RU2078373C1 - Comparison circuit - Google Patents
Comparison circuit Download PDFInfo
- Publication number
- RU2078373C1 RU2078373C1 RU93003722/09A RU93003722A RU2078373C1 RU 2078373 C1 RU2078373 C1 RU 2078373C1 RU 93003722/09 A RU93003722/09 A RU 93003722/09A RU 93003722 A RU93003722 A RU 93003722A RU 2078373 C1 RU2078373 C1 RU 2078373C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- transistor
- additional
- base
- resistor
- divider
- Prior art date
Links
Landscapes
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано для осуществления термостабильного срабатывания различных устройств. The invention relates to electrical engineering and can be used to implement thermostable operation of various devices.
Известен элемент сравнения, содержащий транзистор, делитель включенный между входом элемента сравнения и общей шиной, причем коллектор транзистора является выходом элемента сравнения. База транзистора соединена с делителем, а эмиттер соединен через опорный элемент с входом элемента сравнения (а. св. СССР N 356633 кл. G 05 F 1/56, 1 29 069). A known comparison element containing a transistor, a divider connected between the input of the comparison element and the common bus, and the collector of the transistor is the output of the comparison element. The base of the transistor is connected to the divider, and the emitter is connected through the reference element to the input of the comparison element (a. St. USSR N 356633 class G 05 F 1/56, 1 29 069).
Недостатком такого элемента сравнения является то, что после подачи на вход элемента сравнения напряжения, до установления на входе напряжения обрабатывания элемента сравнения транзистор проходит три состояния. Сначала он закрыт на время насыщения базы, затем открыт и, наконец, снова закрыт или подзакрыт при достижении на входе напряжения срабатывания. Одно "закрытое" состояние элемента сравнения при включении является как бы ложным срабатыванием и должно быть устранено, что требует применения в подобных схемах включения различных пусковых элементов параллельно транзистору, что влечет за собой снижение эффективности срабатывания, и кроме того такие схемы обладают низкой термостабильностью. The disadvantage of such a comparison element is that after the voltage is supplied to the input of the comparison element, until the processing voltage of the comparison element is established at the input of the voltage, the transistor goes through three states. First, it is closed for the time of saturation of the base, then it is open, and finally it is again closed or closed when the input voltage reaches the trigger. One “closed” state of the comparison element when turned on is a kind of false response and must be eliminated, which requires the use of different starting elements in parallel with the transistor in such circuits, which entails a decrease in the response efficiency, and in addition, such circuits have low thermal stability.
Известен элемент сравнения, содержащий транзистор, база которого соединена с резистором и опорным элементом, а также делитель соединенный с общей шиной первым выводом, а второй вывод делителя является входом элемента сравнения, причем коллектор транзистора является выходом элемента сравнения (а. св. СССР N 301698, кл. G 05 F 1/56, 1969). A known comparison element containing a transistor, the base of which is connected to a resistor and a reference element, as well as a divider connected to a common bus by a first output, and the second output of the divider is the input of the comparison element, and the collector of the transistor is the output of the comparison element (a. St. USSR N 301698 Cl. G 05 F 1/56, 1969).
Недостатком этого элемента сравнения является плохое использование усилительных свойств транзистора, так как делитель нагружается не малым базовым, а большим эмиттерным током транзистора, что ведет к ухудшению эффективности срабатывания элемента сравнения и необходимости использовать более низкоомный делитель, ухудшающий экономичность элемента сравнения. Также недостатком данного элемента сравнения является его низкая термостабильность, то есть имеет место уход напряжения срабатывания при изменении температуры окружающей среды, поскольку для получения высокой термостабильности в этом элементе сравнения температурный коэффициент напряжения (ТКН) опорного элемента должен быть достаточно близок по абсолютной величине ТКН база-эмиттерного перехода транзистора и противоположен ему по знаку, но опорных элементов с подобным ТКН не существует. А существующие опорные элементы имеют большой разброс величин ТКН. The disadvantage of this comparison element is the poor use of the amplifying properties of the transistor, since the divider is loaded not with a small base, but with a large emitter current of the transistor, which leads to a deterioration in the operation efficiency of the comparison element and the need to use a lower resistance divider, which worsens the efficiency of the comparison element. Another disadvantage of this comparison element is its low thermal stability, that is, the response voltage goes away when the ambient temperature changes, because in order to obtain high thermal stability in this comparison element, the temperature coefficient of voltage (TKN) of the supporting element must be quite close in absolute value to the TKN base the emitter junction of the transistor and is opposite in sign, but there are no supporting elements with a similar TKN. And the existing supporting elements have a large scatter of TKN values.
