RU2046366C1 - Device for rejection of diodes - Google Patents
Device for rejection of diodes Download PDFInfo
- Publication number
- RU2046366C1 RU2046366C1 RU93010145A RU93010145A RU2046366C1 RU 2046366 C1 RU2046366 C1 RU 2046366C1 RU 93010145 A RU93010145 A RU 93010145A RU 93010145 A RU93010145 A RU 93010145A RU 2046366 C1 RU2046366 C1 RU 2046366C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- output
- input
- voltage
- comparator
- diode
- Prior art date
Links
Images
Abstract
Description
Изобретение относится к микроминиатюризации и технологии радиоэлектронной аппаратуры и может быть использовано для контроля динамических параметров полупроводниковых диодов при их производстве. The invention relates to microminiaturization and technology of electronic equipment and can be used to control the dynamic parameters of semiconductor diodes in their manufacture.
Известно устройство для разбраковки диодов по времени восстановления обратного сопротивления [1] содержащее генератор прямого тока, генератор импульсов обратного напряжения, клеммы для подключения испытуемого диода, резистор, три одновибратора, формирователь сдвига уровня, три D-триггера, дешифратор и четыре индикатора. A device for sorting diodes according to the recovery time of the reverse resistance [1] comprising a direct current generator, a reverse voltage pulse generator, terminals for connecting a test diode, a resistor, three one-shot oscillators, a level shifter, three D-flip-flops, a decoder and four indicators.
Недостатком устройства является компенсация (маскировка) влияния дефектов p n-перехода диода напряженностью его внутреннего электрического поля, что приводит к ограничению точности и разрешающей способности процесса отбраковки. The disadvantage of this device is the compensation (masking) of the influence of defects of the p n junction of the diode by the strength of its internal electric field, which leads to a limitation of the accuracy and resolution of the rejection process.
Известно также устройство для измерения динамических параметров диодов [2] содержащее источник прямого и источник обратного напряжений, нагрузочный и дополнительный резисторы, переключатель и испытуемый диод. It is also known a device for measuring the dynamic parameters of diodes [2] containing a direct source and a source of reverse voltages, load and additional resistors, a switch and a test diode.
Недостатком устройства является компенсация (маскировка) влияния дефектов p n-перехода диода напряженностью его внутреннего электрического поля, что приводит к ограничению точности и разрешающей способности процесса отбраковки. The disadvantage of this device is the compensation (masking) of the influence of defects of the p n junction of the diode by the strength of its internal electric field, which leads to a limitation of the accuracy and resolution of the rejection process.
Цель изобретения разделение двух процессов образования объемного заряда (за счет внешнего напряжения и за счет наличия в p-n-переходе дефектов, которые могут замедлять или ускорять образование заряда) и снятие временных характеристик процессов, связанных с дефектами. The purpose of the invention is the separation of the two processes of space charge formation (due to external voltage and due to the presence of defects in the pn junction that can slow down or accelerate charge formation) and to take the time characteristics of the processes associated with defects.
