RU2178893C1 - Process determining thermal resistance of junction-package of semiconductor diodes - Google Patents

Process determining thermal resistance of junction-package of semiconductor diodes Download PDF

Info

Publication number
RU2178893C1
RU2178893C1 RU2001106867A RU2001106867A RU2178893C1 RU 2178893 C1 RU2178893 C1 RU 2178893C1 RU 2001106867 A RU2001106867 A RU 2001106867A RU 2001106867 A RU2001106867 A RU 2001106867A RU 2178893 C1 RU2178893 C1 RU 2178893C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
diode
constant
current
heating
thermal resistance
Prior art date
Application number
RU2001106867A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
В.А. Сергеев
Original Assignee
Ульяновский государственный технический университет
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ульяновский государственный технический университет filed Critical Ульяновский государственный технический университет
Priority to RU2001106867A priority Critical patent/RU2178893C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2178893C1 publication Critical patent/RU2178893C1/en

Links

Images

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

FIELD: measurement technology. SUBSTANCE: invention refers to technology of measurement of thermal parameters of semiconductor devices, specifically, diodes and can be employed to test quality of diodes and to evaluate their temperature margins. Process determining thermal resistance of junction-package of semiconductor diodes consists in supply of heating pulses of current of constant amplitude Im to tested diode, in passing of constant initial current in intervals between them, in determination of value of heating power Pm and in measurement of change of temperature-sensitive parameter of forward voltage of diode with flow of constant initial current. In this case heating pulses of current are so supplied to tested diode that value reverse to relative duration of heating pulses of current Q-1 = τu• fpr,, where τu is duration of heating pulses of current, fpr is frequency of their repetition increases in agreement with linear law with constant slope SQ. Rate ϑ of change of forward voltage of diode in process of flow of initial current through it is measured and thermal resistance of junction-package of diode is found by formula
Figure 00000003
, where KT is temperature coefficient of forward voltage of diode during flow of constant initial current through it. EFFECT: decreased measurement time, reduced number of hardware items. 2 dwg

Description

Изобретение относится к технике измерения тепловых параметров полупроводниковых приборов и может быть использовано на входном и выходном контроле качества изготовления полупроводниковых диодов и для оценки их температурных запасов. The invention relates to techniques for measuring the thermal parameters of semiconductor devices and can be used at the input and output quality control of the manufacture of semiconductor diodes and to assess their temperature reserves.

Известен способ измерения теплового сопротивления переход-корпус диодов, основанный на зависимости прямого напряжения диода при постоянном токе от температуры, заключающийся в том, что через контролируемый диод пропускают прямой начальный ток Iнач небольшой величины, исключающей заметный саморазогрев диода, затем подают на диод греющие импульсы прямого тока одинаковой амплитуды Im и длительности τu, измеряют рассеиваемую в диоде мощность, а в промежутках между импульсами греющего тока измеряют изменение прямого напряжения диода UТП, используемого в качестве температурочувствительного параметра (см. ГОСТ 19656. 15-84 Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения теплового сопротивления переход-корпус и импульсного теплового сопротивления).Known method for measuring the thermal resistance of a transition-body diode, based on dependence of the forward voltage of the diode at a constant current of temperature, comprising the steps of that through a controlled diode passes straight initial current I nach small quantities, excluding appreciable self-heating of the diode, is then fed to the diode heating pulse direct current of the same amplitude I m and duration τ u , the power dissipated in the diode is measured, and in the intervals between pulses of the heating current, the change in the direct voltage of the diode U TP is measured used as a temperature-sensitive parameter (see GOST 19656. 15-84 Microwave semiconductor diodes. Methods for measuring the thermal resistance of the transition-case and pulsed thermal resistance).

Недостатком способа является низкая точность, обусловленная большой погрешностью измерения импульсного напряжения UТП(t) из-за влияния переходных тепловых и электрических процессов при переключении диода из одного режима - режима разогрева в другой - режим измерения (см. , например, Викулин И. М. , Стафеев В. И. Физика полупроводниковых приборов - М: Сов. радио, 1980. С. 51).The disadvantage of this method is the low accuracy due to the large measurement error of the pulse voltage U TP (t) due to the influence of transient thermal and electrical processes when the diode switches from one mode - heating mode to another - measurement mode (see, for example, Vikulin I. M ., Stafeev V.I. Physics of Semiconductor Devices - M: Sov. Radio, 1980.P. 51).

