RU2038410C1 - Plant for plasma treatment of product surface - Google Patents
Plant for plasma treatment of product surface Download PDFInfo
- Publication number
- RU2038410C1 RU2038410C1 SU5006147A RU2038410C1 RU 2038410 C1 RU2038410 C1 RU 2038410C1 SU 5006147 A SU5006147 A SU 5006147A RU 2038410 C1 RU2038410 C1 RU 2038410C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- gas
- jet
- plasma
- feeder
- partition
- Prior art date
Links
Abstract
Description
Изобретение относится к обработке поверхности изделий, а именно к установкам для плазменной обработки поверхности изделий, и может быть использовано, например, в электротехнике, машиностроении, электротехнике и других областях. The invention relates to surface treatment of products, namely, installations for plasma surface treatment of products, and can be used, for example, in electrical engineering, mechanical engineering, electrical engineering and other fields.
Известны и широко используются плазменные установки с регулируемой газовой средой, в которых обработку проводят в специальной герметичной камере [1] При этом камера сначала полностью откачивается, затем наполняется чистым газом или газовой смесью требуемого состава. Для возбуждения плазмы используют высокочастотный, СВЧ, тлеющий или дуговой разряды, в которых в зависимости от состава газовой смеси или материалов катода или анода формируется требуемый состав плазмы для проведения процессов очистки, травления или осаждения пленки. Known and widely used plasma systems with a controlled gas environment, in which the treatment is carried out in a special sealed chamber [1] In this case, the chamber is first completely pumped out, then filled with clean gas or a gas mixture of the required composition. To excite the plasma, high-frequency, microwave, glow or arc discharges are used, in which, depending on the composition of the gas mixture or the materials of the cathode or anode, the required plasma composition is formed for cleaning, etching or deposition of the film.
В таких установках в камере устанавливается пониженное давление, причем углубление вакуума способствует уменьшению нежелательных примесей в плазме. In such installations, a reduced pressure is established in the chamber, and a vacuum deepening helps to reduce undesirable impurities in the plasma.
Однако углубление вакуума приводит к уменьшению плотности активных частиц и к снижению плотности потока их к поверхности, что увеличивает длительность обработки поверхности. Это является одной из причин снижения производительности установок. However, deepening the vacuum leads to a decrease in the density of active particles and to a decrease in their flux density to the surface, which increases the duration of surface treatment. This is one of the reasons for the decline in plant performance.
Кроме того, низкая производительность обусловлена необходимостью постоянно поддерживать определенный уровень вакуума, т.е. откачивать рабочий объем камеры. Особенно это сказывается при замене плазмообразующего газа, когда необходимо полностью очистить объем камеры от частиц, чтобы избежать нежелательных примесей при новой обработке поверхности. Это приводит к длительной подготовке установки к работе. Использование газов, содержащих агрессивные активные компоненты, например фтор или хлор, может приводить к реакции на поверхности стенок камеры и ускорять их износ. При использовании таких установок для непрерывных технологических процессов обработки устанавливают шлюзовые камеры для сообщения с атмосферой, что увеличивает производительность. Однако это приводит к загрязнению подложек, что, например, в области электроники является недопустимым. In addition, low productivity is due to the need to constantly maintain a certain level of vacuum, i.e. pump out the working volume of the camera. This is especially true when replacing a plasma-forming gas, when it is necessary to completely clean the chamber volume from particles in order to avoid undesirable impurities during a new surface treatment. This leads to a long preparation of the installation for operation. The use of gases containing aggressive active components, such as fluorine or chlorine, can lead to reactions on the surface of the chamber walls and accelerate their wear. When using such installations for continuous technological processes of processing, lock chambers are installed to communicate with the atmosphere, which increases productivity. However, this leads to contamination of the substrates, which, for example, in the field of electronics is unacceptable.
Известно устройство для плазменно-дуговой обработки поверхности [2] в котором используются генератор плазменной струи атмосферного давления. В указанном генераторе плазмообразующий газ подается от системы подачи через электродный узел, формирующий плазменную струю. Электродный узел установлен в держателе с возможностью перемещения. Рабочее вещество через питатель подается в плазменный поток, где происходит его активация и разложение. A device for a plasma-arc surface treatment [2] which uses a generator of a plasma jet of atmospheric pressure. In the specified generator, the plasma-forming gas is supplied from the supply system through the electrode assembly forming the plasma jet. The electrode assembly is mounted in the holder with the possibility of movement. The working substance through the feeder is fed into the plasma stream, where it is activated and decomposed.
