RU2086987C1 - Device measuring velocity of gas flow and pressure difference - Google Patents
Device measuring velocity of gas flow and pressure difference Download PDFInfo
- Publication number
- RU2086987C1 RU2086987C1 RU94020629A RU94020629A RU2086987C1 RU 2086987 C1 RU2086987 C1 RU 2086987C1 RU 94020629 A RU94020629 A RU 94020629A RU 94020629 A RU94020629 A RU 94020629A RU 2086987 C1 RU2086987 C1 RU 2086987C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- recess
- gas flow
- hot
- wire anemometer
- microelectronic
- Prior art date
Links
Images
Abstract
Description
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения скорости газового потока и перепада давления в различных отраслях промышленности, медицинской технике и научных исследованиях. The invention relates to measuring equipment and can be used to measure gas flow rate and pressure drop in various industries, medical equipment and scientific research.
Известны конструкции датчиков для измерения скорости газового потока и перепада давления (1), представляющие собой термоанемометр, содержащий несколько термочувствительных и нагреваемых элементов. Принцип измерения сводится к определению изменения теплоотдачи от нагреваемого элемента в газовую среду при протекании газового потока. К недостаткам подобных датчиков следует отнести их ненадежность и низкую воспроизводимость рабочих характеристик. Known designs of sensors for measuring gas flow velocity and pressure drop (1), which are a hot-wire anemometer containing several heat-sensitive and heated elements. The measurement principle is reduced to determining the change in heat transfer from the heated element to the gaseous medium during a gas flow. The disadvantages of such sensors include their unreliability and low reproducibility of performance.
Наиболее близким к изобретению является устройство для измерения газового потока и перепада давления (2), содержащее микроэлектронный термоанемометр, состоящий из трех терморезисторов, расположенных на диэлектрической пленке из нитрида кремния, накрывающей углубление в кремниевой подложке и корпус, в основании которого в заданном положении зафиксирован микроэлектронный термоанемометр. Центральный терморезистор разогревают, а два боковых используют для измерения разности температур, возникающей при протекании газа. Канал для протекания газа сформирован в крышке корпуса. Микроэлектронный термоанемометр соединен проволочными проводниками с электрическими выводами устройства. Проволочные проводники расположены в области газового канала. В диэлектрической пленке имеются окна, через которые производят анизотропное травление для выполнения углубления в кремниевой подложке. Closest to the invention is a device for measuring gas flow and pressure drop (2), containing a microelectronic hot-wire anemometer, consisting of three thermistors located on a dielectric film of silicon nitride, covering the recess in the silicon substrate and the housing, at the base of which a microelectronic is fixed hot-wire anemometer. The central thermistor is heated, and the two side ones are used to measure the temperature difference that occurs when the gas flows. A gas flow channel is formed in the housing cover. The microelectronic hot-wire anemometer is connected by wire conductors to the electrical terminals of the device. Wire conductors are located in the area of the gas channel. There are windows in the dielectric film through which anisotropic etching is performed to make a recess in the silicon substrate.
Необходимо отметить, что конструктивные особенности известного устройства и технологические методы его изготовления взаимосвязаны. Так, наличие по крайней мере одного окна, вскрытого в диэлектрической пленке, необходимо для проведения анизотропного травления с лицевой стороны кремниевой подложки с целью получения углубления в ней и подтравливания под пленку. Такая конструкция имеет ряд недостатков. It should be noted that the design features of the known device and technological methods for its manufacture are interconnected. Thus, the presence of at least one window opened in a dielectric film is necessary for conducting anisotropic etching on the front side of the silicon substrate in order to obtain a depression in it and etching under the film. This design has several disadvantages.
