RU2046840C1 - Apparatus for obtaining thin films by ion-plasma spraying method - Google Patents

Apparatus for obtaining thin films by ion-plasma spraying method Download PDF

Info

Publication number
RU2046840C1
RU2046840C1 SU5066553A RU2046840C1 RU 2046840 C1 RU2046840 C1 RU 2046840C1 SU 5066553 A SU5066553 A SU 5066553A RU 2046840 C1 RU2046840 C1 RU 2046840C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
cathode
anode
substrate holder
target
working
Prior art date
Application number
Other languages
Russian (ru)
Inventor
В.Ф. Бочкарев
А.А. Горячев
В.В. Наумов
Original Assignee
Институт микроэлектроники РАН
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт микроэлектроники РАН filed Critical Институт микроэлектроники РАН
Priority to SU5066553 priority Critical patent/RU2046840C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2046840C1 publication Critical patent/RU2046840C1/en

Links

Images

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

FIELD: production of thin films by ion-plasma spraying. SUBSTANCE: apparatus has housing with working and cathode chambers interconnected through diaphragm with calibrated opening, working gas discharge system, evacuation system, cathode, anode and solenoids positioned in working and cathode chambers in axial alignment with calibrated opening, target holder and rotating substrate holder positioned in parallel with axes of solenoids one opposite the other, with substrate holder being heated by electric heater, low-voltage and high- voltage constant voltage sources connected with anode, cathode, substrate holder and target. Apparatus is further provided with high-frequency voltage sources connected with target holder and substrate holder so that phase shift may occur between them. Diaphragm formed as nozzle is electrically insulated with respect to housing and connected with anode, cathode and earthed through three-position switch. Working gas discharge system is provided with two-stage getter purification system, which may have titanium target magnetron dispersion chamber and cathodic chamber with chambers being connected in series. Cathodic chamber has titanic cathodic screen with opening axially aligned with nozzle. Substrate holder may be water cooled and may be positioned for axial displacement. Anode may be movable along axis. EFFECT: increased efficiency improved quality and increased reproducibility of thin films. 5 cl, 3 dwg

Description

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для получения тонких пленок от аморфного до эпитаксиального состояния с заданными стехиометрическими параметрами. The invention relates to microelectronics and can be used to produce thin films from amorphous to epitaxial state with specified stoichiometric parameters.

Наиболее близкой к изобретению является установка для получения тонких пленок методом ионно-плазменного распыления, содержащая корпус с рабочей и катодной камерами, соединенными диафрагмой с калиброванным отверстием, систему напуска рабочего газа, систему откачки, соосно калиброванному отверстию расположенные накаливаемый катод, анод и соленоиды в рабочей и катодной камерах, параллельно оси которых и напротив друг друга расположены держатель мишени и электроподогреваемый вращающийся подложкодержатель, низковольтные и высоковольтные источники постоянного напряжения, соединенные с анодом, катодом, подложкодержателем и мишенью. Closest to the invention is an apparatus for producing thin films by ion-plasma spraying, comprising a housing with a working and cathode chambers connected by a diaphragm to a calibrated hole, a working gas inlet system, a pumping system, an incandescent cathode, anode and solenoids located in the working and cathode chambers, parallel to the axis of which and opposite each other are located the target holder and the electrically heated rotating substrate holder, low and high voltage nt sources of constant voltage connected to the anode, cathode, substrate holder and target.

Однако при эксплуатации указанной установки наблюдается повышенное загрязнение рабочей атмосферы при использовании технического аргона и за счет распыления материала накаливаемого катода, при этом невозможность раздельного регулирования энергии и потока ионов, бомбардирующих мишень, не позволяет эффективно управлять процессом распыления многокомпонентных мишеней. Кроме того, отсутствие возможности управлять потоком ионов, падающих на подложку, а также миграцией атомов и ионов по подложке не позволяет управлять взаимосвязью между процессами распыления и осаждения и получать пленки в широком диапазоне состояний (аморфного, поликристаллического, эпитаксиального). However, during operation of this installation, increased pollution of the working atmosphere is observed when using technical argon and due to sputtering of a heated cathode material, while the impossibility of separate regulation of the energy and ion flux bombarding the target does not allow efficient control of the sputtering of multicomponent targets. In addition, the inability to control the flow of ions incident on the substrate, as well as the migration of atoms and ions along the substrate, does not allow one to control the relationship between sputtering and deposition processes and to obtain films in a wide range of states (amorphous, polycrystalline, epitaxial).

