RU2156983C1 - Method for measuring of alteration of surface potential - Google Patents

Method for measuring of alteration of surface potential Download PDF

Info

Publication number
RU2156983C1
RU2156983C1 RU99110970A RU99110970A RU2156983C1 RU 2156983 C1 RU2156983 C1 RU 2156983C1 RU 99110970 A RU99110970 A RU 99110970A RU 99110970 A RU99110970 A RU 99110970A RU 2156983 C1 RU2156983 C1 RU 2156983C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
envelopes
voltage
oscilloscope
capacitor
surface potential
Prior art date
Application number
RU99110970A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Н.М. Алейников
А.Н. Алейников
Original Assignee
Воронежский государственный университет
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Воронежский государственный университет filed Critical Воронежский государственный университет
Priority to RU99110970A priority Critical patent/RU2156983C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2156983C1 publication Critical patent/RU2156983C1/en

Links

Images

Landscapes

  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)

Abstract

FIELD: electric instruments. SUBSTANCE: modified Kelvin method for measuring contact difference of potentials provides possibility to observe alteration of surface electrostatic potential of metal or semiconductor on oscilloscope screen. Goal of invention is achieved by simultaneous application of direct voltage and sine-shaped modulation voltage to plates of dynamic capacitor, which is formed by tested sample and vibrating reference electrode. AM signal, which is excited in capacitor circuit is amplified and applied to Y-input of oscilloscope, which X-input receives voltage from modulation voltage generator. Screen of oscilloscope displays AM signal, which envelopes represent two intersecting straight lines. Movement of intersection point of envelopes describe alteration of surface potential. Potential alteration value ΔV conforms to equation ΔV = UmX/Xm, where Uv is modulation voltage amplitude, X is alteration of coordinate of intersection point of envelopes, when surface potential variation is ΔV, Xm is maximal deviation of beam with respect to horizontal line. EFFECT: increased precision. 5 dwg

Description

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано, например, при разработке устройств электронной техники, где существенно влияние электронного состояния поверхности электротехнических материалов, например, при разработке элементов фотоэмиссионных и электроэмиссионных приборов или для контроля качества химической обработки поверхности полупроводниковых материалов на начальной стадии изготовления полупроводниковых приборов. The invention relates to electrical engineering and can be used, for example, in the development of electronic devices, where the influence of the electronic state of the surface of electrotechnical materials is significant, for example, in the development of elements of photoemission and electric emission devices or for controlling the quality of the chemical surface treatment of semiconductor materials at the initial stage of semiconductor manufacturing appliances.

Предлагаемый способ является дальнейшим усовершенствованием широко известного метода Кельвина измерения контактной разности потенциалов (Kelvin (lord), Phil. Mag. (V) 46, 82, 1898). Этот метод заключается в следующем. В зазоре между двумя гальванически соединенными электродами, образующими плоский конденсатор, возникает электрическое поле, определяемое различием поверхностных потенциалов электродов. При изменении зазора конденсатора напряженность поля изменяется, что приводит к появлению тока во внешнем проводнике, соединяющем электроды. Включив в разрыв цепи конденсатора источник напряжения и регулируя его, добиваются исчезновения тока при перемещении одного из электродов. Искомую величину контактной разности потенциалов определяют, измеряя напряжение на источнике при нулевом токе конденсатора. The proposed method is a further improvement of the well-known Kelvin method of measuring the contact potential difference (Kelvin (lord), Phil. Mag. (V) 46, 82, 1898). This method is as follows. In the gap between the two galvanically connected electrodes forming a flat capacitor, an electric field arises, determined by the difference in the surface potentials of the electrodes. When the gap of the capacitor changes, the field strength changes, which leads to the appearance of current in the external conductor connecting the electrodes. By including a voltage source in the gap of the capacitor circuit and regulating it, the current disappears when one of the electrodes is moved. The desired value of the contact potential difference is determined by measuring the voltage at the source at zero capacitor current.