Цель достигается тем, что в устройстве для отбраковки диодов, содержащем ключ, соединенный первым выводом с анодной клеммой диода, и резистор нагрузки, новым является то, что в него дополнительно введены последовательно соединенные генератор экспоненциального напряжения и формирователь временного интервала, первый источник опорного напряжения и первый компаратор, второй источник опорного напряжения и второй компаратор, первый элемент И и преобразователь длительность напряжение, третий источник опорного напряжения и третий компаратор, четвертый источник опорного напряжения и четвертый компаратор, выход формирователя временного интервала подключен к управляющему входу ключа, соединенного вторым выводом с выходом генератора экспоненциального напряжения, преобразователь ток напряжение соединен первым выводом с катодной клеммой диода, вторым выводом с резистором нагрузки, а выходом подключен к второму входу первого компаратора и первому входу второго компаратора, выходы первого и второго компараторов соединены соответственно с первым и вторым входами первого элемента И, преобразователь время напряжение подключен к второму входу третьего компаратора и первому входу четвертого компаратора, выходы третьего и четвертого компараторов соединены соответственно с первым и вторым входами второго элемента И. The goal is achieved in that in a device for rejecting diodes containing a key connected by a first terminal to the anode terminal of the diode and a load resistor, it is new that an exponential voltage generator and a time interval shaper, a first reference voltage source and a first comparator, a second voltage reference source and a second comparator, a first AND element and a voltage duration converter, a third voltage reference source and a third comparator , the fourth reference voltage source and the fourth comparator, the output of the time interval former is connected to the control input of the key connected by the second terminal to the output of the exponential voltage generator, the current-voltage converter is connected by the first terminal to the cathode terminal of the diode, the second terminal with a load resistor, and the output is connected to the second the input of the first comparator and the first input of the second comparator, the outputs of the first and second comparators are connected respectively to the first and second inputs of the first element enta And, the time-voltage converter is connected to the second input of the third comparator and the first input of the fourth comparator, the outputs of the third and fourth comparators are connected respectively to the first and second inputs of the second element I.
Использование в схеме устройства генератора экспоненциального напряжения позволяет осуществлять контроль состояния обратно смещенного диода по времени рекомбинации неосновных носителей. При этом, за счет подачи на диод экспоненциально нарастающего напряжения, обеспечивается компенсация внутреннего электрического поля (образующегося объемным зарядом p n-перехода) в необходимом диапазоне входного (отрицательного) напряжения. The use of an exponential voltage generator in the device circuit allows controlling the state of a reverse biased diode by the recombination time of minority carriers. At the same time, due to the supply of an exponentially increasing voltage to the diode, the compensation of the internal electric field (generated by the space charge p n-junction) in the required input (negative) voltage range is ensured.
В отсутствие такого механизма компенсации нарастающая напряженность внутреннего электрического поля при подаче скачка отрицательного напряжения довольно быстро останавливает дрейф неосновных носителей и существенно сглаживает проявление дефектов. Диод работает с глубокой отрицательной обратной связью, маскирующей паразитные изменения потока носителей зарядов, запирающих p n-переход. In the absence of such a compensation mechanism, the growing internal electric field strength upon applying a negative voltage jump rather quickly stops the drift of minority carriers and substantially smoothes out the manifestation of defects. The diode operates with deep negative feedback, masking spurious changes in the flow of charge carriers blocking the p n junction.
На чертеже представлена блок-схема предлагаемого устройства. The drawing shows a block diagram of the proposed device.
Устройство содержит генератор 1 экспоненциального напряжения, формирователь 2 временного интервала, ключ 3, контролируемый диод 4, преобразователь 5 ток-напряжение, резистор 6 нагрузки, первый и второй источники 7 и 8 опорного напряжения, первый и второй компараторы 9 и 10, первый элемент И 11, преобразователь 12 время напряжение, третий и четвертый источники 13 и 14 опорного напряжения, третий и четвертый компараторы 15 и 16, второй элемент И 17. The device comprises an
