RU206590U1 - Свч источник ионов с эцр - Google Patents

Свч источник ионов с эцр Download PDF

Info

Publication number
RU206590U1
RU206590U1 RU2021114208U RU2021114208U RU206590U1 RU 206590 U1 RU206590 U1 RU 206590U1 RU 2021114208 U RU2021114208 U RU 2021114208U RU 2021114208 U RU2021114208 U RU 2021114208U RU 206590 U1 RU206590 U1 RU 206590U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
permanent magnets
resonator
plasma chamber
height
microwave
Prior art date
Application number
RU2021114208U
Other languages
English (en)
Inventor
Дмитрий Сергеевич Степанов
Эдуард Яковлевич Школьников
Original Assignee
федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ) filed Critical федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ)
Priority to RU2021114208U priority Critical patent/RU206590U1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU206590U1 publication Critical patent/RU206590U1/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J27/00—Ion beam tubes
    • H01J27/02—Ion sources; Ion guns
    • H01J27/16—Ion sources; Ion guns using high-frequency excitation, e.g. microwave excitation
    • H01J27/18—Ion sources; Ion guns using high-frequency excitation, e.g. microwave excitation with an applied axial magnetic field

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

Полезная модель относится к области электрических газоразрядных и вакуумных электронных приборов, а именно к приборам с ионным пучком с использованием высокочастотного возбуждения, например, сверхвысокочастотного.Технический результат предлагаемой полезной модели направлен на увеличение извлекаемого из СВЧ источника ионов с ЭЦР ионного тока и его КПД за счет усиления степени согласованности между распределениями электрической компоненты СВЧ поля и внешнего магнитного поля, посредством приведения распределения магнитного поля в двух горизонтальных измерениях к форме описываемой функцией sin-2, противоположной форме распределения квадрата напряженности электрической компоненты СВЧ поля описываемой функцией sin2, причем точный ЭЦР должен достигаться на всех коллинеарных вектору напряженности СВЧ поля стенках резонатора.Этот результат достигается тем, что в известном СВЧ источнике ионов с ЭЦР, состоящим из призматической плазменной камеры-резонатора 1 длиной l, шириной b, высотой а, СВЧ генератора на основной моде 2, устройства ввода СВЧ мощности 3, устройства напуска газа 4, экстрагирующих электродов 5, и постоянных магнитов, расположенных вокруг торцов плазменной камеры-резонатора 1, отличающимся тем, что постоянные магниты разделены на три группы, первая группа состоит из восьми основных постоянных магнитов, вторая группа состоит из четырех дополнительных постоянных магнитов и третья группа состоит из четырех вспомогательных постоянных магнитов 6, при этом, восемь основных постоянных магнитов расположены над торцевыми ребрами плазменной камеры-резонатора 1 под углом α к ее продольной оси и разделены на две подгруппы, первая подгруппа состоит из четырех основных постоянных магнитов 7, которые имеют длину b, высоту a1, ширину b и расположены над горизонтальными ребрами плазменной камеры-резонатора 1, а вторая подгруппа состоит из четырех основных постоянных магнитов 8, которые имеют длину l1, высоту а1, ширину а и расположены над вертикальными ребрами плазменной камеры-резонатора 1, кроме этого, четыре дополнительных постоянных магнита разделены на две подгруппы, первая подгруппа состоит из двух дополнительных горизонтальных постоянных магнитов 9, которые имеют длину l2, высоту а2, ширину b и расположены по центру горизонтальных граней плазменной камеры-резонатора 5, а вторая подгруппа состоит из двух дополнительных вертикальных постоянных магнитов 10, которые имеют длину l2, высоту а2, ширину b и расположены по центру боковых граней плазменной камеры-резонатора 5, а четыре вспомогательных постоянных магнита 6 имеют длину l3, высоту b2, ширину а и расположены вблизи краев боковых стенок плазменной камеры-резонатора 5, причем параметры α, l1, a1, l2, а2, b1, l3, b2, l, b, а определяются из следующих соотношений:16°<α<20°; 0.55⋅l<l1<0.6⋅l; 0.3⋅a<а1<0.4⋅а;0.45⋅l<l2<0.5⋅l; 0.3⋅а<а2<0.4⋅а; 0.1⋅b<b1<0.15⋅b;0.1⋅l<l3<0.15⋅l; 0.4⋅l3<b2<0.6⋅l3.Данные соотношения были получены в результате численного моделирования.