Усовершенствованный Зисманом, который заменил перемещающийся электрод вибрационным (Zisman W.A., Rev. Sci. Instrum. 3, 367, 1932), а в дальнейшем Праттом и Кольмом, которые применили вращающийся электрод (Pratt G., Kolm Н. , Semic. Surf. Phys. 1957, 297), этот метод динамического конденсатора получил широкое распространение, благодаря уникальным особенностям. Метод бесконтактный, не разрушающий исследуемое электронное состояние поверхности, позволяет проводить измерения как в вакууме, так и в любых газовых средах, включая агрессивные. Этот метод оказался незаменимым, например, при исследовании поверхностных свойств полупроводников. Improved by Zisman, who replaced the moving electrode with a vibrational one (Zisman WA, Rev. Sci. Instrum. 3, 367, 1932), and later Pratt and Colm, who used a rotating electrode (Pratt G., Kolm N., Semic. Surf. Phys 1957, 297), this method of dynamic capacitor is widespread, thanks to unique features. The non-contact method, which does not destroy the investigated electronic state of the surface, allows measurements to be carried out both in vacuum and in any gaseous media, including aggressive ones. This method turned out to be indispensable, for example, in studying the surface properties of semiconductors.

Основным ограничением, препятствующим широкому применению метода в условиях производства, является сложность автоматизации измерений. В статье (Н. М.Алейников и др. Приборы и техника эксперимента, 1974, 6, с. 188), опубликован автоматизированный измеритель поверхностного потенциала (прототип), в котором для определения полярности измеряемой контактной разности потенциалов сравниваются фазы тока динамического конденсатора и напряжения генератора звуковой частоты, возбуждающего колебания вибрационного электрода. Недостаток в том, что этот сдвиг фаз зависит не только от полярности контактной разности, но и от инерционности вибрационного электрода, что приводит к ошибкам. The main limitation that prevents the widespread use of the method in the production environment is the complexity of measurement automation. An article (N. M. Aleinikov et al. Instruments and experimental technique, 1974, 6, p. 188) published an automated surface potential meter (prototype), in which the phases of the current of a dynamic capacitor and voltage are compared to determine the polarity of the measured contact potential difference sound frequency generator, exciting vibrations of the vibrating electrode. The disadvantage is that this phase shift depends not only on the polarity of the contact difference, but also on the inertia of the vibration electrode, which leads to errors.

В приборе (Н.М.Алейников, С.П.Грибков. Приборы и техника эксперимента, 1984, 2, с. 213) для автоматического определения полярности контактной разности потенциалов используется ассиметрия периодического сигнала, получаемого дифференцированием ангармонических колебаний тока динамического конденсатора. Недостаток способа в том, что сигнал необходимой формы возникает при малых зазорах динамического конденсатора (до нескольких мкм), а возникающие при этом эффекты, приводят к дестабилизации исследуемого поверхностного электронного состояния (Н. М.Алейников. Поверхность. Физика, химия, механика. 1987, 9, с. 31). In the device (N.M. Aleinikov, S.P. Gribkov. Instruments and experimental equipment, 1984, 2, p. 213), the asymmetry of the periodic signal obtained by differentiating the anharmonic oscillations of the dynamic capacitor current is used to automatically determine the polarity of the contact potential difference. The disadvantage of this method is that the signal of the required shape occurs at small gaps of the dynamic capacitor (up to several microns), and the effects that arise from this lead to destabilization of the investigated surface electronic state (N. M. Aleinikov. Surface. Physics, chemistry, mechanics. 1987 , 9, p. 31).

Предлагаемый способ наблюдения изменений поверхностного потенциала, основанный на индуцировании переменного тока в цепи динамического конденсатора при ненулевом значении контактной разности потенциалов между электродами конденсатора, позволяет измерять и наблюдать на экране осциллографа изменения поверхностного потенциала, возникающие например, в результате адсорбции различных газов на исследуемой поверхности или при сканировании вибрационного электрода над гетерогенной поверхностью. Для этого к электродам динамического конденсатора, образованного исследуемым образцом и эталонным вибрационным электродом, одновременно с постоянным напряжением, прикладывают от низкочастотного генератора синусоидальное напряжение модуляции, частота которого не менее, чем в 20-30 раз ниже частоты механических колебаний вибрационного электрода, возникающий в цепи конденсатора сигнал, усиливают и подают на Y-вход осциллографа, а на X-вход осциллографа подают напряжение от низкочастотного генератора, на экране осциллографа наблюдают амплитудно-модулированный сигнал, огибающие которого представляют две пересекающиеся прямые, регулируя постоянное напряжение, перемещают точку пересечения огибающих в центр экрана и определяют исходное значение относительного поверхностного потенциала, измеряя постоянное напряжение, а о последующих изменениях потенциала судят по перемещению точки пересечения огибающих и величину изменения поверхностного потенциала вычисляют по формуле

