RU2145648C1 - Монокристаллы вольфрамата свинца - Google Patents

Монокристаллы вольфрамата свинца Download PDF

Info

Publication number
RU2145648C1
RU2145648C1 RU98107344/12A RU98107344A RU2145648C1 RU 2145648 C1 RU2145648 C1 RU 2145648C1 RU 98107344/12 A RU98107344/12 A RU 98107344/12A RU 98107344 A RU98107344 A RU 98107344A RU 2145648 C1 RU2145648 C1 RU 2145648C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
pbwo
single crystals
transmittance
lead
absorption
Prior art date
Application number
RU98107344/12A
Other languages
English (en)
Other versions
RU98107344A (ru
Inventor
Усуки Йосиюки (JP)
Усуки Йосиюки
Original Assignee
Фурукава Ко., Лтд
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Фурукава Ко., Лтд filed Critical Фурукава Ко., Лтд
Publication of RU98107344A publication Critical patent/RU98107344A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2145648C1 publication Critical patent/RU2145648C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

Монокристаллы вольфрамата свинца, полученные путем использования триоксида вольфрама и диоксида свинца или вольфрамата свинца, в котором лантан содержится в количестве от 3 x 10-7 моля до 10 x 10-3 моля на один моль вольфрамата свинца. Можно получить монокристаллы вольфрамата свинца. Техническим результатом является получение кристаллов, которые применимы в качестве сцинтиллятора для детектора излучения, способного повысить количество используемого света путем увеличения коэффициента пропускания света и уменьшения самопоглощения. 2 ил.

