RU206452U1 - Backscatter modulator - Google Patents

Backscatter modulator Download PDF

Info

Publication number
RU206452U1
RU206452U1 RU2021102688U RU2021102688U RU206452U1 RU 206452 U1 RU206452 U1 RU 206452U1 RU 2021102688 U RU2021102688 U RU 2021102688U RU 2021102688 U RU2021102688 U RU 2021102688U RU 206452 U1 RU206452 U1 RU 206452U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
terminal
modulator
terminals
transistors
input
Prior art date
Application number
RU2021102688U
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Олег Владимирович Смирнов
Original Assignee
Олег Владимирович Смирнов
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Олег Владимирович Смирнов filed Critical Олег Владимирович Смирнов
Priority to RU2021102688U priority Critical patent/RU206452U1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU206452U1 publication Critical patent/RU206452U1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transmitters (AREA)

Abstract

Полезная модель относится к радиотехнике и может быть использована в качестве модулятора обратного рассеяния. Технический результат состоит в снижении площади, занимаемой модулятором при его выполнении на кристалле. Для этого в модуляторе содержатся две входные клеммы, выполненные с возможностью подачи на них информационных сигналов, которые определяют передаваемый символ обратного рассеяния и которые подвергаются модуляции, четыре резистора, восемь транзисторов, две емкости, источник постоянного напряжения с соответствующими связями и две выходные клеммы для промодулированного сигнала. Модулятор может быть использован для формирования сигналов обратного рассеяния в различных частотных диапазонах и в составе модуляторов таких сигналов, как АМн-2, ФМн-2, КАМ-8, КАМ-16, КАМ-32 и КАМ-64. 1 ил.The utility model relates to radio engineering and can be used as a backscatter modulator. The technical result consists in reducing the area occupied by the modulator when it is performed on the chip. To do this, the modulator contains two input terminals made with the possibility of supplying information signals to them that determine the transmitted backscatter symbol and which are subjected to modulation, four resistors, eight transistors, two capacitors, a constant voltage source with appropriate connections and two output terminals for the modulated signal. The modulator can be used to generate backscattered signals in various frequency ranges and as part of modulators of signals such as AMn-2, FMn-2, KAM-8, KAM-16, KAM-32 and KAM-64. 1 ill.

Description

Полезная модель относится к радиотехнике и может быть использована в качестве модулятора обратного рассеяния (МОР), принцип модуляции которого заключается в том, что передача информации осуществляется за счет отражения от антенны электромагнитных волн, распространяющихся в свободном пространстве. Подобная типовая система передачи данных состоит из двух приемопередающих устройств, между которыми осуществляется передача данных.The utility model relates to radio engineering and can be used as a backscatter modulator (MOP), the modulation principle of which is that information is transmitted due to the reflection from the antenna of electromagnetic waves propagating in free space. Such a typical data transmission system consists of two transceiver devices between which data is transmitted.

Основным элементом такой системы является считыватель, излучающий немодулированное колебание, которое, отражаясь от антенны, подвергается модуляции, возникающей за счет изменения импеданса ее нагрузки, и вновь принимается этим же считывателем. Таким образом, на стороне радиометки отсутствует необходимость использования собственного генератора СВЧ колебаний, что позволяет повысить автономность метки за счет снижения потребляемой мощности, которая могла бы расходоваться на формирование несущего колебания. Это является важнейшим преимуществом относительно модуляторов другого вида.The main element of such a system is a reader that emits an unmodulated vibration, which, being reflected from the antenna, undergoes modulation due to a change in the impedance of its load, and is again received by the same reader. Thus, on the side of the RFID tag, there is no need to use its own microwave oscillator, which makes it possible to increase the autonomy of the tag by reducing the power consumption, which could be spent on the formation of the carrier oscillation. This is the most important advantage over other types of modulators.

