RU206489U1 - Photoresistor based on organometallic perovskite MaPbI3 - Google Patents
Photoresistor based on organometallic perovskite MaPbI3 Download PDFInfo
- Publication number
- RU206489U1 RU206489U1 RU2021116780U RU2021116780U RU206489U1 RU 206489 U1 RU206489 U1 RU 206489U1 RU 2021116780 U RU2021116780 U RU 2021116780U RU 2021116780 U RU2021116780 U RU 2021116780U RU 206489 U1 RU206489 U1 RU 206489U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- perovskite
- sensitive area
- model
- mapbi3
- organometallic
- Prior art date
Links
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 title claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 abstract description 13
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 12
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 8
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 abstract description 7
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 abstract description 7
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 6
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 abstract description 4
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 8
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 7
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 7
- 239000003570 air Substances 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- LLWRXQXPJMPHLR-UHFFFAOYSA-N methylazanium;iodide Chemical compound [I-].[NH3+]C LLWRXQXPJMPHLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000035755 proliferation Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Полезная модель относится к оптоэлектронным устройствам и может быть использована для изготовления фотоприемников типа фотосопротивление на основе металлоорганического перовскита MaPbI3.Полезная модель представляет собой устройство, состоящее из диэлектрической подложки, чувствительной области, контактов и защитного покрытия. Чувствительная область выполнена из субмикронной пленки перовскита MaPbI3. На перовскит напылены металлические электрические контакты. Чувствительная область прибора заламинирована прозрачной в видимом диапазоне спектра пленкой из полимерных смол этиленвинилацетата.Описываемая полезная модель позволит регистрировать слабое оптическое излучение в диапазоне длин волн 400 - 1200 нм. При этом устройство не восприимчиво к воздействию окружающей среды, а также обладает малым расходом материала на чувствительную область фотоприемника. Перечисленные характеристики позволят расширить сферу применения металлоорганических фотоприемников.The utility model relates to optoelectronic devices and can be used for the manufacture of photoresistance-type photodetectors based on the organometallic perovskite MaPbI3. The utility model is a device consisting of a dielectric substrate, a sensitive area, contacts, and a protective coating. The sensitive area is made of a submicron MaPbI3 perovskite film. Metal electrical contacts are deposited on the perovskite. The sensitive area of the device is laminated with a transparent film of ethylene vinyl acetate polymer resins in the visible range of the spectrum. The described utility model will allow recording weak optical radiation in the wavelength range of 400 - 1200 nm. At the same time, the device is not susceptible to environmental influences, and also has a low consumption of material for the sensitive area of the photodetector. The listed characteristics will expand the scope of application of organometallic photodetectors.
Description
Область техникиTechnology area
Полезная модель относится к оптоэлектронным устройствам и может быть использована для изготовления фотоприемников типа фотосопротивление на основе металлоорганического перовскита MaPbI3. Актуальность создания принципиально новых детекторов оптического излучения определяется потребностью в эффективных и дешевых приемниках световых сигналов.The utility model relates to optoelectronic devices and can be used to manufacture photodetectors of the photoresistance type based on the organometallic perovskite MaPbI 3 . The relevance of creating fundamentally new detectors of optical radiation is determined by the need for efficient and cheap receivers of light signals.
Уровень техникиState of the art
На настоящий момент существует ряд фотоприемников на основе внешнего и внутреннего фотоэффекта: вакуумные фотоэлементы, фотоумножители, фотодиоды, фоторезисторы, пироэлектрические фотоприемники (Аксененко М.Д., Бараночников М.Л. Приемники оптического излучения. Справочник.: Радио и связь, 1987. - 296 с). Наиболее популярными фотосопротивлениями, работающими в видимом диапазоне спектра (400 - 750 нм) являются приборы на основе неорганических кристаллов CdS, CdSe, PbS.At the moment there are a number of photodetectors based on external and internal photoelectric effect: vacuum photocells, photomultipliers, photodiodes, photoresistors, pyroelectric photodetectors (Aksenenko M.D., Baranochnikov M.L. Optical radiation receivers. Handbook: Radio and communication, 1987. - 296 s). The most popular photoresistors operating in the visible spectral range (400 - 750 nm) are devices based on inorganic crystals CdS, CdSe, PbS.
