RU206428U1 - Temperature stabilization device for power amplifier on field-effect transistors - Google Patents

Temperature stabilization device for power amplifier on field-effect transistors Download PDF

Info

Publication number
RU206428U1
RU206428U1 RU2021110982U RU2021110982U RU206428U1 RU 206428 U1 RU206428 U1 RU 206428U1 RU 2021110982 U RU2021110982 U RU 2021110982U RU 2021110982 U RU2021110982 U RU 2021110982U RU 206428 U1 RU206428 U1 RU 206428U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
output
operational amplifier
inverting input
resistor
temperature
Prior art date
Application number
RU2021110982U
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Владимир Тимофеевич Аралов
Алексей Андреевич Житенев
Original Assignee
Акционерное общество "Концерн "Созвездие"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Акционерное общество "Концерн "Созвездие" filed Critical Акционерное общество "Концерн "Созвездие"
Priority to RU2021110982U priority Critical patent/RU206428U1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU206428U1 publication Critical patent/RU206428U1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/27—Testing of devices without physical removal from the circuit of which they form part, e.g. compensating for effects surrounding elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

Полезная модель относится к радиотехнике и может быть использована в радиосвязи, в частности, в линейных усилителях мощности радиопередатчиков, выполненных на мощных высокочастотных полевых транзисторах. Технический результат - повышение устойчивости предлагаемого устройства температурной стабилизации, устранение генеративного процесса при его импульсном включении и выключении. Для достижения технического результата обеспечена дополнительная цепь внутриполосной отрицательной обратной связи, образованная в операционном усилителе (4), что позволяет устранить неустойчивость устройства температурной стабилизации при его импульсном включении и выключении. 4 ил.The utility model relates to radio engineering and can be used in radio communication, in particular, in linear power amplifiers of radio transmitters, made on high-power high-frequency field-effect transistors. The technical result is an increase in the stability of the proposed device for temperature stabilization, elimination of the generative process when it is pulsed on and off. To achieve the technical result, an additional in-band negative feedback circuit is provided, formed in the operational amplifier (4), which makes it possible to eliminate the instability of the temperature stabilization device when it is pulsed on and off. 4 ill.

Description

Полезная модель относится к радиотехнике и может быть использована в радиосвязи, в частности, в линейных усилителях мощности радиопередатчиков, выполненных на мощных высокочастотных полевых транзисторах.The utility model relates to radio engineering and can be used in radio communication, in particular, in linear power amplifiers of radio transmitters, made on high-power high-frequency field-effect transistors.

Для повышения энергетической эффективности радиопередатчиков транзисторы в мощных усилительных каскадах работают в режимах с отсечкой тока. При этом линейные усилители мощности работают в режиме класса АВ с оптимальным начальным током, который должен поддерживаться при изменении температуры транзистора при его саморазогреве и изменении температуры окружающей среды с точностью не хуже ±5%, особенно если речь идет об усилителях мощности базовых станций аппаратуры беспроводной связи [Intersil Corporation. Application Note AN1385.0 «LDMOS Transistor Bias Control in Basestation RF Power Amplifiers Using Intersil’s ISL21400». February 27, 2007.].To increase the energy efficiency of radio transmitters, transistors in powerful amplifying stages operate in current cut-off modes. In this case, linear power amplifiers operate in a class AB mode with an optimal initial current, which must be maintained when the temperature of the transistor changes during self-heating and changes in the ambient temperature with an accuracy of no worse than ± 5%, especially when it comes to power amplifiers of base stations of wireless communication equipment [Intersil Corporation. Application Note AN1385.0 "LDMOS Transistor Bias Control in Basestation RF Power Amplifiers Using Intersil's ISL21400". February 27, 2007.].