Все эти недостатки не позволяют получать чистые тонкие пленки с заданной стехиометрией и структурой при высокой однородности по толщине и площади пленки с управляемой ростовой анизотропией. All these disadvantages do not allow to obtain pure thin films with a given stoichiometry and structure with high uniformity in thickness and film area with controlled growth anisotropy.

Целью изобретения является повышение качества и воспроизводимости пленок. The aim of the invention is to improve the quality and reproducibility of films.

Для этого установка для получения тонких пленок методом ионно-плазменного распыления, содержащая корпус с рабочей и катодной камерами, соединенными диафрагмой с калиброванным отверстием, систему напуска рабочего газа, систему откачки, соосно калиброванному отверстию расположенные накаливаемый катод, анод и соленоиды в рабочей и катодной камерах, параллельно оси которых и напротив друг друга расположены держатель мишени и электроподогреваемый вращающийся подложкодержатель, низковольтные и высоковольтные источники постоянного напряжения, соединенные с анодом, катодом, подложкодержателем и мишенью, дополнительно снабжена двумя источниками ВЧ напряжения, соединенными с держателем мишени и подложкодержателем с возможностью сдвига фазы относительно друг друга, диафрагма выполнена в виде сопла, электрически изолированного от корпуса и соединенного либо с анодом, либо с катодом, либо с заземлением через трехпозиционный переключатель, система напуска рабочего газа снабжена системой двухстадийной геттерной очистки. For this, an apparatus for producing thin films by the method of ion-plasma spraying, comprising a housing with a working and cathode chambers connected by a diaphragm to a calibrated hole, a working gas inlet system, a pumping system, an incandescent cathode, anode and solenoids located in the working and cathode chambers coaxially calibrated hole , parallel to the axis of which and opposite each other are the target holder and the electrically heated rotating substrate holder, low-voltage and high-voltage sources of constant voltage The lines connected to the anode, the cathode, the substrate holder and the target are additionally equipped with two RF voltage sources connected to the target holder and the substrate holder with the possibility of phase shift relative to each other, the diaphragm is made in the form of a nozzle electrically isolated from the housing and connected either to the anode or with a cathode, or with grounding through a three-position switch, the working gas inlet system is equipped with a two-stage getter cleaning system.

Система двухстадийной геттерной очистки может быть выполнена в виде последовательно соединенных камеры магнетронного распыления с титановой мишенью и катодной камеры, снабженной титановым катодным экраном с отверстием, соосным титановому соплу. The two-stage getter cleaning system can be implemented as a series-connected magnetron sputtering chamber with a titanium target and a cathode chamber equipped with a titanium cathode screen with an opening coaxial to the titanium nozzle.

Сопло может быть выполнено сменным с разными по форме и размерам калиброванным отверстиями и регулируемым потенциалом. The nozzle can be made interchangeable with calibrated holes of various shapes and sizes and adjustable potential.

Подложкодержатель может быть выполнен водоохлаждаемым и подвижным вдоль оси. The substrate holder can be made water-cooled and movable along the axis.

Анод может быть выполнен подвижным вдоль оси. The anode can be made movable along the axis.

Сравнительный анализ изобретения с известными конструкциями показывает, что предлагаемое решение неизвестно. Благодаря введению новых конструктивно-функциональных элементов и предложенному конструктивному выполнению известных обеспечиваются: следующие преимущества. A comparative analysis of the invention with known designs shows that the proposed solution is unknown. Thanks to the introduction of new structural and functional elements and the proposed structural implementation of the known are provided: the following advantages.