В предлагаемом техническом решении решается задача достижения высокой термостабильности элемента сравнения при одновременном повышении эффективности его срабатывания и экономичности. The proposed technical solution solves the problem of achieving high thermal stability of the comparison element while increasing its efficiency and efficiency.
Решение этой задачи достигается тем, что в элемент сравнения, содержащий транзистор, база которого соединена с резистором и опорным элементом, а также делитель, соединенный с общей шиной первым выводом, а второй вывод подключен к входу элемента сравнения, выходом элемента сравнения является коллектор транзистора, введены дополнительный транзистор противоположного типа, дополнительный резистор и дополнительный вход элемента сравнения, при этом база транзистора соединена через резистор с дополнительным входом и через опорный элемент с общей шиной, а также соединена с эмиттером дополнительного транзистора, коллектор которого соединен с эмиттером транзистора, и через дополнительный резистор с общей шиной, база дополнительного транзистора соединена с третьим выводом делителя, причем температурный коэффициент напряжения опорного элемента и температурный коэффициент напряжения база-эмиттерного перехода дополнительного транзистора одного знака и сравнимы по величине. The solution to this problem is achieved by the fact that in the comparison element containing a transistor, the base of which is connected to the resistor and the reference element, as well as a divider connected to the common bus by the first output, and the second output is connected to the input of the comparison element, the output of the comparison element is the collector of the transistor, introduced an additional transistor of the opposite type, an additional resistor and an additional input of the comparison element, while the base of the transistor is connected through a resistor to an additional input and through a reference element with common bus, and also connected to the emitter of an additional transistor, the collector of which is connected to the emitter of the transistor, and through an additional resistor with a common bus, the base of the additional transistor is connected to the third output of the divider, and the temperature voltage coefficient of the reference element and the temperature voltage coefficient of the base-emitter transition of the additional transistor of the same sign and comparable in magnitude.
Для решения задачи улучшения весо-габаритных характеристик опорный элемент выполнен в бескорпусном исполнении в виде кристалла. To solve the problem of improving weight and size characteristics, the support element is made in a housing in the form of a crystal.
Повышение термостабильности достигается за счет того, что опорный элемент включен параллельно дополнительному транзистору и части делителя, таким образом, что ТКН опорного элемента и ТКН база-эмиттерного перехода дополнительного транзистора вычитаются. Поэтому выбирая опорный элемент с ТКН близким к ТКН транзистора можно получить термостабильные характеристики элемента сравнения. Использование такого принципа компенсации ТКН элементов в схемных решениях аналогичных предлагаемому элементу сравнения для решения задачи термостабилизации неизвестно. The increase in thermal stability is achieved due to the fact that the reference element is connected in parallel with the additional transistor and the divider part, so that the TKN of the reference element and the TKN of the base-emitter junction of the additional transistor are subtracted. Therefore, choosing a support element with a TKN close to the TKN of the transistor, it is possible to obtain thermostable characteristics of the comparison element. The use of such a principle of compensation of TKN elements in circuit solutions similar to the proposed comparison element for solving the problem of thermal stabilization is unknown.
Выполнение опорных элементов для схем элементов сравнения в виде кристалла также не известно. Исходя из вышесказанного можно сделать вывод о соответствии заявляемого технического решения критерию изобретения "изобретательский уровень". The implementation of the supporting elements for circuits of the comparison elements in the form of a crystal is also not known. Based on the foregoing, we can conclude that the claimed technical solution meets the criteria of the invention "inventive step".
Элемент сравнения с заявляемой совокупностью признаков в известных источника информации не обнаружен, что позволяет сделать вывод о соответствии заявляемого решения критерию "новизна". An element of comparison with the claimed combination of features in a known source of information was not found, which allows us to conclude that the proposed solution meets the criterion of "novelty."