Такое устройство позволяет избежать контакта рабочего вещества в активной форме с конструктивными элементами генератора плазмы и избежать таким образом их ускоренного износа и загрязнения плазмы продуктами реакции. Such a device allows avoiding contact of the working substance in active form with the structural elements of the plasma generator and thus avoiding their accelerated wear and plasma pollution by the reaction products.
Однако данное устройство не позволяет полностью регулировать состав плазмы. Например, кислород воздуха, поступающий в плазму из окружающей среды, будет окислять чистые металлические пленки при их осаждении на обрабатываемую поверхность изделия. При обработке поверхности вне вакуумной камеры также возможно попадание на нее микрочастиц из окружающей среды, что недопустимо при обработке подложек для электронной техники. However, this device does not allow full control of the composition of the plasma. For example, air oxygen entering the plasma from the environment will oxidize pure metal films when they are deposited on the treated surface of the product. When processing the surface outside the vacuum chamber, it is also possible that microparticles can get from the environment, which is unacceptable when processing substrates for electronic equipment.
В основу изобретения положена задача создания установки, предусматривающей газовую защиту зоны обработки изделия. The basis of the invention is the creation of an installation providing for gas protection of the processing zone of the product.
Задача решается тем, что установка для плазменной обработки поверхности изделий, содержащая генератор плазменной струи атмосферного давления с системой подачи плазмообразующего газа, питатель для подачи рабочего материала и держатель обрабатываемого изделия, установленные с возможностью взаимного относительного перемещения для ввода изделия в зону обработки и вывода из этой зоны, согласно изобретению снабжена формирователем струйного газозащитного экрана, выполненным в виде замкнутого трубопровода, сообщенного с источником защитного газа и установленного над держателем изделия, имеющего сквозной паз по всей длине, обращенный в сторону зоны обработки, а пространство, ограниченное стенками замкнутого трубопровода, перекрытого газонепроницаемой перегородкой, несущей генератор и питатель. The problem is solved in that the installation for plasma treatment of the surface of the products, containing a plasma jet of atmospheric pressure with a plasma gas supply system, a feeder for supplying working material and a holder of the workpiece, installed with relative relative movement to enter the product into the processing zone and withdraw from this of the zone according to the invention is equipped with a shaper of a jet gas shield made in the form of a closed pipeline in communication with a source of protection th gas and mounted above the product holder having a through slot over the whole length, facing towards the treatment area, and the space bounded by the walls of the closed duct overlapped gastight carrying the generator and the feeder.
Преимуществом предлагаемого изобретения является возможность создания защищенной зоны обработки изделий без использования вакуумных камер. Это позволяет формировать среды обработки заданного состава, что расширяет технологические возможности установки, а именно исключение химического взаимодействия окружающей среды с поверхностью обрабатываемого изделия. Например, создание защищенной зоны позволяет избежать окисления кислородом воздуха наносимых пленок из чистых металлов или избежать взаимодействия фоторезистивных масок с кислородом, что повышает их стойкость. Также исключается возможность попадания из окружающей среды микрочастиц, приводящих к браку изделий, т.е. соизмеримых с размерами структур при изготовлении БИС и СБИС. An advantage of the invention is the possibility of creating a protected area for processing products without the use of vacuum chambers. This allows you to create a processing environment of a given composition, which extends the technological capabilities of the installation, namely the elimination of chemical interaction of the environment with the surface of the workpiece. For example, the creation of a protected zone allows to avoid oxidation of applied films of pure metals with oxygen by air or to avoid the interaction of photoresist masks with oxygen, which increases their resistance. It also excludes the possibility of microparticles getting into the environment, resulting in defective products, i.e. commensurate with the size of the structures in the manufacture of LSI and VLSI.
Для удобства компановки и простоты конструкции целесообразно генератор и питатель установить в отверстия, выполненные в газонепроницаемой перегородке. Установлены генератор и питатель должны быть герметично, что предотвратит подсос газа из окружающей среды сквозь щели, а следовательно, проникновение загрязняющих частиц в зону обработки. Такая компановка установки является простой и компактной. For the convenience of layout and simplicity of design, it is advisable to install the generator and feeder in the holes made in the gas-tight partition. The generator and the feeder must be installed hermetically, which will prevent gas from the environment from leaking through the slits, and consequently, the penetration of polluting particles into the treatment zone. This installation arrangement is simple and compact.