Description

Предлагаемая полезная модель принадлежит к разделу электрических газоразрядных и вакуумных электронных приборов, а именно к приборам с ионным пучком с использованием высокочастотного возбуждения, например, сверхвысокочастотного.
Известны СВЧ источники ионов с электронно-циклотронным резонансом (ЭЦР) на постоянных магнитах [1, 2] состоящие из плазменной камеры-резонатора, устройства введения в камеру СВЧ мощности, системы экстракции ионного пучка и магнитной системы из нескольких постоянных магнитов. Разряд инициируется фоновыми электронами при поступлении СВЧ мощности в резонатор в присутствие ЭЦР.
Однако недостатками данных устройств являются невысокий ионный ток и низкий КПД, обусловленные слабой степенью согласованности распределений электрической компоненты СВЧ поля и внешнего магнитного поля, что не позволяет в полной мере использовать объем плазменной камеры-резонатора для генерации ионов.
Известен также СВЧ источник ионов с ЭЦР [3], взятый за прототип. Данный источник включает в себя призматическую плазменную камеру-резонатор длиной 1, шириной Ь, высотой а, подсоединенные к ней устройства ввода СВЧ мощности, СВЧ генератор на основной моде, устройство напуска газа, экстрагирующие электроны и постоянные магниты, расположенные вокруг торцов плазменной камеры-резонатора.
СВЧ источник ионов с ЭЦР работает следующим образом. СВЧ мощность подается через устройство ввода от СВЧ генератора в плазменную камеру-резонатор. Электрическая компонента СВЧ поля ускоряет электроны, которые начинают осциллировать с частотой СВЧ поля и сдвигом импульса по фазе относительно СВЧ поля на π/2. Упругие и не упругие рассеяния электронов на частицах рабочего газа влекут за собой диссипацию энергии СВЧ поля и ионизацию рабочего газа. Внешнее магнитное поле увеличивает степень синхронизма осцилляций импульса электронов и СВЧ поля при сближении циклотронной и СВЧ частот, усиливая диссипацию энергии СВЧ поля. Это позволяет получать в плазменной камере-резонаторе практически полностью ионизованную плазму при относительно малой величине рассеиваемой мощности. Проникающий в камеру извлекающий потенциал системы экстракции ионного пучка извлекает из нее ионы.
Недостатком данного устройства является слабая степень согласованности между распределением электрической компоненты СВЧ поля и распределением внешнего магнитного поля, что приводит к избыточному нагреву электронов в одних областях плазменной камеры-резонатора и к недостаточному нагреву в других. В результате, электроны только небольшой части плазменной камеры-резонатора имеют оптимальный для ионообразования темп нагрева, что снижает ее КПД и величину экстрагируемого ионного тока.
Технический результат предлагаемой полезной модели направлен на увеличение извлекаемого из СВЧ источника ионов с ЭЦР ионного тока и его КПД за счет усиления степени согласованности между распределениями электрической компоненты СВЧ поля и внешнего магнитного поля, посредством приведения распределения магнитного поля в двух горизонтальных измерениях к форме описываемой функцией sin-2, противоположной форме распределения квадрата напряженности электрической компоненты СВЧ поля описываемой функцией sin2, причем точный ЭЦР должен достигаться на всех коллинеарных вектору напряженности СВЧ поля стенках резонатора.
Этот результат достигается тем, что в известном СВЧ источнике ионов с ЭЦР, состоящем из призматической плазменной камеры-резонатора 1 длиной l, шириной b, высотой а, СВЧ генератора на основной моде 2, устройства ввода СВЧ мощности 3, устройства напуска газа 4, экстрагирующих электродов 5 и постоянных магнитов, разделенных на три группы, при этом первая группа состоит из восьми основных постоянных магнитов, вторая группа состоит из четырех дополнительных постоянных магнитов, и третья группа состоит из четырех вспомогательных постоянных магнитов 6, причем, восемь основных постоянных магнитов расположены над торцевыми ребрами плазменной камеры-резонатора 1 под углом α к ее продольной оси и разделены на две подгруппы, первая подгруппа состоит из четырех основных постоянных магнитов 7, которые имеют длину l1, высоту a1, ширину b и расположены над горизонтальными ребрами плазменной камеры-резонатора 1, а вторая подгруппа состоит из четырех основных постоянных магнитов 8, которые имеют длину l1, высоту a1, ширину а и расположены над вертикальными ребрами плазменной камеры-резонатора 1, кроме этого, четыре дополнительных постоянных магнита разделены на две подгруппы, первая подгруппа состоит из двух дополнительных горизонтальных постоянных магнитов 9, которые имеют длину l2, высоту а2, ширину b и расположены по центру горизонтальных граней плазменной камеры-резонатора 5, а вторая подгруппа состоит из двух дополнительных вертикальных постоянных магнитов 10, которые имеют длину l2, высоту а2, ширину b и расположены по центру боковых граней плазменной камеры-резонатора 5, а четыре вспомогательных постоянных магнита 6 имеют длину l3, высоту b2, ширину а и расположены вблизи краев боковых стенок плазменной камеры-резонатора 5, причем параметры α, l1, a1, l2, a2, b1, l3, b2, l, b, а определяются из следующих соотношений:
Figure 00000001
Figure 00000002
Figure 00000003
Figure 00000004
Figure 00000005
Figure 00000006
Figure 00000007
Figure 00000008
Неравенства (1) регулируют максимальный и минимальный угол наклона основных постоянных магнитов к продольной оси плазменной камеры-резонатора, при котором достигается наилучшая согласованность между распределениями электрической компоненты СВЧ поля и внешнего магнитного поля. Нижний и верхний пределы являются условием, обеспечивающим форму sin-2 распределения магнитного поля при выполнении ЭЦР на торцевых стенках резонатора.
Неравенства (2) регулируют максимальный и минимальный пределы отношения длины основных постоянных магнитов к длине плазменной камеры-резонатора, при котором достигается наилучшая согласованность между распределениями электрической компоненты СВЧ поля и внешнего магнитного поля. Нижний и верхний пределы являются условием, обеспечивающим форму sin-2 распределения магнитного поля при выполнении ЭЦР на торцевых стенках резонатора.
Неравенства (3) регулируют максимальный и минимальный пределы отношения высоты основных постоянных магнитов к высоте плазменной камеры-резонатора, при котором достигается наилучшая согласованность между распределениями электрической компоненты СВЧ поля и внешнего магнитного поля. Нижний и верхний пределы являются условием, обеспечивающим выполнение ЭЦР на торцевых стенках резонатора.
Неравенства (4) регулируют максимальный и минимальный пределы отношения длины дополнительных постоянных магнитов к длине плазменной камеры-резонатора, при котором достигается наилучшая согласованность между распределениями электрической компоненты СВЧ поля и' внешнего магнитного поля. Нижний предел является условием, обеспечивающим однородность вертикального распределения индукции магнитного поля. Верхний предел является условием, обеспечивающим отсутствие размагничивания дополнительных постоянных магнитов основными постоянными магнитами.
Неравенства (5) регулируют максимальный и минимальный пределы отношения высоты дополнительных постоянных магнитов, расположенных по центру горизонтальных граней плазменной камеры-резонатора, к высоте плазменной камеры-резонатора, при которых достигается наилучшая согласованность между распределениями электрической компоненты СВЧ поля и внешнего магнитного поля. Нижний и верхний пределы являются условием, обеспечивающим однородность вертикального распределения индукции магнитного поля.
Неравенства (6) регулируют максимальный и минимальный пределы отношения высоты дополнительных постоянных магнитов, расположенных по центру боковых граней плазменной камеры-резонатора, к ширине плазменной камеры-резонатора, при которых достигается наилучшая согласованность между распределениями электрической компоненты СВЧ поля и внешнего магнитного поля. Нижний и верхний пределы являются условием, обеспечивающим форму sin-2 распределения магнитного поля, при выполнении ЭЦР на боковых стенках резонатора.
Неравенства (7) регулируют максимальный предел отношения длины вспомогательных постоянных магнитов к длине плазменной камеры-резонатора, при которых достигается наилучшая согласованность между распределениями электрической компоненты СВЧ поля и внешнего магнитного поля. Нижний и верхний пределы являются условием, обеспечивающим форму sin-2 распределения магнитного поля.
Неравенства (8) регулируют максимальный предел отношения высоты вспомогательных постоянных магнитов к их длине, при которых достигается наилучшая согласованность между распределениями электрической компоненты СВЧ поля и внешнего магнитного поля. Нижний и верхний пределы являются условием, обеспечивающим форму sin-2 распределения магнитного поля.
В проведенных расчетах распределения магнитного поля системы постоянных магнитов основными масштабирующими параметрами СВЧ источника ионов с ЭЦР являются длина 1, ширина b и высота a плазменной камеры-резонатора, чьи значения определяются из условия достижения резонанса на выбранной моде и частоте. Эти параметры посредством неравенств (2) и (3) определяют размеры а1, l1 основных постоянных магнитов магнитной системы, чей угол наклона а определяется неравенством (1). Неравенства (4) - (6) связывают размеры l, b и а плазменной камеры-резонатора с размерами l2, а2, b1 дополнительных постоянных магнитов магнитной системы. Длина вспомогательных магнитов l3 связывается с длиной плазменной камеры-резонатора 1 посредством неравенства (7) и через неравенство (8) определяет высоту вспомогательных магнитов b2. Все это в совокупности определяет согласованную систему из постоянных магнитов, что в соответствие с расчетами, позволяет добиться высокой степени согласованности между распределениями электрической компоненты СВЧ поля и внешнего магнитного поля, посредством приведения распределения магнитного поля в двух горизонтальных измерениях к форме sin-2, противоположной форме sin2 распределения квадрата напряженности электрической компоненты СВЧ поля, способной увеличить КПД СВЧ источника ионов с ЭЦР и величину извлекаемого из него ионного тока.