В схеме последовательно соединены генератор 1 экспоненциального напряжения, ключ 3, контролируемый диод 4, преобразователь 5 ток напряжение и резистор 6 нагрузки, первый источник 7 опорного напряжения и первый компаратор 9, второй источник 8 опорного напряжения и второй компаратор 10, первый элемент И 11 и преобразователь 12 длительность напряжение, третий источник 13 опорного напряжения и третий компаратор 15, четвертый источник 14 опорного напряжения и четвертый компаратор 16. Формирователь 2 временного интервала подключен своим входом к выходу генератора 1 экспоненциального напряжения, а выходом к управляющему входу ключа 3. Выход преобразователя 5 ток-напряжение подключен к второму входу первого компаратора 9 и первому входу второго компаратора 10. Выходы первого и второго компараторов 9 и 10 соединены соответственно с первым и вторым входами первого элемента И 11. Выход преобразователя 12 длительность напряжение подключен к второму входу третьего компаратора 15 и первому входу четвертого компаратора 16. Выходы третьего и четвертого компараторов 15 и 16 подключены соответственно к первому и второму входам второго элемента И 17. In the circuit, an
Устройство работает следующим образом. Генератор 1 экспоненциального напряжения формирует периодический экспоненциальный сигнал отрицательного знака, который поступает на входы формирователя 2 и ключа 3. По команде формирователя 2 временного интервала ключ 3 пропускает каждый второй импульс генератора 1, который поступает на анод диода 4. The device operates as follows. The
Преобразователь 5 ток-напряжение преобразует ток, протекающий через диод 4, в пропорциональное ему напряжение. Используя заведомо качественный диод и настраивая под его характеристики амплитуду и длительность экспоненциального сигнала генератора 1, обеспечивают на время, равное длительности экспоненциального импульса, постоянство выходного напряжения преобразователя 5 ток-напряжение. В силу отличий одного диода от другого выходное напряжение преобразователя 5 будет иметь некоторый разброс. Верхняя граница области допустимых значений задается выходным напряжением первого источника 7 опорного напряжения, нижняя выходным напряжением второго источника 8 опорного напряжения. На выходе первого компаратора 9 формируется "1", если выходное напряжение преобразователя 5 меньше выходного напряжения источника 7 (U5 < U7), в противном случае формируется "0". На выходе второго компаратора 10 формируется "1", если выходное напряжение источника 8 меньше выходного напряжения преобразователя 5 (U8 < U5), в противном случае формируется "0". Таким образом, на выходе первого элемента И 11 формируется "1", если U5 < U7 и U8 < U5, то есть выходное напряжение преобразователя 5 ток-напряжение лежит в заданном поле допуска.The current-
Длительность выходного единичного сигнала первого элемента И 11 служит диагностическим признаком. Если она мала по сравнению с эталонным диодом, значит в контролируемом диоде проходят слишком быстрые рекомбинационные процессы в силу наличия паразитного центра рекомбинаций. Если же она велика по сравнению с эталонным диодом, значит в контролируемом диоде проходят замедленные рекомбинационные процессы, что говорит о дефектной концентрации носителей в полупроводнике. The duration of the output unit signal of the first element And 11 serves as a diagnostic sign. If it is small compared to the reference diode, then too fast recombination processes take place in the controlled diode due to the presence of a parasitic recombination center. If it is large compared to the reference diode, then slower recombination processes take place in the controlled diode, which indicates a defective carrier concentration in the semiconductor.
С помощью преобразователя 12 время-напряжение интересующая нас длительность (выходного единичного сигнала первого элемента И 11) преобразуется в постоянное пропорциональное ей напряжение. Using the
В силу отличий одного диода от другого выходное напряжение преобразователя 12 будет иметь некоторый разброс. Верхняя граница области допустимых значений задается выходным напряжением третьего источника 13 опорного напряжения, нижняя выходным напряжением четвертого источника 14 опорного напряжения. На выходе третьего компаратора 15 формируется "1", если выходное напряжение преобразователя 12 меньше выходного напряжения источника 13 (U12 < U13), в противном случае формируется "0". На выходе четвертого компаратора 16 формируется "1", если выходное напряжение источника 14 меньше выходного напряжения преобразователя 12 (U14 < U12), в противном случае формируется "0". Таким образом, на выходе второго элемента И 17 формируется "1", если U12 < U13 и U14 < U12, то есть выходное напряжение преобразователя 12 длительность-напряжение лежит в заданном поле допуска.Due to the differences of one diode from another, the output voltage of the