Наиболее близким по технической сущности к заявленному изобретению (прототипом) является способ определения теплового сопротивления переход-корпус полупроводниковых диодов, заключающийся в подаче на контролируемый диод греющих импульсов тока, в промежутках между которыми через диод пропускают постоянный начальный ток и измеряют изменение прямого напряжения диода, в измерении греющей мощности и определении теплового сопротивления по полученным значениям, причем амплитуду греющих импульсов тока модулируют по гармоническому закону с периодом, на порядок превышающим тепловую постоянную времени переход-корпус для данного типа диодов, а изменение температурочувствительного параметра - прямого напряжения диода и греющей мощности определяют по измерениям амплитуды переменных составляющих тока и напряжения на частоте модуляции (см. патент РФ 2003128 на изобретение "Способ определения теплового сопротивления переход-корпус полупроводниковых диодов// В. А. Сергеев, В. В. Юдин - Бюл. 41-42, 1993г. ). The closest in technical essence to the claimed invention (prototype) is a method for determining the thermal resistance of the transition-case of semiconductor diodes, which consists in applying heating current pulses to a controlled diode, in the intervals between which a constant initial current is passed through the diode and the change in the forward voltage of the diode is measured, in measuring the heating power and determining the thermal resistance from the obtained values, and the amplitude of the heating current pulses is modulated according to the harmonic law a period that is an order of magnitude higher than the transition-case thermal constant for a given type of diode, and the change in the temperature-sensitive parameter — the forward voltage of the diode and the heating power — is determined by measuring the amplitudes of the alternating current components and the voltage at the modulation frequency (see RF patent 2003128 for the invention thermal resistance of the transition-case of semiconductor diodes // V. A. Sergeev, V. V. Yudin - Bul. 41-42, 1993. )

Наиболее существенным недостатком указанного способа является большое время измерения, составляющее (с учетом необходимости измерения нескольких электрических величин на частоте модуляции) несколько сотен тепловых постоянных времени переход-корпус для данного типа диодов. При использовании в устройствах, реализующих способ, селективных вольтметров с узкой полосой пропускания время измерения возрастает еще в несколько раз. The most significant drawback of this method is the long measurement time, which is (taking into account the need to measure several electrical quantities at the modulation frequency) several hundred thermal transition time-case time constants for this type of diode. When used in devices that implement the method, selective voltmeters with a narrow passband, the measurement time increases by several times.

Другим существенным недостатком известного способа является сложность аппаратурной реализации, обусловленная сложностью одновременного измерения нескольких аналоговых сигналов на низкой или инфранизкой частоте. Another significant disadvantage of this method is the complexity of the hardware implementation, due to the complexity of the simultaneous measurement of several analog signals at a low or infralow frequency.

Технический результат - уменьшение времени измерения и снижение аппаратурных затрат при реализации способа. The technical result is a reduction in measurement time and a decrease in hardware costs during the implementation of the method.

Технический результат достигается тем, что на контролируемый диод подаются греющие импульсы тока постоянной амплитуды Im, определяют величину греющей мощности Рm, а в промежутках между греющими импульсами тока через диод пропускают постоянный начальный ток и измеряют изменение прямого напряжения диода, по величине которого и определяют тепловое сопротивление переход-корпус диода. Отличие состоит в том, что величину, обратную скважности греющих импульсов тока Q-1 = τu• fсл, где τu - длительность греющих импульсов тока, fсл - частота их следования, увеличивают по линейному закону Q-1= SQt с постоянной крутизной SQ, где SQ - постоянная крутизна, a t - измеряют скорость ϑ изменения температурочувствительного параметра - прямого напряжения диода при протекании через него начального тока и определяют тепловое сопротивление переход-корпус диода по формуле