Description

Настоящее изобретение касается монокристаллов вольфрамата свинца, применяемых в качестве сцинтиллятора в детекторах для излучаемых лучей, например рентгеновских лучей или гамма-лучей.
Сцинтилляторы для использования в режиме с высоким энергопотреблением должны иметь определенные характеристики, среди которых важными, в частности, являются:
(1) высокая плотность,
(2) короткое время послесвечения,
(3) исключительная жесткость излучения.
В качестве материалов, удовлетворяющих вышеупомянутым требованиям, до сих пор использовали Bi4Ge3O12.
Однако за последние годы от сцинтилляторов потребовались характеристики более высокой работоспособности. В связи с вышеизложенным были исследованы различные вещества с целью поиска тех веществ, которые имеют характеристики более высокой работоспособности, и было установлено, что среди таких веществ для детектирования излучения применим вольфрамат свинца PbWO4. Затем были проведены исследования с целью получения монокристаллов PbWO4, измерения их характеристик и внедрения их в практическую эксплуатацию.
Обычно монокристаллы PbWO4 получают способом вытягивания с вращением (методом Чохральского). То есть оксид свинца (PbO) и триоксид вольфрама (WO3) или PbWO4 используют в в качестве исходного материала и расплавляют в платиновом тигле и получают монокристаллы PbWO4 методом Чохральского.
Известен способ получения монокристаллов PbWO4, описанный в публикации Arora S. K. et.al. Flux growth and elektrical properties of PbWO4 cristals "J. Crist. Growth" 1982, 57, N 2, стр. 452-455. Там описаны монокристаллы PbWO4, полученные из потока Na2WO4, имеющие высокие диэлектрические, электрические и микротопографические характеристики. Однако в этом источнике согласно уровню техники не содержится никаких сведений об использовании кристаллов PbWO4 в качестве сцинтиллятора в детекторах для излучаемых лучей, например рентгеновских лучей или гамма-лучей.
Кроме того, известны сцинтилляционные характеристики вольфрамата свинца, описанные, например, в публикации "Scintillation Characteristics of PbWO4 Single Cristals at Room Temperature (M. Kobayashi et.al. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 333 (1993) стр. 429-433. Таким монокристаллам вольфрамата свинца так же, как и монокристаллам, получаемым методом Чохральского, присущи следующие недостатки.
PbWO4 получаемый до сих пор, в основном удовлетворяет трем вышеупомянутым характеристикам. Однако, поскольку исходный материал не имеет достаточной чистоты, в монокристаллы вводят примеси, придающие кристаллам желтую окраску. В монокристаллах PbWO4 пик излучения соответствует примерно 400-420 нм. Однако, поскольку желтая окраска поглощает свет на длине волны около этого пика, излученный свет частично поглощается кристаллами путем самопоглощения, и потери света неизбежны при выводе света из кристаллов.
Для PbWO4 светоотдача составляет около 3% от светоотдачи в Bi4Ge3O12 (значение для PbWO4 включает самопоглощение).
PbWO4 превосходит существующий Bi4Ge3O12 с точки зрения трех вышеупомянутых характеристик, но дает меньшую величину излучения. Поэтому исключительно важно уменьшить самопоглощение в PbWO4, а именно уменьшить окрашивание кристаллов.
Между тем были предприняты различные попытки уменьшения окрашивания кристаллов. Одна из них состоит в том, чтобы повысить чистоту исходного материала, но удовлетворительный результат не получен даже при получении PbWO4 путем повышения чистоты исходного материала до 99,999%. С другой стороны, для достижения непрозрачности также пытались использовать легирующую примесь, но это тоже не принесло успеха. При добавке молибдена оказывается, что величина излучения увеличивается в области слабого излучения, но эта величина излучения идентична той, которую получают от кристаллов без добавок в области сильного излучения, и более того, добавка молибдена ухудшает время послесвечения.
Как указано выше, уменьшение окрашивания кристаллов без ухудшения других характеристик еще не достигнуто.
Ускорители, используемые в области высокой энергии, требуют большей энергии. Тогда для получения более высокого временного разрешения необходим сцинтиллятор для детекторов излучения. Следовательно, кристаллы, используемые для создания сцинтиллятора, также должны иметь меньшее время послесвечения (предпочтительно менее нескольких наносекунд) и высокую жесткость излучения (предпочтительно более 108 рад.). С другой стороны, с точки зрения чувствительности измерительной аппаратуры, большая величина излучения обеспечивает больше преимуществ. Однако монокристаллы PbWO4, получаемые в настоящее время, не удовлетворяют таким требованиям.