Известно устройство модуляции [RU 2260901, C1, Н03С 3/38, 20.09.2005], содержащее первый и второй балансные модуляторы, фазовращатель, генератор вторичных модулирующих сигналов и сумматор, причем, генератор вторичных модулирующих сигналов выполнен с возможностью формирования из модулирующего сигнала UM(t)=UOM(t)ηРМ(t), соответствующего заданному закону фазовой модуляции вида φоηРМ(t), где фo - индекс модуляции, вторичных косинусного и синусного модулирующих сигналов вида UM (cos)(t)=cos(φоηРМ(t)) и UM (sin)(t)=sinφоηРМ(t)), пропорциональных, соответственно, косинусу и синусу модулирующего сигнала, вход фазовращателя и первый вход первого балансного модулятора соединены с входом модулируемого сигнала устройства, первый вход второго балансного модулятора подключен к выходу фазовращателя, выходы косинусного и синусного модулирующих сигналов генератора вторичных модулирующих сигналов соединены соответственно со вторыми входами первого и второго балансных модуляторов, выходы которых подключены ко входам сумматора, выход которого является выходом.Known modulation device [RU 2260901, C1, H03C 3/38, 20.09.2005], containing the first and second balanced modulators, a phase shifter, a secondary baseband generator and an adder, and the secondary baseband generator is configured to generate from the baseband signal U M (t) = U OM (t) η РМ (t) corresponding to a given law of phase modulation of the form φ о η РМ (t), where ф o is the modulation index of secondary cosine and sine modulating signals of the form U M (cos) (t ) = cos (φ о η РМ (t)) and U M (sin) (t) = sinφ о η РМ (t)), proportional, respectively, to the cosine and sine of the modulating signal, the input of the phase shifter and the first input of the first balanced modulator are connected with the input of the modulated signal of the device, the first input of the second balanced modulator is connected to the output of the phase shifter, the outputs of the cosine and sine modulating signals of the secondary baseband generator are connected, respectively, to the second inputs of the first and second balanced modulators, the outputs of which are connected to the inputs of the adder, the output of which is the output.

Недостатком устройства является его относительно высокая сложность.The disadvantage of this device is its relatively high complexity.

Известен также бортовой модулятор [RU 2260901, С2, Н04В 10/00, 20.11.2015], включающий в себя основной буфер и резервный буфер, первые входы-выходы которых являются соответственно первым и вторым входами-выходами устройства, а вторые входы-выходы соединены соответственно с первым и вторым входами-выходами программируемой логической интегральной схемы (ПЛИС), третий, четвертый и пятый входы-выходы которой соединены соответственно с входами-выходами постоянно запоминающего устройства (ПЗУ), синтезатора частот и датчика температуры, первый, второй и третий выходы ПЛИС соединены соответственно с первыми входами первого и второго цифроаналоговых преобразователей (ЦАП) и входом третьего ЦАП, вторые входы первого и второго ЦАП соединены соответственно с первым и вторым выходами синтезатора частот, третий выход которого соединен с входом ПЛИС, а вход является первым входом устройства, выходы первого и второго ЦАП соединены соответственно с первым и вторым входами квадратурного модулятора, третий вход которого соединен с выходом первого вентиля, вход которого является вторым входом устройства, выход квадратурного модулятора соединен с первым входом аттенюатора, второй вход которого соединен с выходом третьего ЦАП, а выход соединен с входом усилителя, выход которого соединен с входом второго вентиля, выход которого является выходом устройства, первый вход устройства предназначен для приема опорной частоты, второй вход устройства предназначен для приема промежуточной частоты, при этом, ПЛИС выполнена с возможностью обработки и кодирования информации, цифровой фильтрации, формирования цифровых выходных значений орт I и Q, управления работой синтезатора частоты, управления работой цифроаналоговых преобразователей, управления работой температурного датчика, управления режимом работы всего устройства.There is also known an on-board modulator [RU 2260901, C2, H04B 10/00, 20.11.2015], which includes a main buffer and a backup buffer, the first inputs-outputs of which are respectively the first and second inputs-outputs of the device, and the second inputs-outputs are connected respectively, with the first and second inputs-outputs of a programmable logic integrated circuit (FPGA), the third, fourth and fifth inputs-outputs of which are connected respectively to the inputs-outputs of a read-only memory (ROM), a frequency synthesizer and a temperature sensor, the first, second and third outputs FPGAs are connected respectively to the first inputs of the first and second digital-to-analog converters (DAC) and the input of the third DAC, the second inputs of the first and second DACs are connected respectively to the first and second outputs of the frequency synthesizer, the third output of which is connected to the FPGA input, and the input is the first input of the device, the outputs of the first and second DACs are connected, respectively, to the first and second inputs of the quadrature modulator, tert whose input is connected to the output of the first gate, the input of which is the second input of the device, the output of the quadrature modulator is connected to the first input of the attenuator, the second input of which is connected to the output of the third DAC, and the output is connected to the input of the amplifier, the output of which is connected to the input of the second gate, the output which is the output of the device, the first input of the device is designed to receive the reference frequency, the second input of the device is designed to receive an intermediate frequency, while the FPGA is configured to process and encode information, digital filtering, generate digital output values ort I and Q, control the operation of the synthesizer frequency, control of the operation of digital-to-analog converters, control of the temperature sensor, control of the operating mode of the entire device.