Figure 00000004

где КТ - температурный коэффициент прямого напряжения диода при протекании через него постоянного начального тока.The technical result is achieved by the fact that heating current pulses of constant amplitude I m are supplied to a controlled diode, the heating power value P m is determined, and in the intervals between heating current pulses a constant initial current is passed through the diode and the change in the direct voltage of the diode is measured, the value of which determines thermal resistance junction-diode housing. The difference is that the reciprocal of the duty cycle of the heating current pulses Q -1 = τ u • f sl , where τ u is the duration of the heating current pulses, f sl is their repetition rate, increase linearly Q -1 = S Q t with constant slope S Q , where S Q is constant slope, at - measure the rate ϑ of change of the temperature-sensitive parameter - the direct voltage of the diode when the initial current flows through it and determine the thermal resistance of the transition-case of the diode according to the formula
Figure 00000004

where K T is the temperature coefficient of the direct voltage of the diode when a constant initial current flows through it.

Сущность предлагаемого способа состоит в том, что средняя мощность

Figure 00000005
рассеиваемая диодом при подаче на него греющих импульсов тока постоянной амплитуды Im, определяется выражением
Figure 00000006

где Рm= Im•Um - импульсная греющая мощность, Um - прямое напряжение диода, при протекании через него греющего импульса тока, и при постоянной импульсной греющей мощности (Рm= coпst) средняя мощность
Figure 00000007
будет изменяться по закону изменения величины обратной скважности Q-1(t). При достаточно медленном изменении величины обратной скважности по линейному закону
Q-1= SQ•t, (2)
так, чтобы Q-1 изменялась от 0 до 1 за время, равное нескольким (n>3) тепловым постоянным времени переход-корпус τTn-к данного типа диодов, и при достаточно большой частоте следования греющих импульсов тока fсл• τTn-к>> 1 тепловой режим диода можно считать установившимся через некоторое время t ≥ τTn-к. Это означает, что изменение средней температуры перехода
Figure 00000008

где Tп(t) - средняя температура перехода, Т0 - температура корпуса прибора, будет определяться изменением средней греющей мощности.The essence of the proposed method is that the average power
Figure 00000005
dissipated by the diode when applying heating current pulses of constant amplitude I m to it , is determined by the expression
Figure 00000006

where P m = I m • U m is the pulsed heating power, U m is the direct voltage of the diode, when a heating current pulse flows through it, and at a constant pulsed heating power (P m = cost), the average power
Figure 00000007
will vary according to the law of the change in the value of the reverse duty cycle Q -1 (t). With a fairly slow change in the value of the reverse duty cycle according to the linear law
Q -1 = S Q • t, (2)
so that Q -1 varied from 0 to 1 for a time equal to a number (n> 3) thermal-constant time shift τ Tn-body to this type of diodes and the heating current pulses sufficiently high repetition frequency f cl • τ Tn- k >> 1, the thermal regime of the diode can be considered established after some time t ≥ τ Tn-k . This means that the change in average transition temperature
Figure 00000008

where T p (t) is the average transition temperature, T 0 is the temperature of the device body, will be determined by the change in the average heating power.

Нетрудно показать (см. , например, Афанасьев Г. Ф. , Сергеев В. А. , Тамаров П. Г. Устройство для автоматизированного контроля теплового сопротивления переход-корпус мощных биполярных транзисторов. - В межвузовском сб. научн. трудов "Автоматизация измерений" - Рязань, РРТИ, 1983, с. 86-90), что в приближении двухэлементной тепловой модели диода через некоторое время t ≥ 3τTn-к после начала разогрева диода линейно возрастающей мощностью

Figure 00000009
изменение средней температуры перехода может быть аппроксимировано (с погрешностью не более 5%) выражением
Figure 00000010

Величина пульсаций температуры перехода δTn(t) при выполнении условия fслτn-к≫ 1 будет на несколько порядков меньше изменения средней температуры:
Figure 00000011
(см. , например, Давидов П. Д. Анализ и расчет тепловых режимов полупроводниковых приборов. - М: Энергия, 1967г. , с. 100-116).It is easy to show (see, for example, Afanasyev G.F., Sergeev V.A., Tamarov P.G. A device for automated control of thermal resistance, transition-housing of powerful bipolar transistors. - In the interuniversity collection of scientific works "Automation of Measurements" - Ryazan, RRTI, 1983, pp. 86-90), that in the approximation of the two-element thermal model of the diode after some time t ≥ 3τ Tn-k after the start of heating of the diode with a linearly increasing power
Figure 00000009
the change in the average transition temperature can be approximated (with an error of not more than 5%) by the expression
Figure 00000010

The value δT n (t) transition temperature fluctuations when the conditions cl f τ n-k "1 will be several orders of magnitude less than the mean temperature change:
Figure 00000011
(see, for example, Davidov P. D. Analysis and calculation of thermal conditions of semiconductor devices. - M: Energy, 1967, p. 100-116).