Изобретение предназначено для решения вышеуказанных проблем и его задача состоит в том, чтобы разработать монокристаллы вольфрамата свинца, применяемые в качестве сцинтиллятора, используемого для детекторов излучения.
В соответствии с настоящим изобретением, вышеуказанную задачу можно решить с помощью монокристаллов вольфрамата свинца, полученных путем использования триоксида вольфрама и оксида свинца или вольфрамата свинца, в котором содержится лантан в количестве от 3 • 10-7 моля до 10 • 10-3 моля на один моль вольфрамата свинца.
Вышеуказанные и другие признаки и преимущества настоящего изобретения поясняются в нижеследующем описании предпочтительных конкретных вариантов осуществления изобретения со ссылками на прилагаемые чертежи, где
на фиг. 1 изображен график, показывающий зависимость между длиной волны и коэффициентом пропускания,
фиг. 2 - график, показывающий зависимость между концентрацией лантана и степенью увеличения коэффициента пропускания.
В результате серьезного исследования монокристаллов PbWO4 с меньшим самопоглощением света было установлено, что кривая коэффициента пропускания существующих монокристаллов PbWO4 имеет понижение в диапазоне 420 нм, указывающее, что самопоглощение велико, и кривая вблизи конца поглощения проходит полого, как показано на фиг. 1. С другой стороны, кривая коэффициента пропускания монокристаллов PbWO4, в которые добавлен лантан, не имеет такого опускания около 420 нм, указывая, что самопоглощение мало, и кривая резко спадает вблизи конца поглощения и указывает, что характеристика удовлетворительная. На основании этих открытий были проведены различные эксперименты и получены монокристаллы вольфрамата свинца согласно изобретению.
В монокристаллах PbWO4 величину имеющегося света можно увеличить путем увеличения коэффициента пропускания света и уменьшения самопоглощения с помощью внедрения лантана в количестве от 3 • 10-7 моля до 10 • 10-7 моля на один моль PbWO4.
Если концентрация лантана составляет 3 • 10-7 моля или менее, появляется самопоглощение из-за окрашивания, тогда как если концентрация составляет 10 • 10-3 моля или более, появляется черная окраска из-за того, что лантан вызывает общее самопоглощение и ухудшает коэффициент пропускания.
PbO и WO3 или PbWO4 используют в качестве исходного материала и расплавляют при нагреве в платиновом тигле, а монокристаллы PbWO4 получают методом Чохральского. Содержание лантана в монокристаллах PbWO4 составляет от 3 • 10-7 моля до 10 • 10-3 моля на один моль PbWO4.
Для этой цели содержание лантана, имеющееся в PbO и WO3 или PbWO4, используемом в качестве исходного материала, устанавливают равным 3 • 10-7 моля или менее. Кроме того, общее количество примесей, включающих в себя лантан, содержащийся в PbO и WO3 или PbWO4, устанавливают равным 1 • 10-4 моля или менее, предпочтительно 10-5 моля или менее.
Когда полученным таким образом монокристаллам PbWO4 придают заранее определенный размер, подвергают зеркальной полировке и наблюдают коэффициент пропускания света, кривая коэффициента пропускания не имеет понижения около 420 нм и резко спадает в окрестностях конца абсорбции кривой, что указывает на высокие характеристики.
Пример 1
После того, как порошок PbO и порошок WO3, чистотой по 99,99% каждый, взвесили каждый в эквимолярном количестве и смешали их, смесь загрузили в платиновый тигель диаметром 70 мм и высотой 70 мм и расплавили смесь исходных порошкообразных материалов путем индукционного нагрева, а затем методом Чохральского получили из расплавленной жидкости монокристаллы PbWO4 в виде стержня диаметром 35 мм и длиной 65 мм. Лантан добавили в таком количестве, чтобы он присутствовал в кристаллах в количестве 3 • 10-7 моля. Содержание лантана в порошке PbO и WO3 составило 5 • 10-8 или менее.
Полученные таким образом монокристаллы PbWO4 разрезали с размерами 1х1х2 см и подвергли зеркальной полировке, а потом измерили коэффициент пропускания в диапазоне 300-600 нм в направлении толщины 1 см.
Результаты измерения показаны на фиг. 1 и фиг. 2. На фиг. 1 показана связь между длиной волны и коэффициентом пропускания, а на фиг. 2 показана связь между концентрацией лантана и степенью увеличения коэффициента пропускания.
Кривая коэффициента пропускания не имела понижения около 420 нм и показала резкий спад около конца поглощения кривой. Коэффициент пропускания составлял 70,5% на длине волны 420 нм, что показывает увеличение на 19,5%.
Пример 2