На чертеже представлена электрическая схема предлагаемого элемента сравнения. Элемент сравнения содержит транзистор 1, база которого соединена с эмиттером дополнительного транзистора 2, через резистор 3 соединена с дополнительным входом 4 элемента сравнения, через опорный элемент 5 с общей шиной 6. Коллектор транзистора 1 является выходом 7 элемента сравнения. Эмиттер транзистора 1 соединен с коллектором дополнительного транзистора 2, а через дополнительный резистор 8 с общей шиной 6. База дополнительного транзистора 2 соединена с третьим выводом делителя 9, первый вывод которого соединен с общей шиной 6, а второй вывод является входом 10 элемента сравнения. The drawing shows an electrical diagram of the proposed element of comparison. The comparison element contains a transistor 1, the base of which is connected to the emitter of an additional transistor 2, through a resistor 3 is connected to an additional input 4 of the comparison element, through the reference element 5 with a common bus 6. The collector of the transistor 1 is the output 7 of the comparison element. The emitter of transistor 1 is connected to the collector of an additional transistor 2, and through an additional resistor 8 with a common bus 6. The base of the additional transistor 2 is connected to the third terminal of the divider 9, the first terminal of which is connected to the common bus 6, and the second terminal is the input 10 of the comparison element.
Элемент сравнения работает следующим образом. The comparison element works as follows.
При подаче на дополнительный вход 4, являющийся питающим входом элемента сравнения, напряжения, транзистор 1 удерживается в закрытом состоянии, так как его база-эмиттерный переход шунтируется дополнительным транзистором 2, открытым по цепи: дополнительный вход 4, резистор 3, база-эмиттерный переход дополнительного транзистора 2, часть делителя 9, общая шина 6. Подбором величин сопротивлений дополнительного резистора 8 и делителя 9 обеспечивается не просто открытое, а насыщенное состояние дополнительного транзистора 2, когда с уверенностью обеспечивается шунтирование база-эмиттерного перехода транзистора 1, так как напряжение на насыщенном дополнительном транзисторе 2 (при соответствующем подборе типов обоих транзисторов) меньше напряжения на база-эмиттерном переходе открытого транзистора 1. При подаче на вход 10 элемента сравнения растущего напряжения, растет ток, протекающий через делитель 9. А так как напряжение на части делителя 9 между базой дополнительного транзистора 2 и общей шиной 6 постоянно и равно напряжению на опорном элементе 5 за вычетом напряжения на база-эмиттерном переходе дополнительного транзистора 2, а, следовательно, и суммарный ток в этой части делителя постоянен, то базовый ток дополнительного транзистора 2 уменьшается, выводя его из насыщенного состояния в активное. При достижении напряжением на входе 10 элемента сравнения определенной величины, дальнейшее уменьшение базового тока дополнительного транзистора 2 ведет к уменьшению его коллекторного тока, который до этого момента оставался постоянным и определялся дополнительным резистором 8 и напряжением на нем, равным напряжению на опорном элементе 5 за вычетом напряжения на насыщенном дополнительном транзисторе 2. Происходит рост на дополнительном транзисторе 2 и, соответственно, уменьшение на дополнительном резисторе 8 долей напряжения опорного элемента 5. При росте напряжения на входе 10 элемента сравнения, когда напряжение на дополнительном транзисторе 2 достигает величины напряжения на база-эмиттерном переходе транзистора 1, при котором он открывается, наступает момент срабатывания элемента сравнения транзистор 1 из закрытого состояния переходит в открытое состояние. When applied to an additional input 4, which is the supply input of the comparison element, the voltage, the transistor 1 is kept closed, since its base-emitter junction is shunted by an additional transistor 2, open circuit: additional input 4, resistor 3, the base-emitter junction of the additional transistor 2, part of divider 9, common bus 6. Selection of resistance values of additional resistor 8 and divider 9 provides not just an open, but saturated state of additional transistor 2, when with confidence about Shunting of the base-emitter junction of transistor 1 is provided, since the voltage at the saturated auxiliary transistor 2 (with the appropriate selection of the types of both transistors) is less than the voltage at the base-emitter junction of the open transistor 1. When an increasing voltage comparison element is applied to input 10, the current flowing increases through the divider 9. And since the voltage on the parts of the divider 9 between the base of the additional transistor 2 and the common bus 6 is constant and equal to the voltage on the reference element 5 minus the voltage on the base emit If the additional transistor 2 is transitioned, and, consequently, the total current in this part of the divider is constant, then the base current of the additional transistor 2 decreases, removing it from the saturated state to the active one. When the voltage at the input 10 of the comparison element reaches a certain value, a further decrease in the base current of the additional transistor 2 leads to a decrease in its collector current, which until that moment remained constant and was determined by the additional resistor 8 and the voltage across it, equal to the voltage on the reference element 5 minus the voltage on a saturated additional transistor 2. There is an increase on the additional transistor 2 and, accordingly, a decrease on the additional resistor of 8 fractions of the voltage of the reference e element 5. When the voltage at the input 10 of the comparison element increases, when the voltage at the additional transistor 2 reaches the voltage at the base-emitter junction of the transistor 1, at which it opens, the moment of operation of the comparison element occurs, the transistor 1 switches from the closed state to the open state.