Улучшение тепловой изоляции терморезисторов, необходимое для повышения чувствительности устройства, достигается за счет уменьшения толщины диэлектрической пленки, увеличения ее площади и глубины вытравленного углубления. Однако при этом снижается механическая прочность диэлектрической пленки. При изготовлении известного устройства выделяющиеся при травлении углубления пузырьки газа могут разрушить диэлектрическую пленку. Для предотвращения этого эффекта ограничивают ее площадь, а толщину пленки делают не менее 0,8-1,0 мкм, уменьшая тем самым чувствительность устройства. Improving the thermal insulation of thermistors, necessary to increase the sensitivity of the device, is achieved by reducing the thickness of the dielectric film, increasing its area and the depth of the etched recess. However, this reduces the mechanical strength of the dielectric film. In the manufacture of the known device, gas bubbles emitted during etching of the recess can destroy the dielectric film. To prevent this effect, its area is limited, and the film thickness is made at least 0.8-1.0 μm, thereby reducing the sensitivity of the device.
Кроме этого, протекание газового потока через микроэлектронный термоанемометр вызывает движение газа непосредственно в углублении под диэлектрической пленкой, что дополнительно влияет на интенсивность передачи тепла от нагреваемого терморезистора. А поскольку характер такого движения является турбулентным, возрастает уровень шума при измерениях. При этом проволочные проводники, расположенные в области газового канала, также являются источником возмущений газового потока и причиной дополнительного шума. In addition, the gas flow through the microelectronic hot-wire anemometer causes gas to move directly in the recess under the dielectric film, which additionally affects the intensity of heat transfer from the heated thermistor. And since the nature of this movement is turbulent, the noise level increases during measurements. In this case, wire conductors located in the region of the gas channel are also a source of perturbations of the gas flow and cause additional noise.
В известном устройстве сопротивление нагреваемого терморезистора зависит от температуры окружающей среды. Вследствие этого при изменении температуры окружающей среды изменяется рассеиваемая на нем тепловая мощность. В результате этого происходит значительное изменение чувствительности устройства, что приводит к дополнительной погрешности при измерениях. In the known device, the resistance of the heated thermistor depends on the ambient temperature. As a result of this, when the ambient temperature changes, the thermal power dissipated on it changes. As a result of this, a significant change in the sensitivity of the device occurs, which leads to an additional measurement error.
Диапазон измеряемых перепадов давлений в известном устройстве однозначно зависит от геометрии газового канала. Возможность его увеличения ограничена тем, что при больших потоках газа микроэлектронный термоанемометр переходит в режим насыщения. Таким образом, известное устройство не адаптировано к измерениям в широком диапазоне перепадов давления. The range of measured pressure drops in the known device clearly depends on the geometry of the gas channel. The possibility of increasing it is limited by the fact that, with large gas flows, the microelectronic hot-wire anemometer goes into saturation mode. Thus, the known device is not adapted to measurements in a wide range of pressure drops.
Следует отметить, что в известном устройстве микроэлектронный термоанемометр расположен на основании корпуса таким образом, что терморезисторы ориентированы перпендикулярно вектору скорости газового потока. Нарушение ориентации приводит к изменению чувствительности устройства и разбросу параметров при массовом изготовлении устройств. It should be noted that in the known device, a microelectronic hot-wire anemometer is located on the base of the housing in such a way that the thermistors are oriented perpendicular to the gas flow velocity vector. Violation of orientation leads to a change in the sensitivity of the device and the spread of parameters during mass production of devices.
Техническим результатом изобретения является такое усовершенстование устройства для измерения скорости газового потока и перепада давления, которое позволяет снизить уровень шума, повысить чувствительность устройства, уменьшить температурную чувствительность, расширить диапазон измеряемых перепадов давления и улучшить воспроизводимость рабочих характеристик устройства при массовом его изготовлении. The technical result of the invention is such an improvement of the device for measuring the gas flow rate and pressure drop, which allows to reduce the noise level, increase the sensitivity of the device, reduce the temperature sensitivity, expand the range of measured pressure drops and improve the reproducibility of the device’s performance during mass production.
