RU2079931C1 - Microwave integrated-circuit case - Google Patents

Microwave integrated-circuit case Download PDF

Info

Publication number
RU2079931C1
RU2079931C1 RU92015945A RU92015945A RU2079931C1 RU 2079931 C1 RU2079931 C1 RU 2079931C1 RU 92015945 A RU92015945 A RU 92015945A RU 92015945 A RU92015945 A RU 92015945A RU 2079931 C1 RU2079931 C1 RU 2079931C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
dielectric plate
dielectric
cover
plate
base
Prior art date
Application number
RU92015945A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU92015945A (en
Inventor
В.А. Иовдальский
В.Ю. Мякиньков
Original Assignee
Государственное научно-производственное предприятие "Исток"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное научно-производственное предприятие "Исток" filed Critical Государственное научно-производственное предприятие "Исток"
Priority to RU92015945A priority Critical patent/RU2079931C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2079931C1 publication Critical patent/RU2079931C1/en
Publication of RU92015945A publication Critical patent/RU92015945A/en

Links

Images

Abstract

FIELD: electronic engineering. SUBSTANCE: microwave integrated-circuit case has metal base 5; dielectric plate 1 located on base 5 with its one side with external leads, with microstrip lines 2 on its opposite side on the periphery, which are electrically connected to external leads by means of through metal conductors 3 in dielectric plate 1; microwave integrated circuit 4 positioned on dielectric plate 1 and electrically connected to its microstrip lines 2; and case cover 6 hermetically connected around the edges to dielectric plate 1. Hole 2 is available in the center of plate 1. Cross-sectional diameter of through metal conductors 3 of dielectric plate 1 is within 0.1 to 1.0 of the width of microstrip line 2 of dielectric plate 1. Metal base 5 of the case is located in the same plane with the external leads. Base 5 is 0.03 to 1.5 mm thick and can overlap hole 7 of dielectric plate 1, whose diameter is within 0.1 to 1.5 mm. Base 5 is hermetically connected to dielectric plate 1; the microwave integrated circuit is located in hole 7 of dielectric plate 1 in a spaced relation, the gap between it and the hole walls not exceeding 250 um, flush with the surface of dielectric plate 1 with microstrip lines 2 for thermal contact with case base 5. EFFECT: improved design. 7 cl, 3 dwg

Description

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при разработке корпусов гибридных интегральных схем, монолитных интегральных полупроводниковых схем и полупроводниковых приборов С и других диапазонов. The invention relates to electronic equipment and can be used in the development of cases of hybrid integrated circuits, monolithic integrated semiconductor circuits and semiconductor devices C and other ranges.

Известен керамический корпусированный полупроводниковый прибор, например транзистор, в котором благодаря проволочной связи, металлизированным поверхностям и соединительным контактным поверхностям в схеме значительно уменьшено число паразитных элементов, предпочтительно и общего сопротивления истока транзистора. Проволочное соединение выводится одним или несколькими проводами или полосами от контактов истока кристалла на металлизированную поверхность или металлическую раму, на которой монтируется с помощью припоя из золота крышка. Металлизация выполнена в виде параллельной полосы по ширине кристалла и не расширяется в виде трапеции, в результате чего значительно уменьшается емкость связи от металлизации истока к контактной поверхности стока и контактной поверхности затвора. С помощью СВЧ-разрядников уменьшаются максимальное усилие и минимальный коэффициент шума дискретно закрытого транзистора [1]
Недостатком данного технического решения являются недостаточно высокие электрические, массогабаритные и теплорассеивающие характеристики корпуса.A ceramic enclosed semiconductor device, for example, a transistor, is known in which due to wire coupling, metallized surfaces and connecting contact surfaces, the number of spurious elements, preferably the total source resistance of the transistor, is significantly reduced. A wire connection is led out by one or more wires or strips from the contacts of the source of the crystal to a metallized surface or a metal frame on which a lid is mounted using gold solder. Metallization is made in the form of a parallel strip along the width of the crystal and does not expand in the form of a trapezoid, as a result of which the coupling capacity from the metallization of the source to the contact surface of the drain and the contact surface of the gate is significantly reduced. Using microwave dischargers, the maximum force and minimum noise figure of a discretely closed transistor are reduced [1]
The disadvantage of this technical solution is not high enough electrical, weight and heat dissipating characteristics of the housing.