За счет раздельного регулирования ВЧ напряжения на мишени, напряженности магнитного поля соленоида, анодного напряжения и потенциала диафрагмы достигается управление энергией и потоком ионов, бомбардирующих мишень, т.е. управляемости процесса распыления и однородности распыления по всей площади многокомпонентной мишени. By separately controlling the RF voltage on the target, the magnetic field of the solenoid, the anode voltage and the diaphragm potential, the energy and flux of ions bombarding the target are achieved, i.e. controllability of the spraying process and uniformity of spraying over the entire area of the multicomponent target.

За счет регулировки амплитуды и фазы ВЧ напряжения на подложке и термостатирования достигается управляемость процесса осаждения пленки без градиента состава и толщины, управление ростовой анизотропией и плотностью пленки. By adjusting the amplitude and phase of the RF voltage on the substrate and thermostating, controllability of the film deposition process without a gradient in composition and thickness, and control of the growth anisotropy and film density are achieved.

За счет высокой степени очистки рабочего газа в магнетронной камере и устранения попадания распыленного материала катода в рабочую камеру обеспечивается строгая воспроизводимость многокомпонентных тонких пленок. Due to the high degree of purification of the working gas in the magnetron chamber and the elimination of the atomized cathode material entering the working chamber, strict reproducibility of multicomponent thin films is ensured.

За счет подвижности анода вдоль оси достигается определенный тип ростовой анизотропии и управление энергией ионов, бомбардирующих мишень и подложку, обеспечивается устойчивость плазменного шнура. Due to the mobility of the anode along the axis, a certain type of growth anisotropy is achieved and the energy of the ions bombarding the target and substrate is controlled, and the plasma cord is stable.

Выполнение подложкодержателя водоохлаждаемым обеспечивает получение пленок в аморфном состоянии, а его подвижность вдоль своей оси обеспечивает возможность регулировки скорости роста пленки. The implementation of the substrate holder water-cooled provides films in an amorphous state, and its mobility along its axis provides the ability to adjust the film growth rate.

Управление скоростью роста пленки обеспечивается за счет всех перечисленных признаков. The control of the film growth rate is ensured by all of the above features.

Указанные новые свойства обеспечивают получение на предлагаемой установке высококачественных тонких пленок с заданной стехиометрией и структурой от аморфных и поликристаллических до эпитаксиальных пленок химически активных элементов (таких как редкоземельные металлы) и их сплавов с металлами группы железа (d-металлов), а также оксидных соединений, например, высокотемпературных сверхпроводников. These new properties ensure that the proposed installation produces high-quality thin films with a given stoichiometry and structure from amorphous and polycrystalline to epitaxial films of chemically active elements (such as rare-earth metals) and their alloys with metals of the iron group (d-metals), as well as oxide compounds, for example, high-temperature superconductors.

На фиг.1 показана схема предлагаемой установки; на фиг.2-3 графики зависимостей параметров пленок от режимов работы установки. Figure 1 shows a diagram of the proposed installation; figure 2-3 graphs of the dependences of the parameters of the films from the operating modes of the installation.