Такие усилители выполняются, как правило, на мощных высокочастотных полевых транзисторах, в том числе выполненных по технологии LDMOS. Для стабилизации начального тока LDMOS транзисторов применяются специальные устройства - схемы термостабилизации, создающие напряжение смещения с соответствующим отрицательным температурным коэффициентом [Sirenza Microdevices. Application note AN067 «LDMOS Bias Temperature Compensation», O. Lembeye and J.C. Nanan, «Effect of Temperature on High-Power RF LDMOS Transistors». Applied Microwave & Wireless. 2002, Volume 14, p.36-43.], выполненные на основе температурного сенсора, имеющего тепловой контакт с корпусом стабилизируемого транзистора.Such amplifiers are usually based on high-power high-frequency field-effect transistors, including those made using LDMOS technology. To stabilize the initial current of LDMOS transistors, special devices are used - thermal stabilization circuits that create a bias voltage with a corresponding negative temperature coefficient [Sirenza Microdevices. Application note AN067 "LDMOS Bias Temperature Compensation", O. Lembeye and J.C. Nanan, "Effect of Temperature on High-Power RF LDMOS Transistors." Applied Microwave & Wireless. 2002, Volume 14, p.36-43.], Made on the basis of a temperature sensor having thermal contact with the body of the stabilized transistor.

Известны устройства термостабилизации, в которых датчиком температуры служат полупроводниковый кремниевый диод или кремниевый биполярный транзистор в диодном включении, размещенные в непосредственной близости к стабилизируемому транзистору (AN1643, Motorola, WO108298A1, US6091279). При построении таких датчиков температуры используют свойство р-n перехода, заключающееся в том, что падение напряжения на нем линейно зависит от его температуры. Температурный коэффициент напряжения р-n перехода отрицателен и имеет для кремниевого диода типовое значение -2 мВ/°С.Known thermal stabilization devices, in which a semiconductor silicon diode or a silicon bipolar transistor in a diode connection, located in close proximity to a stabilized transistor, serves as a temperature sensor (AN1643, Motorola, WO108298A1, US6091279). When constructing such temperature sensors, the property of the pn junction is used, which consists in the fact that the voltage drop across it linearly depends on its temperature. The temperature coefficient of the voltage of the pn junction is negative and has a typical value of -2 mV / ° C for a silicon diode.

Недостатком таких устройств является трудность согласования температурных характеристик упомянутых датчиков температуры и стабилизируемых транзисторов [T. Millward, «Biasing LDMOS FET devices in RF power amplifiers», ELEKTRON JOURNAL- SOUTH AFRICAN INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERS, 2005, VOL 22; NUMB 11, pages 26-29 Fig. 4b; С.Blair «Biasing LDMOS FETs for Linear Operation». APPLIED&WIRELESS. Vol.12, №1, January 2000. Fig. 3; US6215358, Fig. 3].The disadvantage of such devices is the difficulty of matching the temperature characteristics of the mentioned temperature sensors and stabilized transistors [T. Millward, “Biasing LDMOS FET devices in RF power amplifiers,” ELEKTRON JOURNAL-SOUTH AFRICAN INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERS, 2005, VOL 22; NUMB 11, pages 26-29 Fig. 4b; C. Blair "Biasing LDMOS FETs for Linear Operation". APPLIED & WIRELESS. Vol. 12, No. 1, January 2000. Fig. 3; US6215358, Fig. 3].

Наиболее близким аналогом по технической сущности к предлагаемому является устройство температурной стабилизации, представленное в патенте US 6215358 H03F 3/04, принятое за прототип.The closest analogue in technical essence to the proposed device is a temperature stabilization device, presented in US patent 6215358 H03F 3/04, taken as a prototype.

Схема устройства-прототипа представлена на фиг. 1, где обозначено:A diagram of the prototype device is shown in FIG. 1, where it is indicated:

1 - источник опорного напряжения;1 - reference voltage source;

2 - температурный сенсор;2 - temperature sensor;

3 - буферный усилитель;3 - buffer amplifier;

4 - операционный усилитель;4 - operational amplifier;

R1 - R3 - первый - третий резисторы;R1 - R3 - first - third resistors;

R4 - переменный резистор.R4 is a variable resistor.