Недостатком этого технического решения является его относительно высокая сложность и относительно узкие функциональные возможности, что ограничивает область его применения и не позволяет его надежно использовать в качестве модулятора обратного рассеяния.The disadvantage of this technical solution is its relatively high complexity and relatively narrow functionality, which limits the scope of its application and does not allow it to be reliably used as a backscatter modulator.

Наиболее близким по технической сущности к предложенному является модулятор обратного рассеяния [RU 199453, U1, Н04В 10/00, Н04В 1/04, Н04В 5/00, 02.09.2020], содержащий формирователь управляющих напряжений, первый и второй входы которого являются логическими входами модулятора обратного рассеяния, варикап, управляющий вход которого соединен с первым выходом формирователя управляющих напряжений, и управляемый напряжением резистор, управляющий вход которого соединен со вторым выходом формирователя управляющих напряжений, первая клемма соединена с выходной клеммой варикапа и является первой выходной клеммой модулятора обратного рассеяния, а вторая клемма является второй выходной клеммой модулятора обратного рассеяния, при этом первая и вторая выходные клеммы модулятора обратного рассеяния выполнены с возможностью подключения к терминалу антенны, а формирователь управляющих напряжений обеспечивает значение емкости варикапа и значение сопротивления управляемого напряжением резистора, соответствующих положению коэффициентов отражения на диаграмме Вольперта-Смита, как точки сигнального созвездия для формируемого закона модуляции.The closest in technical essence to the proposed one is a backscatter modulator [RU 199453, U1, Н04В 10/00, Н04В 1/04, Н04В 5/00, 02.09.2020], containing a control voltage generator, the first and second inputs of which are logical inputs a backscatter modulator, a varicap, the control input of which is connected to the first output of the control voltage generator, and a voltage controlled resistor, the control input of which is connected to the second output of the control voltage generator, the first terminal is connected to the output terminal of the varicap and is the first output terminal of the backscatter modulator, and the second terminal is the second output terminal of the backscatter modulator, while the first and second output terminals of the backscatter modulator are made to be connected to the antenna terminal, and the control voltage driver provides the value of the varicap capacitance and the value of the resistance of the voltage controlled resistor, respectively corresponding to the position of the reflection coefficients on the Smith-Smith diagram, as points of the signal constellation for the formed modulation law.

Недостатком наиболее близкого технического решения является сравнительно большая площадь, занимаемая модулятором на кристалле при изготовлении в интегральном исполнении, вызванная используемыми элементами, на которых построен модулятор.The disadvantage of the closest technical solution is the relatively large area occupied by the modulator on a chip when manufactured in an integrated design, caused by the elements used on which the modulator is built.