Установка для получения тонких пленок методом ионно-плазменного распыления состоит из корпуса с рабочей 1 и катодной 2 камерами, соединенными диафрагмой, выполненной в виде сопла 3 с калиброванным отверстием. Сопло 3 электрически изолировано от корпуса с камерами 1 и 2 и соединено с анодом 4, накаливаемым катодом 5 и заземлением 6 через трехпозиционный переключатель 7. Соосно калиброванному отверстию сопла 3 расположены накаливаемый катод 5, анод 4 и соленоиды 8 и 9 соответственно в рабочей камере 1 и в катодной камере 2. Параллельно катодно-анодной оси и напротив друг друга расположены держатель 10 мишени и электроподогреваемый с водяным охлаждением, вращающийся подложкодержатель 11 с установленной на нем подложкой 14. Держатель 10 мишени соединен с источником 12 ВЧ напряжения и источником 13 высоковольтного постоянного напряжения. Подложкодержатель 11 соединен с источником 14 постоянного и источником 12 ВЧ напряжения через фазовращатель 15 с возможностью сдвига фазы относительно ВЧ напряжения на держателе 10 мишени. Система 16 напуска рабочего газа снабжена системой двухстадийной геттерной очистки в виде последовательно соединенных камеры 17 магнетронного распыления с титановой мишенью и катодной камеры 2, снабженной титановым катодным экраном 18 с отверстием, соосным титановому соплу 3. Соленоид 8 в рабочей камере 1 выполнен в виде двух катушек Гельмгольца, между которыми в зоне однородного магнитного поля расположены держатели 10 и 11 мишени и подложки. Сопло 3 может быть сменным, с разными по форме и размерам калиброванными отверстиями. Между держателем 10 мишени и подложками установлена поворотная шторка 19. Installation for producing thin films by ion-plasma spraying consists of a housing with a working 1 and cathode 2 cameras connected by a diaphragm made in the form of a nozzle 3 with a calibrated hole. The nozzle 3 is electrically isolated from the housing with chambers 1 and 2 and connected to the anode 4, a heated cathode 5 and ground 6 through a three-position switch 7. A heated cathode 5, anode 4 and solenoids 8 and 9, respectively, are located in the working chamber 1 coaxially with the nozzle 3 and in the cathode chamber 2. Parallel to the cathode-anode axis and opposite each other are the target holder 10 and electrically heated with water cooling, a rotating substrate holder 11 with a substrate 14 mounted on it. The holder 10 of the target is connected to the source 12 chnikom HF voltage source 13 and the high voltage DC voltage. The substrate holder 11 is connected to a constant source 14 and an RF voltage source 12 through a phase shifter 15 with the possibility of phase shift relative to the RF voltage on the target holder 10. The working gas inlet system 16 is provided with a two-stage getter cleaning system in the form of a magnetron sputtering chamber 17 with a titanium target and a cathode chamber 2 connected in series with a titanium cathode screen 18 with an opening coaxial to the titanium nozzle 3. The solenoid 8 in the working chamber 1 is made in the form of two coils Helmholtz, between which in the zone of a uniform magnetic field there are holders 10 and 11 of the target and the substrate. The nozzle 3 may be replaceable, with calibrated holes of various shapes and sizes. A rotary shutter 19 is mounted between the target holder 10 and the substrates.

Анод 4 может перемещаться вдоль анодно-катодной оси. Подложкодержатель 11 может перемещаться вдоль оси, перпендикулярной первой (на фиг.1 не показана). Anode 4 can move along the anode-cathode axis. The substrate holder 11 can move along an axis perpendicular to the first (not shown in FIG. 1).

Установка работает следующим образом. Installation works as follows.

После загрузки в рабочую камеру 1 мишеней и подложек она откачивается до вакуума 10-6 мм рт.ст. Затем системой 16 напуска рабочего газа через систему двухстадийной геттерной очистки подается аргон до давления 10-3 мм рт.ст. При этом технический аргон поступает в камеру 17 магнетронного распыления с титановой мишенью. При включении магнетрона распыляемый титан абсорбирует газовые примеси технического аргона и осаждается на стенках камеры 17. Далее рабочий газ подается в катодную камеру 2, где аргон ионизируется разогретым катодом 5. После ионизации возникающая плазма разогревает титановый экран 18 и титановое сопло 3, на которых адсорбируются оставшиеся ионы примесей. После включения соленоидов 8 и 9 подается потенциал +300 В на анод 4 и через трехпозиционный переключатель 7 на сопло 3. При этом сопло 3 становится промежуточным анодом, через калиброванное отверстие которого плазма из катодной камеры 2 вытягивается в рабочую камеру 1. После чего переключатель 7 замыкается на заземление 6 и сопло 3 приобретает потенциал корпуса. Для работы в более глубоком вакууме 8 * 10-4 мм рт.ст. (для получения пленок химически активных материалов) переключателем 7 сопло 3 соединяется с катодом. За счет этого достигается более мягкий режим работы, которым за счет подачи на сопло и катод отрицательного напряжения с разницей -10 В создаются условия, при которых сопло 3 со стороны рабочей камеры является катодом, а со стороны катода промежуточным анодом. Этим обеспечивается устойчивое поддержание плазмы в рабочей камере 1.After loading 1 targets and substrates into the working chamber 1, it is pumped out to a vacuum of 10 -6 mm Hg. Then, the system 16 of the inlet of the working gas through the two-stage getter cleaning system is fed argon to a pressure of 10 -3 mm RT.article. In this case, technical argon enters the magnetron sputtering chamber 17 with a titanium target. When the magnetron is turned on, the sprayed titanium absorbs gas impurities of technical argon and is deposited on the walls of the chamber 17. Next, the working gas is supplied to the cathode chamber 2, where argon is ionized by the heated cathode 5. After ionization, the resulting plasma heats the titanium screen 18 and the titanium nozzle 3, on which the remaining impurity ions. After turning on the solenoids 8 and 9, a potential of +300 V is applied to the anode 4 and through the three-position switch 7 to the nozzle 3. In this case, the nozzle 3 becomes an intermediate anode through which the plasma is drawn from the cathode chamber 2 into the working chamber 1. Then switch 7 closes to ground 6 and the nozzle 3 acquires the potential of the housing. For work in a deeper vacuum 8 * 10 -4 mm Hg (to obtain films of chemically active materials) with a switch 7, the nozzle 3 is connected to the cathode. Due to this, a milder mode of operation is achieved, by which, by supplying a negative voltage to the nozzle and cathode with a difference of -10 V, conditions are created under which the nozzle 3 is the cathode on the side of the working chamber and the intermediate anode on the cathode side. This ensures stable maintenance of the plasma in the working chamber 1.