Для уменьшения турбулентности в струйном газозащитном экране сквозной паз закрывают по всей длине трубопровода перегородкой из пористого материала с упорядоченной структурой, которая позволяет выравнивать поток подаваемого защитного газа и на выходе формирователя получать равномерный поток, являющийся струйным газозащитным экраном. To reduce turbulence in the jet gas shield, the through groove is closed along the entire length of the pipeline by a partition made of porous material with an ordered structure, which makes it possible to equalize the flow of protective gas supplied and to obtain a uniform flow at the outlet of the shaper, which is a jet gas shield.
В этом случае скорость движения загрязняющих частиц и пыли через струйный защитный экран будет тем меньше, чем меньше степень турбулентности потока. Таким образом, размещая перегородку в пазе трубопровода, можно за счет изменения соотношения скоростей диффузии загрязняющих частиц и скорости самого потока увеличить размеры зоны, в которой проводят формирование технологической среды требуемого состава для проведения процесса плазменной обработки. In this case, the speed of movement of polluting particles and dust through the inkjet shield will be lower, the lower the degree of turbulence of the flow. Thus, by placing a partition in the groove of the pipeline, it is possible to increase the size of the zone in which the formation of the technological environment of the required composition for carrying out the plasma processing is carried out by changing the ratio of the rates of diffusion of polluting particles and the speed of the stream itself.
Вытекающий поток защитного газа из формирователя струйного газозащитного экрана принципиально имеет три участка: начальный участок, в котором отсутствуют примеси частиц из окружающей среды и молекулярный состав полностью соответствует исходному составу защитного газа, зона смешения струи защитного газа с окружающей средой и основной участок струи, где исходный газ полностью перемешан с окружающей газовой средой. Границы этих участков определяются скоростью истечения потока, геометрическими размерами паза формирователя и коэффициентом диффузии частиц внешней среды в струе защитного газа. The effluent flow of the protective gas from the shaper of the jet gas shield basically has three sections: the initial section, in which there are no impurities of particles from the environment and the molecular composition fully corresponds to the initial composition of the protective gas, the mixing zone of the protective gas jet with the environment and the main stream section, where the initial the gas is completely mixed with the surrounding gas environment. The boundaries of these sections are determined by the velocity of the flow, the geometric dimensions of the groove of the former and the diffusion coefficient of the particles of the environment in the protective gas stream.
Для предотвращения попадания примесей микрочастиц, атомов и молекул из окружающей среды в плазменный поток за счет диффузии через поток защитного газа можно расстояние между плоскостью держателя изделия и плоскостью паза установить не более величины начального участка L, определяемой соотношением
L VR2/D, где V скорость течения струи защитного газа;
R ширина паза трубопровода;
D коэффициент диффузии частиц внешней среды в струе защитного газа.To prevent the ingress of impurities of microparticles, atoms and molecules from the environment into the plasma stream due to diffusion through the protective gas stream, the distance between the plane of the product holder and the groove plane can be set to no more than the value of the initial section L, determined by the ratio
L VR 2 / D, where V is the flow velocity of the shielding gas stream;
R the width of the groove in the pipeline;
D is the diffusion coefficient of the particles of the external medium in the protective gas jet.
