RU2034284C1 - Датчик концентрации паров гидразина - Google Patents

Датчик концентрации паров гидразина Download PDF

Info

Publication number
RU2034284C1
RU2034284C1 SU5058002A RU2034284C1 RU 2034284 C1 RU2034284 C1 RU 2034284C1 SU 5058002 A SU5058002 A SU 5058002A RU 2034284 C1 RU2034284 C1 RU 2034284C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
sensor
hydrazine
sorbent
concentration
vapors
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
Inventor
С.А. Крутоверцев
О.А. Субочева
С.И. Сорокин
О.Д. Меньшиков
Л.П. Маслов
Original Assignee
Малое государственное предприятие "Практик-НЦ"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Малое государственное предприятие "Практик-НЦ" filed Critical Малое государственное предприятие "Практик-НЦ"
Priority to SU5058002 priority Critical patent/RU2034284C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2034284C1 publication Critical patent/RU2034284C1/ru

Links

Images

Abstract

Использование: в аналитическом приборостроении. Сущность изобретения: датчик содержит подложку, на которой расположены электроды и чувствительный слой. Чувствительный слой выполнен из сорбента, в котором равномерно распределено гетерополисоединение, имеющее один из следующих составов Co3P2W6Mo12O62 или Mn3P2W6Mo12O62 или Co3(H3PW9V3O40)2 или Mn3(H3PW9V3O40), при этом его содержание в слое сорбента составляет 1 - 70 мас.%. 1 ил.

Description

Изобретение относится к области аналитического приборостроения, а именно к датчикам состава газа.
Предлагаемый датчик предназначен для определения концентрации паров гидразина в газовых средах.
Известны датчики паров гидразина и его производных, выполненные в виде керамической (Al2O3) бусинки, пропитанной каталитически активным Ir [1] Внутри бусинки может располагаться проволочный терморезистор, используемый для регистрации тепла, выделяющегося при каталитическом разложении гидразина и его производных над нагретой поверхностью датчика.
К недостаткам таких датчиков относится большая потребляемая на нагрев мощность, низкое быстродействие, плохая воспроизводимость параметров, недостаточная селективность по отношению к парам гидразина.
Ближайшим аналогом изобретения, выбранным в качестве прототипа, является датчик паров гидразина, содержащий диэлектрическую подложку, на которой расположены электроды и слой пористого сорбента, содержащий гетерополисоединения (ГПС) 12 ряда [2] Введение ГПС в пленку основного пористого сорбента (например, кремнезема) позволяет повысить стабильность датчика по сравнению с датчиком, имеющим сорбент из одного гетерополисоединения.
К недостаткам такого датчика относятся его невысокие чувствительность и селективность по отношению к парам гидразина.
Технический эффект от использования предлагаемого изобретения заключается в том, что датчик концентрации паров гидразина, содержащий подложку, на которой расположены электроды и чувствительный слой, выполненный на основе сорбента, активированного гетерополисоединением, которое имеет один из следующих составов Co3P2W6Mo12O62 или Mn3P2W6Mo12O62, или Co3(H3PW9V3O40)2, или Mn3(H3PW9V3O40)2, и содержится в слое сорбента в количестве 1-70 мас. позволяет с высокой чувствительностью и селективностью определять концентрацию паров гидразина в исследуемой атмосфере.
В предлагаемом датчике концентрации паров гидразина чувствительный слой выполнен из пористого сорбента (например, кремнезема), активированного гетерополисоединением, которое имеет один из следующих составов Co3P2W6Mo12O62 или Mn3P2W6Mo12O62, или Co3(H3PW9V3O40)2, или Mn3(H3PW9V3O40)2. Принцип действия датчика основан на изменении электрофизических (диэлектрическая проницаемость, проводимость) характеристик чувствительного слоя при его взаимодействии с парами гидразина.
Увеличение чувствительности и селективности датчика по отношению к парам гидразина достигается, по-видимому, за счет протекания реакции комплексообразования паров гидразина с катионной частью гетерополисоединения, которая в результате стабилизации более высокого валентного состояния атомов кобальта или марганца вступает во внутримолекулярные окислительно-восстановительные реакции, приводящие к резкому изменению электрофизических свойств всего ГПС и, следовательно, чувствительного слоя датчика.
На чертеже представлена схема датчика концентрации паров гидразина.
Датчик концентрации паров гидразина состоит из диэлектрической подложки 1, выполненной, например, из синталла или сапфира, на поверхность которой нанесены металлические (платина, никель, золото) гребенкообразные электроды 2,3, поверх которых располагается чувствительный слой 4 на основе пористого сорбента (например, SiO2), активированный гетерополисоединением, которое имеет один из следующих составов Co3P2W6Mo12O62 или Mn3P2W6Mo12O62, или Co3(H3PW9V3O40)2, или Mn3(H3PW9V3O40)2. Кроме того, в конструкции
датчика предусмотрена возможность размещения на подложке тонкопленочного нагревателя.
Получение пленок пористого сорбента, в которых в качестве активирующего вещества размещаются ГПС состава Co3P2W6Mo12O62, Mn3P2W6Mo12O62, Co3(H3PW9V3O40)2, Mn3(H3PW9V3O40)2, осуществляли методом гидролитической поликонденсации растворов, в которые вводились эти ГПС в количестве 1-70 мас. При этом в качестве основы сорбента могут быть использованы кремнезем SiOx (где х ≅2), оксиды титана, тантала и др. Термообработку, необходимую для удаления растворителя и продуктов гидролиза из пленки сорбента, проводили при температуре до 300оС.
Таким образом, по сравнению с прототипом предложенный датчик концентрации паров гидразина обладает следующими преимуществами: более высокой чувствительностью по отношению к парам гидразина; более высокой селективностью по отношению к парам гидразина.