В активном состоянии дополнительного транзистора 2 его базовый ток в коэффициенте передачи по току (транзистора) меньше его коллекторного тока, который может быть достаточно мал из-за большой величины сопротивления дополнительного резистора 8. При этом базовый ток дополнительного транзистора 2 незначительно нагружает делитель 9. Тогда, в момент срабатывания элемента сравнения, величина напряжения срабатывания на входе 10 элемента сравнения больше величины напряжения на базе дополнительного транзистора 2 в кратность делителя 9 раз (во сколько раз общее сопротивление делителя 9 больше сопротивления его части между базой дополнительного транзистора 2 и общей шиной 6). In the active state of the additional transistor 2, its base current in the current transfer coefficient (transistor) is less than its collector current, which can be quite small due to the large resistance value of the additional resistor 8. Moreover, the base current of the additional transistor 2 slightly loads the divider 9. Then , at the moment of operation of the comparison element, the value of the response voltage at the input 10 of the comparison element is greater than the voltage value based on the additional transistor 2 by a factor of 9 of the divider (in ko times total resistance greater than the resistance divider 9, a part between the base of additional transistor 2 and the common bus 6).
Таким образом в элементе сравнения в момент срабатывания, выражающемся в измерении состояния транзистора 1, происходит фиксация факта установления на входе 10 величины напряжения срабатывания путем сравнения части этого напряжения на базе дополнительного транзистора 2 с напряжением на опорном элементе 5. Thus, in the comparison element at the moment of operation, expressed in measuring the state of the transistor 1, the fact of establishing at the input 10 the value of the operating voltage is fixed by comparing part of this voltage based on the additional transistor 2 with the voltage on the reference element 5.
В данном элементе сравнения достигается высокая эффективность срабатывания вследствие того, что к моменту срабатывания дополнительный транзистор 2 выводится в активный режим со сколь угодно малой величиной базового тока по отношению к току делителя 9, тем самым не оказывая изменением своего состояния влияния на делитель 9 в момент срабатывания, а также тем, что сравнение напряжения на базе дополнительного транзистора 2 в момент срабатывания происходит со стабильным напряжением на опорном элементе 5, поскольку ток, протекающий через него, определяется стабильным напряжением на дополнительном входе 4 и резистором 3 и по величине выбирается много большим тока базы транзистора 1 и тока эмиттера дополнительного транзистора 2, изменения которых в момент срабатывания взаимовычитаются, что уменьшает влияние изменяющихся состояний транзисторов на ток и, следовательно, на напряжение опорного элемента 5. Вследствие того, что транзистор 1 и дополнительный транзистор 2 образуют составной транзистор, имеет место также естественное повышение эффективности срабатывания элемента сравнения из-за повышения суммарного коэффициента усиления. In this comparison element, a high response efficiency is achieved due to the fact that at the time of operation, the additional transistor 2 is put into active mode with an arbitrarily small value of the base current with respect to the current of the divider 9, thereby not affecting the divider 9 at the time of actuation , as well as the fact that the comparison of the voltage based on the additional transistor 2 at the time of operation occurs with a stable voltage on the reference element 5, since the current flowing through it, is determined by the stable voltage at the auxiliary input 4 and resistor 3 and is selected to be much larger than the base current of the transistor 1 and the emitter current of the auxiliary transistor 2, the changes of which are mutually subtracted at the moment of operation, which reduces the effect of the changing states of the transistors on the current and, therefore, on the voltage of the reference element 5. Due to the fact that the transistor 1 and the additional transistor 2 form a composite transistor, there is also a natural increase in the efficiency of operation of the element compared due to the increase in the total gain.
