять слой материала заготовки толщиной, например, 10 нм, то можно, с одной стороны, обеспечить преобразование оптических свойств на всю толщину слоя, а используя сфокусированные пучки частиц или облучение через трафарет, получить облучаемые участки шириной 10 нм и заданной длины и конфигурации и с промежутками между облучаемыми областями в 10 нм. В результате получается планарная волноводная структура, имеющая разделительные непрозрачные слои размером 10•10 нм и соответственно волноводные каналы размером 10•10 нм. In particular, if we take a layer of a workpiece material with a thickness of, for example, 10 nm, then it is possible, on the one hand, to ensure the conversion of optical properties to the entire thickness of the layer, and using focused particle beams or irradiation through a stencil to obtain irradiated sections with a width of 10 nm and a given length and configurations and with gaps between the irradiated regions of 10 nm. The result is a planar waveguide structure having dividing opaque layers with a size of 10 • 10 nm and, accordingly, waveguide channels with a size of 10 • 10 nm.
Используя предлагаемый способ, можно изготавливать не только планарные структуры, но и объемные, многослойные. Для этого заготовку выполняют из нескольких слоев различных материалов, каждый из которых последовательно преобразует свои оптические свойства под воздействием ускоренных частиц. Using the proposed method, it is possible to produce not only planar structures, but also bulk, multilayer ones. For this, the preform is made of several layers of various materials, each of which successively converts its optical properties under the influence of accelerated particles.
Сущность заявляемого способа поясняется примерами реализации и чертежом, на котором схематично представлены отдельные стадии технологического процесса. The essence of the proposed method is illustrated by examples of implementation and the drawing, which schematically shows the individual stages of the process.
Пример 1. В общем случае способ изготовления оптического волноводного устройства осуществляется следующим образом. Example 1. In the General case, the method of manufacturing an optical waveguide device is as follows.
На подложку 1, которая может быть выполнена из кремния, алюминия или двуокиси кремния, наносят слой материала заготовки 2 требуемой толщины. В качестве материала заготовки используют прозрачные оксиды, гидриды, нитриды или фториды металлов или полупроводников. On a
Затем слой материала заготовки облучают пучком ускоренных частиц, в качестве которых используют электроны, протоны, атомы водорода, атомы и ионы гелия. Облучение может осуществляться через шаблон 3 с заданным рисунком, через маску, нанесенную на заготовку или перемещением сфокусированного пучка частиц по поверхности заготовки определенной траектории или перемещением заготовки относительно неподвижного сфокусированного луча. Then a layer of the workpiece material is irradiated with a beam of accelerated particles, which are used as electrons, protons, hydrogen atoms, helium atoms and ions. Irradiation can be carried out through a
Под воздействием ускоренных частиц в тех областях 4 заготовки 1, которые подверглись облучению, происходит необратимое изменение химического состава материала заготовки, влекущее за собой изменение оптических свойств - переход из прозрачного состояния в непрозрачное или менее прозрачное. В результате получается планарная волноводная структура, которая содержит волноводные оптические каналы с заданной топологией, разделенные непрозрачными перегородками, и которая может использоваться как самостоятельное волноводное устройство или составная часть его. Under the influence of accelerated particles in those
Пример 2. Способ реализовывался по общей схеме с использованием электронов в качестве частиц для облучения материала заготовки. Для его реализации в вакуумной камере технологической установки на подложкодержателе устанавливаются несколько подложек из монокристаллического кремния размером 5•5•0,4 мм, на которые нанесен слой материала заготовки требуемой толщины. Вакуумная камера откачивалась сначала форвакуумным и турбомолекулярным насосом, а затем ионным до давления 10-9 торр. В качестве источника электронов использовалась электронная пушка с термокатодом из вольфрама. На пути электронного пучка устанавливался шаблон, в качестве которого использовалась пластина кремния толщиной 0,4 мм и размером 50•50 мм с изготовленными в ней рядами отверстий диаметром 100 нм и сквозными прорезями в виде линий шириной 100 нм и длиной 3 мм и расстоянием между ними 300 нм. После откачки включалась электронная пушка и устанавливался ее рабочий режим, обеспечивающий преобразование оптических свойств материала заготовки. Режимы для каждого вида материала и толщины заготовки подбирались экспериментально, некоторые из параметров, обеспечивающих достижение результата, приведены в табл. 1.Example 2. The method was implemented according to the general scheme using electrons as particles for irradiating the workpiece material. For its implementation, in the vacuum chamber of the technological installation, several substrates of monocrystalline silicon with a size of 5 • 5 • 0.4 mm are installed on a substrate holder, on which a layer of the workpiece material of the required thickness is applied. The vacuum chamber was first pumped out by a forevacuum and turbomolecular pump, and then by an ion pump to a pressure of 10 -9 torr. An electron gun with a tungsten thermal cathode was used as an electron source. A template was installed in the path of the electron beam, which was used as a silicon wafer 0.4 mm thick and 50 • 50 mm in size with rows of
Пример 3. Способ осуществлялся, как описано в примере 2, но с использованием ионов водорода и гелия и с использованием вместо электронной пушки (пример 2) соответствующего источника ионов. Некоторые параметры реализации способа приведены в табл. 2 для ионов водорода и в табл. 3 для ионов гелия. Example 3. The method was carried out as described in example 2, but using hydrogen and helium ions and using instead of an electron gun (example 2) an appropriate ion source. Some parameters of the implementation of the method are given in table. 2 for hydrogen ions and in table. 3 for helium ions.