Установка включает в генератор плазменной струи атмосферного давления, состоящий из двух электродных узлов 1, которые подключены к системе подачи плазмообразующего газа и источнику питания (не показаны). Электродные узлы 1 установлены в отверстиях газонепроницаемой перегородки 2. В отверстии газонепроницаемой перегородки 2 также установлен питатель 3, через который подается рабочий материал. Питатель 3 выполнен в виде трубки, геометрическая ось которой расположена по вертикали в плоскости чертежа. Симметрично относительно этой оси расположены электродные узлы 1. Оси электродных узлов 1 расположены под острыми углами к оси питателя 3. Формирователь 4 струйного газозащитного экрана представляет собой замкнутый трубопровод прямоугольного сечения и по всему своему периметру жестко соединен с газонепроницаемой перегородкой 2 так, что она полностью перекрывает пространство внутри кольца формирователя 4. Формирователь 4 с перегородкой 2 установлены с возможностью перемещения в горизонтальной и вертикальной плоскостях. Формирователь 4 соединен с системой подачи защитного газа (не показана) через патрубок 5. Формирователь 4 установлен над держателем 6 изделия 7. Держатель 6 выполнен в виде транспортера, на который с одной стороны устанавливают изделия 7, а после обработки с другой стороны снимают их. Стенка формирователя 4, обращенная к плоскости держателя 6, имеет сквозной паз 8 по всему периметру формирователя 4. Паз 8 закрыт перегородкой 9 из пористого материала. The installation includes a atmospheric pressure plasma jet generator, consisting of two electrode assemblies 1, which are connected to a plasma-forming gas supply system and a power source (not shown). The electrode assemblies 1 are installed in the holes of the gas-tight partition 2. In the hole of the gas-tight partition 2, a feeder 3 is also installed through which the working material is supplied. The feeder 3 is made in the form of a tube, the geometric axis of which is located vertically in the plane of the drawing. Symmetrically relative to this axis are the electrode assemblies 1. The axes of the electrode assemblies 1 are located at sharp angles to the axis of the feeder 3. The shaper 4 of the jet gas shield is a closed pipeline of rectangular cross section and is rigidly connected around the entire perimeter to the gas-tight partition 2 so that it completely overlaps the space inside the ring of the shaper 4. The shaper 4 with the partition 2 are installed with the possibility of movement in horizontal and vertical planes. The shaper 4 is connected to the protective gas supply system (not shown) through the nozzle 5. The shaper 4 is mounted above the holder 6 of the product 7. The holder 6 is made in the form of a conveyor onto which the products 7 are mounted on one side, and after processing they are removed on the other. The wall of the shaper 4, facing the plane of the holder 6, has a through groove 8 around the entire perimeter of the shaper 4. The groove 8 is closed by a partition 9 made of porous material.
Работу установки рассмотрим на примере проведения операции нанесения медной пленки на поверхность ситалловой подложки 7. Let us consider the operation of the installation by the example of the operation of applying a copper film to the surface of a ceramic substrate 7.
На электродные узлы 1 подается напряжение и плазмообразующий газ аргон. Струи аргоновой плазмы электродных узлов 1 образуют суммарную струю 10. В центр суммарной плазменной струи 10 через питатель 3 подают рабочее вещество газ фреон. Одновременно защитный газ очищенный аргон поступает через патрубок 5 в формирователь 4. После прохождения защитным газом перегородки 9 образуется равномерный кольцевой газозащитный экран 11, который защищает пространство внутри образованного кольца от проникновения загрязняющих частиц и кислорода из окружающей среды. Voltage and a plasma-forming argon gas are supplied to the electrode assemblies 1. The jets of argon plasma of the electrode nodes 1 form a total jet 10. In the center of the total plasma jet 10 through the feeder 3 serves the working substance gas freon. At the same time, the shielding gas of purified argon enters through the nozzle 5 into the former 4. After the shielding gas passes through the partition 9, a uniform annular gas shield 11 is formed, which protects the space inside the formed ring from the penetration of polluting particles and oxygen from the environment.
Установленную на держателе 6 ситалловую подложку 7 вводят в зону обработки, т.е. в зону суммарной плазменной струи 10. В плазменной струе 10 фреон, поступающий через питатель 3, разлагается на возбужденные атомы и ионы углерода и фтора. Возбужденные атомы и ионы плазменной струей 10 направляются на подложку 7, на поверхности которой практически всегда присутствуют органические загрязнения, снижающие адгезию наносимых слоев. The glass substrate 7 mounted on the holder 6 is introduced into the treatment zone, i.e. into the zone of the total plasma jet 10. In the plasma jet 10, the freon entering through the feeder 3 decomposes into excited carbon and fluorine atoms and ions. Excited atoms and ions by a plasma jet 10 are directed to a substrate 7, on the surface of which organic impurities are almost always present, which reduce the adhesion of the deposited layers.
В результате взаимодействия активных атомов и ионов с подложкой 7 очищают поверхность подложки. После окончания процесса очистки через питатель 3 подают в плазменную струю 10 частицы мелкодисперсного медного порошка или пары элементоорганического вещества, содержа- щего медь. As a result of the interaction of active atoms and ions with the substrate 7, they clean the surface of the substrate. After the cleaning process is completed, particles of finely dispersed copper powder or a pair of organoelement substances containing copper are fed into the plasma jet 10 through a feeder 3.