При повышении эффективности срабатывания элемента сравнения достигается его высокая термостабильность, то есть неизменность напряжения срабатывания при изменении температуры окружающей среды. Это достигается тем, что, при параллельном включении опорного элемента 5 с база-эмиттером переходом дополнительного транзистора 2 и частью делителя 9, близкие по величине и знаку ТКН опорного элемента 5 и база-эмиттерного перехода вычитаются, а температурный уход напряжения на части делителя 9 между базой дополнительного транзистора 2 и общей шиной 6 становится близким к нулю. Выбирая опорный элемент с ТКН достаточно близким или равным ТКН база-эмиттерного перехода кремневого транзистора, можно добиться максимальной термостабильности элемента сравнения, но при условии, что весь делитель 9, то есть обе его части между входом 10 и базой дополнительного транзистора 2 и между базой дополнительного транзистора 2 и общей шиной 6 имеют одинаковые температурные коэффициенты сопротивления (далее ТКС). При этом условии близкий к нулю температурный уход напряжения на части делителя 9 между базой дополнительного транзистора 2 и общей шиной 6 обеспечит близкий к нулю температурный уход напряжения срабатываниям на входе 10 элемента сравнения. Делитель 9 может представлять собой различные комбинации постоянных и переменных транзисторов, причем может отсутствовать часть делителя 9 между входом 10 и базой дополнительного транзистора 2. При условии же, что все существующие резисторы имеют разброс значений ТКС, наилучший результат по термостабильности элемента сравнения будет тогда, когда весь делитель 9 представляет собой переменный резистор, средний вывод которого соединен с базой дополнительного транзистора 2 или когда обе части делителя 9 выполнены в едином технологическим цикле. By increasing the response efficiency of the comparison element, its high thermal stability is achieved, that is, the invariance of the response voltage when the ambient temperature changes. This is achieved by the fact that, when the reference element 5 is connected in parallel with the base-emitter junction by the additional transistor 2 and part of the divider 9, the TKN of the reference element 5 and the base-emitter junction close in magnitude and sign are subtracted, and the temperature loss of voltage across the parts of the divider 9 between the base of the additional transistor 2 and the common bus 6 becomes close to zero. Choosing a support element with a TKN close to or equal to the TKN of the base-emitter junction of the silicon transistor, you can achieve maximum thermal stability of the comparison element, but provided that the entire divider 9, that is, both of its parts between the input 10 and the base of the additional transistor 2 and between the base of the additional transistor 2 and common bus 6 have the same temperature resistance coefficients (hereinafter TCS). Under this condition, a voltage close to zero temperature loss on the part of the divider 9 between the base of the additional transistor 2 and the common bus 6 will provide a close to zero temperature voltage drop to the responses at the input 10 of the comparison element. The divider 9 can be various combinations of constant and variable transistors, and there may be no part of the divider 9 between the input 10 and the base of the additional transistor 2. Provided that all existing resistors have a spread of TCS values, the best result for the thermal stability of the comparison element will be when the entire divider 9 is a variable resistor, the middle output of which is connected to the base of the additional transistor 2 or when both parts of the divider 9 are made in a single technological circuit le.
В предложенной схеме элемента сравнения в качестве опорного элемента используется элемент, выполненный на основе единичного индикатора 3Л341, использована внутренняя часть данного индикатора, а именно кристалл. Кристалл был разработан для светоиндикации, и никогда не применялся как опорный элемент. Опорный элемент, выполненный в виде такого кристалла имеет ТКН близкий (или равный) к ТКН база-эмиттерного перехода транзистора, что позволяет использовать его в предлагаемой схеме элемента сравнения. Использование в качестве опорного элемента 5 индикатора 3Л341 позволяет повысить экономичность элемента сравнения, поскольку у этих индикаторов не оговорен минимальный рабочий ток и, таким образом, опорный элемент 5 можно использовать на весьма малых токах. In the proposed scheme of the comparison element, an element made on the basis of a single indicator 3L341 is used as a reference element, the inside of this indicator, namely, the crystal, is used. The crystal was designed for light indication, and was never used as a supporting element. The support element made in the form of such a crystal has a TKN close to (or equal to) the TKN of the base-emitter junction of the transistor, which allows it to be used in the proposed circuit of the comparison element. The use of the 3L341 indicator as a supporting element 5 allows to increase the cost-effectiveness of the comparison element, since these indicators do not stipulate the minimum operating current and, thus, the supporting element 5 can be used at very low currents.
В элементе сравнения вход 10 и дополнительный вход 4 могут быть объединены, так как питание опорного элемента 5 через резистор 3 от стабильного напряжения срабатывания в момент срабатывания элемента сравнения не может изменить этого напряжения срабатывания. Но также на дополнительный вход 4 может подаваться напряжение от другого стабильного источника напряжения. In the comparison element, input 10 and additional input 4 can be combined, since the power of the reference element 5 through the resistor 3 from a stable operating voltage at the moment of operation of the comparison element cannot change this operating voltage. But also voltage from another stable voltage source can be supplied to auxiliary input 4.