Figure 00000002

где Um - амплитуда напряжения модуляции на конденсаторе, X - изменение координаты точки пересечения огибающих амплитудно-модулированного сигнала при изменении поверхностного потенциала на величину ΔV, Xm - максимальное отклонение луча по горизонтали.The proposed method for observing changes in the surface potential, based on the induction of an alternating current in the circuit of a dynamic capacitor with a non-zero value of the contact potential difference between the capacitor electrodes, makes it possible to measure and observe on the oscilloscope screen changes in the surface potential that occur, for example, as a result of adsorption of various gases on the surface under study or when scanning a vibrating electrode over a heterogeneous surface. For this, a sinusoidal modulation voltage is applied to the electrodes of the dynamic capacitor formed by the test sample and the reference vibration electrode, simultaneously with a constant voltage, from the low-frequency generator, the frequency of which is not less than 20-30 times lower than the frequency of mechanical vibrations of the vibration electrode that occurs in the capacitor circuit the signal is amplified and fed to the Y-input of the oscilloscope, and voltage from the low-frequency generator is applied to the X-input of the oscilloscope, an amplitude is observed on the screen of the oscilloscope an itudically modulated signal whose envelopes are two intersecting straight lines, adjusting the constant voltage, move the point of intersection of the envelopes to the center of the screen and determine the initial value of the relative surface potential by measuring the constant voltage, and subsequent changes in potential are judged by the movement of the point of intersection of the envelopes and the magnitude of the change in the surface potential calculated by the formula
Figure 00000002

where U m is the amplitude of the modulation voltage across the capacitor, X is the change in the coordinate of the point of intersection of the envelopes of the amplitude-modulated signal when the surface potential changes by ΔV, and X m is the maximum horizontal deviation of the beam.

На фиг.1 приведена схема, реализующая предлагаемый способ. Динамический плоский конденсатор образован неподвижным исследуемым образцом 1 и эталонным вибрационным электродом 2. Механические колебания, частотой, например 1000 Гц, вибрационному электроду передаются вибратором 3, например пьезоэлементом, для возбуждения которых к вибратору подключен генератор 4 звуковой частоты. Постоянное напряжение на динамическом конденсаторе регулируется резистором 5, соединенным с двумя источниками 6 и 7 постоянной ЭДС, позволяющими изменять полярность напряжения, и измеряется вольтметром 8. Напряжение модуляции частотой, например 20 Гц, подается на динамический конденсатор с регулятора напряжения 9, подключенного к генератору 10 звуковой частоты, и измеряется вольтметром 11, например пиковым. Амплитудно-модулированный сигнал, возникающий в цепи динамического конденсатора, усиливается линейным усилителем 12, преобразующим ток динамического конденсатора в напряжение, и подается на Y-вход вертикального отклонения луча осциллографа 13. На X-вход горизонтального отклонения луча осциллографа напряжение развертки подается с регулятора напряжения 14, подключенного к генератору 10. Figure 1 shows a diagram that implements the proposed method. A dynamic flat capacitor is formed by a stationary test sample 1 and a reference vibrational electrode 2. Mechanical vibrations, with a frequency of, for example, 1000 Hz, are transmitted to the vibrational electrode by a vibrator 3, for example a piezoelectric element, for which a sound frequency generator 4 is connected to the vibrator. The constant voltage on the dynamic capacitor is regulated by a resistor 5 connected to two constant voltage emf sources 6 and 7, which allow changing the polarity of the voltage, and is measured by a voltmeter 8. A frequency modulation voltage, for example 20 Hz, is supplied to the dynamic capacitor from the voltage regulator 9 connected to the generator 10 sound frequency, and is measured by a voltmeter 11, for example peak. The amplitude-modulated signal arising in the circuit of the dynamic capacitor is amplified by a linear amplifier 12 that converts the current of the dynamic capacitor to voltage, and is fed to the Y-input of the vertical deflection of the oscilloscope beam 13. The scan voltage is supplied to the X-input of the horizontal deviation of the oscilloscope beam from the voltage regulator 14 connected to the generator 10.