Наиболее близким техническим решением является герметичный корпус полупроводниковой интегральной схемы СВЧ, содержащий диэлектрическую подложку с микрополосковыми линиями, образующими СВЧ-выводы корпуса и металлическое основание, в котором с целью расширения частотного диапазона используемого корпуса путем уменьшения рассогласования СВЧ-вывода корпуса и микрополосковых линий СВЧ-тракта и увеличения развязки между СВЧ-выводами корпуса, он снабжен копланарными линиями с центральными проводниками и с окружающей их заземляющей поверхностью, расположенными на одной из сторон диэлектрической подложки с возможностью соединения с полупроводниковой схемой СВЧ, при этом центральные проводники копланарных посредством металлических проводников, проходящих через диэлектрическую подложку, соединены с внешними выводами корпуса, расположенными на другой стороне диэлектрической подложки. The closest technical solution is a sealed enclosure of a microwave semiconductor integrated circuit containing a dielectric substrate with microstrip lines forming the microwave terminals of the housing and a metal base in which, in order to expand the frequency range of the housing used, by reducing the mismatch of the microwave output of the housing and the microstrip lines of the microwave path and increase the isolation between the microwave terminals of the case, it is equipped with coplanar lines with central conductors and with the grounding surface surrounding them ited disposed on one side of the dielectric substrate to couple to the semiconductor circuit of the microwave, the center conductors of the coplanar metallic conductors by passing through a dielectric substrate, are connected to external leads body disposed on the other side of the dielectric substrate.

Цель изобретения улучшение электрических, массогабаритных и теплорассеивающих характеристик, а также расширение рабочего диапазона частот использования корпуса. The purpose of the invention is the improvement of electrical, weight and heat dissipating characteristics, as well as expanding the operating range of frequencies of use of the housing.

Поставленная цель достигается тем, что в известной конструкции корпуса гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона, содержащей металлическое основание, диэлектрическую пластину, с микрополосковыми линиями на одной стороне, которые посредством металлических проводников, проходящих через диэлектрическую пластину соединены с внешними выводами, расположенными на другой ее стороны, и крышку, герметично соединенную с поверхностью диэлектрической пластины, в центре диэлектрической пластины выполнено отверстие для размещения интегральной схемы, причем размер отверстия обеспечивает расстояние между схемой и краем отверстия 0 oC 250 мкм, а толщина пластины обеспечивает расположение поверхности схемы и поверхности пластины с микрополосковыми линиями в одной плоскости, диаметр сечения металлических проводников, проходящих через пластину, составляет 0,1 oC 1,0 от ширины микрополосковой линии, металлическое основание совместно с системой выводов корпуса и имеет толщину 0,03 oC 1,2 мм и перекрывает отверстие в диэлектрической пластине на величину 0,1 oC 1,5 мм и герметично соединено с ней.This goal is achieved by the fact that in the known housing design of a hybrid microwave integrated circuit containing a metal base, a dielectric plate, with microstrip lines on one side, which are connected through metal conductors passing through a dielectric plate to external terminals located on its other side and a cover hermetically connected to the surface of the dielectric plate, a hole is made in the center of the dielectric plate to accommodate the integral circuit, and the hole size provides a distance between the circuit and the edge of the hole 0 o C 250 μm, and the plate thickness ensures the location of the circuit surface and the surface of the plate with microstrip lines in one plane, the cross-sectional diameter of the metal conductors passing through the plate is 0.1 o C 1.0 of the width of the microstrip line, the metal base together with the terminal system of the housing and has a thickness of 0.03 o C 1.2 mm and overlaps the hole in the dielectric plate by a value of 0.1 o C 1.5 mm and hermetically connected to it .

Крышка может быть выполнена металлической, а боковая поверхность диэлектрической пластины частично металлизирована за исключением мест вокруг выводов, причем расстояние от вывода до металлизации боковой поверхности пластины равно 0,9 oC 1,1 ширины вывода.The cover can be made of metal, and the side surface of the dielectric plate is partially metallized with the exception of places around the terminals, and the distance from the output to the metallization of the side surface of the plate is 0.9 o C 1.1 of the width of the output.