Задачей, которая решается в полезной модели, является создание модулятора обратного рассеяния, обеспечивающего уменьшение площади, занимаемой модулятором на кристалле, что одновременно вызывает улучшение таких причинно-связанных с этим характеристик, как более высокую устойчивость к отклонениям параметров элементов, входящих в его состав, что обусловлено влиянием технологического процесса, также расширение на этой основе арсенала технических средств, которые могут быть использованы в качестве модуляторов обратного рассеяния.The task, which is solved in the utility model, is the creation of a backscatter modulator, which provides a decrease in the area occupied by the modulator on the chip, which simultaneously leads to an improvement in such causally related characteristics as a higher resistance to deviations of the parameters of the elements included in its composition, which due to the influence of the technological process, also the expansion on this basis of the arsenal of technical means that can be used as backscatter modulators.

Требуемый технический результат заключается в снижении площади, занимаемой модулятором при его выполнении на кристалле при одновременном расширении арсенала технических средств, которые могут быть использованы в качестве модулятора обратного рассеяния.The required technical result consists in reducing the area occupied by the modulator when it is performed on a chip while expanding the arsenal of technical means that can be used as a backscatter modulator.

Поставленная задача решается, а требуемый технический результат достигается тем, что, в модулятор сигнала обратного рассеяния, содержащий первую и вторую входные клеммы и первую и вторую выходные клеммы, а также первый резистор, согласно полезной модели, введены резисторы со второго по четвертый, транзисторы с первого по восьмой, первая и вторая емкости, а также источник постоянного напряжения, при этом, первая входная клемма соединена с первыми клеммами первого и второго транзисторов, вторая входная клемма соединена с первыми клеммами третьего и четвертого транзисторов и с первыми клеммами второго и третьего резисторов, первая выходная клемма соединена с первыми клеммами пятого и шестого транзисторов, вторая выходная клемма соединена с первыми клеммами седьмого и восьмого транзисторов, с первой клеммой источника постоянного напряжения, а также с первыми клеммами первой и второй емкости и со вторыми клеммами первого и второго транзисторов, вторая клемма первой емкости соединена с третьей клеммой первого транзистора, со вторыми клеммами пятого и седьмого транзисторов, вторая клемма второй емкости соединена с третьей клеммой второго транзистора и со второй клеммами шестого и восьмого транзисторов, вторая клемма второго резистора соединена с третьей клеммой шестого транзистора, первая клемма первого резистора соединена с третьей клеммой пятого транзистора, а вторая клемма соединена со второй клеммами третьего и четвертого транзисторов и с первой клеммой четвертого резистора, вторая клемма которого соединена с третьей клеммой восьмого транзистора, первая клемма источника постоянного напряжения соединена с третьей клеммой четвертого транзистора, вторая клемма источника постоянного напряжения соединена с третьей клеммой третьего транзистора.The problem is solved, and the required technical result is achieved by the fact that, in the backscatter signal modulator containing the first and second input terminals and the first and second output terminals, as well as the first resistor, according to the utility model, resistors from the second to the fourth are introduced, transistors with first to eighth, first and second capacities, as well as a constant voltage source, while the first input terminal is connected to the first terminals of the first and second transistors, the second input terminal is connected to the first terminals of the third and fourth transistors and to the first terminals of the second and third resistors, the first output terminal is connected to the first terminals of the fifth and sixth transistors, the second output terminal is connected to the first terminals of the seventh and eighth transistors, to the first terminal of the constant voltage source, as well as to the first terminals of the first and second capacitance and to the second terminals of the first and second transistors, the second the terminal of the first tank is connected to the third her terminal of the first transistor, with the second terminals of the fifth and seventh transistors, the second terminal of the second capacitance is connected to the third terminal of the second transistor and to the second terminals of the sixth and eighth transistors, the second terminal of the second resistor is connected to the third terminal of the sixth transistor, the first terminal of the first resistor is connected to the third terminal of the fifth transistor, and the second terminal is connected to the second terminals of the third and fourth transistors and to the first terminal of the fourth resistor, the second terminal of which is connected to the third terminal of the eighth transistor, the first terminal of the constant voltage source is connected to the third terminal of the fourth transistor, the second terminal of the constant voltage source is connected with the third terminal of the third transistor.