Рассмотрим сущность предлагаемого способа. Пусть к обкладкам плоского конденсатора, расположенным на расстоянии h друг от друга, и контактная разность потенциалов между которыми V, приложено напряжение U0. Если одна из обкладок вибрирует, т.е. зазор конденсатора изменяется по закону h = h0+αsinωt, то по внешнему проводнику, соединяющему обкладки, при выполнении условия малости колебаний α ≪ h0 пойдет переменный ток

Figure 00000003
где ε0 - электрическая постоянная, S - площадь обкладок конденсатора, α - амплитуда вибрации, h0 - величина равновесного зазора, ω - циклическая частота механических колебаний.Consider the essence of the proposed method. Let the voltage U 0 be applied to the plates of a flat capacitor located at a distance h from each other, and the contact potential difference between which V,. If one of the plates vibrates, i.e. the capacitor gap changes according to the law h = h 0 + αsinωt, then an alternating current will flow along the external conductor connecting the plates, when the condition for small oscillations α ≪ h 0
Figure 00000003
where ε 0 is the electric constant, S is the area of the capacitor plates, α is the vibration amplitude, h 0 is the equilibrium gap, ω is the cyclic frequency of mechanical vibrations.

Если к обкладкам конденсатора одновременно с постоянным напряжением U0 приложено переменное напряжение U(t) = UmcosΩt, т.е U = U0+UmcosΩt, то при выполнении условия Ω ≪ ω в цепи динамического конденсатора пойдет амплитудно-модулированный ток

Figure 00000004

амплитуда которого изменяется со временем Im(t) = A0(U0-V+UmcosΩt).
Здесь
Figure 00000005
- постоянная, зависящая от параметров динамического конденсатора, Ω - циклическая частота модуляции, Um - амплитуда напряжения модуляции на конденсаторе.If an alternating voltage U (t) = U m cosΩt, i.e., U = U 0 + U m cosΩt, is applied to the capacitor plates simultaneously with a constant voltage U 0 , then when the condition Ω ≪ ω is fulfilled, the amplitude-modulated current will flow in the circuit of the dynamic capacitor
Figure 00000004

whose amplitude varies with time I m (t) = A 0 (U 0 -V + U m cosΩt).
Here
Figure 00000005
is a constant depending on the parameters of the dynamic capacitor, Ω is the cyclic modulation frequency, U m is the amplitude of the modulation voltage on the capacitor.

Преобразуем ток динамического конденсатора в напряжение и подадим Uy на Y - вход вертикального отклонения луча осциллографа (k - коэффициент преобразования, зависящий от коэффициента усиления усилителя и чувствительности осциллографа), а на X-вход горизонтального смещения луча подадим напряжение развертки от источника напряжения модуляции
Ux= UxmcosΩt. (3)
Подставляя (1) и (3) в (2), получим зависимость Uy (Ux)

Figure 00000006

При чувствительности осциллографа по X-входу
Figure 00000007
где X - ордината луча при напряжении Ux, Xm - максимальное отклонение луча по горизонтали при напряжении Uxm на X-входе осциллографа, уравнение (4) можно представить в виде зависимости Uy (X), отражающей осциллограмму амплитудно-модулированного сигнала
Figure 00000008

Эта осциллограмма представляет гармонические колебания с линейно изменяющейся вдоль ординаты амплитудой
Figure 00000009

т.е. огибающими сигнала являются две прямые, пересекающиеся в точке X на оси ординат в момент Uym = 0, когда глубина модуляции становится максимальной (коэффициент модуляции m=1). Очевидно, что положение точки пересечения огибающих зависит от величины U0 - V. Изменяя напряжение U0, можно эту точку переместить в начало координат. Это напряжение U0 = Uk, компенсирующее исходную контактную разность потенциалов V, определим, подставляя в (6) Uym = 0 и X = 0.We convert the dynamic capacitor current to voltage and feed U y to Y — the input of the vertical deviation of the oscilloscope beam (k is the conversion coefficient depending on the gain of the amplifier and the sensitivity of the oscilloscope), and apply the sweep voltage from the modulation voltage source to the X-input of the horizontal beam offset
U x = U xm cosΩt. (3)
Substituting (1) and (3) in (2), we obtain the dependence U y (U x )
Figure 00000006