Также известно и о существовании фоточувствительных в видимом диапазоне светового спектра органико-неорганических материалов, обладающих структурой типа перовскит (Arya S., Mahajan P., Gupta R., Srivastava R., Tailor N., Satapathi S., Sumathi R., Dattf R., Gupta V. A comprehensive review on synthesis and applications of single crystal perovskite halides. Progress in Solid State Chemistry. Volume 60. Issue 100286. Pages 1-35, 2020). Перовскиты вызывают интерес ученых по всему миру благодаря их уникальным свойствам, таким как высокий коэффициент поглощения света, высокая длина диффузии носителей заряда, простая технология получения, возможность варьировать рабочий спектральный диапазон с помощью изменения состава, возможность создавать приборы на гибких подложках.It is also known about the existence of photosensitive organic-inorganic materials with a perovskite-type structure in the visible range of the light spectrum (Arya S., Mahajan P., Gupta R., Srivastava R., Tailor N., Satapathi S., Sumathi R., Dattf R., Gupta V. A comprehensive review on synthesis and applications of single crystal perovskite halides. Progress in Solid State Chemistry. Volume 60. Issue 100286. Pages 1-35, 2020). Perovskites are of interest to scientists around the world due to their unique properties, such as high light absorption coefficient, high diffusion length of charge carriers, simple production technology, the ability to vary the operating spectral range by changing the composition, and the ability to create devices on flexible substrates.
Одним из часто используемых перовскитов является металлоорганический CH3NH3PbI3 (MaPbI3) (Pan X., Zhou H., Liu R., Wu D., Song Z., Tang X., Yang X., Wang H. Achieving High-Performance, Self-Powered, Broadband Perovskite Photodetector Employing MAPbI3 Microcrystal Films. Journal of Materials Chemistry C. Volume 6. Issue 8. Pages 2028-2035. 2020). MaPbI3 обладает высокой подвижностью и временем жизни носителей заряда, высоким поглощением в видимом диапазоне спектра и малой концентрацией ловушек, что делает его перспективным материалом для использования в фотоприемниках видимого диапазона. Однако, при взаимодействии с молекулами воды, постоянно присутствующими в окружающем воздухе MaPbI3 деградирует с распадом на CH3NH3I и PbI2 (Zheng C., Rubel O. Unraveling the Water Degradation Mechanism of CH3NH3PbI3. The Journal of Physical Chemistry C. Volume 123. Issue 32. Pages 19385–19394. 2019). При этом деградируют и фоточувствительные свойства перовскита, фоточувствительность падает. Данный фактор мешает распространению перовскитных фотоприемников.One of the commonly used perovskites is the organometallic CH 3 NH 3 PbI 3 (MaPbI 3 ) (Pan X., Zhou H., Liu R., Wu D., Song Z., Tang X., Yang X., Wang H. Achieving High-Performance, Self-Powered, Broadband Perovskite Photodetector Employing MAPbI3 Microcrystal Films. Journal of Materials Chemistry C. Volume 6. Issue 8. Pages 2028-2035. 2020). MaPbI 3 has a high mobility and lifetime of charge carriers, high absorption in the visible range of the spectrum and a low concentration of traps, which makes it a promising material for use in photodetectors in the visible range. However, when interacting with water molecules constantly present in the ambient air, MaPbI 3 degrades with decomposition into CH 3 NH 3 I and PbI 2 (Zheng C., Rubel O. Unraveling the Water Degradation Mechanism of CH 3 NH 3 PbI 3. The Journal of Physical Chemistry C. Volume 123. Issue 32. Pages 19385-19394.2019). In this case, the photosensitive properties of perovskite also degrade, and the photosensitivity decreases. This factor hinders the proliferation of perovskite photodetectors.