На чертеже представлена электрическая структурная схема модулятора сигналов обратного рассеяния;The drawing shows an electrical block diagram of a backscatter signal modulator;

Модулятор сигналов обратного рассеяния содержит первую 1 и вторую 2 входные клеммы и первую 3 и вторую 4 выходные клеммы, а также первый резистор 5.The backscatter modulator contains the first 1 and second 2 input terminals and the first 3 and second 4 output terminals, as well as the first resistor 5.

Кроме того, модулятор сигналов обратного рассеяния содержит второй 6, третий 7 и четвертый 8 резисторы, а также первый 9, второй 10, третий 11, четвертый 12, пятый 13, шестой 14, седьмой 15 и восьмой 16 транзисторы.In addition, the backscatter signal modulator contains the second 6, third 7 and fourth 8 resistors, as well as the first 9, second 10, third 11, fourth 12, fifth 13, sixth 14, seventh 15 and eighth 16 transistors.

Дополнительно к отмеченному модулятор содержит первую 17 и вторую 18 емкости, а также источник постоянного напряжения 19.In addition to the noted, the modulator contains the first 17 and second 18 capacities, as well as a constant voltage source 19.

В модуляторе сигналов обратного рассеяния первая входная клемма 1 соединена с первыми клеммами первого 9 и второго 10 транзисторов, вторая входная клемма 2 соединена с первыми клеммами третьего 11 и четвертого 12 транзисторов и с первыми клеммами второго 6 и третьего 7 резисторов, первая выходная клемма 3 соединена с первыми клеммами пятого 13 и шестого 14 транзисторов, вторая выходная клемма 4 соединена с первыми клеммами седьмого 15 и восьмого 16 транзисторов, с первой клеммой источника 19 постоянного напряжения, а также с первыми клеммами первой 17 и второй 18 емкости и со вторыми клеммами первого 9 и второго 10 транзисторов.In the backscatter signal modulator, the first input terminal 1 is connected to the first terminals of the first 9 and second 10 transistors, the second input terminal 2 is connected to the first terminals of the third 11 and fourth 12 transistors and to the first terminals of the second 6 and third 7 resistors, the first output terminal 3 is connected with the first terminals of the fifth 13 and sixth 14 transistors, the second output terminal 4 is connected to the first terminals of the seventh 15 and eighth 16 transistors, with the first terminal of the DC voltage source 19, as well as with the first terminals of the first 17 and second 18 capacities and with the second terminals of the first 9 and the second 10 transistors.

Кроме того, вторая клемма первой емкости 17 соединена с третьей клеммой первого транзистора 9, со вторыми клеммами пятого 13 и седьмого 15 транзисторов, вторая клемма второй емкости 18 соединена с третьей клеммой второго транзистора 10 и со второй клеммами шестого 14 и восьмого 16 транзисторов, вторая клемма второго резистора 6 соединена с третьей клеммой шестого 14 транзистора, первая клемма первого резистора 6 соединена с третьей клеммой пятого 13 транзистора, а вторая клемма соединена со второй клеммами третьего 11 и четвертого 12 транзисторов и с первой клеммой четвертого резистора 8, вторая клемма которого соединена с третьей клеммой восьмого транзистора 16, первая клемма источника 19 соединена с третьей клеммой четвертого транзистора 12, вторая клемма источника 19 постоянного напряжения соединена с третьей клеммой третьего транзистора 11.In addition, the second terminal of the first capacitance 17 is connected to the third terminal of the first transistor 9, to the second terminals of the fifth 13 and seventh 15 transistors, the second terminal of the second capacitance 18 is connected to the third terminal of the second transistor 10 and to the second terminals of the sixth 14 and eighth 16 transistors, the second the terminal of the second resistor 6 is connected to the third terminal of the sixth 14 of the transistor, the first terminal of the first resistor 6 is connected to the third terminal of the fifth 13 of the transistor, and the second terminal is connected to the second terminals of the third 11 and fourth 12 transistors and to the first terminal of the fourth resistor 8, the second terminal of which is connected with the third terminal of the eighth transistor 16, the first terminal of the source 19 is connected to the third terminal of the fourth transistor 12, the second terminal of the DC voltage source 19 is connected to the third terminal of the third transistor 11.