Указанный результат достигается за счет того, что в устройстве для измерения газового потока и перепада давления, содержащем микроэлектронный термоанемометр, состоящий из термочувствительных и нагреваемых элементов, расположенных на диэлектрической пленке из нитрида кремния, накрывающей углубление в кремниевой подложке, корпус, в основании которого в заданном положении зафиксирован микроэлектронный термоанемометр, соединенный проводниками с электрическими выводами, а в крышке корпуса сформирован канал, имеющий вход и выход для протекания газового потока через микроэлектронный термоанемометр, в крышке корпуса выполнено углубление, накрывающее проводники и отделенное от канала для протекания газового потока, а углубление в кремниевой подложке имеет сквозной выход к обратной стороне подложки, причем диэлектрическая пленка, накрывающая углубление, выполнена сплошной и имеет по его периметру непрерывный контакт с кремниевой подложкой. This result is achieved due to the fact that in the device for measuring gas flow and pressure drop, containing a microelectronic hot-wire anemometer, consisting of heat-sensitive and heated elements located on a dielectric film of silicon nitride, covering the recess in the silicon substrate, the housing, the base of which is in a given a microelectronic hot-wire anemometer is fixed in position, connected by conductors to electrical leads, and a channel is formed in the housing lid having an input and output for gas flow through a microelectronic hot-wire anemometer, a recess covering the conductors and separated from the channel for gas flow is made in the housing cover, and the recess in the silicon substrate has a through exit to the back side of the substrate, and the dielectric film covering the recess is continuous and has it perimeter continuous contact with the silicon substrate.
В частных случаях использования устройства диэлектрическая пленка содержит подслой термической двуокиси кремния толщиной 0,05 0, мкм, термочувствительные элементы состоят из слоя никеля с подслоем титана; нагреваемый элемент состоит из поликремния; крышка корпуса дополнительно снабжена по крайней мере одним узлом с калиброванным отверстием; канал для протекания газового потока и микроэлектронный термоанемометр взаимозафикситрован. In special cases, the use of the device, the dielectric film contains a sublayer of thermal silicon dioxide with a thickness of 0.05 0 μm, heat-sensitive elements consist of a nickel layer with a titanium sublayer; the heated element consists of polysilicon; the housing cover is further provided with at least one assembly with a calibrated hole; the gas flow channel and the microelectronic hot-wire anemometer are interlocked.
На фиг. 1 представлен микроэлектронный термоанемометр; на фиг 2 и 3 - размещение микроэлектронного термоанемометра в корпусе. In FIG. 1 presents a microelectronic hot-wire anemometer; in Fig 2 and 3 - the placement of the microelectronic hot-wire anemometer in the housing.
Как показано на фиг.1, в кремниевой подложке 1 сформировано сквозное углубление 2. Диэлектрическая пленка, состоящая из слоя нитрида кремния 3 и подслоя термической двуокиси кремния 4, покрывает углубление 2, выполнена сплошной и имеет непрерывный контакт с подложкой 1 по периметру углубления 2. На диэлектрической пленке расположены термочувствительные 5 и 6 и нагреваемый 7 элементы. Элементы 5, 6 и 7 ориентированы перпендикулярно вектору скорости газового потока и вместе с подложкой 1 составляют микроэлектронный термоанемометр 8. As shown in FIG. 1, a through recess 2 is formed in the silicon substrate 1. A dielectric film consisting of a silicon nitride layer 3 and a thermal silicon dioxide sublayer 4 covers the recess 2, is continuous and has continuous contact with the substrate 1 along the perimeter of the recess 2. Heat-sensitive 5 and 6 and heated 7 elements are located on the dielectric film. Elements 5, 6 and 7 are oriented perpendicular to the gas flow velocity vector and together with the substrate 1 comprise a microelectronic hot-
Как показано на фиг.2, корпус устройства имеет основание 9, крышку 10 и электрические вывода 11. В крышке корпуса сформирован канал 12 для протекания газового потока и выполнено углубление 13, отделенное от него. Микроэлектронный термоанемометр 8 зафиксирован на основании 9 (например, приклеен) и соединен противоположными проводниками 14 с электрическими выводами 11, при этом канал 1 накрывает микроэлектронный термоанемометр 8, а углубление 13 накрывает проводники 14. Основание корпуса 9 имеет также выступ 15, а крышка корпуса 10 соответствующее углубление 16. В собранном состоянии выступ 15 и углубление 16 совмещены. Вход 17 и выход 18 канала 12 соединены с узлами в виде штуцеров 19 и 20 с калиброванными отверстиями, как показано на фиг.3. As shown in FIG. 2, the housing of the device has a