Таким образом, технический результат достигается за счет конструкции системы постоянных магнитов, определяемой соотношениями (1) - (8), которые основаны на проведенном компьютерном моделировании распределения магнитного поля, имеющего форму sin-2.
Предлагаемое устройство поясняется Фиг. 1 и Фиг. 2, на которых представлен конкретный пример его исполнения и схема расположения элементов СВЧ источника ионов с ЭЦР, содержащая следующие позиции: 1 - плазменная камера-резонатор, внутри которой, при поступлении СВЧ мощности от генератора 2, через устройство ввода 3 и заполнении рабочим газом, поступающим через устройство напуска 4, инициируется СВЧ разряд, а ЭЦР обеспечивается тремя группами постоянных магнитов, включающих в себя восемь основных постоянных, магнитов, четыре дополнительных постоянных магнита и четыре вспомогательных постоянных магнита 6, причем основные магниты разделены на подгруппу из четырех основных постоянных магнитов 7, расположенных над горизонтальными ребрами плазменной камеры-резонатора 1 и подгруппу из четырех основных постоянных магнитов 8, расположенных над вертикальными ребрами плазменной камеры-резонатора 1, дополнительные постоянные магниты разделены на подгруппу из двух дополнительных горизонтальных постоянных магнитов 9 и подгруппу из двух дополнительных вертикальных постоянных магнитов 10, а вспомогательные постоянные магниты 6 расположены вблизи краев боковых стенок плазменной камеры-резонатора 1, и экстрагирующие электроды 5 формирует ионный пучок. Характерный размер предлагаемого устройства описывается следующим набором конкретных размеров l=83.5 мм, b=90 мм, а=45 мм, α=18°, l1=50 мм, а1=16 мм, l2=40 мм, а2=8 мм, b1=12 мм, l3=10 мм, b2=5 мм.
Устройство работает следующим образом. Рабочий объем плазменной камеры-резонатора 1 откачивается до давления не хуже 10-6 Торр, с помощью устройства напуска газа 4 в плазменную камеру-резонатор 1 поступает рабочий газ до достижения требуемого давления. СВЧ генератор 2, через устройство ввода 3, возбуждает плазменную камеру-резонатор 1 на основной моде Н101, при которой распределение амплитуды напряженности электрического поля в горизонтальных измерениях имеет форму sin и однородно в вертикальном измерении. Ускоряясь электрическим полем электроны ионизуют рабочий газ, и инициируют СВЧ разряд. Интенсивность ионообразования в СВЧ разряде существенно зависит от темпа нагрева электронов, который в условиях ЭЦР пропорционален произведению квадрата локальной амплитуды электрической компоненты СВЧ поля, и коэффициента усиления диссипации энергии при ЭЦР Е0 2γ. Максимальной интенсивности ионообразования соответствует единственное значение величины Е0 2γ, поддерживающее среднюю энергию электронов на уровне 100-200 эВ. Во всем объеме плазменной камеры-резонатора 1 достигается однородное распределение величины Е0 2γ на необходимом уровне, что обеспечивается согласованностью распределений электрической компоненты СВЧ поля и коэффициента γ, пропорционального близости индукции внешнего магнитного поля значению ЭЦР. Таким образом, распределение магнитного поля в объеме резонатора имеет форму sin-2 в горизонтальных измерениях и однородно в вертикальном измерении. Стремящемуся к бесконечности значению функции sin-2 на вертикальных гранях плазменной камеры-резонатора 1 отвечает точный ЭЦР. Основные постоянные магниты 7 и 8 задают уровень sin-2 распределения магнитного поля и обеспечивают выполнение точного ЭЦР на торцевых стенках плазменной камеры-резонатора 1. Дополнительные горизонтальные постоянные магниты 9 обеспечивают однородное распределение магнитного поля по вертикальному измерению, а дополнительные вертикальные магниты 10 обеспечивают выполнение точного ЭЦР на боковых стенках плазменной камеры-резонатора 1. Вспомогательные постоянные магниты 6 поддерживают sin-2 распределение магнитного поля вблизи краев боковых стенок плазменной камеры-резонатора 1. Образующиеся в СВЧ разряде ионы извлекаются экстрагирующими электродами 6 и формируются в ионный пучок.
Таким образом, предложенная полезная модель позволяет повысить величину извлекаемого из СВЧ источника ионов с ЭЦР ионного тока и его КПД за счет усиления степени согласованности между распределениями электрической компоненты СВЧ поля и внешнего магнитного поля, посредством приведения распределения магнитного поля в двух горизонтальных измерениях к форме sin-2, противоположной форме sin2 распределения квадрата напряженности электрической компоненты СВЧ поля, достигаемой организованной согласно неравенствам (1)-(8) магнитной системой постоянных магнитов, что дает возможность применять предлагаемый СВЧ источник ионов с ЭЦР для генерации нейтронных потоков, обработки поверхностей, нанесения покрытий, в качестве инжекторов ускорителей, плазмохимических реакторов.
Источники информации:
1. Патент KR №100782579 В1, 26.09.2006.
2. Патент CN №109786205 В, 30.01.2019.
3. Патент JP №2004281200 А, 14.03.2003.