Температурочувствительный параметр UТП будет изменяться по закону, аналогичному (4)

Figure 00000012

где UТП(0) - значение температурочувствительного параметра до начала разогрева,
Кт - температурный коэффициент температурочувствительного параметра.The temperature-sensitive parameter U TP will vary according to a law similar to (4)
Figure 00000012

where U TP (0) is the value of the temperature-sensitive parameter before heating,
To t is the temperature coefficient of the temperature-sensitive parameter.

Измеряя через некоторое время tИЗМ ≥ 3τTn-к после начала разогрева скорость изменения температурочувствительного параметра

Figure 00000013

искомое значение теплового сопротивления переход-корпус диода можно найти по формуле
Figure 00000014

В предлагаемом способе в качестве ТЧП используется прямое напряжение диода при протекании через него начального тока. В импульсном режиме работы диода для измерения ϑ необходимо выделить нижнюю огибающую импульсного напряжения на диоде UД(t) и далее измерить скорость ее изменения (спада) известными способами, например продифференцировать огибающую с помощью дифференциальной цепи.Measuring after some time t ISM ≥ 3τ Tn-k after the start of heating, the rate of change of the temperature - sensitive parameter
Figure 00000013

the desired value of the thermal resistance of the junction of the diode can be found by the formula
Figure 00000014

In the proposed method, the direct voltage of the diode when the initial current flows through it is used as a PST. In the pulse mode of the diode for measuring ϑ, it is necessary to select the lower envelope of the pulse voltage on the diode U Д (t) and then measure the rate of its change (decline) by known methods, for example, to differentiate the envelope using a differential circuit.

Предлагаемый способ может быть реализован с помощью устройства, структурная схема которого показана на фиг. 1, а эпюры, поясняющие принцип работы устройства, - на фиг. 2. The proposed method can be implemented using a device whose structural diagram is shown in FIG. 1, and diagrams explaining the principle of operation of the device, in FIG. 2.

Устройство содержит контактную колодку 1 для подключения контролируемого диода, источник 2 постоянного начального тока Iнач, генератор греющих импульсов тока 3, устройство управления 4, ограничитель 5, амплитудные детекторы 6 и 7, цифровые вольтметры с внешним запуском 8 и 10 и дифференцирующую цепь 9.The device contains a terminal block 1 for connecting a controlled diode, a source 2 of a constant initial current I beg , a generator of heating current pulses 3, a control device 4, a limiter 5, amplitude detectors 6 and 7, digital voltmeters with external triggers 8 and 10 and a differentiating circuit 9.

Устройство работает следующим образом. После установки диода в контактную колодку 1 через него пропускают постоянный начальный ток Iнач от источника 2 и подают короткие греющие импульсы тока амплитудой Im и скважностью Q0 с генератора греющих импульсов тока 3. Прямое напряжение диода подается на ограничитель 5 и на пиковый детектор 6. Напряжение с выхода пикового детектора 6, равное амплитудному значению прямого напряжения на диоде Um при протекании греющих импульсов тока, поступает на измерительный вход вольтметра 8. Одновременно напряжение с диода Uд(t) подается на ограничитель 5, который срезает верхнюю часть, и это ограниченное сверху напряжение с выхода ограничителя 5 подается на вход второго пикового детектора 8, с выхода которого напряжение огибающей импульсов прямого напряжения UТП(t) на диоде при протекании через него начального тока Iнач подается на вход дифференцирующей цепи 9, а с выхода дифференцирующей цепи продифференцированный сигнал, пропорциональный скорости изменения огибающей UТП(t), подается на измерительный вход второго вольтметра с внешним запуском 10.The device operates as follows. After installation of the diode in the terminal block 1 is passed through an initial constant current I from the beginning of the source 2 and fed short heating current pulses with an amplitude I m and the duty ratio Q 0 with heating current pulse generator 3. The forward voltage of the diode 5 is supplied to the limiter and to the peak detector 6 The voltage from the output of the peak detector 6, equal to the amplitude value of the forward voltage on the diode U m when heating current pulses flow, is fed to the measuring input of the voltmeter 8. Simultaneously, the voltage from the diode U d (t) is supplied to the limiter 5, which cuts off the upper part and is bounded above by the voltage outputted from the limiter 5 is input to a second peak detector 8, the output of which the voltage envelope of the direct voltage U TP pulse (t) across the diode when flowing through primary current I nach applied to the input differentiating circuit 9, and from the output of the differentiating circuit, a differentiated signal proportional to the rate of change of the envelope U TP (t) is fed to the measuring input of the second voltmeter with an external trigger 10.