В случае высокоомной мишени (диэлектрики, полупроводники) на держатель мишени подается ВЧ напряжение, а при низкоомной мишени (металлы) постоянное напряжение (3 кВ). При этом за счет равномерного распределения потенциала по поверхности мишени (металл) постоянное напряжение (3 кВ). При этом за счет равномерного распределения потенциала по поверхности мишени происходит равномерное распыление мишени, чем обеспечивается равномерность по толщине растущей пленки и однородность ее состава при многокомпонентных мишенях. Заслонка 19 служит защитным экраном для подложек при очистке мишени. При открывании заслонки 19 осаждение распыляемого материала производится на подложки. In the case of a high-resistance target (dielectrics, semiconductors), the RF voltage is applied to the target holder, and a constant voltage (3 kV) for a low-resistance target (metals). In this case, due to the uniform distribution of potential over the target surface (metal), a constant voltage (3 kV). Moreover, due to the uniform distribution of the potential over the target surface, the target is sputtered uniformly, which ensures uniformity in the thickness of the growing film and uniformity of its composition for multicomponent targets. The flap 19 serves as a protective screen for the substrates when cleaning the target. When the shutter 19 is opened, the sprayed material is deposited on the substrates.

При росте металлических (низкоомных) пленок на подложкодержатель подается отрицательное напряжение смещения от 0 до -150 В в зависимости от распыляемого материала, заданной скорости напыления, глубины вакуума и заданных параметров пленки. With the growth of metallic (low-resistance) films, a negative bias voltage from 0 to -150 V is applied to the substrate holder, depending on the material being sprayed, the specified deposition rate, the vacuum depth, and the specified film parameters.

На фиг.2 приведена зависимость константы Ки перпендикулярной анизотропии аморфных Gd-Co пленок от величины напряжения смещения Uсм на подложкодержателе.Figure 2 shows the dependence of the constant K and the perpendicular anisotropy of amorphous Gd-Co films on the bias voltage U cm on the substrate holder.

На фиг. 3 приведена зависимость относительной плотности p/p0 пленок от напряжения смещения Uсм на подложкодержателе.In FIG. Figure 3 shows the dependence of the relative density p / p 0 of the films on the bias voltage U cm on the substrate holder.

Поскольку осаждение пленок производится в атмосфере аргона при давлении порядка 10-3-10-4 мм рт.ст. происходит внедрение атомов аргона в материал пленки, образуя микропоры и изменяя ее структуру. Варьируя потенциал смещения на подложке, можно воздействовать на ориентацию, плотность и структуру микропор, тем самым изменять плотность и константы анизотропии осажденных пленок d-металлов.Since the deposition of the films is carried out in an argon atmosphere at a pressure of the order of 10 -3 -10 -4 mm Hg Argon atoms are introduced into the film material, forming micropores and changing its structure. By varying the bias potential on the substrate, one can influence the orientation, density, and structure of micropores, thereby changing the density and anisotropy constants of the deposited d-metal films.