Claims (4)

  1. СВЧ источник ионов с ЭЦР, состоящий из призматической плазменной камеры-резонатора (1) длиной l, шириной b, высотой а, СВЧ генератора на основной моде (2), устройства ввода СВЧ мощности (3), устройства напуска газа (4), экстрагирующих электродов (5) и постоянных магнитов, расположенных вокруг торцов плазменной камеры-резонатора (1), отличающийся тем, что постоянные магниты разделены на три группы, первая группа состоит из восьми основных постоянных магнитов, вторая группа состоит из четырех дополнительных постоянных магнитов, и третья группа состоит из четырех вспомогательных постоянных магнитов (6), при этом восемь основных постоянных магнитов расположены над торцевыми ребрами плазменной камеры-резонатора (1) под углом α к ее продольной оси и разделены на две подгруппы, первая подгруппа состоит из четырех основных постоянных магнитов (7), которые имеют длину l1, высоту a1, ширину b и расположены над горизонтальными ребрами плазменной камеры-резонатора (1), а вторая подгруппа состоит из четырех основных постоянных магнитов (8), которые имеют длину l1, высоту а1, ширину а и расположены над вертикальными ребрами плазменной камеры-резонатора (1), кроме этого, четыре дополнительных постоянных магнита разделены на две подгруппы, первая подгруппа состоит из двух дополнительных горизонтальных постоянных магнитов (9), которые имеют длину l2, высоту а2, ширину b и расположены по центру горизонтальных граней плазменной камеры-резонатора (5), а вторая подгруппа состоит из двух дополнительных вертикальных постоянных магнитов (10), которые имеют длину l2, высоту а2, ширину b и расположены по центру боковых граней плазменной камеры-резонатора (5), а четыре вспомогательных постоянных магнита (6) имеют длину l3, высоту b2, ширину а и расположены вблизи краев боковых стенок плазменной камеры-резонатора (5), причем параметры α, l1, a1, l2, а2, b1, l3, b2, l, b, а определяются из следующих соотношений:
  2. 16°<α<20°; 0.55⋅l<l1<0.6⋅l; 0.3⋅a<а1<0.4⋅а;
  3. 0.45⋅l<l2<0.5⋅l; 0.3⋅а<а2<0.4⋅а; 0.1⋅b<b1<0.15⋅b;
  4. 0.1⋅l<l3<0.15⋅l; 0.4⋅l3<b2<0.6⋅l3.
RU2021114208U 2021-05-20 2021-05-20 Свч источник ионов с эцр RU206590U1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2021114208U RU206590U1 (ru) 2021-05-20 2021-05-20 Свч источник ионов с эцр