По сигналу "Запуск" на запускающем входе устройства управления 4 это устройство вырабатывает управляющий импульс длительностью tИЗМ (эпюра 2). С приходом этого импульса на управляющий вход генератора греющих импульсов тока 3 величина, обратная скважности этих импульсов Q-1 = fслτимп, начинает увеличиваться по линейному закону (эпюра 2б) с постоянной крутизной SQ, заметим, что этот закон можно реализовать, например, путем линейного увеличения частоты следования импульсов fсл при постоянной длительности импульсов τимп = const или, наоборот, путем линейного увеличения длительности импульсов τимп при постоянной частоте следования fсл= const.The signal "Start" at the triggering input of the control device 4, this device generates a control pulse of duration t ISM (plot 2). With the arrival of this pulse to the control input of the generator of heating current pulses 3, the reciprocal of the duty cycle of these pulses Q -1 = f sl τ imp starts to increase according to the linear law (diagram 2b) with a constant slope S Q , we note that this law can be implemented, for example, by a linear increase in frequency at a constant pulse repetition duration pulses cl f τ imp = const or, conversely, by increasing the linear pulse durations τ imp at a constant repetition frequency f cl = const.

Средняя мощность, рассеиваемая диодом

Figure 00000015
, и средняя температура перехода
Figure 00000016
также начинают возрастать по линейному закону (эпюры 2в, 2г). Напряжение на диоде UД(t) будет иметь вид, показанный на эпюре 2д. Пиковый детектор 6 выделяет верхнюю огибающую импульсного напряжения на диоде Um, ограничитель 5 и детектор 7 - нижнюю огибающую импульсного напряжения на диоде - являющуюся температурочувствительным параметром UТП(t) (эпюра 2е). Напряжение с огибающей с выхода детектора 7 подается на дифференцирующую цепь 9, с выхода которой напряжение, пропорциональное скорости изменения температурочувствительного параметра
Figure 00000017

где а - коэффициент передачи дифференцирующей цепи, подается на измерительный вход цифрового вольтметра 10. По окончании управляющего импульса вольтметры 8 и 10 срабатывают и быстро (т. е. за время t<<tИЗМ) измеряют соответственно амплитуду Um прямого напряжения диода при протекании греющих импульсов тока Im и напряжение Uвых9, пропорциональное скорости изменения температурочувствительного параметра а•
Figure 00000018
По результатам этих измерений определяют тепловое сопротивление переход-корпус диода по формуле
Figure 00000019

Заметим, что, устанавливая параметры элементов устройства, в частности коэффициент передачи а дифференцирующей цепи, крутизну SQ, амплитуду греющих импульсов тока, при известном температурном коэффициенте температурочувствительного параметра КТ, процедура измерения теплового сопротивления сводится к измерению отношения напряжений Uвых9 и Um
Figure 00000020