When the sensitivity of the oscilloscope at the X-input
Figure 00000007
where X is the ordinate of the beam at voltage U x , X m is the maximum horizontal deviation of the beam at voltage U xm at the X-input of the oscilloscope, equation (4) can be represented as the dependence U y (X), which reflects the waveform of the amplitude-modulated signal
Figure 00000008

This waveform represents harmonic oscillations with amplitude linearly changing along the ordinate.
Figure 00000009

those. The envelopes of the signal are two straight lines intersecting at point X on the ordinate axis at the moment U ym = 0, when the modulation depth becomes maximum (modulation coefficient m = 1). Obviously, the position of the point of intersection of the envelopes depends on the value of U 0 - V. By changing the voltage U 0 , you can move this point to the origin. This voltage U 0 = U k, compensating initial contact potential difference V, define, by substituting in (6) U ym = 0 and X = 0.

Uym = kA0(Uk-V) = 0.U ym = kA 0 (U k -V) = 0.

Получим, что Uk = V. Таким образом, измеряя напряжение U0, при котором точка пересечения огибающих находится в начале координат, определяют исходное значение контактной разности потенциалов V или относительное значение поверхностного потенциала образца.We get that U k = V. Thus, by measuring the voltage U 0 at which the point of intersection of the envelopes is at the origin, the initial value of the contact potential difference V or the relative value of the surface potential of the sample is determined.

Предположим, что величина V увеличилась на ΔV. Это приведет к перемещению точки пересечения огибающих в точку с ординатой X. Suppose that the value of V has increased by ΔV. This will move the point of intersection of the envelopes to the point with ordinate X.

Figure 00000010

Учитывая, что постоянное напряжение на конденсаторе Uk = V, получим
Figure 00000011

Таким образом, по величине смещения X точки пересечения огибающих относительно начала координат, зная амплитуду Um напряжения модуляции и величину Xm максимального отклонения луча по горизонтали, определяют величину изменения поверхностного потенциала ΔV
Из (9) следует, что чувствительность δ измерений ΔV
Figure 00000012

можно легко изменять, регулируя напряжение модуляции Um. Действительно, т. к. напряжение Uxm развертки, снимаемое с потенциометра 14, независимо от напряжения Um модуляции, снимаемого с потенциометра 9, и остается неизменным в процессе измерений, а следовательно, не изменяется и размах Xm луча по горизонтали, необходимая чувствительность δ может задаваться напряжением модуляции Um.
Figure 00000010

Given that the constant voltage across the capacitor U k = V, we obtain
Figure 00000011

Thus, by the amount of displacement X of the point of intersection of the envelopes relative to the origin, knowing the amplitude U m of the modulation voltage and the value X m of the maximum horizontal beam deflection, the magnitude of the change in the surface potential ΔV
From (9) it follows that the sensitivity δ of the measurements ΔV
Figure 00000012

can be easily changed by adjusting the modulation voltage U m . Indeed, since the voltage U xm of the sweep taken from the potentiometer 14, regardless of the voltage U m of the modulation taken from the potentiometer 9, remains unchanged during measurements, and therefore, the horizontal span X m of the beam does not change, the necessary sensitivity δ can be specified by the modulation voltage U m .

Рассмотрим пример практического применения способа. Пусть, например, исходная осциллограмма имеет вид, приведенный на фиг. 2а. Consider an example of the practical application of the method. Let, for example, the initial waveform have the form shown in FIG. 2a.

1. Регулируя напряжение Ux развертки потенциометром 14, растянем изображение по горизонтали по всей сетке экрана осциллографа, например, на величину Xm = 5 делений (фиг. 2б).1. By adjusting the scan voltage U x by potentiometer 14, we stretch the image horizontally over the entire grid of the oscilloscope screen, for example, by the value X m = 5 divisions (Fig. 2b).