Конструктивно, наиболее близким аналогом представляемой разработки является металлоорганический фотоприемник, охраняемый патентом CN106449978A. Фотоприемник представляет собой тонкую пленку перовскита CH3NH3PbCl3, нанесенную методом центрифугирования на кремниевую подложку с золотыми контактами встречно-штырьевой конфигурации. После нанесения пленка CH3NH3PbCl3 кристаллизуется при температуре 60°С в течение 30 минут. При попадании на перовскит оптического излучения, в нем образуются носители заряда (электроны и дырки), которые затем собираются на золотые электроды под воздействием приложенного к ним электрического поля. Запрещенная зона перовскита CH3NH3PbCl3 составляет 3.11 эВ, поэтому данный фотоприемник обладает фоточувствительностью в ультрафиолетовом спектральном диапазоне. Преимуществами данной разработки являются малый и контролируемый расход материала, высокое отношение сигнал-шум, что позволяет регистрировать слабые световые сигналы. Однако недостатком данного фотоприемника является слабая фоточувствительность в видимом диапазоне спектра (400 - 800 нм).Structurally, the closest analogue of the presented development is an organometallic photodetector protected by patent CN106449978A. The photodetector is a thin film of perovskite CH 3 NH 3 PbCl 3 , deposited by centrifugation on a silicon substrate with gold contacts of an interdigital configuration. After application of CH 3 NH 3 PbCl 3 film is crystallized at a temperature of 60 ° C for 30 minutes. When optical radiation hits the perovskite, charge carriers (electrons and holes) are formed in it, which are then collected on gold electrodes under the influence of an electric field applied to them. The forbidden zone of perovskite CH 3 NH 3 PbCl 3 is 3.11 eV, therefore this photodetector has a photosensitivity in the ultraviolet spectral range. The advantages of this development are low and controlled material consumption, high signal-to-noise ratio, which makes it possible to register weak light signals. However, the disadvantage of this photodetector is its weak photosensitivity in the visible range of the spectrum (400 - 800 nm).
Раскрытие полезной моделиDisclosure of a utility model
Полезная модель представляет собой устройство (фиг.1), состоящее из диэлектрической подложки 1, чувствительной области 2, контактов 3 и защитного покрытия 4. Чувствительная область выполнена из субмикронной пленки перовскита MaPbI3. На перовскит напылены металлические электрические контакты. Чувствительная область прибора заламинирована прозрачной в видимом диапазоне спектра пленкой из полимерных смол этиленвинилацетата.The utility model is a device (figure 1), consisting of a
Перовскит был получен смешиванием йодида свинца и йодида метиламмония в молярном соотношении 1:1 в безводном растворе N,N-+диметилформамида. Полученную смесь компонентов осаждали на диэлектрическую подложку методом центрифугирования. Подложка с осажденным раствором перовскита помещалась в вакуумную печь для высыхания при 120°С на 15 минут. Приведенный метод позволяет получать тонкие микрокристаллические пленки перовскита. Толщина пленки составляет 200 - 500 нм. Данная технология обеспечивает низкий расход материала.Perovskite was obtained by mixing lead iodide and methylammonium iodide in a molar ratio of 1: 1 in an anhydrous solution of N, N- + dimethylformamide. The resulting mixture of components was deposited on a dielectric substrate by centrifugation. The substrate with the precipitated perovskite solution was placed in a vacuum oven to dry at 120 ° C for 15 minutes. The above method makes it possible to obtain thin microcrystalline perovskite films. The film thickness is 200 - 500 nm. This technology ensures low material consumption.
Структурные характеристики полученных пленок изучались при помощи технологии рентгеновской дифракции. Спектр рентгенофазового анализа полученной пленки представлен на фиг.2. Пики на углах отклонения (2Θ) 13, 19, 24, 28, 32, 34, 40, 42, 50° являются характерными для материала MAPbI3 с решеткой типа перовскит.The structural characteristics of the obtained films were studied using X-ray diffraction technology. The X-ray phase analysis spectrum of the resulting film is shown in Fig. 2. Peaks at deflection angles (2Θ) of 13, 19, 24, 28, 32, 34, 40, 42, 50 ° are characteristic of the MAPbI 3 material with a perovskite lattice.