Принцип работы устройства заключается в следующем. Нагреваемый элемент 7 разогревают электрическим током и измеряют разность температур ΔT термочувствительных элементов 5 и 6. Поток q через канал 12 вызывает изменение величины ΔT (при q=0, ΔT=0 ). По известной калибровочной зависимости ΔT(q) определяют величину измеряемого газового потока. The principle of operation of the device is as follows. The heated element 7 is heated by electric current and the temperature difference ΔT of the temperature-sensitive elements 5 and 6 is measured. The flow q through
Конструкция устройства устраняет возмущение газового потока в канале, сформированном в крышке корпуса, и препятствует возникновению турбулентности в нем, поскольку поверхность диэлектрической пенки, накрывающей углубление, выполнена сплошной, без окон, а проводники, соединяющие микроэлектронный термоанемометр с электрическими выводами, вынесены из области потока и скрыты в углублении. Уменьшение уровня шума при измерениях в этом случае связано с поддержанием ламинарного режима газового потока в непосредственной близкости от нагреваемого и термочувствительных элементов. The design of the device eliminates the perturbation of the gas flow in the channel formed in the housing cover and prevents the occurrence of turbulence in it, since the surface of the dielectric foam covering the recess is made continuous, without windows, and the conductors connecting the microelectronic hot-wire anemometer with electrical leads are removed from the flow area and hidden in the recess. The decrease in noise level during measurements in this case is associated with maintaining the laminar regime of the gas flow in the immediate vicinity of the heated and thermosensitive elements.
Повышение чувствительности устройства достигается за счет улучшения тепловой изоляции нагреваемого и термочувствительных элементов от подложки и увеличения теплового контакта с газовым потоком. Этому способствует уменьшение толщины пленки и увеличение ее площади. Для достижения этого и получения при этом механически прочной структуры необходимо использовать диэлектрические слои с высоким структурным совершенством. Такими свойствами обладают пленки из нитрида кремния, получаемые высокотемпературным плазмохимическим осаждением. Однако известно, что такие пленки, полученные на поверхности кремния, обладают большими встроенными механическими напряжениями. Для снятия этих напряжений в диэлектрической пленке предлагается использовать слой термической двуокиси кремния толщиной 0,05 0,1 мкм. Использование комбинированной структуры диэлектрической пленки позволяет получать ненапряженные сплошные мембраны площадью до 1 мм х 1 мм при толщине около 0,2 мкм, что позволяет существенно повысить чувствительности устройства. Использование подслоя из двуокиси кремния толщиной более 0,1 мкм приводит к увеличению механических напряжений. При толщинах менее 0,05 мкм ухудшаются механическая структура и однородность подслоя. Increasing the sensitivity of the device is achieved by improving the thermal insulation of the heated and thermosensitive elements from the substrate and increasing thermal contact with the gas stream. This is facilitated by a decrease in the film thickness and an increase in its area. To achieve this and obtain a mechanically strong structure, it is necessary to use dielectric layers with high structural perfection. Silicon nitride films obtained by high-temperature plasma-chemical deposition possess such properties. However, it is known that such films obtained on the surface of silicon have large built-in mechanical stresses. To relieve these stresses in a dielectric film, it is proposed to use a layer of thermal silicon dioxide with a thickness of 0.05 to 0.1 μm. Using the combined structure of the dielectric film allows to obtain unstressed continuous membranes with an area of up to 1 mm x 1 mm and a thickness of about 0.2 microns, which can significantly increase the sensitivity of the device. The use of a silicon dioxide sublayer with a thickness of more than 0.1 μm leads to an increase in mechanical stresses. At thicknesses less than 0.05 μm, the mechanical structure and uniformity of the sublayer deteriorate.
Термочувствительные элементы могут быть выполнены из слоя никеля с подслоем титана. При толщине никеля около 0,2 мкм и титана 0,5 мкм данные терморезисторы обладают высокой стабильностью и температурным коэффициентом сопротивления около 0,004 I/K. Типичные значения номиналов терморезисторов могут достигать значения 200 400 Ом. Heat-sensitive elements can be made of a nickel layer with a titanium sublayer. With a thickness of nickel of about 0.2 μm and titanium of 0.5 μm, these thermistors have high stability and a temperature coefficient of resistance of about 0.004 I / K. Typical thermistor ratings can reach 200 to 400 ohms.