Между крышкой и диэлектрической пластиной может быть расположена диэлектрическая рамка, металлизированная по внешней боковой и верхней прилегающей к крышке поверхности, герметично соединения с ними, причем ширина рамки обеспечивает перекрытие мест прохождения металлических проводников через диэлектрическую пластину на величину 0 oC 1 мм.Between the lid and the dielectric plate, a dielectric frame can be arranged metallized along the outer lateral and upper surfaces adjacent to the lid, hermetically connected to them, and the frame width provides overlapping of the passage of metal conductors through the dielectric plate by 0 ° C 1 mm.

Крышка может быть выполнена плоской, из диэлектрического материала, причем толщина крышки может быть выбрана из соотношения

Figure 00000002
где h - толщина крышки, l длина волны, 4 e диэлектрическая проницаемость материала крышки, а в отверстии пластины на металлическом основании может быть расположена и закреплена пластина из тепло- и электропроводящего материала.The cover can be made flat of dielectric material, and the thickness of the cover can be selected from the ratio
Figure 00000002
where h is the thickness of the cover, l is the wavelength, 4 e is the dielectric constant of the cover material, and in the hole of the plate on the metal base can be located and fixed a plate of heat and conductive material.

Расположение микрополосковых линий на периферийной части диэлектрической пластины позволило выполнить отверстие в центральной части пластины для расположения схемы, что в свою очередь позволяет уменьшить высоту корпуса и тем самым улучшить массогабаритные характеристики, а также закрепить схему на металлическом основании и тем самым улучшить теплорассетвающие характеристики. The location of the microstrip lines on the peripheral part of the dielectric plate made it possible to make a hole in the central part of the plate to arrange the circuit, which in turn allows one to reduce the height of the casing and thereby improve the overall dimensions, as well as fix the circuit on a metal base and thereby improve the heat dissipation characteristics.

Ограничение размера отверстия в диэлектрической пластине снизу позволяет максимально близко расположить схему к микрополосковой линии, расположенной у края отверстия в пластине, а значит, уменьшить длину соединительных проводников и тем самым снизить паразитную индуктивность и улучшить электрические характеристики, а сверху значительно удалить проводник, а значит, и увеличить паразитную индуктивность и тем самым ухудшить электрические характеристики. Limiting the size of the hole in the dielectric plate from the bottom allows the circuit to be located as close as possible to the microstrip line located at the edge of the hole in the plate, which means reducing the length of the connecting conductors and thereby reducing the stray inductance and improving electrical characteristics, and significantly removing the conductor from above, which means and increase parasitic inductance and thereby degrade electrical performance.

Толщина пластины, обеспечивающая расположение поверхности пластины с микрополосковыми линиями в одной плоскости с поверхностью схемы, позволяет снизить длину соединительных проводников, соединяющих контактные площадки и микрополосковые линии на диэлектрической пластине, а значит, снизить паразитные индуктивности выводов и тем самым улучшить электрические характеристики. The thickness of the plate, providing the location of the surface of the plate with microstrip lines in the same plane with the surface of the circuit, allows you to reduce the length of the connecting conductors connecting the pads and microstrip lines on the dielectric plate, and thus reduce the stray inductance of the terminals and thereby improve electrical characteristics.

Совмещенные металлического основания с системой выводов корпуса ( с выводной рамкой) позволяет упростить конструкцию, а ограничение толщины основания, а в данном случае и толщина выводов снизу объясняется снижением прочности и жесткости конструкции корпуса и выводов, а сверху увеличением теплового сопротивления основания, а значит, ухудшением теплорассеивающих характеристик. Combined metal base with a case terminal system (with lead-out frame) allows to simplify the design, and limiting the thickness of the base, and in this case, the thickness of the terminals from the bottom, is explained by a decrease in the strength and rigidity of the structure of the case and the terminals, and from above by an increase in the thermal resistance of the base, which means deterioration heat dissipating characteristics.

Выполнение крышки металлической и наличие металлизации на боковой поверхности диэлектрической пластины за исключением мест вокруг выводов обеспечивают электро радиоэкранировку схемы, расположенной в корпусе, а расстояние от вывода до металлизации ограничено снизу влиянием металлизации пластины на сигнал, проходящей по сигнальному проводнику (выводу), а сверху - ухудшением электрорадиогерметичности корпуса. The execution of the metal cover and the presence of metallization on the side surface of the dielectric plate, with the exception of places around the terminals, provide electrical radio screening of the circuit located in the housing, and the distance from the terminal to the metallization is limited from below by the effect of the metallization of the plate on the signal passing through the signal conductor (terminal), and from above - deterioration of the electro-radio-tightness of the housing.