После того, как порошок PbO и порошок WO3, чистотой по 99,99% каждый, взвесили каждый в эквимолярном количестве и смешали их, смесь загрузили в платиновый тигель диаметром 70 мм и высотой 70 мм и расплавили смесь исходных порошкообразных материалов путем индукционного нагрева, а затем методом Чохральского получили из расплавленной жидкости монокристаллы PbWO4 в виде стержня диаметром 33 мм и длиной 70 мм. Лантан добавили в таком количестве, чтобы он присутствовал в кристаллах в количестве 2,2 • 10-5 моля. Содержание лантана в порошке PbO и WO3 составило 5 • 10-8 или менее.
Полученные таким образом монокристаллы PbWO4 разрезали с размерами 1х1х2 см и подвергли зеркальной полировке, а потом измерили коэффициент пропускания в диапазоне 300-600 нм в направлении толщины 1 см.
Результаты измерения показаны на фиг. 1 и фиг. 2. Кривая коэффициента пропускания не имела понижения около 420 нм и показала резкий спад около конца поглощения кривой. Коэффициент пропускания составлял 71% на длине волны 420 нм, что показывает увеличение на 20,3%.
Пример 3
После того, как порошок PbO и порошок WO3, чистотой по 99,99% каждый, взвесили каждый в эквимолярном количестве и смешали их, смесь загрузили в платиновый тигель диаметром 70 мм и высотой 70 мм и расплавили смесь исходных порошкообразных материалов путем индукционного нагрева, а затем методом Чохральского получили из расплавленной жидкости монокристаллы PbWO4 в виде стержня диаметром 35 мм и длиной 70 мм. Лантан добавили в таком количестве, чтобы он присутствовал в кристаллах в количестве 7,5 • 10-4 моля. Содержание лантана в порошке PbO и WO3 составило 5 • 10-8 или менее.
Полученные таким образом монокристаллы PbWO4 разрезали с размерами 1х1х2 см и подвергли зеркальной полировке, а потом измерили коэффициент пропускания в диапазоне 300-600 нм в направлении толщины 1 см.
Результаты измерения показаны на фиг. 1 и фиг. 2. Кривая коэффициента пропускания не имела понижения около 420 нм и показала резкий спад около конца поглощения кривой. Коэффициент пропускания составлял 70% на длине волны 420 нм, что показывает увеличение на 18,6%.
Пример 4
После того, как порошок PbO и порошок WO3, чистотой по 99,99% каждый, взвесили каждый в эквимолярном количестве и смешали их, смесь загрузили в платиновый тигель диаметром 70 мм и высотой 70 мм и расплавили смесь исходных порошкообразных материалов путем индукционного нагрева, а затем методом Чохральского получили из расплавленной жидкости монокристаллы PbWO4 в виде стержня диаметром 35 мм и длиной 60 мм. Лантан добавили в таком количестве, чтобы он присутствовал в кристаллах в количестве 3 • 10-3 моля. Содержание лантана в порошке PbO WO3 составило 5 • 10-8 или менее.
Полученные таким образом монокристаллы PbWO4 разрезали с размерами 1х1х2 см и подвергли зеркальной полировке, а потом измерили коэффициент пропускания в диапазоне 300-600 нм в направлении толщины 1 см.
Результаты измерения показаны на фиг. 1 и фиг. 2. Кривая коэффициента пропускания не имела понижения около 420 нм и показала резкий спад около конца поглощения кривой. Коэффициент пропускания составлял 69% на длине волны 420 нм, что показывает увеличение на 16,9 %.
Поскольку монокристаллы PbWO4, содержащие лантан в количестве от 3 • 10-7 моля до 10 • 10-3 моля, имеют высокий коэффициент пропускания и малое самопоглощение, излученный свет можно выводить наружу при отсутствии поглощения во время прохождения через кристаллы.
В вышеописанном эксперименте измерение проводили в направлении толщины 1 см, однако, поскольку при фактическом применении используется материал длиной 23 см, разность в коэффициенте пропускания на 1 см обеспечивает исключительно важное влияние в состоянии практического применения.
Если кривая коэффициента пропускания имеет понижение в диапазоне около 420 нм, как в известных монокристаллах PbWO4, свет на длине волны излучения 400-430 мм поглощается во время прохождения по длине 23 см и едва ли может быть выведен наружу в виде луча. Поскольку коэффициент пропускания на длине волны 420 нм на 1 см в существующих монокристаллах PbWO4 составляет 59%, свет после прохождения по длине, например, 23 см можно использовать только на 1% или менее величины излучения.
Однако, поскольку монокристаллы PbWO4, соответствующие настоящему изобретению, не имеют вредного самопоглощения, можно использовать большинство светового излучения. Например, если коэффициент пропускания на 1 см составляет 70%, величина коэффициента пропускания света увеличивается в 50 раз.
Поэтому монокристаллы PbWO4 можно эффективно применять для практического использования.
Как указано выше, в соответствии с настоящим изобретением можно получить монокристаллы вольфрамата свинца, которые применимы в качестве сцинтиллятора для детектора излучения, способного повысить величину излучения света путем увеличения коэффициента пропускания света и уменьшения самопоглощения.