Работа модулятор обратного рассеяния определяется следующим образом.The operation of the backscatter modulator is defined as follows.

Модулятор управляется информационными сигналами, которые поступают на первый 1 и второй 2 входные клеммы и которые определяют передаваемый символ.The modulator is controlled by information signals that go to the first 1 and second 2 input terminals and which determine the transmitted symbol.

Пятый 13, шестой 14, седьмой 15 и восьмой 16 транзисторы совместно с первым 5, вторым 6, третьим 7 и четвертым 8 резисторами образуют переключатель, который при помощи логического сигнала, поступающего на вторую входную клемму, коммутирует выходную клемму 3 с нагрузкой, которая определена параллельным включением первой 17 емкостью и первым 9 транзистором, а также аналогичным включением второй 18 емкостью и вторым 10 транзистором.The fifth 13, sixth 14, seventh 15 and eighth 16 transistors together with the first 5, second 6, third 7 and fourth 8 resistors form a switch that, using a logic signal supplied to the second input terminal, switches the output terminal 3 with the load, which is determined parallel connection of the first 17 capacitance and the first 9 transistor, as well as a similar connection with the second 18 capacitance and the second 10 transistor.

Третий 11 и четвертый 12 транзисторы образуют инвертор, формирующий напряжение, обратное логическому сигналу, поступающему на вторую входную клемму. Питание инвертора осуществляется за счет VПИТ=2 В, формируемого источником 19 постоянного напряжения. Логический сигнал, поступающий на вторую входную клемму, и сигнал, формируемый на выходе инвертора, управляют работой переключателя, образованного пятым 13, шестым 14, седьмым 15 и восьмым 16 транзисторами совместно с первым 5, вторым 6, третьим 7 и четвертым 8 резисторами.The third 11 and fourth 12 transistors form an inverter that generates a voltage inverse to the logic signal supplied to the second input terminal. The inverter is powered by V PIT = 2 V, generated by a constant voltage source 19. The logic signal supplied to the second input terminal and the signal generated at the output of the inverter control the operation of the switch formed by the fifth 13, sixth 14, seventh 15 and eighth 16 transistors together with the first 5, second 6, third 7 and fourth 8 resistors.

Сигнал, поступающий с первой 1 входной клеммы, переключает режимы работы первого 9 и второго 18 транзисторов, формируя совместно с первой 17 емкостью и второй 18 емкостью нужные значения коэффициента отражения, который определяет положение точек сигнального созвездия модулированного сигнала.The signal coming from the first 1 input terminal switches the modes of operation of the first 9 and second 18 transistors, forming together with the first 17 capacitance and the second 18 capacitance the desired values of the reflection coefficient, which determines the position of the points of the signal constellation of the modulated signal.

Экспериментальный образец разработанного модулятора обеспечивает скорость передачи данных до 4 Мб/с. При этом мощность, потребляемая модулятором, меньше аналогов. Схема данного модулятора может быть использована для формирования сигналов обратного рассеяния в различных частотных диапазонах. Помимо этого, данный модулятор может использоваться в составе модуляторов таких сигналов как АМн-2, ФМн-2, КАМ-8, КАМ-16, КАМ-32 и КАМ-64.An experimental sample of the developed modulator provides a data transfer rate of up to 4 Mb / s. At the same time, the power consumed by the modulator is less than analogs. The circuit of this modulator can be used to generate backscattered signals in different frequency ranges. In addition, this modulator can be used as part of modulators of such signals as AMn-2, PSK-2, KAM-8, KAM-16, KAM-32 and KAM-64.