где
Figure 00000021
Average power dissipated by the diode
Figure 00000015
, and average transition temperature
Figure 00000016
also begin to increase according to a linear law (diagrams 2c, 2d). The voltage on the diode U D (t) will have the form shown in the diagram 2d. The peak detector 6 selects the upper envelope of the pulse voltage at the diode U m , the limiter 5 and the detector 7 - the lower envelope of the pulse voltage at the diode - which is the temperature-sensitive parameter U TP (t) (plot 2e). The voltage with the envelope from the output of the detector 7 is supplied to a differentiating circuit 9, the output of which is a voltage proportional to the rate of change of the temperature-sensitive parameter
Figure 00000017

where a is the transfer coefficient of the differentiating circuit, it is fed to the measuring input of the digital voltmeter 10. At the end of the control pulse, the voltmeters 8 and 10 operate and quickly (i.e., for the time t << t ISM ), respectively, measure the amplitude U m of the forward voltage of the diode during leakage heating current pulses I m and voltage U o , 9 proportional to the rate of change of the temperature- sensitive parameter a •
Figure 00000018
According to the results of these measurements, the thermal resistance of the transition-case of the diode is determined by the formula
Figure 00000019

Note that by setting the parameters of the elements of the device, in particular, the transfer coefficient a of the differentiating circuit, the slope S Q , the amplitude of the heating current pulses, at a known temperature coefficient of the temperature- sensitive parameter K T , the procedure for measuring thermal resistance is reduced to measuring the ratio of voltages U o9 and U m
Figure 00000020

Where
Figure 00000021

Claims (1)

Способ определения теплового сопротивления переход-корпус полупроводниковых диодов, заключающийся в подаче на контролируемый диод греющих импульсов тока постоянной амплитуды Im, в промежутках между которыми через диод пропускают постоянный начальный ток, в определении величины греющей мощности Рm и измерении изменения температурочувствительного параметра прямого напряжения диода при протекании постоянного начального тока, отличающийся тем, что подачу на контролируемый диод греющих импульсов тока осуществляют таким образом, что величину, обратную скважности греющих импульсов Q-1 = τu• fсл, где τu - длительность греющих импульсов тока, а fсл - частота их следования, увеличивают по линейному закону с постоянной крутизной SQ, измеряют скорость ϑ изменения прямого напряжения диода при протекании через него начального тока и определяют тепловое сопротивление переход-корпус диода по формуле
Figure 00000022

где КТ - температурный коэффициент прямого напряжения диода при протекании постоянного начального тока.A method for determining the thermal resistance of the junction-case of semiconductor diodes, which consists in supplying a controlled diode of heating current pulses of constant amplitude I m , in the intervals between which a constant initial current is passed through the diode, in determining the value of the heating power P m and measuring the change in the temperature-sensitive parameter of the direct voltage of the diode when a constant initial current flows, characterized in that the heating current pulses are supplied to the controlled diode in such a way that mask inverse duty cycle of the heating pulses Q -1 = τ u • f cl where τ u - the duration of the heating current pulses, and f cl - repetition rate, increase linearly with a constant slope S Q, measured velocity θ changes forward voltage when the initial current flows through it and determine the thermal resistance of the transition-case of the diode according to the formula
Figure 00000022

where K T is the temperature coefficient of the direct voltage of the diode during the flow of a constant initial current.
RU2001106867A 2001-03-13 2001-03-13 Process determining thermal resistance of junction-package of semiconductor diodes RU2178893C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2001106867A RU2178893C1 (en) 2001-03-13 2001-03-13 Process determining thermal resistance of junction-package of semiconductor diodes

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2001106867A RU2178893C1 (en) 2001-03-13 2001-03-13 Process determining thermal resistance of junction-package of semiconductor diodes

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2178893C1 true RU2178893C1 (en) 2002-01-27

Family

ID=20247128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2001106867A RU2178893C1 (en) 2001-03-13 2001-03-13 Process determining thermal resistance of junction-package of semiconductor diodes

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2178893C1 (en)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2463618C1 (en) * 2011-04-08 2012-10-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет" Method for determining thermal impedance of cmos digital integrated microcircuits
RU2507526C1 (en) * 2012-07-03 2014-02-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет" Method to measure thermal impedance of semiconducting diodes with usage of polyharmonical modulation of heating capacity
US20150003492A1 (en) * 2013-06-27 2015-01-01 Fuji Electric Co., Ltd. Thermal resistance measuring method and thermal resistance measuring device
RU2556315C2 (en) * 2013-01-15 2015-07-10 Общество с ограниченной ответственностью "Малое инновационное предприятие "Уникальные системы и технологии" Method to measure thermal impedance of light diodes
RU2653962C1 (en) * 2017-03-31 2018-05-15 ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет" Method of automated determination of thermal resistance transition - body of packed power semiconductor devices
RU2686859C1 (en) * 2018-09-05 2019-05-06 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет" Method of measuring thermal resistance between a housing of a semiconductor device and a cooling radiator
RU2796812C1 (en) * 2022-04-18 2023-05-29 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет" Method for determining parameters of a two-link thermal equivalent circuit of a semiconductor product