Расположение между крышкой и диэлектрической пластиной с микрополосковыми линиями диэлектрической рамки, металлизированной по внешней боковой поверхности и герметично соединенной с ними, позволяет уменьшить длину и ширину корпуса за счет выноса мести соединения крышки в другую плоскость и тем самым улучшить массогабаритные характеристики за счет увеличения полезно используемой площади, а кроме того, позволит повысить герметичность за счет уплотнения мест прохождения через диэлектрическую пластину, а металлизация ее на внешней боковой стороне способствует электро- и радиогерметичности корпуса. The location between the cover and the dielectric plate with microstrip lines of the dielectric frame, metallized on the outer side surface and hermetically connected to them, allows to reduce the length and width of the housing due to the removal of the connection place of the cover in another plane and thereby improve overall dimensions by increasing the usable area and, in addition, it will increase the tightness by sealing the passage through the dielectric plate, and its metallization on the outer side On the other hand, it contributes to the electrical and radio tightness of the housing.

Перекрытие рамкой мест прохода проводников через диэлектрическую пластину ограничено снизу условиями повышения герметичности, а сверху увеличением размеров корпуса, а значит, ухудшением массогабаритных характеристик. Overlapping by the frame of the places of passage of the conductors through the dielectric plate is limited from below by the conditions for increasing the tightness, and from above by increasing the dimensions of the housing, and therefore, the deterioration of the overall dimensions.

Выполнение крышки плоской и из диэлектрического материала и выбор толщины их приведенного соотношения позволяют улучшить массогабаритные характеристики при минимальном влиянии крышки на электрическую схему. The implementation of the cover flat and from a dielectric material and the choice of the thickness of their reduced ratio can improve weight and size characteristics with minimal influence of the cover on the electrical circuit.

Размещение на основании корпуса тепло- и электропроводящей прокладки позволяет выравнить по высоте схему и диэлектрическую пластину и снизить длину соединительных проводников, тем самым уменьшить паразитную индуктивность, а значит, улучшить электрические характеристики. Placing heat- and electrically conductive gaskets on the base of the housing makes it possible to align the circuit and dielectric plate in height and reduce the length of the connecting conductors, thereby reducing stray inductance and, therefore, improving electrical characteristics.

На фиг. 1-2 представлен разрез, вид сверху (без крышки) и вид снизу предлагаемого корпуса, где показаны диэлектрическая пластина 1; микрополосковые линии 2; металлические проводники 3; внешние выводы 4; металлическое основание 5; крышка 6; отверстие в диэлектрической плате 7; металлизация боковой поверхности платы 8. In FIG. 1-2 shows a section, a top view (without a cover) and a bottom view of the proposed housing, which shows the dielectric plate 1; microstrip lines 2; metal conductors 3; external conclusions 4; metal base 5; cover 6; hole in the dielectric board 7; metallization of the side surface of the board 8.

На фиг. 3 изображен разрез и вид сверху (без крышки) корпуса для интегральной схемы СВЧ, где показаны диэлектрическая рамка 9; металлизация рамки 10. In FIG. 3 shows a section and a top view (without cover) of a housing for a microwave integrated circuit, where a dielectric frame 9 is shown; metallization of the frame 10.

На фиг. 4 изображен разрез корпуса в плоской диэлектрической крышкой, где показана пластина из тепло- и электропроводного материала 11. In FIG. 4 shows a section through a housing in a flat dielectric cover, which shows a plate of heat and conductive material 11.