2. Регулируя постоянное напряжение U0 потенциометром 5, переместим точку пересечения огибающих модулированного сигнала в центр экрана (фиг. 2в). Вольтметр 8 покажет при этом величину компенсирующего напряжения Uk, численно равную исходному значению контактной разности потенциалов V. Пусть, например, эта величина равна +0,127 В.2. By adjusting the constant voltage U 0 with potentiometer 5, we move the point of intersection of the envelopes of the modulated signal to the center of the screen (Fig. 2c). The voltmeter 8 will show the value of the compensating voltage U k , numerically equal to the initial value of the contact potential difference V. Let, for example, this value is +0.127 V.

3. Регулируя напряжение Um модуляции потенциометром 9, по показаниям вольтметра 11 установим, например, напряжение Um =0,05 В, т.е. установим чувствительность

Figure 00000013
делений/вольт.3. By adjusting the modulation voltage U m by potentiometer 9, according to the readings of the voltmeter 11, we establish, for example, voltage U m = 0.05 V, i.e. set the sensitivity
Figure 00000013
divisions / volt.

4. Пусть в результате последующих изменений поверхностного потенциала точка пересечения огибающих переместилась вправо (фиг. 2 г), например, на величину X = 2,4 делений. Определим величину изменения поверхностного потенциала ΔV = X/δ = 2,4/100 = 0,024 (вольт). Таким образом, контактная разность потенциалов увеличилась на величину 0,024 В и стала равной 0,151 В. 4. Let, as a result of subsequent changes in the surface potential, the point of intersection of the envelopes move to the right (Fig. 2 g), for example, by the value X = 2.4 divisions. We determine the magnitude of the change in the surface potential ΔV = X / δ = 2.4 / 100 = 0.024 (volts). Thus, the contact potential difference increased by a value of 0.024 V and became equal to 0.151 V.

Claims (1)

Способ измерения измерений поверхностного потенциала, основанный на индуцировании переменного тока в цепи динамического конденсатора при ненулевом значении контактной разности потенциалов между электродами конденсатора, отличающийся тем, что к электродам динамического конденсатора, образованного исследуемым образцом и эталонным вибрационным электродом, одновременно с постоянным напряжением прикладывают от низкочастотного генератора синусоидальное напряжение модуляции, частота которого не менее чем в 20 - 30 раз ниже частоты механических колебаний вибрационного электрода, возникающий в цепи конденсатора сигнал усиливают и подают на Y-вход осциллографа, а на X-вход осциллографа от низкочастотного генератора подают напряжение развертки, на экране осциллографа наблюдают амплитудно-модулированный сигнал, огибающие которого представляют две пересекающиеся прямые, регулируя постоянное напряжение, перемещают точку пересечения огибающих в центр экрана и определяют исходное значение поверхностного потенциала, измеряя постоянное напряжение, а о последующих изменениях поверхностного потенциала судят по перемещению точки пересечения огибающих и величину изменения потенциала вычисляют по формуле
Figure 00000014

где Um - амплитуда напряжения модуляции на конденсаторе;
X - изменение координаты точки пересечения огибающих при изменении поверхностного потенциала на величину ΔV;
Xm - число делений сетки экрана, соответствующее максимальному отклонению луча по горизонтали.A method for measuring surface potential measurements based on inducing alternating current in a dynamic capacitor circuit with a non-zero value of the contact potential difference between the capacitor electrodes, characterized in that they are applied to the electrodes of the dynamic capacitor formed by the test sample and the reference vibration electrode from a low-frequency generator simultaneously with a constant voltage sinusoidal modulation voltage, the frequency of which is not less than 20-30 times lower than the frequency of the mechanical oscillation of the vibrating electrode, the signal arising in the capacitor circuit is amplified and fed to the Y-input of the oscilloscope, and a sweep voltage is applied to the X-input of the oscilloscope from the low-frequency generator, an amplitude-modulated signal is observed on the oscilloscope screen, the envelopes of which are two intersecting straight lines, adjusting the constant voltage, move the point of intersection of the envelopes to the center of the screen and determine the initial value of the surface potential by measuring the constant voltage, and about subsequent changes the surface potential is judged by the movement of the intersection point of the envelopes and the potential change quantity is calculated by the formula
Figure 00000014