Типы транзистора 1 и дополнительного транзистора 2 в элементе срабатывания могут быть заменены на противоположные с изменением полярности напряжений и включения опорного элемента 5 соответственно. The types of transistor 1 and additional transistor 2 in the response element can be replaced with the opposite with a change in the polarity of the voltage and the inclusion of the reference element 5, respectively.
Таким образом введение в элемент сравнения дополнительного транзистора 2, дополнительного резистора 3, дополнительного входа 4 с их связями, а также использование опорного элемента 5 с ТКН сравнимым с ТКН база-эмиттерного перехода дополнительного транзистора 2, позволяет решить задачу достижения высокой термостабильности элемента сравнения при одновременном повышении эффективности его срабатывания и экономичности. Thus, the introduction of an additional transistor 2, an additional resistor 3, an additional input 4 with their connections into the comparison element, as well as the use of the reference element 5 with a TCJ comparable to that of the base-emitter junction of the additional transistor 2, allows us to solve the problem of achieving high thermal stability of the comparison element while increasing the efficiency of its operation and efficiency.
Кроме того, использование в предлагаемом элементе сравнения опорного элемента 5, выполненного на основе индикатора 3Л341 в бескорпусном исполнении в виде кристалла позволило в сочетании с бескорпусной элементной базой остальных элеткрорадиоэлементов создать элемент сравнения в микроисполнении, что позволило решить задачу улучшения весо-габаритных характеристик всего элемента сравнения. In addition, the use in the proposed comparison element of the support element 5, made on the basis of the 3L341 indicator in the open-frame version in the form of a crystal, made it possible, in combination with the open-circuit element base of the remaining electro-radio elements, to create a micro-performance comparison element, which made it possible to solve the problem of improving the weight and size characteristics of the entire comparison element .
Предлагаемый элемент сравнения может быть использован в различных схемах сравнения, срабатывания, пуска, например, в стабилизаторах напряжения. The proposed comparison element can be used in various schemes of comparison, operation, start-up, for example, in voltage stabilizers.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU93003722/09A RU2078373C1 (en) | 1993-01-21 | 1993-01-21 | Comparison circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU93003722/09A RU2078373C1 (en) | 1993-01-21 | 1993-01-21 | Comparison circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU93003722A RU93003722A (en) | 1995-03-20 |
| RU2078373C1 true RU2078373C1 (en) | 1997-04-27 |
Family
ID=20136175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU93003722/09A RU2078373C1 (en) | 1993-01-21 | 1993-01-21 | Comparison circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2078373C1 (en) |
-
1993
- 1993-01-21 RU RU93003722/09A patent/RU2078373C1/en not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Авторское свидетельство СССР N 356633, кл.G 05 F 1/56, 1972. Авторское свидетельство СССР N 301698, кл.G 05 F 1/56, 1971. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR940006365B1 (en) | Current mirror circuit | |
| JPH03119812A (en) | Current detecting circuit | |
| US5661395A (en) | Active, low Vsd, field effect transistor current source | |
| US6069501A (en) | Semiconductor device | |
| RU2078373C1 (en) | Comparison circuit | |
| US3588550A (en) | A composite transistor circuit having a controllable vbe | |
| SU1053084A2 (en) | Reference voltage source | |
| SU1221737A1 (en) | Automatic switch | |
| SU1628184A1 (en) | Differential amplifier | |
| RU2028657C1 (en) | Dc voltage stabilizer | |
| SU1129594A1 (en) | D.c.voltage stabilizer | |
| SU1312552A1 (en) | D.c.voltage stabilizer with protection | |
| SU1601611A1 (en) | Overcurrent-protected d.c. voltage stabilizer | |
| SU737934A1 (en) | Dc voltage stabilizer | |
| SU1198494A1 (en) | D.c.voltage stabilizer | |
| SU1534442A1 (en) | Device for voltage stabilizer | |
| SU796828A1 (en) | Transistorized dc voltage stabilizer | |
| SU917179A1 (en) | Dc voltage stabilizer | |
| SU890381A1 (en) | Dc stabilizer | |
| SU1146646A1 (en) | Low-voltage reference element | |
| SU1183950A1 (en) | Reference voltage source | |
| SU670928A1 (en) | Switch-type dc voltage stabilizer | |
| SU868725A1 (en) | Low-voltage stabilizer | |
| SU1107281A1 (en) | Differential amplifier | |
| SU650066A1 (en) | Dc voltage stabilizer |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TZ4A | Amendments of patent specification | ||
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20080122 |