Пример 4. Способ осуществляется, как описано в примере 2, но для облучения использовались пучки ускоренных атомов водорода или гелия, которые получали нейтрализацией пучков ускоренных ионов (протонов и ионов гелия) с помощью электронов. Example 4. The method is carried out as described in example 2, but for irradiation, beams of accelerated hydrogen or helium atoms were used, which were obtained by neutralizing beams of accelerated ions (protons and helium ions) using electrons.
Технологические параметры процесса для автоматов водорода и атомов гелия аналогичны условиям, приведенным в табл. 2 и 3, т.к. пучки атомов получали путем нейтрализации электронами пучков ионов гелия и водорода. Technological process parameters for hydrogen automata and helium atoms are similar to the conditions given in table. 2 and 3, because atomic beams were obtained by neutralizing electron beams of helium and hydrogen ions.
Пример 5. При изготовлении трехмерных волноводных устройств способ реализуется следующим образом. На подложку наносят первый слой материала заготовки, который подвергается облучению пучком ускоренных частиц для образования соответствующей волноводной структуры заданной топологии. Затем на первый слой наносятся второй слой материала заготовки, который после нанесения также подвергается облучению пучком ускоренных частиц. Но при этом вид частиц и их технологические параметры (энергия частиц, плотность в пучке, время экспозиции и т.д.) подбираются таким образом, чтобы преобразование оптических свойств происходило только во втором, верхнем слое материала заготовки. Затем аналогичным образом наносят третий слой и т.д. Example 5. In the manufacture of three-dimensional waveguide devices, the method is implemented as follows. The first layer of the workpiece material is applied to the substrate, which is irradiated with a beam of accelerated particles to form the corresponding waveguide structure of a given topology. Then, a second layer of the workpiece material is applied to the first layer, which, after application, is also irradiated with a beam of accelerated particles. But at the same time, the type of particles and their technological parameters (particle energy, beam density, exposure time, etc.) are selected so that the conversion of optical properties occurs only in the second, upper layer of the workpiece material. Then the third layer, etc., is applied in a similar manner.
В результате получают трехмерную структуру оптического волноводного устройства с требуемой топологией. The result is a three-dimensional structure of an optical waveguide device with the required topology.