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2021114208U RU206590U1 (ru) 2021-05-20 2021-05-20 Свч источник ионов с эцр

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU206590U1 true RU206590U1 (ru) 2021-09-16

Family

ID=77746331

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2021114208U RU206590U1 (ru) 2021-05-20 2021-05-20 Свч источник ионов с эцр

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU206590U1 (ru)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2216818C1 (ru) * 2003-01-28 2003-11-20 Общество с ограниченной ответственностью "ЭпиЛаб" Эцр-плазменный источник для обработки полупроводниковых структур, способ обработки полупроводниковых структур, способ изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем (варианты), полупроводниковый прибор или интегральная схема (варианты)
JP2004281200A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Rikogaku Shinkokai 永久磁石型ｅｃｒイオン源
JP2008084859A (ja) * 2006-09-26 2008-04-10 Nano Beam Co Ltd ＥＣＲイオンソース｛ＥｌｅｃｔｒｏｎＣｙｃｌｏｔｒｏｎＲｅｓｏｎａｎｃｅｉｏｎｓｏｕｒｃｅ｝
CN109786205A (zh) * 2019-01-30 2019-05-21 中国科学院近代物理研究所 电子回旋共振离子源

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2216818C1 (ru) * 2003-01-28 2003-11-20 Общество с ограниченной ответственностью "ЭпиЛаб" Эцр-плазменный источник для обработки полупроводниковых структур, способ обработки полупроводниковых структур, способ изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем (варианты), полупроводниковый прибор или интегральная схема (варианты)
JP2004281200A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Rikogaku Shinkokai 永久磁石型ｅｃｒイオン源
JP2008084859A (ja) * 2006-09-26 2008-04-10 Nano Beam Co Ltd ＥＣＲイオンソース｛ＥｌｅｃｔｒｏｎＣｙｃｌｏｔｒｏｎＲｅｓｏｎａｎｃｅｉｏｎｓｏｕｒｃｅ｝
CN109786205A (zh) * 2019-01-30 2019-05-21 中国科学院近代物理研究所 电子回旋共振离子源

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3778656A (en) Ion source employing a microwave resonant cavity
TWI467615B (zh) 離子源與調整離子束均一性的方法
Zhang et al. Simulation of a gigawatt level Ku-band overmoded Cerenkov type oscillator operated at low guiding magnetic field
Yambe et al. Experimental study on generation of electron beam utilizing cold cathode in the weakly relativistic energy region
Ling et al. A Ku-band coaxial relativistic transit-time oscillator with low guiding magnetic field
Chen et al. Bifrequency magnetically insulated transmission line oscillator
RU206590U1 (ru) Свч источник ионов с эцр
JPS61118938A (ja) 超高周波イオン源点弧方法および装置
Fu et al. Discharge characteristics of the DUHOCAMIS with a high magnetic bottle-shaped field
Gammino et al. Tests of the Versatile Ion Source (VIS) for high power proton beam production
Lapin et al. Gasdynamic ECR ion source for negative ion production
Jung et al. Development of a high-current helicon ion source with high monatomic fraction for the application of neutron generators
Xu et al. Multiple charge ion beam generation with a 2.45 GHz electron cyclotron resonance ion source
Saadatmand et al. Performance of the Superconducting Super Collider H− rf volume ion source and Linac injector
Chen et al. Design of a large-radius high impedance intense current diode based on gradient magnetic field
RU158216U1 (ru) Источник быстрых нейтральных частиц
RU148499U1 (ru) Источник быстрых нейтральных частиц
Yoshida et al. The use of magnetic fields in a partial-coaxial microwave cavity holey-plate ion source
Voznyi et al. Development of the RF ion sources for focused ion beam accelerators
RU148505U1 (ru) Источник быстрых нейтральных частиц
Bogdankevich et al. On the development of plasma relativistic microwave oscillator without strong magnetic field
Kato et al. An Electron Cyclotron Resonance Ion Source with Cylindrically Comb‐Shaped Magnetic Field Configuration
RU2726143C1 (ru) Источник интенсивных пучков ионов на основе плазмы ЭЦР разряда, удерживаемой в открытой магнитной ловушке
Zhang et al. A new ECR ion source for atomic physics research at Institute of Modern Physics
Xu et al. The trajectory simulation and optimization of ion source chimney for SC200 cyclotron