Пример. Корпус интегральной схемы СВЧ-диапазона, содержащий диэлектрическую пластину 1, например, из алюмоксидной керамики 22хC или поликора размером 9х9 ММ х 0,5 мм, с микрополосковыми линиями 2 со структурой, например, паста Pd/Au или Ti (100 Ом/) Pd (0,2 мкм) Au (3 мкм) и шириной 0,5 мм, на одной стороне, с металлическими проводниками 3,например, в виде отверстия, заполненного металлизационной пастой, или металлизированного отверстия заполненное проемом Au Si или гальванически заращенного медью. Проводники 3 проходят через отверстия в диэлектрической пластине 1, соединены с внешними выводами 4, например, выполненными из сплава МД-50 толщиной 100 мкм с покрытием Ni (0,5 мкм) Au (3 мкм), расположенными на другой стороне пластины 1. Металлическое основание 5 выполнено, например, МД-50 толщиной 100 мкм с покрытием Ni (0,5 мкм) А (3 мкм). Крышка выполнена, например, также из МД-50 толщиной 100 мкм с покрытием Ni (0,5 мкм) и Au (3 мкм), высотой 2 мм. Микрополосковые линии 2 расположены на периферийной части диэлектрической пластины 1 в пределах, например, 2 мм от края. В центре пластины 1 выполнено отверстие 7 размером 5,1х5,1 мм для размещения интегральной схемы, например гибридной интегральной схемы размером 5х5-0,5 мм. Расстояние между схемой и краем отверстия равно 50 мкм. Диаметр сечения металлических проводников 3, проходящих через пластину 1, составляет 0,9 от ширины микрополосковой линии, т. е. 0,4 мм. Металлическое основание 5 выполнено в составе выводной рамки, т. е. совмещено с системой выводов корпуса, и выбрано, например, толщиной 50 мкм. Перекрытие отверстия 7 в диэлектрической пластине 1 металлическим основанием составляет величину; например, 0,3 мм. Основание герметично соединено с диэлектрической пластиной, например, методом, указанным в [3] или припаяно припоем Au Si эвтектического состава к предварительно металлизированной поверхности диэлектрической пластины, например, покрытой металлизационной пастой Pd/Au с последующим отжигом. Боковая поверхность 8 диэлектрической пластины 1 может быть частично металлизирована, например, покрыта металлизационной пастой Pd/Au за исключением мест вокруг выводов на расстоянии 0,5 мм от выводов. Example. Microwave integrated circuit housing containing a dielectric plate 1, for example, of 22xC alumina ceramic or 9x9 MM x 0.5 mm polycor, with microstrip lines 2 with a structure, for example, Pd / Au or Ti (100 Ohm /) Pd paste (0.2 μm) Au (3 μm) and a width of 0.5 mm, on one side, with metal conductors 3, for example, in the form of a hole filled with metallization paste, or a metallized hole filled with an Au Si opening or galvanically coated with copper. Conductors 3 pass through holes in the dielectric plate 1, are connected to external terminals 4, for example, made of an MD-50 alloy with a thickness of 100 μm with a coating of Ni (0.5 μm) Au (3 μm) located on the other side of the plate 1. Metallic base 5 is made, for example, MD-50 with a thickness of 100 μm with a coating of Ni (0.5 μm) A (3 μm). The cover is made, for example, also of MD-50 with a thickness of 100 μm with a coating of Ni (0.5 μm) and Au (3 μm), 2 mm high. Microstrip lines 2 are located on the peripheral part of the dielectric plate 1 within, for example, 2 mm from the edge. In the center of the plate 1, a hole 7 is made of 5.1 × 5.1 mm in size to accommodate an integrated circuit, for example, a hybrid integrated circuit of size 5 × 5-0.5 mm. The distance between the circuit and the edge of the hole is 50 μm. The cross-sectional diameter of the metal conductors 3 passing through the plate 1 is 0.9 of the width of the microstrip line, i.e., 0.4 mm. The metal base 5 is made as a part of the output frame, i.e., combined with the terminal system of the housing, and is selected, for example, with a thickness of 50 μm. The overlap of the hole 7 in the dielectric plate 1 with a metal base is a value; e.g. 0.3 mm. The base is hermetically connected to the dielectric plate, for example, by the method specified in [3] or the Au Si eutectic composition is soldered to the pre-metallized surface of the dielectric plate, for example, coated with Pd / Au metallization paste followed by annealing. The lateral surface 8 of the dielectric plate 1 can be partially metallized, for example, coated with metallization paste Pd / Au with the exception of the places around the terminals at a distance of 0.5 mm from the terminals.

Между крышкой 6 и диэлектрической пластиной 1 может быть расположена диэлектрическая рамка 9, например из керамики 22хc размером 9х9х0,5 мм, метеллизированная по внешней боковой поверхности 10, металлизированной пастой. Between the lid 6 and the dielectric plate 1, a dielectric frame 9 can be located, for example, of ceramic 22xc, measuring 9x9x0.5 mm, metallized on the outer side surface 10, metallized with paste.