Claims (16)
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2000129006/28A RU2183026C1 (en) | 2000-11-22 | 2000-11-22 | Process of manufacture of optical waveguide device |
| PCT/RU2001/000495 WO2002042813A1 (en) | 2000-11-22 | 2001-11-21 | Method for producing an optical waveguide device |
| AU2002217645A AU2002217645A1 (en) | 2000-11-22 | 2001-11-21 | Method for producing an optical waveguide device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2000129006/28A RU2183026C1 (en) | 2000-11-22 | 2000-11-22 | Process of manufacture of optical waveguide device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2183026C1 true RU2183026C1 (en) | 2002-05-27 |
Family
ID=20242362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2000129006/28A RU2183026C1 (en) | 2000-11-22 | 2000-11-22 | Process of manufacture of optical waveguide device |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| AU (1) | AU2002217645A1 (en) |
| RU (1) | RU2183026C1 (en) |
| WO (1) | WO2002042813A1 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2617455C1 (en) * | 2015-10-02 | 2017-04-25 | Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ | Device for producing integrated optical waveguide structure |
| RU2629891C1 (en) * | 2016-04-29 | 2017-09-04 | Общество с ограниченной ответственностью "Малое инновационное предприятие "Пермские нанотехнологии" | Method of creating functional elements of integrated optical schemes |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR920005445B1 (en) * | 1989-08-10 | 1992-07-04 | 한국과학기술원 | Optical waveguide |
| US5896484A (en) * | 1996-02-15 | 1999-04-20 | Corning Incorporated | Method of making a symmetrical optical waveguide |
| RU2150135C1 (en) * | 1999-06-07 | 2000-05-27 | Институт прикладной физики РАН | Method for manufacturing of single-mode light guide channel in transparent dielectric by means of modulation of dielectric structure |
-
2000
- 2000-11-22 RU RU2000129006/28A patent/RU2183026C1/en not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-11-21 WO PCT/RU2001/000495 patent/WO2002042813A1/en not_active Application Discontinuation
- 2001-11-21 AU AU2002217645A patent/AU2002217645A1/en not_active Abandoned
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ХАНСПЕНРДЖЕР Р. Интегральная оптика. Теория и технология - М.: Мир, 1985, с.68-71, 73-75. * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2617455C1 (en) * | 2015-10-02 | 2017-04-25 | Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ | Device for producing integrated optical waveguide structure |
| RU2629891C1 (en) * | 2016-04-29 | 2017-09-04 | Общество с ограниченной ответственностью "Малое инновационное предприятие "Пермские нанотехнологии" | Method of creating functional elements of integrated optical schemes |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2002042813A9 (en) | 2002-10-03 |
| WO2002042813A1 (en) | 2002-05-30 |
| AU2002217645A1 (en) | 2002-06-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7931850B2 (en) | Nanometer-scale ablation using focused, coherent extreme ultraviolet/soft x-ray light | |
| US4490210A (en) | Laser induced dry chemical etching of metals | |
| US6339634B1 (en) | Soft x-ray light source device | |
| Ralph et al. | Self-Guiding of Ultrashort, Relativistically Intense Laser Pulses through Underdense Plasmas<? format?> in the Blowout Regime | |
| US20040094527A1 (en) | Methods for creating optical structures in dielectrics using controlled energy deposition | |
| TWI641026B (en) | Photonic activation of reactants for sub-micron feature formation using depleted beams | |
| US20050167410A1 (en) | Methods for creating optical structures in dielectrics using controlled energy deposition | |
| RU2183026C1 (en) | Process of manufacture of optical waveguide device | |
| US6180915B1 (en) | Laser machining method and laser machining apparatus | |
| Kurobori et al. | Applications of wide-band-gap materials for optoelectronic functional devices fabricated by a pair of interfering femtosecond laser pulses | |
| Aubry et al. | Polymer gratings achieved by focused ion beam | |
| CA1225362A (en) | Photochemical conversion of sio to sio.sub.2 | |
| Leong et al. | Femtosecond micromachining applications for electro-optic components | |
| KR100689698B1 (en) | Method for Processing an Object Having Passivation Layer | |
| EP3837585A1 (en) | Photoresist-free photolithography, photoprocessing tools, and methods with vuv or deep-uv lamps | |
| Spencer | The silicon lattice accelerator | |
| Szatmári et al. | 3.3 Femtosecond excimer lasers and their applications: 3 Gas lasers | |
| Turcu et al. | X-ray micro-and nanofabrication using a laser–plasma source at 1 nm wavelength | |
| JPH0526329B2 (en) | ||
| EA012498B1 (en) | Scanning jet nanolithograph and the operation method thereof | |
| Budin et al. | Laser-assisted processes in the microelectronic industry | |
| RU2150135C1 (en) | Method for manufacturing of single-mode light guide channel in transparent dielectric by means of modulation of dielectric structure | |
| Žutautas | High diffraction efficiency periodic microstructures for optical wavelength range: from modelling to implementation | |
| Ostendorf et al. | Precision machining of innovative materials using 157-nm excimer laser radiation | |
| Farrokhi et al. | Characterization of silicon wafer surface irradiated with fiber laser |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20031123 |