Защитная ламинация чувствительной области фотоприемника выполнена из бесцветной пленки из полимерных смол этиленвинилацетата. Защитное покрытие прибора призвано оградить перовскит от воздействия молекул воды, присутствующий в воздухе, и не допустить его деградации. Также защитное покрытие препятствует механическим повреждениям рабочей поверхности прибора. Основными характеристиками защитного покрытия являются прозрачность в видимом диапазоне света и высокое сопротивление (изолирующие свойства).Protective lamination of the sensitive area of the photodetector is made of a colorless film made of ethylene vinyl acetate polymer resins. The protective coating of the device is designed to protect the perovskite from the action of water molecules present in the air and prevent its degradation. Also, the protective coating prevents mechanical damage to the working surface of the device. The main characteristics of a protective coating are transparency in the visible range of light and high resistance (insulating properties).
На фиг. 3 показаны спектры фотопроводимости (
Отметим, что фоточувствительные свойства перовскита, пролежавшего на воздухе в течение 3 месяцев без защищенного покрытия, уменьшились на порядок. При этом фотопроводимость перовскита, имевшего защитное покрытие и пролежавшего на воздухе в течение 3 месяцев, не изменилась. Из чего делается вывод, что защитное покрытие из полимерных смол этиленвинилацетата эффективно защищает перовскит от деградации под действием молекул воды, находящихся в воздухе. Отметим, что спектры фотопроводимости перовскита MAPbI3 сразу после приготовления и перовскита с защитным покрытием одинаковы. Из этого можно сделать вывод, что бесцветная пленка из полимерных смол этиленвинилацетата полностью прозрачна для видимого света.Note that the photosensitive properties of perovskite exposed to air for 3 months without a protected coating decreased by an order of magnitude. In this case, the photoconductivity of perovskite, which had a protective coating and was exposed to air for 3 months, did not change. From which it is concluded that the protective coating of polymeric ethylene vinyl acetate resins effectively protects perovskite from degradation under the action of water molecules in the air. Note that the photoconductivity spectra of MAPbI 3 perovskite immediately after preparation and perovskite with a protective coating are the same. From this it can be concluded that the colorless film of polymeric EVA resins is completely transparent to visible light.
Описываемая полезная модель позволит регистрировать слабое оптическое излучение в диапазоне длин волн 400 - 1200 нм. При этом устройство не восприимчиво к воздействию окружающей среды, а также обладает малым расходом материала на чувствительную область фотоприемника. Перечисленные характеристики позволят расширить сферу применения металлоорганических фотоприемников.The described utility model will make it possible to register weak optical radiation in the wavelength range of 400 - 1200 nm. At the same time, the device is not susceptible to environmental influences, and also has a low consumption of material for the sensitive area of the photodetector. The listed characteristics will expand the scope of application of organometallic photodetectors.
Краткое описание чертежейBrief Description of Drawings
На фиг. 1 представлены чертежи устройства - вид сверху и вид сбоку. На диэлектрическую подложку 1 нанесена тонкая пленка перовскита, образующая фоточувствительный слой 2. Поверх фоточувствительного слоя наносятся контакты 3, таким образом, чтобы между ними оставался зазор, представляющий чувствительную зону фотоприемника. Чувствительная область и контакты фотоприемника покрываются защитным покрытием 4.FIG. 1 shows the drawings of the device - top view and side view. A thin film of perovskite is applied to the
На фиг. 2 приведен спектр рентгено-фазового анализа перовскита MAPbI3.FIG. 2 shows the X-ray phase analysis spectrum of MAPbI 3 perovskite.
На фиг. 3 показаны спектры фотопроводимости перовскита MAPbI3 сразу после приготовления и спустя 3 месяца его нахождения на воздухе без защитного покрытия и с защитным покрытием из полимерных смол этиленвинилацетата.FIG. 3 shows the photoconductivity spectra of MAPbI 3 perovskite immediately after preparation and after 3 months of its exposure to air without a protective coating and with a protective coating of polymeric ethylene vinyl acetate resins.