Изменение температуры окружающей среды приводит к изменению сопротивления терморезистивного нагреваемого элемента и рассеиваемой на нем тепловой мощности. A change in ambient temperature leads to a change in the resistance of the thermoresistive element being heated and the thermal power dissipated on it.
В связи с этим, если не обеспечивается автоматическое поддержание постоянной температуры перегрева элемента по отношению к температуре окружающей среды, возможно значительное изменение чувствительности устройства, что приводит к дополнительной погрешности измерений. Для устранения данного недостатка нагреваемый элемент может быть изготовлен из поликремния с малым температурным коэффициентом сопротивления. Известно, что при уровне легирования поликремния более 1020 см-3 его температурный коэффициент сопротивления не превышает 2•10-5I/K.In this regard, if it is not possible to automatically maintain a constant overheating temperature of the element with respect to the ambient temperature, a significant change in the sensitivity of the device is possible, which leads to an additional measurement error. To eliminate this drawback, the heated element can be made of polysilicon with a low temperature coefficient of resistance. It is known that at a polysilicon doping level of more than 10 20 cm -3 its temperature coefficient of resistance does not exceed 2 • 10 -5 I / K.
Использование термостабильного нагреваемого элемента позволяет поддерживать постоянной величину рассеиваемой на нем тепловой мощности и уменьшить температурную чувствительность устройства. Using a thermostable heated element allows you to maintain a constant value of the dissipated thermal power on it and reduce the temperature sensitivity of the device.
Для расширения диапазона измеряемых перепадов давлений в устройстве установлены узлы с калиброванными отверстиями (штуцеры), ограничивающими скорость газового потока. Если пневматические сопротивления узлов намного больше пневматического сопротивления канала, то при перепаде давлений ΔP через канал протекает поток
где d диаметр отверстия штуцеров;
l их длина;
h вязкость газа.To expand the range of measured pressure drops in the device installed nodes with calibrated holes (fittings), limiting the speed of the gas stream. If the pneumatic resistance of the nodes is much greater than the pneumatic resistance of the channel, then with a pressure difference ΔP, a flow flows through the channel
where d is the diameter of the nozzle hole;
l their length;
h is the viscosity of the gas.
Пусть qmax максимальный поток, регистрируемый микроэлектронным термоанемометром. Для того, чтобы измерять перепад давлений в диапазоне до DPmax необходимо установить в корпусе устройства штуцера с диаметром отверстий.Let q max be the maximum flux recorded by a microelectronic hot-wire anemometer. In order to measure the pressure drop in the range up to DP max, it is necessary to install a fitting with a hole diameter in the device casing.
При необходимости адаптировать устройство к измерениям в более широком диапазоне перепадов давления достаточно установить штуцеры с диаметром отверстий, определяемым уравнением (2), либо подсоединить к ним дополнительно аналогичное узлы с калиброванным отверстием, ограничивающие поток через микроэлектронный термоанемометр.
If it is necessary to adapt the device to measurements in a wider range of pressure drops, it is enough to install fittings with a hole diameter defined by equation (2), or connect to them additionally similar nodes with a calibrated hole, restricting the flow through a microelectronic hot-wire anemometer.
При массовом изготовлении устройства улучшение воспроизводимости его рабочих характеристик достигается за счет поддержания заданной ориентации микроэлектронного термоанемометра по отношению к каналу для протекания газового потока. Так, одним из примеров реализации этой задачи является то, что основание корпуса имеет выступ определенной формы, а крышка корпуса - соответствующее углубление. При сборке выступ входит в углубление, обеспечивая автоматически требуемую ориентацию канала для протекания газового потока по отношению к микроэлектронному термоанемометру. In the mass production of the device, an improvement in the reproducibility of its performance is achieved by maintaining the specified orientation of the microelectronic hot-wire anemometer with respect to the channel for the flow of gas. So, one example of the implementation of this task is that the base of the housing has a protrusion of a certain shape, and the housing cover has a corresponding recess. When assembling, the protrusion enters the recess, providing automatically the required channel orientation for the gas flow in relation to the microelectronic hot-wire anemometer.