Рамка 9 герметично соединена с диэлектрической пластиной 1, например, спрессована или соединена стеклом, а с крышкой спаяна по предварительно металлизированной поверхности. Ширина рамки 9 обеспечивает перекрытие мест прохождения металлических проводников 3 через диэлектрическую пластину 1 на величину, например, 200 мкм. Крышка может быть выполнена плоской, например, из кварца, толщиной 200 мкм. В отверстии 7 на металлическом основании 5 может быть закреплена пластина 11, например, из МД-50. В случае применения рамки 9 отверстие 7 может быть 6,1х6,1 мм, а схема будет размером 6х6х0,5 мм. The frame 9 is hermetically connected to the dielectric plate 1, for example, pressed or connected by glass, and soldered to the lid on a pre-metallized surface. The width of the frame 9 provides an overlap of the passage of metal conductors 3 through the dielectric plate 1 by an amount of, for example, 200 microns. The cover can be made flat, for example, of quartz, with a thickness of 200 μm. In the hole 7 on the metal base 5 can be fixed plate 11, for example, from MD-50. If frame 9 is used, hole 7 may be 6.1x6.1 mm, and the circuit will be 6x6x0.5 mm in size.

Устройство работает следующим образом. Сигнал поступает по выводам корпуса, через микрополосковые линии и соединительные проводники и гибридной интегральной схеме, проходит соответствующую обработку (усиление, преобразование частоты, смещение, переключение на разные выводы, ограничение и т.п.). Преобразованный сигнал снимается с выходных выводов корпуса. Теплота, выделяемая схемой, отводится через металлическое основание, а такие через диэлектрическую пластину и плоскую крышку. Таким образом создаются лучшие условия для теплорассеивания. The device operates as follows. The signal arrives at the findings of the housing, through microstrip lines and connecting conductors and a hybrid integrated circuit, undergoes appropriate processing (amplification, frequency conversion, bias, switching to different outputs, limiting, etc.). The converted signal is removed from the output terminals of the housing. The heat generated by the circuit is removed through a metal base, and such through a dielectric plate and a flat cover. Thus, the best conditions for heat dissipation are created.

Использование предлагаемого корпуса позволит по сравнению с прототипом улучшить электрические характеристики за счет коротких соединительных проводников и согласования микрополосковых линий и внешних выводов; улучшить массогабаритные характеристики за счет уменьшения веса и габаритных размеров; улучшить теплорассеивающие характеристики за счет исключения под схемой диэлектрической пластины и уменьшения толщины металлического основания, а значит, снижения теплового сопротивления. Using the proposed housing will allow, in comparison with the prototype, to improve electrical characteristics due to short connecting conductors and matching microstrip lines and external terminals; improve weight and size characteristics by reducing weight and overall dimensions; improve heat dissipation characteristics by eliminating the dielectric plate under the circuit and reducing the thickness of the metal base, which means reducing thermal resistance.

Источники информации
1. Патент ГДР N 240029, кл. H 01 L 29/76, 21,58, 21/60, приоритет 05.08.85 г. публикация 15.10.86 г.Sources of information
1. Patent GDR N 240029, CL H 01 L 29/76, 21.58, 21/60, priority 05.08.85, publication 10.15.86

2. А.с. СССР N 1393259, приоритет 22.09.86 г. кл. H 01 L 23/56. 2. A.S. USSR N 1393259, priority 09/22/86, class. H 01 L 23/56.

3. Патент Японии 1-50448, кл. H 01 L 23/02, 23/08, 23/34, публикация 27.02.89 г. 3. Japan Patent 1-50448, CL H 01 L 23/02, 23/08, 23/34, publication 02/27/89.