На фиг. 4 представлен спектр токовой фоточувствительности фотоприемника на основе перовскита MAPbI3.FIG. 4 shows the spectrum of the current photosensitivity of a photodetector based on MAPbI 3 perovskite.
Осуществление полезной моделиImplementation of the utility model
Техническое решение иллюстрируется следующим примером.The technical solution is illustrated by the following example.
Фотоприемник представлял собой подложку из кварцевого стекла размерами 15х10 мм, на которую методом центрифугирования наносилась пленка перовскита MaPbI3. Площадь перовскитной пленки составила 100 мм2 (10х10 мм), толщина - 250 мкм. На перовскит напылялись путем термического распыления электрические алюминиевые контакты. Чувствительная область прибора была заламинирована пленкой из полимерных смол этиленвинилацетата при температуре 60°С.The photodetector was a silica glass substrate 15x10 mm in size, onto which a MaPbI 3 perovskite film was applied by centrifugation. The area of the perovskite film was 100 mm 2 (10x10 mm), the thickness was 250 μm. Electrical aluminum contacts were deposited on perovskite by thermal sputtering. The sensitive area of the device was laminated with a film of ethylene vinyl acetate polymer resins at a temperature of 60 ° C.
Устройство работает следующим образом. К металлическим контактам подводится электрическое напряжение и через фотоприемник начинает течь электрический ток. Световое излучение, падающее на фоточувствительный слой, поглощается, создавая, за счет внутреннего фотоэффекта, дополнительные носители электрического заряда. Появление дополнительных носителей вызывает увеличение проводимости фотоприемника на величину фотопроводимости. Таким образом, измеряя фотопроводимость фотоприемника, можно измерять мощность падающего на устройство излучения.The device works as follows. An electric voltage is applied to the metal contacts and an electric current begins to flow through the photodetector. Light radiation incident on the photosensitive layer is absorbed, creating, due to the internal photoelectric effect, additional carriers of electric charge. The appearance of additional carriers causes an increase in the conductivity of the photodetector by the amount of photoconductivity. Thus, by measuring the photoconductivity of the photodetector, it is possible to measure the power of the radiation incident on the device.
На фиг. 4 представлен спектр токовой фоточувствительности фотоприемника на основе перовскита MAPbI3. Данная характеристика определяется соотношением 
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2021116780U RU206489U1 (en) | 2021-06-09 | 2021-06-09 | Photoresistor based on organometallic perovskite MaPbI3 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2021116780U RU206489U1 (en) | 2021-06-09 | 2021-06-09 | Photoresistor based on organometallic perovskite MaPbI3 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU206489U1 true RU206489U1 (en) | 2021-09-14 |
Family
ID=77746125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2021116780U RU206489U1 (en) | 2021-06-09 | 2021-06-09 | Photoresistor based on organometallic perovskite MaPbI3 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU206489U1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU216505U1 (en) * | 2022-06-15 | 2023-02-10 | Василиса Евгеньевна Аникеева | Highly sensitive photodetector based on a crystal of organometallic perovskite MAPbX3(X = I, Br) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9349967B2 (en) * | 2014-07-16 | 2016-05-24 | Industrial Technology Research Institute | Solar cell and method for manufacturing the same |
| US20160359119A1 (en) * | 2015-06-04 | 2016-12-08 | Panasonic Corporation | Perovskite solar cell |
| CN106449978A (en) * | 2016-07-10 | 2017-02-22 | 上海大学 | Preparation method of visible blind ultraviolet detector based on CH3NH3PbCl3 film |
| RU2646671C1 (en) * | 2016-12-29 | 2018-03-06 | Акционерное общество "ЕвроСибЭнерго" | Method of obtaining light-absorbing material with perovskite structure |
| RU2685296C1 (en) * | 2017-12-25 | 2019-04-17 | АО "Красноярская ГЭС" | Method of obtaining light absorbing material with perovskite-like structure |
-
2021