Устройство-прототип содержит источник опорного напряжения 1 и температурный сенсор 2, выход которого подключен к входу буферного усилителя 3, выполненного на основе операционного усилителя. Выход источника опорного напряжения 1 подключен к неинвертирующему входу операционного усилителя с отрицательной обратной связью 4. Выход буферного усилителя 3 соединен с его инвертирующим входом и через последовательно соединенные первый R1 и второй R2 резисторы - с выходом операционного усилителя 4, инвертирующий вход которого подключен к точке соединения первого R1 и второго R2 резисторов. Кроме того, выход операционного усилителя 4 подключен к регулируемому делителю напряжения, состоящему из постоянного резистора R3 (верхнее плечо) и переменного резистора R4 (нижнее плечо), вывод которого соединен с общим проводом. Средняя точка регулируемого делителя является выходом устройства температурной стабилизации.The prototype device contains a reference voltage source 1 and a temperature sensor 2, the output of which is connected to the input of a buffer amplifier 3, made on the basis of an operational amplifier. The output of the reference voltage source 1 is connected to the non-inverting input of the operational amplifier with negative feedback 4. The output of the buffer amplifier 3 is connected to its inverting input and through the series-connected first R1 and second R2 resistors - to the output of the operational amplifier 4, the inverting input of which is connected to the junction point the first R1 and the second R2 resistors. In addition, the output of the operational amplifier 4 is connected to an adjustable voltage divider consisting of a constant resistor R3 (upper arm) and a variable resistor R4 (lower arm), the output of which is connected to a common wire. The midpoint of the adjustable divider is the output of the temperature stabilization device.

Работает устройство-прототип следующим образом.The prototype device works as follows.

Температурный сенсор 2 устанавливается в непосредственной близости от стабилизируемого полевого транзистора (на фиг. 1 не показан) и генерирует соответствующее температуре этого транзистора напряжение, которое через буферный усилитель 3 и первый резистор R1 подается на инвертирующий вход операционного усилителя 4. На неинвертирующий вход указанного операционного усилителя подается напряжение с выхода источника опорного напряжения 1. С выхода операционного усилителя 4 напряжение через третий резистор R3 регулируемого делителя подается на выход устройства температурной стабилизации. С помощью переменного резистора R4 устанавливается требуемое напряжение смещения стабилизируемого полевого транзистора и температурный коэффициент его изменения.The temperature sensor 2 is installed in close proximity to the stabilized field-effect transistor (not shown in Fig. 1) and generates a voltage corresponding to the temperature of this transistor, which is fed through the buffer amplifier 3 and the first resistor R1 to the inverting input of the operational amplifier 4. To the non-inverting input of the specified operational amplifier voltage is supplied from the output of the reference voltage source 1. From the output of the operational amplifier 4, the voltage through the third resistor R3 of the adjustable divider is supplied to the output of the temperature stabilization device. With the help of a variable resistor R4, the required bias voltage of the stabilized field-effect transistor and the temperature coefficient of its change are set.

Недостатком устройства-прототипа является потеря стабильности работы операционного усилителя и возникновение автоколебательного процесса при емкостной нагрузке устройства температурной стабилизации. Эти явления возникают вследствие отставания фазы выходного сигнала в цепи обратной связи этого усилителя, что может приводить к нестабильности при емкостной нагрузке устройства температурной стабилизации, которой является входная цепь стабилизируемого полевого транзистора. Это может приводить к перегрузке, перерегулированию (звону) и иногда - возбуждению.The disadvantage of the prototype device is the loss of stability of the operational amplifier and the occurrence of a self-oscillating process with a capacitive load of the temperature stabilization device. These phenomena arise due to the phase lag of the output signal in the feedback circuit of this amplifier, which can lead to instability with the capacitive load of the temperature stabilization device, which is the input circuit of the stabilized field-effect transistor. This can lead to overload, overshoot (ringing) and sometimes arousal.

Задача предлагаемого технического решения - повышение устойчивости предлагаемого устройства температурной стабилизации, устранение генеративного процесса при его импульсном включении и выключении.The task of the proposed technical solution is to increase the stability of the proposed temperature stabilization device, to eliminate the generative process when it is pulsed on and off.

Для решения поставленной задачи в устройство температурной стабилизации, содержащее источник опорного напряжения и температурный сенсор, выход которого соединен с неинвертируюшим входом буферного усилителя, выход которого соединен с его инвертирующим входом, а также через первый резистор - с инвертирующим входом операционного усилителя и первым выводом второго резистора, при этом выход источника опорного напряжения подключен к неинвертирующему входу операционного усилителя, выход которого подключен к регулируемому делителю напряжения, состоящему из последовательно соединенных третьего постоянного резистора - верхнее плечо, и переменного резистора - нижнее плечо, точка соединения резисторов делителя является средней точкой регулируемого делителя и выходом устройства температурной стабилизации, согласно полезной модели, веден конденсатор, включенный между инвертирующим входом операционного усилителя и его выходом, кроме того, второй вывод второго резистора соединен с выходом устройства.To solve this problem, a temperature stabilization device containing a reference voltage source and a temperature sensor, the output of which is connected to the non-inverting input of the buffer amplifier, the output of which is connected to its inverting input, and also through the first resistor - to the inverting input of the operational amplifier and the first terminal of the second resistor , while the output of the reference voltage source is connected to the non-inverting input of the operational amplifier, the output of which is connected to an adjustable voltage divider consisting of a third constant resistor connected in series - the upper arm, and a variable resistor - the lower arm, the connection point of the divider resistors is the midpoint of the adjustable divider and The output of the temperature stabilization device, according to the utility model, is a capacitor connected between the inverting input of the operational amplifier and its output, in addition, the second terminal of the second resistor is connected to the output of the device.