В плазменной струе 10 это вещество разлагается и на поверхности подложки 7 осаждаются атомы меди. Так как кольцевой газозащитный экран 11 предотвращает попадание кислорода в зону обработки, то на подложке 7 образуется слой чистой медной пленки без примесей окислов меди. In a plasma jet 10, this substance decomposes and copper atoms are deposited on the surface of the substrate 7. Since the annular gas shield 11 prevents oxygen from entering the treatment zone, a layer of a pure copper film without impurities of copper oxides is formed on the substrate 7.
Плазменная струя 10, как и любая струя, обладая способностью создавать разрежение вокруг себя, может подсасывать воздух из окружающей среды. Для предотвращения попадания воздуха из окружающей среды необходимо, чтобы электродные узлы 1 и питатель 3 были установлены в газонепроницаемой перегородке 2 герметично, т.е. через герметизирующие прокладки 12, например из фторопласта. Plasma jet 10, like any jet, possessing the ability to create a vacuum around itself, can suck in air from the environment. To prevent air from entering the environment, it is necessary that the electrode assemblies 1 and the feeder 3 are installed in a gas-tight partition 2 tightly, i.e. through gaskets 12, for example of fluoroplastic.
Как уже отмечалось выше, газозащитный экран 11 имеет три участка, два из которых имеют принципиальное значение. Это начальный участок 13, в котором отсутствуют примеси из окружающей среды, и зона 14 смешения струи 10 с окружающей средой. Экран 11 должен ограждать зону обработки от загрязняющих частиц, а также от проникновения воздуха из окружающей среды. Это наилучшим образом выполнимо, если снизить перемешивание потока защитного газа с окружающей средой за счет снижения турбулентности, при которой идет хаотичное и интенсивное перемешивание потока с окружающей средой. As noted above, the gas shield 11 has three sections, two of which are of fundamental importance. This is the initial section 13, in which there are no impurities from the environment, and the zone 14 of mixing the jet 10 with the environment. The screen 11 should protect the treatment area from contaminating particles, as well as from the penetration of air from the environment. This is best done if the mixing of the protective gas stream with the environment is reduced by reducing the turbulence in which there is a chaotic and intense mixing of the stream with the environment.
Для снижения турбулентного перемешивания можно установить выравнивающую поток газа в формирователе 4 перегородку 9, выполненную из пористого материала с упорядоченной структурой. Например, такую перегородку 9 можно выполнить из набора сеток с малыми ячейками. To reduce turbulent mixing, it is possible to install a leveling gas flow in the shaper 4, a partition 9 made of a porous material with an ordered structure. For example, such a partition 9 can be made from a set of grids with small cells.
Однако равномерность потока сохраняется на ограниченной длине участка 13. Поэтому целесообразно установить расстояние между плоскостью паза 8 и подложкой 7 не более величины L этого участка 13, определяемой из вышеуказанного соотношения. However, the uniformity of the flow is maintained over a limited length of section 13. Therefore, it is advisable to set the distance between the plane of the groove 8 and the substrate 7 not more than the value L of this section 13, determined from the above ratio.
Для установки, изображенной на чертеже, ширина паза R 10-2 м, скорость газа аргона V 0,5 м/с, коэффициент диффузии при нормальных условиях в равномерном потоке D 10-4 м2/с. Подставляя эти значения в формулу, получаем L (10-2)2 ˙ 0,5/10-4 0,5 м. Таким образом, расстояние между поверхностью обрабатываемой подложки 7 и плоскостью паза 8 устанавливаем равным 0,45 м.For the installation shown in the drawing, the groove width R 10 -2 m, the argon gas velocity V 0.5 m / s, the diffusion coefficient under normal conditions in a uniform flow D 10 -4 m 2 / s Substituting these values into the formula, we obtain L (10 -2 ) 2 ˙ 0.5 / 10 -4 0.5 m. Thus, the distance between the surface of the processed substrate 7 and the plane of the groove 8 is set equal to 0.45 m.
В предлагаемые предпочтительные варианты осуществления могут быть внесены изменения, например генератор может быть одноструйным или наоборот многоструйным, держатель подложки также может быть выполнен по другому, поперечное сечение формирователя может быть выбрано любым. The proposed preferred embodiments may be modified, for example, the generator may be single-jet or vice versa multi-jet, the substrate holder may also be different, the cross-section of the former may be chosen by anyone.