- 2021-06-09 RU RU2021116780U patent/RU206489U1/en active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9349967B2 (en) * | 2014-07-16 | 2016-05-24 | Industrial Technology Research Institute | Solar cell and method for manufacturing the same |
| US20160359119A1 (en) * | 2015-06-04 | 2016-12-08 | Panasonic Corporation | Perovskite solar cell |
| CN106449978A (en) * | 2016-07-10 | 2017-02-22 | 上海大学 | Preparation method of visible blind ultraviolet detector based on CH3NH3PbCl3 film |
| RU2646671C1 (en) * | 2016-12-29 | 2018-03-06 | Акционерное общество "ЕвроСибЭнерго" | Method of obtaining light-absorbing material with perovskite structure |
| RU2685296C1 (en) * | 2017-12-25 | 2019-04-17 | АО "Красноярская ГЭС" | Method of obtaining light absorbing material with perovskite-like structure |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU216505U1 (en) * | 2022-06-15 | 2023-02-10 | Василиса Евгеньевна Аникеева | Highly sensitive photodetector based on a crystal of organometallic perovskite MAPbX3(X = I, Br) |
| RU2793724C1 (en) * | 2022-07-11 | 2023-04-05 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИПФ РАН) | Method for protecting perovskite-like materials from photodegradation |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Wang et al. | Ferroelectric localized field–enhanced ZnO nanosheet ultraviolet photodetector with high sensitivity and low dark current | |
| Guo et al. | Ferro-pyro-phototronic effect in monocrystalline 2D ferroelectric perovskite for high-sensitive, self-powered, and stable ultraviolet photodetector | |
| Sun et al. | Single-crystal perovskite detectors: development and perspectives | |
| Yu et al. | Miscellaneous and perspicacious: hybrid halide perovskite materials based photodetectors and sensors | |
| Mukherjee et al. | Organic phototransistors based on solution grown, ordered single crystalline arrays of a π-conjugated molecule | |
| Luo et al. | Ultrasensitive flexible broadband photodetectors achieving pA scale dark current | |
| Tan et al. | Balancing the transmittance and carrier‐collection ability of Ag nanowire networks for high‐performance self‐powered Ga2O3 Schottky photodiode | |
| CN108565301A (en) | Photodetector and preparation method based on metal surface plasma induction two waveband response | |
| Ma et al. | High-performance self-powered perovskite photodetector for visible light communication | |
| JP7526528B2 (en) | Field-effect transistor photodetectors based on dielectric layer response. | |
| CN111952462B (en) | Ultraviolet and visible light detector based on covalent organic framework material and preparation method thereof | |
| Hao et al. | Applications of Lead‐Free Cs2AgBiBr6 Single Crystals in Photodetectors and Self‐Powered Photodetectors by Symmetric/Asymmetric Electrodes | |
| CN109742179A (en) | A kind of photodetector and preparation method thereof based on stannic selenide/silicon heterogenous | |
| CN103681937A (en) | Photonic crystal light limiting effect based design method for focal plane probe structure | |
| Khan et al. | Improved photodetection performance of nanostructured CdS films based photodetectors via novel Er doping | |
| Wu et al. | Recent progress of narrowband perovskite photodetectors: Fundamental physics and strategies | |
| CN111864080A (en) | Two-dimensional organic-inorganic hybrid perovskite crystal photoelectric detector and preparation method thereof | |
| Peng et al. | Thick junction photodiodes based on crushed perovskite crystal/polymer composite films | |
| RU206489U1 (en) | Photoresistor based on organometallic perovskite MaPbI3 | |
| Zhang et al. | Flexible perovskite and organic semiconductor heterojunction devices for tunable band-selective photodetection | |
| Bradley et al. | Photoconductivity in Thin Organic Films | |
| CN109980037A (en) | Full-inorganic perovskite micron chip, Schottky type UV photodetector and preparation method | |
| CN115148904B (en) | Transparent and stable all-inorganic metal halogen perovskite photoelectric detector and preparation method and application thereof | |
| Sanglee et al. | Intermediate matching layer for light-induced performance and removable clip-on applications of four-terminal perovskite/silicon heterojunction tandem solar cells | |
| CN103794726A (en) | Thin film organic optical detector of novel PIN structure and preparation method and application thereof |