Таким образом, в предложенной полезной модели достигается требуемый технический результат, который заключается в снижении площади, занимаемой модулятором при его выполнении на кристалле, т.к. для его реализации используется меньшее количество элементов, чем у ближайших аналогов, при этом предлаетея реализовать его на элементах, технологически выполняемых существенно меньших по размерам, чем элементы в ближайших аналогах.Thus, in the proposed utility model, the required technical result is achieved, which consists in reducing the area occupied by the modulator when it is executed on the chip, since for its implementation, a smaller number of elements is used than for the closest analogs, while it is proposed to implement it on elements that are technologically performed significantly smaller in size than the elements in the closest analogs.

Одновременно достигается расширение арсенала технических средств, которые могут быть использованы в качестве модулятора обратного рассеяния, повышается устойчивость к отклонениям параметров элементов, входящих в его состав, которые обусловлены влиянием технологического процесса, повышение точности модуляции, снижении уровня потребляемой мощности, что подтверждено экспериментальными исследованиями.At the same time, the expansion of the arsenal of technical means that can be used as a backscatter modulator is achieved, the resistance to deviations in the parameters of the elements that make up its composition, which are caused by the influence of the technological process, is increased, the accuracy of modulation is increased, and the level of power consumption is reduced, which is confirmed by experimental studies.

Claims (1)

Модулятор сигналов обратного рассеяния, содержащий первую и вторую входные клеммы и первую и вторую выходные клеммы, а также первый резистор, отличающийся тем, что введены резисторы со второго по четвертый, транзисторы - с первого по восьмой, а также первая и вторая емкости и источник постоянного напряжения, при этом первая входная клемма соединена с первыми клеммами первого и второго транзисторов, вторая входная клемма соединена с первыми клеммами третьего и четвертого транзисторов и с первыми клеммами второго и третьего резисторов, первая выходная клемма соединена с первыми клеммами пятого и шестого транзисторов, вторая выходная клемма соединена с первыми клеммами седьмого и восьмого транзисторов, с первой клеммой источника постоянного напряжения, а также с первыми клеммами первой и второй емкости и со вторыми клеммами первого и второго транзисторов, вторая клемма первой емкости соединена с третьей клеммой первого транзистора, со вторыми клеммами пятого и седьмого транзисторов, вторая клемма второй емкости соединена с третьей клеммой второго транзистора и со второй клеммами шестого и восьмого транзисторов, вторая клемма второго резистора соединена с третьей клеммой шестого транзистора, первая клемма первого резистора соединена с третьей клеммой пятого транзистора, а вторая клемма соединена со второй клеммами третьего и четвертого транзисторов и с первой клеммой четвертого резистора, вторая клемма которого соединена с третьей клеммой восьмого транзистора, первая клемма источника постоянного напряжения соединена с третьей клеммой четвертого транзистора, вторая клемма источника постоянного напряжения соединена с третьей клеммой третьего транзистора.A backscatter signal modulator containing the first and second input terminals and the first and second output terminals, as well as the first resistor, characterized in that the second to fourth resistors are introduced, the first to the eighth transistors, as well as the first and second capacitances and a constant source voltage, while the first input terminal is connected to the first terminals of the first and second transistors, the second input terminal is connected to the first terminals of the third and fourth transistors and to the first terminals of the second and third resistors, the first output terminal is connected to the first terminals of the fifth and sixth transistors, the second output the terminal is connected to the first terminals of the seventh and eighth transistors, to the first terminal of the constant voltage source, as well as to the first terminals of the first and second capacitance and to the second terminals of the first and second transistors, the second terminal of the first capacitance is connected to the third terminal of the first transistor, to the second terminals of the fifth and seventh transistors, second i the terminal of the second capacitance is connected to the third terminal of the second transistor and to the second terminals of the sixth and eighth transistors, the second terminal of the second resistor is connected to the third terminal of the sixth transistor, the first terminal of the first resistor is connected to the third terminal of the fifth transistor, and the second terminal is connected to the second terminals of the third and of the fourth transistors and with the first terminal of the fourth resistor, the second terminal of which is connected to the third terminal of the eighth transistor, the first terminal of the constant voltage source is connected to the third terminal of the fourth transistor, the second terminal of the constant voltage source is connected to the third terminal of the third transistor.
RU2021102688U 2021-02-05 2021-02-05 Backscatter modulator RU206452U1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2021102688U RU206452U1 (en) 2021-02-05 2021-02-05 Backscatter modulator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2021102688U RU206452U1 (en) 2021-02-05 2021-02-05 Backscatter modulator