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2463618C1 (en) * 2011-04-08 2012-10-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет" Method for determining thermal impedance of cmos digital integrated microcircuits
RU2507526C1 (en) * 2012-07-03 2014-02-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет" Method to measure thermal impedance of semiconducting diodes with usage of polyharmonical modulation of heating capacity
RU2556315C2 (en) * 2013-01-15 2015-07-10 Общество с ограниченной ответственностью "Малое инновационное предприятие "Уникальные системы и технологии" Method to measure thermal impedance of light diodes
US20150003492A1 (en) * 2013-06-27 2015-01-01 Fuji Electric Co., Ltd. Thermal resistance measuring method and thermal resistance measuring device
US9601404B2 (en) * 2013-06-27 2017-03-21 Fuji Electric Co., Ltd. Thermal resistance measuring method and thermal resistance measuring device
RU2653962C1 (en) * 2017-03-31 2018-05-15 ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет" Method of automated determination of thermal resistance transition - body of packed power semiconductor devices
RU2686859C1 (en) * 2018-09-05 2019-05-06 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет" Method of measuring thermal resistance between a housing of a semiconductor device and a cooling radiator
RU2796812C1 (en) * 2022-04-18 2023-05-29 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет" Method for determining parameters of a two-link thermal equivalent circuit of a semiconductor product

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2402783C1 (en) Method of measuring thermal impedance of semiconductor diodes
RU2640089C2 (en) System and method of monitoring working condition of igbt device in real time
JP2011109674A (en) Pulsing intelligent rf modulation controller
US4437060A (en) Method for deep level transient spectroscopy scanning and apparatus for carrying out the method
RU2178893C1 (en) Process determining thermal resistance of junction-package of semiconductor diodes
RU2724148C1 (en) Method of measuring thermal resistance of transition-case of power semiconductor devices
US3244978A (en) Apparatus for the determination of attenuation in waveguides including means for comparing the amplitudes of pulse reflections
RU2507526C1 (en) Method to measure thermal impedance of semiconducting diodes with usage of polyharmonical modulation of heating capacity
CA1279699C (en) Method and apparatus for measuring electricity
RU2624406C1 (en) Method of measuring the thermal impedance of leds
RU2003128C1 (en) Method of determination of thermal resistance of junction-can of semiconductor diodes
RU2327177C1 (en) Method for determining thermal resistance of digital integrated microcircuits
RU2548925C1 (en) Method to measure series resistance of crystal diode base
US11313819B2 (en) Thermal analysis of semiconductor devices
RU2572794C1 (en) Method to measure thermal junction-to-case resistance of high-capacity mis transistors
US3752980A (en) Apparatus for measuring electroluminescent device parameters
RU2569922C1 (en) Method to determine heat junction-to-case resistance of digital integrated microcircuits
RU2556315C2 (en) Method to measure thermal impedance of light diodes
RU2685769C1 (en) Method of determination of transient thermal resistance of crystal-housing and thermal resistance of crystal-housing in the state of heat equilibrium of transistors with field control
RU2787328C1 (en) Method for measuring transition-case thermal resistance and transition-case thermal time constant of a semiconductor product
RU2174692C1 (en) Device for measuring transition-body heat resistance of digital integral microcircuits
RU2087919C1 (en) Device for measuring junction-to-case thermal resistance of semiconductor diodes
RU2187126C1 (en) Device for rejection of digital integrated microcircuits
RU2630191C1 (en) Method of measuring thermal impedance of semiconductor diodes using amplitude-pulse modulation of the grapping capacity
RU2545090C1 (en) Measurement method of differential resistance of non-linear bipole with temperature-dependent volt-ampere characteristic