При получении диэлектриков и полупроводников на подложкодержателе в зависимости от заданных свойств пленки варьируют ВЧ смещением по мощности. Upon receipt of dielectrics and semiconductors on a substrate holder, depending on the specified properties of the film, the RF power is varied.

При получении аморфных пленок осаждение ведется на водоохлаждаемую подложку, также варьируются параметры смещения, скорость напыления и расстояние от мишени до подложки исходя из заданных параметров пленки. Upon receipt of amorphous films, deposition is carried out on a water-cooled substrate, the bias parameters, the deposition rate, and the distance from the target to the substrate are also varied based on the given film parameters.

При получении поликристаллических пленок используется электронагрев подложек. Upon receipt of polycrystalline films, the substrate is electrically heated.

Для обеспечения эпитаксиального роста пленок на монокристаллической подложке параметры: скорость роста, напряжение смещения, температура подложки и глубина вакуума подбираются в зависимости от конкретного распыляемого материала. To ensure the epitaxial growth of films on a single-crystal substrate, the parameters: growth rate, bias voltage, substrate temperature, and vacuum depth are selected depending on the particular sprayed material.

Предложенная установка позволяет осаждать пленки со скоростью от 0,2 до 200 нм/мин, в зависимости от распыляемого материала, с заданной стехиометрией, текстурой или структурой. The proposed installation allows the deposition of films with a speed of from 0.2 to 200 nm / min, depending on the sprayed material, with a given stoichiometry, texture or structure.

Claims (5)

1. УСТАНОВКА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК МЕТОДОМ ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО РАСПЫЛЕНИЯ, содержащая корпус с рабочей и катодной камерами, соединенными диафрагмой с калиброванным отверстием, систему напуска рабочего газа, систему откачки, соосно с калиброванным отверстием расположены накаливаемый катод, анод и соленоиды в рабочей и катодной камерах, параллельно оси которых и один напротив другого расположены держатель мишени и электроподогреваемый вращающийся подложкодержатель, низковольтные и высоковольтные источники постоянного напряжения, соединенные с анодом, катодом, подложкодержателем и мишенью, отличающаяся тем, что установка дополнительно снабжена двумя источниками ВЧ-напряжения, соединенными с держателем мишени и подложкодержателем с возможностью сдвига фаз относительно друг друга, диафрагма выполнена в виде сопла, электрически изолированного от корпуса и соединенного либо с анодом, либо с катодом, либо с заземлением через трехпозиционный переключатель, а система напуска рабочего газа снабжена системой двустадийной геттерной очистки. 1. INSTALLATION FOR PRODUCING THIN FILMS BY THE ION-PLASMA SPRAYING METHOD, comprising a housing with a working and cathode chambers connected by a diaphragm with a calibrated hole, a working gas inlet system, a pumping system, an incandescent cathode, anode and solenoids in the working and chambers, the parallel to the axis of which and one opposite the other are the target holder and an electrically heated rotating substrate holder, low-voltage and high-voltage sources of constant voltage, connected to the anode, cathode, substrate holder and target, characterized in that the installation is additionally equipped with two RF voltage sources connected to the target holder and substrate holder with the possibility of phase shift relative to each other, the diaphragm is made in the form of a nozzle electrically isolated from the housing and connected either with an anode, or with a cathode, or with grounding through a three-position switch, and the working gas inlet system is equipped with a two-stage getter cleaning system. 2. Установка по п.1, отличающаяся тем, что система двустадийной геттерной очистки выполнена в виде последовательно соединенных камеры магнетронного распыления с титановой мишенью и катодной камеры, снабженной титановым катодным экраном с отверстием, соосным с титановым соплом. 2. Installation according to claim 1, characterized in that the two-stage getter cleaning system is made in the form of series-connected magnetron sputtering chambers with a titanium target and a cathode chamber equipped with a titanium cathode screen with an opening coaxial with the titanium nozzle. 3. Установка по п.1, отличающаяся тем, что сопло выполнено сменным с разными по форме и размерами калиброванными отверстиями и регулируемым потенциалом. 3. Installation according to claim 1, characterized in that the nozzle is interchangeable with calibrated holes of various shapes and sizes and adjustable potential. 4. Установка по п.1, отличающаяся тем, что подложкодержатель выполнен водоохлаждаемым и подвижным вдоль оси. 4. Installation according to claim 1, characterized in that the substrate holder is made water-cooled and movable along the axis. 5. Установка по п.1, отличающаяся тем, что анод выполнен подвижным вдоль оси. 5. Installation according to claim 1, characterized in that the anode is made movable along the axis.
SU5066553 1992-09-24 1992-09-24 Apparatus for obtaining thin films by ion-plasma spraying method RU2046840C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU5066553 RU2046840C1 (en) 1992-09-24 1992-09-24 Apparatus for obtaining thin films by ion-plasma spraying method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU5066553 RU2046840C1 (en) 1992-09-24 1992-09-24 Apparatus for obtaining thin films by ion-plasma spraying method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2046840C1 true RU2046840C1 (en) 1995-10-27