При использовании устройства в конкретных применениях в него могут быть внесены дополнительные изменения. Например, микроэлектронный термоанемометр 8 может содержать один или два терморезистора, может изменяться форма канала 12, конструкция узлов 19 и 20 и т.д. When using the device in specific applications, additional changes may be made to it. For example, a microelectronic hot-
Claims (6)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU94020629A RU2086987C1 (en) | 1994-06-02 | 1994-06-02 | Device measuring velocity of gas flow and pressure difference |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU94020629A RU2086987C1 (en) | 1994-06-02 | 1994-06-02 | Device measuring velocity of gas flow and pressure difference |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU94020629A RU94020629A (en) | 1996-01-27 |
| RU2086987C1 true RU2086987C1 (en) | 1997-08-10 |
Family
ID=20156731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU94020629A RU2086987C1 (en) | 1994-06-02 | 1994-06-02 | Device measuring velocity of gas flow and pressure difference |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2086987C1 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2451295C1 (en) * | 2010-12-28 | 2012-05-20 | Общество с ограниченной ответственностью "МЭМС-РЕЗЕРВ" | Heat loss anemometer and method of its making |
| CN105675917A (en) * | 2016-01-19 | 2016-06-15 | 东南大学 | Thermal type wind speed sensor and packaging method thereof |
-
1994
- 1994-06-02 RU RU94020629A patent/RU2086987C1/en active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 1. Ярин Л.П. и др. Термоанемометрия газовых потоков. - Л.: Машиностроение, 1983, с. 25. 2. Патент США N 4548078, кл. G 01 F 1/68, 1985. * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2451295C1 (en) * | 2010-12-28 | 2012-05-20 | Общество с ограниченной ответственностью "МЭМС-РЕЗЕРВ" | Heat loss anemometer and method of its making |
| CN105675917A (en) * | 2016-01-19 | 2016-06-15 | 东南大学 | Thermal type wind speed sensor and packaging method thereof |
| CN105675917B (en) * | 2016-01-19 | 2018-11-16 | 东南大学 | A kind of hot type air velocity transducer and its packaging method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5237867A (en) | Thin-film air flow sensor using temperature-biasing resistive element | |
| US11073415B2 (en) | Thermal fluid flow sensor having a dielectric membrane comprising discontinuities between the heating element and an edge | |
| US4909078A (en) | Fluid flow detector | |
| US5597957A (en) | Microvacuum sensor having an expanded sensitivity range | |
| JP4709499B2 (en) | Thermal mass flow meter | |
| US4733559A (en) | Thermal fluid flow sensing method and apparatus for sensing flow over a wide range of flow rates | |
| US2509889A (en) | Differential altimeter | |
| Kaltsas et al. | Characterization of a silicon thermal gas-flow sensor with porous silicon thermal isolation | |
| KR20010024662A (en) | flow rate sensor, temperature sensor and flow rate measuring instrument | |
| HUT71157A (en) | A volume flow meter that measures transit time | |
| US11768093B2 (en) | Flow sensing device | |
| RU2086987C1 (en) | Device measuring velocity of gas flow and pressure difference | |
| KR100292799B1 (en) | Micro Flow / Flow Sensors with Membrane Structure, and Flow / Flow Measurement Methods Using Them | |
| Cain et al. | Development of a wafer-bonded, silicon-nitride membrane thermal shear-stress sensor with platinum sensing element | |
| JP2005172445A (en) | Flow sensor | |
| JPS5937419A (en) | Heat sensitive type flow rate detector | |
| JP3808208B2 (en) | Solid stem for flow sensor | |
| JP2001317977A (en) | Flow rate measuring apparatus | |
| JPH042967A (en) | Flow sensor | |
| Chandrasekaran et al. | Characterization of a micromachined thermal shear stress sensor | |
| JP2000146653A (en) | Flow sensor and temperature sensor | |
| JPH03261868A (en) | Flow sensor | |
| JPH02107923A (en) | Microbridge flow sensor | |
| JPH109923A (en) | Thermosensitive flow sensor and its manufacture | |
| JP2002310757A (en) | Very small flow-rate measuring device |