Наличие "1" на выходе второго элемента И 17 позволяет говорить об исправности контролируемого диода, а наличие "0" о его дефектном состоянии. The presence of "1" at the output of the second element And 17 allows us to talk about the health of the controlled diode, and the presence of "0" about its defective state.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU93010145A RU2046366C1 (en) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | Device for rejection of diodes |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU93010145A RU2046366C1 (en) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | Device for rejection of diodes |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU93010145A RU93010145A (en) | 1995-05-27 |
RU2046366C1 true RU2046366C1 (en) | 1995-10-20 |
Family
ID=20137813
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU93010145A RU2046366C1 (en) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | Device for rejection of diodes |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2046366C1 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2445640C1 (en) * | 2010-10-01 | 2012-03-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королева (национальный исследовательский университет)" (СГАУ) | Apparatus for screening double-anode stabilitrons |
RU2450281C1 (en) * | 2010-11-10 | 2012-05-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королева (национальный исследовательский университет)" (СГАУ) | Device for rejection of dianodic stabilitrons |
RU188241U1 (en) * | 2018-09-25 | 2019-04-04 | ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет" | Device for monitoring the resistance of diodes to the rate of rise of reverse voltage |
-
1993
- 1993-02-26 RU RU93010145A patent/RU2046366C1/en active
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
1. Авторское свидетельство СССР N 1140064, кл. G 01R 31/26, 1985. * |
2. Л.Росадо. Физическая электроника и микроэлектроника. М.: Высшая школа, 1991, с.115. * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2445640C1 (en) * | 2010-10-01 | 2012-03-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королева (национальный исследовательский университет)" (СГАУ) | Apparatus for screening double-anode stabilitrons |
RU2450281C1 (en) * | 2010-11-10 | 2012-05-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королева (национальный исследовательский университет)" (СГАУ) | Device for rejection of dianodic stabilitrons |
RU188241U1 (en) * | 2018-09-25 | 2019-04-04 | ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет" | Device for monitoring the resistance of diodes to the rate of rise of reverse voltage |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5754041A (en) | Device for measuring voltage/current characteristics with means to prevent output transients during changes in settings | |
FI75701C (en) | CONTROL TRACKS ON STROEMKAELLA. | |
RU2046366C1 (en) | Device for rejection of diodes | |
US20220224329A1 (en) | Gate-driving circuit and device | |
FR1576123A (en) | ||
US4488438A (en) | Square-wave current generator | |
CH607045A5 (en) | Diode test appts. with oscillator | |
RU2388006C1 (en) | Device for screening diodes | |
US5874827A (en) | Voltage supply circuit for a load absorbing high tentative peak current | |
RU2415447C1 (en) | Device to reject diodes | |
CN105717393B (en) | A kind of parameter test system and test method for electronic component | |
US7012537B2 (en) | Apparatus and method for determining voltage using optical observation | |
Yamazawa et al. | Pulse measurements using LED in dielectric liquids under impulse voltages | |
Meng et al. | A Highly Precise On-State Voltage Measurement Circuit With Dual Current Sources for Online Operation of SiC MOSFETs | |
RU2793145C1 (en) | Device for determining the load capacity of microcircuits | |
RU201072U1 (en) | INSTALLATION FOR MEASURING THE LIFE TIME OF NON-FUNDAMENTAL CHARGE CARRIERS IN THE BASES OF SEMICONDUCTOR DEVICES | |
SU1238005A1 (en) | Curve tracer | |
RU1835519C (en) | High-voltage meter | |
SU1105835A1 (en) | Device for checking characteristics of semiconductor instrument p-n junctions | |
SU1444682A1 (en) | Device for checking electric units | |
SU790996A1 (en) | Device for measuring life time of auxiliary carriers in thyristor | |
SU1673871A1 (en) | Temperature measuring instrument | |
SU687401A1 (en) | Current measuring device | |
SU1636809A1 (en) | Device for diode parameters testing | |
SU1401418A2 (en) | Device for automatic inspection of integrated circuits |