Family

ID=21615296

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU5066553 RU2046840C1 (en) 1992-09-24 1992-09-24 Apparatus for obtaining thin films by ion-plasma spraying method

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2046840C1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2485209C1 (en) * 2011-11-17 2013-06-20 Учреждение Российской академии наук Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИАПУ ДВО РАН) Formation method of ultrathin film
RU2486279C1 (en) * 2011-11-17 2013-06-27 Учреждение Российской академии наук Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИАПУ ДВО РАН) Method of forming ultrathin film
RU2487188C1 (en) * 2011-11-21 2013-07-10 Учреждение Российской академии наук Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИАПУ ДВО РАН) Method for formation of ultrathin film

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Иванов Р.Д. Магнитные металлические пленки в микроэлектронике. М.: Сов.радио, 1980, с.88. *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2485209C1 (en) * 2011-11-17 2013-06-20 Учреждение Российской академии наук Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИАПУ ДВО РАН) Formation method of ultrathin film
RU2486279C1 (en) * 2011-11-17 2013-06-27 Учреждение Российской академии наук Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИАПУ ДВО РАН) Method of forming ultrathin film
RU2487188C1 (en) * 2011-11-21 2013-07-10 Учреждение Российской академии наук Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИАПУ ДВО РАН) Method for formation of ultrathin film

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4941915A (en) Thin film forming apparatus and ion source utilizing plasma sputtering
EP0328076B1 (en) Thin film forming apparatus and ion source utilizing sputtering with microwave plasma
KR960002632B1 (en) The method and the equipment for plasma-energized magnetron sputtering vapor deposition
KR100333800B1 (en) An apparatus for generation of a linear arc discharge for plasma processing
US4992153A (en) Sputter-CVD process for at least partially coating a workpiece
KR100547404B1 (en) Coils for generating a plasma and for sputtering
US6113752A (en) Method and device for coating substrate
US5000834A (en) Facing targets sputtering device
US5431799A (en) Collimation hardware with RF bias rings to enhance sputter and/or substrate cavity ion generation efficiency
US10056237B2 (en) Low pressure arc plasma immersion coating vapor deposition and ion treatment
CA2326202C (en) Method and apparatus for deposition of biaxially textured coatings
Musil et al. High‐rate magnetron sputtering
RU2046840C1 (en) Apparatus for obtaining thin films by ion-plasma spraying method
CZ278295B6 (en) Process of sputtering layers and apparatus for making the same
JPH04235276A (en) Device for coating substrate
CA3103016A1 (en) Single beam plasma source
CN101864559B (en) Grid mesh magnetron sputtering hafnium evaporation method
Valderrama et al. High-RRR thin-films of NB produced using energetic condensation from a coaxial, rotating vacuum ARC plasma (CEDTM)
Wiatrowski et al. Pulsed-DC selfsputtering of copper
KR930008340B1 (en) Sputtering device
JP2955667B2 (en) Method and apparatus for preparing a mixture thin film
JP2007308728A (en) Method for forming crystalline thin film
JPH0688222A (en) Sputter ion plating device
JP2687468B2 (en) Thin film forming equipment
Gulbiński Deposition of thin films by sputtering