На фиг. 2 представлена схема предлагаемого устройства, где обозначено:FIG. 2 shows a diagram of the proposed device, where it is indicated:

1 - источник опорного напряжения;1 - reference voltage source;

2 - температурный сенсор;2 - temperature sensor;

3 - буферный усилитель;3 - buffer amplifier;

4 - операционный усилитель;4 - operational amplifier;

R1 - R3 - первый - третий резисторы;R1 - R3 - first - third resistors;

R4 - переменный резистор;R4 - variable resistor;

С1 - конденсатор.C1 is a capacitor.

Предлагаемое устройство содержит источник опорного напряжения 1, выход которого подключен к неинвертирующему входу операционного усилителя с отрицательной обратной связью 4; температурный сенсор 2, выход которого подключен к входу буферного усилителя 3, выполненного на основе операционного усилителя, включенного по схеме повторителя напряжения. Выход буферного усилителя 3 соединен с его инвертирующим входом и через первый резистор R1 соединен с инвертирующим входом операционного усилителя 4, через конденсатор С1 - с выходом операционного усилителя 4, который подсоединен к регулируемому делителю напряжения, состоящему из последовательно соединенных третьего постоянного резистора R3 и переменного резистора R4, другой вывод которого соединен с общим проводом. При этом точка соединения третьего постоянного резистора R3 и переменного резистора R4 является средней точкой регулируемого делителя и выходом устройства температурной стабилизации. Кроме того, между инверсным входом операционного усилителя 4 и средней точкой регулируемого делителя включен второй резистор R2.The proposed device contains a reference voltage source 1, the output of which is connected to the non-inverting input of the operational amplifier with negative feedback 4; temperature sensor 2, the output of which is connected to the input of the buffer amplifier 3, made on the basis of an operational amplifier connected according to the voltage follower circuit. The output of the buffer amplifier 3 is connected to its inverting input and through the first resistor R1 is connected to the inverting input of the operational amplifier 4, through the capacitor C1 - to the output of the operational amplifier 4, which is connected to an adjustable voltage divider consisting of a series-connected third constant resistor R3 and a variable resistor R4, the other terminal of which is connected to the common wire. In this case, the junction point of the third fixed resistor R3 and the variable resistor R4 is the midpoint of the adjustable divider and the output of the temperature stabilization device. In addition, a second resistor R2 is connected between the inverse input of the operational amplifier 4 and the midpoint of the adjustable divider.

Работает предлагаемое устройство следующим образом.The proposed device works as follows.

Температурный сенсор 2 устанавливается в непосредственной близости от стабилизируемого полевого транзистора (на фиг. 2 не показан) и генерирует соответствующее температуре этого транзистора напряжение, которое через буферный усилитель 3 и первый резистор R1 подается на инвертирующий вход операционного усилителя 4. На неинвертирующий вход указанного операционного усилителя подается напряжение с выхода источника опорного напряжения 1. С выхода операционного усилителя 4 напряжение через третий резистор R3 регулируемого делителя подается на выход устройства температурной стабилизации. С помощью переменного резистора R4 устанавливается требуемое напряжение смещения стабилизируемого полевого транзистора и температурный коэффициент его изменения. Конденсатор С1 создает дополнительную цепь внутриполосной отрицательной обратной связи в операционном усилителе 4, которая образована резисторами R2 и R3, и обеспечивает требуемую для устойчивой работы амплитудно-частотную характеристику операционного усилителя 4.The temperature sensor 2 is installed in close proximity to the stabilized field-effect transistor (not shown in Fig. 2) and generates a voltage corresponding to the temperature of this transistor, which is fed through the buffer amplifier 3 and the first resistor R1 to the inverting input of the operational amplifier 4. To the non-inverting input of the specified operational amplifier voltage is supplied from the output of the reference voltage source 1. From the output of the operational amplifier 4, the voltage through the third resistor R3 of the adjustable divider is supplied to the output of the temperature stabilization device. With the help of a variable resistor R4, the required bias voltage of the stabilized field-effect transistor and the temperature coefficient of its change are set. Capacitor C1 creates an additional in-band negative feedback circuit in the operational amplifier 4, which is formed by resistors R2 and R3, and provides the frequency response of the operational amplifier 4 required for stable operation.