Claims (4)
L V · R2 / D,
где V скорость течения струи защитного газа;
R ширина паза трубопровода;
D коэффициент диффузии атомов и молекул внешней среды в струи защитного газа.4. Installation according to paragraphs. 1 and 3, characterized in that the distance between the plane of the product holder and the groove plane is not more than L, determined by the ratio
LV · R 2 / D,
where V is the flow velocity of the protective gas jet;
R the width of the groove in the pipeline;
D is the diffusion coefficient of atoms and molecules of the environment in a jet of protective gas.
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU5006147 RU2038410C1 (en) | 1991-11-01 | 1991-11-01 | Plant for plasma treatment of product surface |
| PCT/EP1992/002549 WO1993009261A1 (en) | 1991-11-01 | 1992-10-30 | Methods and apparatus for treating a work surface |
| US08/232,063 US5562841A (en) | 1991-11-01 | 1992-10-30 | Methods and apparatus for treating a work surface |
| EP92923302A EP0610392B1 (en) | 1991-11-01 | 1992-10-30 | Methods for treating a work surface |
| JP5508174A JPH07500635A (en) | 1991-11-01 | 1992-10-30 | Workpiece surface processing method and device |
| DE69216637T DE69216637T2 (en) | 1991-11-01 | 1992-10-30 | METHOD FOR TREATING THE SURFACE OF A WORKPIECE |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU5006147 RU2038410C1 (en) | 1991-11-01 | 1991-11-01 | Plant for plasma treatment of product surface |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2038410C1 true RU2038410C1 (en) | 1995-06-27 |
Family
ID=21587264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU5006147 RU2038410C1 (en) | 1991-11-01 | 1991-11-01 | Plant for plasma treatment of product surface |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2038410C1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2704680C1 (en) * | 2018-12-18 | 2019-10-30 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН) | Method of plasma sputtering with plasmatron attachment and device for its implementation |
-
1991
- 1991-11-01 RU SU5006147 patent/RU2038410C1/en active
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 1. Орлов В.И. и Гаран В.М. Плазменно-дуговое напыление покрытий. Технология и оборудование. Обзоры электронной техники, сер. "Технология, организация производства и оборудование", 1981, вып. 18 (33), с.46-47. * |
| 2. Лясников В.Н. и др. Полуавтоматическая установка плазменного напыления порошковых материалов. Электронная техника, сер. 7, 1970, вып. 2 (87), с.29-32. * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2704680C1 (en) * | 2018-12-18 | 2019-10-30 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН) | Method of plasma sputtering with plasmatron attachment and device for its implementation |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0610392B1 (en) | Methods for treating a work surface | |
| KR100320574B1 (en) | Plasma treatment apparatus and plasma treatment method performed by use of the same apparatus | |
| EP0127188B1 (en) | Dry etching apparatus and method using reactive gas | |
| US6506685B2 (en) | Perforated plasma confinement ring in plasma reactors | |
| CA1223549A (en) | Method and apparatus for reactive vapour deposition of compounds of metal and semi-conductors | |
| CA2278751C (en) | Atmospheric-pressure plasma jet | |
| KR100530821B1 (en) | Plasma processing apparatus | |
| JP3959906B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| TW201536114A (en) | Hall effect enhanced capacitively coupled plasma source, an abatement system, and vacuum processing system | |
| US5807615A (en) | Method and device for forming an excited gaseous treatment atmosphere lacking electrically charged species used for treating metallic substrates | |
| US20080029030A1 (en) | Plasma Generator | |
| RU2030811C1 (en) | Solid body plasma processing plant | |
| JP2005095744A (en) | Surface treatment method of insulating member, and surface treatment apparatus for insulating member | |
| JP5025614B2 (en) | Atmospheric pressure plasma treatment method | |
| US20110045205A1 (en) | Device and Process for Very High-Frequency Plasma-Assisted CVD under Atmospheric Pressure, and Applications Thereof | |
| US7214413B2 (en) | Method and device for generating an activated gas curtain for surface treatment | |
| EP1982348A1 (en) | Short pulse atmospheric pressure glow discharge method and apparatus | |
| TWI746923B (en) | Active gas generating apparatus and film forming apparatus | |
| RU2038410C1 (en) | Plant for plasma treatment of product surface | |
| EP3163983B1 (en) | Apparatus for indirect atmospheric pressure plasma processing | |
| KR19990087056A (en) | Chemical vapor deposition method and deposition apparatus | |
| JPH0246723A (en) | Device for thin film formation | |
| JP2005174879A (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
| JP2005026171A (en) | Plasma treatment method and plasma treatment device | |
| JPS62109317A (en) | Plasma etching apparatus |