Claims (1)

  1. Монокристаллы вольфрамата свинца, отличающиеся тем, что они получены путем использования триоксида вольфрама и диоксида свинца или вольфрамата свинца и содержат лантан в количестве от 3 x 10-7 моля до 10 x 10-3 моля на один моль вольфрамата свинца.
RU98107344/12A 1997-04-22 1998-04-21 Монокристаллы вольфрамата свинца RU2145648C1 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10463397A JPH10291898A (ja) 1997-04-22 1997-04-22 タングステン酸鉛単結晶
JP9-104,633 1997-04-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU98107344A RU98107344A (ru) 2000-01-27
RU2145648C1 true RU2145648C1 (ru) 2000-02-20

Family

ID=14385858

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU98107344/12A RU2145648C1 (ru) 1997-04-22 1998-04-21 Монокристаллы вольфрамата свинца

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JPH10291898A (ru)
CN (1) CN1092148C (ru)
RU (1) RU2145648C1 (ru)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
HUP0302668A2 (hu) * 2001-07-12 2003-12-29 Furukawa Co., Ltd. Eljárás volfrám egykristály előállítására
JP2003041244A (ja) * 2001-07-25 2003-02-13 Furukawa Co Ltd シンチレータ
CN101424615B (zh) * 2008-12-03 2011-10-05 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种评估钨酸铅晶体的抗辐照性能的检测方法
CN102443853B (zh) * 2011-12-02 2014-11-05 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种掺杂稀土离子的钨酸铅大单晶的制备方法
US8895932B2 (en) * 2012-08-28 2014-11-25 Konica Minolta, Inc. Scintillator plate and radiation detection panel

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1043479C (zh) * 1994-12-30 1999-05-26 中国科学院上海硅酸盐研究所 坩埚下降生长钨酸铅闪烁大单晶的制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ARORA S.K. et. al. Flux growth and electrical properties of PbWO 4 crystals "Y. Crystal Growth", 1982, 57 N 2, p.452 - 455. *
KOBAYASHI M. et. al. Scintillation characteristics of PbWO 4 single crystals at room temperature "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research " A 333 (1993) p.429 - 433. *

Also Published As

Publication number Publication date
CN1092148C (zh) 2002-10-09
CN1200351A (zh) 1998-12-02
JPH10291898A (ja) 1998-11-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Grabmaier Crystal scintillators
US5057692A (en) High speed, radiation tolerant, CT scintillator system employing garnet structure scintillators
JP3668755B2 (ja) シンチレーション材料およびシンチレーション導波路素子
Zhu et al. A study on the properties of lead tungstate crystals
US5360557A (en) Hole-trap-compensated scintillator for computed tomography machine
Ishii et al. Development of BSO (Bi4Si3O12) crystal for radiation detector
JP5521273B2 (ja) シンチレータ用単結晶、シンチレータ用単結晶を製造するための熱処理方法、及びシンチレータ用単結晶の製造方法
Moses et al. The scintillation properties of cerium-doped lanthanum fluoride
Kobayashi et al. Bismuth silicate Bi4Si3O12, a faster scintillator than bismuth germanate Bi4Ge3O12
US20080299027A1 (en) Scintillator single crystal, heat treatment method for production of scintillator single crystal, and method for production of scintillator single crystal
US20040200964A1 (en) Single crystal scintillators
US5391876A (en) Hole-trap-compensated scintillator material and computed tomography machine containing the same
US4988882A (en) Monocrystals of silicates of lanthanides usable as scintillators for the detection of X and gamma radiation
RU2145648C1 (ru) Монокристаллы вольфрамата свинца
US7060982B2 (en) Fluoride single crystal for detecting radiation, scintillator and radiation detector using the single crystal, and method for detecting radiation
Zanella et al. A new cerium scintillating glass for X-ray detection
EP1466955B1 (en) Single crystal scintillators
Horowitz et al. The growth of high quality large Bi4Ge3O12 (BGO) crystals
US20030062486A1 (en) Neutron scintillator
RU2031987C1 (ru) Сцинтилляционный материал
Korolev et al. Scintillation properties of strontium-doped cerium fluoride
JP5842292B2 (ja) 中性子シンチレータ用酸化物結晶及びこれを用いた中性子シンチレータ
Harada et al. Scintillation characteristics and radiation damage of Ce-Doped Bi4Si3O12 single crystals
Melcher et al. Cerium-doped Lutetium Oxyorthosilicate: A fast, efficient new scintillator
RU2046371C1 (ru) Сцинтилляционный материал на основе активированного монокристаллического силиката гадолиния

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20040422