Для подтверждения работоспособности предлагаемого устройства приведены формы выходного напряжения устройства-прототипа (фиг.3), выполненного по схеме, изображенной на фиг. 1, и предлагаемого устройства (фиг.4), выполненного по схеме, представленной на фиг. 2 при импульсной работе источника опорного напряжения.To confirm the operability of the proposed device, the output voltage waveforms of the prototype device (FIG. 3), made according to the scheme shown in FIG. 1, and the proposed device (Fig. 4), made according to the scheme shown in Fig. 2 when the reference voltage source is pulsed.

Представленные результаты показывают, что дополнительная цепь внутриполосной отрицательной обратной связи в операционном усилителе 4 позволяет устранить неустойчивость устройства температурной стабилизации при его импульсном включении и выключении.The presented results show that an additional in-band negative feedback circuit in the operational amplifier 4 makes it possible to eliminate the instability of the temperature stabilization device when it is pulsed on and off.

Таким образом, достигается повышение устойчивости предлагаемого устройства температурной стабилизации, устранение генеративного процесса при его импульсном включении и выключении.Thus, an increase in the stability of the proposed device for temperature stabilization is achieved, the elimination of the generative process when it is pulsed on and off.

Claims (1)

Устройство температурной стабилизации, содержащее источник опорного напряжения и температурный сенсор, выход которого соединен с неинвертируюшим входом буферного усилителя, выход которого соединен с его инвертирующим входом, а также через первый резистор – с инвертирующим входом операционного усилителя и первым выводом второго резистора, при этом выход источника опорного напряжения подключен к неинвертирующему входу операционного усилителя, выход которого подключен к регулируемому делителю напряжения, состоящему из последовательно соединенных третьего постоянного резистора – верхнее плечо, и переменного резистора – нижнее плечо, точка соединения резисторов делителя является средней точкой регулируемого делителя и выходом напряжения смещения стабилизируемого полевого транзистора и температурного коэффициента его изменения, при этом температурный сенсор установлен в непосредственной близости от стабилизируемого полевого транзистора и генерирует соответствующее температуре этого транзистора напряжение, отличающееся тем, что веден конденсатор, включенный между инвертирующим входом операционного усилителя и его выходом, второй вывод второго резистора соединен с выходом устройства.Temperature stabilization device containing a reference voltage source and a temperature sensor, the output of which is connected to the non-inverting input of the buffer amplifier, the output of which is connected to its inverting input, and also through the first resistor - to the inverting input of the operational amplifier and the first terminal of the second resistor, while the source output reference voltage is connected to the non-inverting input of the operational amplifier, the output of which is connected to an adjustable voltage divider, consisting of a third constant resistor connected in series - the upper arm, and a variable resistor - the lower arm, the connection point of the divider resistors is the midpoint of the adjustable divider and the output of the bias voltage of the stabilized field transistor and the temperature coefficient of its change, while the temperature sensor is installed in the immediate vicinity of the stabilized field-effect transistor and generates the corresponding temperature of this transistor pa voltage, characterized in that a capacitor is connected between the inverting input of the operational amplifier and its output, the second terminal of the second resistor is connected to the output of the device.
RU2021110982U 2021-04-19 2021-04-19 Temperature stabilization device for power amplifier on field-effect transistors RU206428U1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2021110982U RU206428U1 (en) 2021-04-19 2021-04-19 Temperature stabilization device for power amplifier on field-effect transistors

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2021110982U RU206428U1 (en) 2021-04-19 2021-04-19 Temperature stabilization device for power amplifier on field-effect transistors

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU206428U1 true RU206428U1 (en) 2021-09-14