Claims (7)

1. Корпус интегральной схемы СВЧ диапазона, содержащий металлическое основание, расположенную на нем одной своей стороной с внешними выводами диэлектрическую пластину с микрополосковыми линиями на ее противоположной стороне, по периферии для электрического соединения с интегральной схемой СВЧ-диапазона, которые электрически соединены с внешними выводами посредством сквозных металлических проводников в диэлектрической пластине, и крышку, герметично соединенную по периметру с диэлектрической пластиной, отличающийся тем, что в центре диэлектрической пластины выполнено отверстие для размещения в нем интегральной схемы СВЧ-диапазона заподлицо с поверхностью диэлектрической пластины с микрополосковыми линиями с возможностью теплового контакта интегральной схемы СВЧ-диапазона с основанием и с зазором между стенками указанного отверстия и указанной интегральной схемой СВЧ-диапазона не более 250 мкм, а сквозные металлические проводники диэлектрической пластины выполнены с диаметром в поперечном сечении, который составляет 0,1-1,0 от ширины микрополосковой линии диэлектрической пластины, причем металлическое основание расположено в одной плоскости с внешними выводами, выполнено толщиной 0,03 1,5 мм с возможностью перекрытия отверстия диэлектрической пластины, величина которого составляет 0,1 1,5 мм, и герметично соединено с диэлектрической пластиной. 1. The body of the microwave integrated circuit, containing a metal base, a dielectric plate with microstrip lines on its opposite side, one side of it with external terminals, on the periphery for electrical connection with the microwave integrated circuit, which are electrically connected to the external terminals by through metal conductors in the dielectric plate, and a cover hermetically connected around the perimeter with the dielectric plate, characterized in that in the center the dielectric plate has a hole for placing the microwave integrated circuit in it flush with the surface of the dielectric plate with microstrip lines with the possibility of thermal contact of the microwave integrated circuit with the base and with a gap between the walls of the specified hole and the specified microwave integrated circuit of not more than 250 microns and through metal conductors of the dielectric plate are made with a diameter in cross section that is 0.1-1.0 of the width of the dielectric microstrip line of the plate, the metal base being located in the same plane as the external terminals, is made of a thickness of 0.03 1.5 mm with the possibility of overlapping the holes of the dielectric plate, the value of which is 0.1 1.5 mm, and is hermetically connected to the dielectric plate. 2. Корпус по п.1, отличающийся тем, что крышка корпуса выполнена из металла, а части торцовой поверхности диэлектрической пластины, расположенные между внешними выводами, выполнены металлизированными на расстоянии от внешних выводов, равном 0,9 1,1 ширины внешнего вывода. 2. The housing according to claim 1, characterized in that the housing cover is made of metal, and the parts of the end surface of the dielectric plate located between the external terminals are made metallized at a distance from the external terminals equal to 0.9 1.1 of the width of the external terminal. 3. Корпус по п.1 или 2, отличающийся тем, что он снабжен диэлектрической рамкой с металлизированными торцовым поверхностями и металлизированной поверхностью с одной ее стороны, которая расположена между крышкой и диэлектрической пластиной, обращена своей стороной с металлизированной поверхностью к крышке и герметично соединена с ним, причем диэлектрическая рамка выполнена и расположена с обеспечением перекрытия сквозных проводников диэлектрической пластины на величину не более 1 мм. 3. The housing according to claim 1 or 2, characterized in that it is provided with a dielectric frame with metallized end surfaces and a metallized surface on one side thereof, which is located between the cover and the dielectric plate, facing its side with a metallized surface to the cover and hermetically connected to him, and the dielectric frame is made and located with the provision of overlapping through conductors of the dielectric plate by a value of not more than 1 mm 4. Корпус по п.1, отличающийся тем, что крышка выполнена плоской из диэлектрического материала толщиной, которая выбирается из следующего соотношения
Figure 00000003

где h толщина крышки, м;
l - длина волны, м;
ε - диэлектрическая проницаемость материала крышки.4. The housing according to claim 1, characterized in that the cover is made flat of a dielectric material with a thickness that is selected from the following ratio
Figure 00000003

where h is the thickness of the cover, m;
l is the wavelength, m;
ε is the dielectric constant of the cover material. 5. Корпус по п.1 или 3, отличающийся тем, что крышка по крайней мере частично выполнена из материала, поглощающего СВЧ-излучения. 5. The housing according to claim 1 or 3, characterized in that the cover is at least partially made of a material that absorbs microwave radiation. 6. Корпус по п.1, или 2, или 3, или 4, отличающийся тем, что основание снабжено пластиной для размещения интегральной схемы СВЧ-диапазона, которая выполнена из теплопроводного и электропроводного материала, расположена в отверстии диэлектрической пластины на основании и закреплена на нем. 6. The housing according to claim 1, or 2, or 3, or 4, characterized in that the base is provided with a plate for accommodating an integrated circuit of the microwave range, which is made of heat-conducting and electrically conductive material, located in the hole of the dielectric plate on the base and fixed to him. 7. Корпус по п.1, или 2, или 3, или 4, или 5, или 6, отличающийся тем, что крышка соединена с металлическим основанием через металлизированное отверстие в диэлектрической пластине. 7. The housing according to claim 1, or 2, or 3, or 4, or 5, or 6, characterized in that the cover is connected to a metal base through a metallized hole in the dielectric plate.
RU92015945A 1992-12-31 1992-12-31 Microwave integrated-circuit case RU2079931C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU92015945A RU2079931C1 (en) 1992-12-31 1992-12-31 Microwave integrated-circuit case