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU206452U1 true RU206452U1 (en) 2021-09-13

Family

ID=77746116

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2021102688U RU206452U1 (en) 2021-02-05 2021-02-05 Backscatter modulator

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU206452U1 (en)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0318444A1 (en) * 1987-11-27 1989-05-31 Telefonaktiebolaget L M Ericsson An arrangement for compensating errors in a quadrature modulator
EP0419680A1 (en) * 1989-04-07 1991-04-03 SHARP Corporation Frequency modulator
US5521559A (en) * 1994-07-11 1996-05-28 Nec Corporation Signal oscillator, FM modulation circuit using the same, and FM modulation method
RU2260901C1 (en) * 2003-12-15 2005-09-20 Кошуринов Евгений Иванович Method and device for angle modulation of signal
RU199453U1 (en) * 2020-02-19 2020-09-02 Олег Владимирович Смирнов Backscatter modulator

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0318444A1 (en) * 1987-11-27 1989-05-31 Telefonaktiebolaget L M Ericsson An arrangement for compensating errors in a quadrature modulator
EP0419680A1 (en) * 1989-04-07 1991-04-03 SHARP Corporation Frequency modulator
US5521559A (en) * 1994-07-11 1996-05-28 Nec Corporation Signal oscillator, FM modulation circuit using the same, and FM modulation method
RU2260901C1 (en) * 2003-12-15 2005-09-20 Кошуринов Евгений Иванович Method and device for angle modulation of signal
RU199453U1 (en) * 2020-02-19 2020-09-02 Олег Владимирович Смирнов Backscatter modulator

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20220255566A1 (en) Transmitters with dynamic ranges extending beyond supply rails
RU206452U1 (en) Backscatter modulator
FI90165C (en) I / Q modulator and demodulator
US8781026B2 (en) Digital quadrature transmitter using generalized coordinates
US5387883A (en) Quadrature modulator having controlled phase shifter
RU199453U1 (en) Backscatter modulator
KR960005051B1 (en) Quadrature modulation circuit
KR900008158B1 (en) S.s.b. modulator
US5153536A (en) Suppressed carrier modulator formed from two partial modulators each including a phase delay path
EP1685721A2 (en) Method and device for digital-to-rf conversion
US4973923A (en) Circuit arrangement for the generation of I,Q waveforms
US4021758A (en) Direct modulation 4 phase PSK modulator
US5214397A (en) Modulator using low-pass filter as delay element
US3798573A (en) Phase modulator using a frequency mixing process
US3153206A (en) Phase modulator
US3996587A (en) Semipassive responder utilizing a low voltage, low power drain reflective varactor phase modulator
US3573660A (en) Broadband, reflection-type single sideband modulators
US2988710A (en) Digital frequency generator
CN206559318U (en) Signal modulation circuit and data encryption device
SU771783A1 (en) Phase modulator
Şestacova et al. Transmitter for small-size aircraft based on direct digital carrier modulation
JP6731396B2 (en) Signal modulator
JPS61193543A (en) Multi-value orthogonal amplitude modulation circuit
RU2012150C1 (en) Frequency modulator
KR950005163B1 (en) Frequency modulator