Family

ID=77746188

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2021110982U RU206428U1 (en) 2021-04-19 2021-04-19 Temperature stabilization device for power amplifier on field-effect transistors

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU206428U1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU214284U1 (en) * 2022-06-08 2022-10-19 Акционерное общество "Концерн "Созвездие" Temperature stabilization device for a power amplifier based on LDMOS transistors

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU560192A1 (en) * 1973-11-11 1977-05-30 Минский радиотехнический институт The device temperature correction characteristics of field-effect transistors
RU2047261C1 (en) * 1992-11-25 1995-10-27 Михаил Альфредович Альтшулер D c voltage regulator
US6091279A (en) * 1998-04-13 2000-07-18 Lucent Technologies, Inc. Temperature compensation of LDMOS devices
US6215358B1 (en) * 1999-09-16 2001-04-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Temperature compensated bias network for a power amplifier and method of operation
RU133666U1 (en) * 2013-05-31 2013-10-20 Закрытое акционерное общество "Научно-производственная фирма "Микран" ULTRA-HIGH FREQUENCY AMPLIFIER WITH THERMAL COMPENSATION
RU185648U1 (en) * 2018-09-25 2018-12-13 Акционерное общество "Научно-производственный центр "Алмаз-Фазотрон" Amplifier

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU560192A1 (en) * 1973-11-11 1977-05-30 Минский радиотехнический институт The device temperature correction characteristics of field-effect transistors
RU2047261C1 (en) * 1992-11-25 1995-10-27 Михаил Альфредович Альтшулер D c voltage regulator
US6091279A (en) * 1998-04-13 2000-07-18 Lucent Technologies, Inc. Temperature compensation of LDMOS devices
US6215358B1 (en) * 1999-09-16 2001-04-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Temperature compensated bias network for a power amplifier and method of operation
RU133666U1 (en) * 2013-05-31 2013-10-20 Закрытое акционерное общество "Научно-производственная фирма "Микран" ULTRA-HIGH FREQUENCY AMPLIFIER WITH THERMAL COMPENSATION
RU185648U1 (en) * 2018-09-25 2018-12-13 Акционерное общество "Научно-производственный центр "Алмаз-Фазотрон" Amplifier

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU214284U1 (en) * 2022-06-08 2022-10-19 Акционерное общество "Концерн "Созвездие" Temperature stabilization device for a power amplifier based on LDMOS transistors

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6492874B1 (en) Active bias circuit
US8810317B2 (en) High frequency circuit and high frequency module
KR100937308B1 (en) Power control circuit for accurate control of power amplifier output power
US10177724B2 (en) Power amplifier circuit
US6236266B1 (en) Bias circuit and bias supply method for a multistage power amplifier
TW548894B (en) High frequency power amplifying method and wireless communication apparatus
WO2011025598A1 (en) Linearization circuits and methods for power amplification
KR970060674A (en) Low Noise Amplifiers and Monolithic Microwave Integrated Circuits
KR101300324B1 (en) Power amplfier
CN108141184B (en) Linear power amplifier
CN107425815B (en) A kind of power control circuit and power amplification circuit
KR20060097279A (en) Pre-distorter
Liu et al. Design of the class-E power amplifier considering the temperature effect of the transistor on-resistance for sensor applications
TW200412714A (en) Radio frequency power amplifier active self-bias compensation circuit
KR100712430B1 (en) Fet bias circuit
RU206428U1 (en) Temperature stabilization device for power amplifier on field-effect transistors
TWI642272B (en) Split biased radio frequency power amplifier with enhanced linearity
CN116526985B (en) Temperature compensation circuit and radio frequency power amplifier chip
WO2024044049A1 (en) Over temperature protection with soft shutdown for power amplifier
US11652451B2 (en) Power amplifier device
RU214284U1 (en) Temperature stabilization device for a power amplifier based on LDMOS transistors
JP2005020383A (en) High frequency power amplifier circuit and radio communication system
US6809593B1 (en) Power amplifier device and method thereof
RU122205U1 (en) DEVICE FOR TEMPERATURE STABILIZATION OF A LINEAR POWER AMPLIFIER ON FIELD TRANSISTORS
RU128011U1 (en) DEVICE OF TEMPERATURE STABILIZATION OF THE INITIAL CURRENT OF A POWERFUL HIGH FREQUENCY FIELD TRANSISTOR