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU92015945A RU2079931C1 (en) 1992-12-31 1992-12-31 Microwave integrated-circuit case

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2079931C1 true RU2079931C1 (en) 1997-05-20
RU92015945A RU92015945A (en) 1997-12-20

Family

ID=20135053

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU92015945A RU2079931C1 (en) 1992-12-31 1992-12-31 Microwave integrated-circuit case

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2079931C1 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2489769C1 (en) * 2011-12-28 2013-08-10 ООО "Научно-производственное предприятие "Томилинский электронный завод" Hermetically sealed housing for semiconductor device or microwave integrated circuit
RU2657324C2 (en) * 2016-10-20 2018-06-13 ООО "НПО "Синергетика" Application of industrial watch stone as the millimeter range wave length semiconductor device housing and the oscillator with such device
RU2690092C1 (en) * 2018-07-26 2019-05-30 Общество с ограниченной ответственностью "Центр инновационных разработок ВАО" Microwave integrated circuit housing
RU2732485C1 (en) * 2019-12-27 2020-09-17 Российская Федерация, От Имени Которой Выступает Министерство Промышленности И Торговли Российской Федерации Method of making ceramic base with thin-film microstrip elements

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Патент ГДР N 240029, кл. H 01 L 29/76, 1986. 2. Авторское свидетельство СССР N 1393259, кл. H 01 L 23/56, 1986. 3. Патент Японии N 150448, кл. H 01 L 28/02, 1989. *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2489769C1 (en) * 2011-12-28 2013-08-10 ООО "Научно-производственное предприятие "Томилинский электронный завод" Hermetically sealed housing for semiconductor device or microwave integrated circuit
RU2657324C2 (en) * 2016-10-20 2018-06-13 ООО "НПО "Синергетика" Application of industrial watch stone as the millimeter range wave length semiconductor device housing and the oscillator with such device
RU2690092C1 (en) * 2018-07-26 2019-05-30 Общество с ограниченной ответственностью "Центр инновационных разработок ВАО" Microwave integrated circuit housing
RU2732485C1 (en) * 2019-12-27 2020-09-17 Российская Федерация, От Имени Которой Выступает Министерство Промышленности И Торговли Российской Федерации Method of making ceramic base with thin-film microstrip elements

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5235208A (en) Package for microwave integrated circuit
US4907067A (en) Thermally efficient power device package
US4172261A (en) Semiconductor device having a highly air-tight package
US4649416A (en) Microwave transistor package
EP1056133A1 (en) Rf circuit module
GB2292010A (en) Ceramic package for a semiconductor device
KR101077758B1 (en) High frequency package and manufacturing method thereof
US5852391A (en) Microwave/millimeter-wave functional module package
JP3500335B2 (en) High frequency circuit device
GB1130666A (en) A semiconductor device
EP1250717A2 (en) Ldmos power package with a plurality of ground signal paths
RU2079931C1 (en) Microwave integrated-circuit case
US6531775B1 (en) High-frequency module
KR20000029387A (en) Module of components superimposed in one and the same package
EP0517967B1 (en) High current hermetic package
JP2609634B2 (en) Chip module
KR900001246B1 (en) Package for semiconductor device
RU2148872C1 (en) Large-scale microwave hybrid integrated circuit
JP3178452B2 (en) Package for semiconductor device and its mounting structure
WO2023053228A1 (en) Semiconductor device
JPH10163353A (en) Microwave device package
CA1134489A (en) High frequency semiconductor device
JPH0228350A (en) High frequency semiconductor device
JP2798334B2 (en) Semiconductor device
JPS61285738A (en) Package for microwave integrated circuit and connecting method thereof