Claims (1)

  1. ДАТЧИК КОНЦЕНТРАЦИИ ПАРОВ ГИДРАЗИНА, содержащий подложку, на которой расположены электроды и чувствительный слой, выполненный из сорбента, активированного гетерополисоединением, отличающийся тем, что гетерополисоединение имеет один из следующих составов: Co3P2W6Mo1 2O6 2, или Mn3P2W6Mo1 2O6 2, или Co3(H3PW9V3O4 0)2, или Mn3(H3PW9V3O4 0)2, при этом его содержание в слое сорбента составляет 1-70 мас.
SU5058002 1992-08-07 1992-08-07 Датчик концентрации паров гидразина RU2034284C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU5058002 RU2034284C1 (ru) 1992-08-07 1992-08-07 Датчик концентрации паров гидразина

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU5058002 RU2034284C1 (ru) 1992-08-07 1992-08-07 Датчик концентрации паров гидразина

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2034284C1 true RU2034284C1 (ru) 1995-04-30

Family

ID=21611230

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU5058002 RU2034284C1 (ru) 1992-08-07 1992-08-07 Датчик концентрации паров гидразина

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2034284C1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2522735C1 (ru) * 2012-11-26 2014-07-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" Электрический сенсор на пары гидразина
RU2646419C1 (ru) * 2016-12-19 2018-03-05 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО) Электрический сенсор на пары гидразина

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Патент США N 4200608, кл. G 01N 27/02, 1980. *
2. Крутоверцев С.А. и др. Сенсоры на основе активированных оксидных пленок для контроля утечек вредных и токсичных газов. Электронная техника, сер.8. М.: ЦНИИ "Электроника", 1990, вып.5, с.32-34. *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2522735C1 (ru) * 2012-11-26 2014-07-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" Электрический сенсор на пары гидразина
RU2522735C9 (ru) * 2012-11-26 2014-11-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" Электрический сенсор на пары гидразина
RU2646419C1 (ru) * 2016-12-19 2018-03-05 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО) Электрический сенсор на пары гидразина

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7017389B2 (en) Sensors including metal oxides selective for specific gases and methods for preparing same
Steffes et al. Enhancement of NO2 sensing properties of In2O3-based thin films using an Au or Ti surface modification
JP2002522788A (ja) 遷移金属酸化物ガスセンサー
Kanan et al. Dual WO3 based sensors to selectively detect DMMP in the presence of alcohols
US6044689A (en) Apparatus for sensing low concentration NOx, chamber used for apparatus for sensing low concentration NOx; gas sensor element and method of manufacturing the same; and ammonia removing apparatus and NOx sensor utilizing this apparatus
US8778714B2 (en) Gas sensitive materials for gas detection and methods of making
KR870001258B1 (ko) 감가스소자
RU2034284C1 (ru) Датчик концентрации паров гидразина
US9927412B2 (en) Dual gas sensor structure and measurement method
Andrews Radiationless decay in rhodium (I) and iridiuum (I) complexes. Polarization and solvent relaxation studies
Jakubik et al. Sensor properties of lead phthalocyanine in a surface acoustic wave system
JP4010738B2 (ja) ガスセンサ及びガス検出器及びガス検出方法
Winquist et al. Thin metal film—oxide—semiconductor structures with temperature-dependent sensitivity for unsaturated hydrocarbons
RU2034285C1 (ru) Датчик концентрации паров этаноламина
RU2029293C1 (ru) Датчик концентрации паров алифатических аминов
JPH0433387B2 (ru)
RU2029292C1 (ru) Датчик концентрации аммиака
Poghossian et al. Selective petrol vapour sensor based on an Fe2O3 thin film
Mohammed Determination of chromium by electrothermal atomisation atomic absorption spectrometry
Brueggemeyer et al. Comparison of furnace atomization behavior of aluminum from standard and thorium-treated L'vov platforms
Toby Vapour sensing properties of a cadmium oxide–antimony oxide system ceramic, Cd 2 Sb 2 O 6.8
Unwin et al. An exposure monitor for chlorinated hydrocarbons based on conductometry using lead phthalocyanne films
JP4315992B2 (ja) ガスセンサ及びガス検出器及びガス検出方法
SU1430858A1 (ru) Чувствительный элемент термокаталитического датчика горючих газов
JP2005164495A (ja) ガスセンサー素子