where U m is the amplitude of the modulation voltage across the capacitor;
X is the change in the coordinate of the point of intersection of the envelopes when the surface potential changes by ΔV;
X m - the number of divisions of the screen mesh, corresponding to the maximum deviation of the beam horizontally.
RU99110970A 1999-05-24 1999-05-24 Method for measuring of alteration of surface potential RU2156983C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU99110970A RU2156983C1 (en) 1999-05-24 1999-05-24 Method for measuring of alteration of surface potential

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU99110970A RU2156983C1 (en) 1999-05-24 1999-05-24 Method for measuring of alteration of surface potential

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2156983C1 true RU2156983C1 (en) 2000-09-27

Family

ID=20220323

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU99110970A RU2156983C1 (en) 1999-05-24 1999-05-24 Method for measuring of alteration of surface potential

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2156983C1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2471198C1 (en) * 2011-09-06 2012-12-27 Открытое акционерное общество "Национальный институт авиационных технологий" Method to detect contact difference of potentials and related device
RU2717747C1 (en) * 2019-08-14 2020-03-25 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет)" Device for measuring contact potential difference of metal parts of aviation equipment
CN116908519A (en) * 2023-07-17 2023-10-20 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 Inertial sensor surface potential measuring device and measuring method thereof

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
АЛЕЙНИКОВ Н.М. и др. Приборы и техника эксперимента. 1974, 6, с.188. *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2471198C1 (en) * 2011-09-06 2012-12-27 Открытое акционерное общество "Национальный институт авиационных технологий" Method to detect contact difference of potentials and related device
RU2717747C1 (en) * 2019-08-14 2020-03-25 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет)" Device for measuring contact potential difference of metal parts of aviation equipment
CN116908519A (en) * 2023-07-17 2023-10-20 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 Inertial sensor surface potential measuring device and measuring method thereof
CN116908519B (en) * 2023-07-17 2024-05-07 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 Inertial sensor surface potential measuring device and measuring method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5742172A (en) Scanning probe microscope and method for obtaining topographic image, surface potential image, and electrostatic capacitance distribution image
JP2730673B2 (en) Method and apparatus for measuring physical properties using cantilever for introducing ultrasonic waves
US5077473A (en) Drift compensation for scanning probe microscopes using an enhanced probe positioning system
JP2915554B2 (en) Barrier height measurement device
US6422069B1 (en) Self-exciting and self-detecting probe and scanning probe apparatus
JP5059871B2 (en) Scanning probe microscope with periodically phase-shifted AC excitation
JPH1048224A (en) Scanning probe microscope
JP5813966B2 (en) Displacement detection mechanism and scanning probe microscope using the same
JPH02293622A (en) Scan type tunnel current detecting device
Chung et al. Accurate noncontact calibration of colloidal probe sensitivities in atomic force microscopy
RU2156983C1 (en) Method for measuring of alteration of surface potential
JP2004294218A (en) Measuring method of physical property value and scanning probe microscope
JPH0343944A (en) Scanning tunnel spectrometric microscope and method for detecting scanning tunnel spectrometric information
JPH10185787A (en) Fatigue test device
JP4024451B2 (en) Scanning Kelvin probe microscope
JP3294662B2 (en) Surface electrometer
Zhao et al. In-situ measurement of fluid density rapidly using a vibrating piezoresistive microcantilever sensor without resonance occurring
JP6001728B2 (en) Displacement detection mechanism and scanning probe microscope using the same
JP3452314B2 (en) Shape measuring instrument
RU2287835C2 (en) Method for observation of surface charge density and its middle position in flat dielectrics
Soshnikov et al. Measuring the local resistivity by the nanoindentation and force-spectroscopy methods
RU2193769C2 (en) Method measuring characteristics of surface magnetic field with use of scanning sounding microscope
JPH06201373A (en) Physical property information measuring device
JPH08248082A (en) Potential distribution measuring method and scanning microscope
RU2260811C1 (en) Method for determining the charge surface density of plane dielectrics