RU2034284C1 - Датчик концентрации паров гидразина - Google Patents
Датчик концентрации паров гидразина Download PDFInfo
- Publication number
- RU2034284C1 RU2034284C1 SU5058002A RU2034284C1 RU 2034284 C1 RU2034284 C1 RU 2034284C1 SU 5058002 A SU5058002 A SU 5058002A RU 2034284 C1 RU2034284 C1 RU 2034284C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- sensor
- hydrazine
- sorbent
- concentration
- vapors
- Prior art date
Links
Images
Abstract
Использование: в аналитическом приборостроении. Сущность изобретения: датчик содержит подложку, на которой расположены электроды и чувствительный слой. Чувствительный слой выполнен из сорбента, в котором равномерно распределено гетерополисоединение, имеющее один из следующих составов Co3P2W6Mo12O62 или Mn3P2W6Mo12O62 или Co3(H3PW9V3O40)2 или Mn3(H3PW9V3O40), при этом его содержание в слое сорбента составляет 1 - 70 мас.%. 1 ил.
Description
Изобретение относится к области аналитического приборостроения, а именно к датчикам состава газа.
Предлагаемый датчик предназначен для определения концентрации паров гидразина в газовых средах.
Известны датчики паров гидразина и его производных, выполненные в виде керамической (Al2O3) бусинки, пропитанной каталитически активным Ir [1] Внутри бусинки может располагаться проволочный терморезистор, используемый для регистрации тепла, выделяющегося при каталитическом разложении гидразина и его производных над нагретой поверхностью датчика.
К недостаткам таких датчиков относится большая потребляемая на нагрев мощность, низкое быстродействие, плохая воспроизводимость параметров, недостаточная селективность по отношению к парам гидразина.
Ближайшим аналогом изобретения, выбранным в качестве прототипа, является датчик паров гидразина, содержащий диэлектрическую подложку, на которой расположены электроды и слой пористого сорбента, содержащий гетерополисоединения (ГПС) 12 ряда [2] Введение ГПС в пленку основного пористого сорбента (например, кремнезема) позволяет повысить стабильность датчика по сравнению с датчиком, имеющим сорбент из одного гетерополисоединения.
К недостаткам такого датчика относятся его невысокие чувствительность и селективность по отношению к парам гидразина.
Технический эффект от использования предлагаемого изобретения заключается в том, что датчик концентрации паров гидразина, содержащий подложку, на которой расположены электроды и чувствительный слой, выполненный на основе сорбента, активированного гетерополисоединением, которое имеет один из следующих составов Co3P2W6Mo12O62 или Mn3P2W6Mo12O62, или Co3(H3PW9V3O40)2, или Mn3(H3PW9V3O40)2, и содержится в слое сорбента в количестве 1-70 мас. позволяет с высокой чувствительностью и селективностью определять концентрацию паров гидразина в исследуемой атмосфере.
В предлагаемом датчике концентрации паров гидразина чувствительный слой выполнен из пористого сорбента (например, кремнезема), активированного гетерополисоединением, которое имеет один из следующих составов Co3P2W6Mo12O62 или Mn3P2W6Mo12O62, или Co3(H3PW9V3O40)2, или Mn3(H3PW9V3O40)2. Принцип действия датчика основан на изменении электрофизических (диэлектрическая проницаемость, проводимость) характеристик чувствительного слоя при его взаимодействии с парами гидразина.
Увеличение чувствительности и селективности датчика по отношению к парам гидразина достигается, по-видимому, за счет протекания реакции комплексообразования паров гидразина с катионной частью гетерополисоединения, которая в результате стабилизации более высокого валентного состояния атомов кобальта или марганца вступает во внутримолекулярные окислительно-восстановительные реакции, приводящие к резкому изменению электрофизических свойств всего ГПС и, следовательно, чувствительного слоя датчика.
На чертеже представлена схема датчика концентрации паров гидразина.
Датчик концентрации паров гидразина состоит из диэлектрической подложки 1, выполненной, например, из синталла или сапфира, на поверхность которой нанесены металлические (платина, никель, золото) гребенкообразные электроды 2,3, поверх которых располагается чувствительный слой 4 на основе пористого сорбента (например, SiO2), активированный гетерополисоединением, которое имеет один из следующих составов Co3P2W6Mo12O62 или Mn3P2W6Mo12O62, или Co3(H3PW9V3O40)2, или Mn3(H3PW9V3O40)2. Кроме того, в конструкции
датчика предусмотрена возможность размещения на подложке тонкопленочного нагревателя.
датчика предусмотрена возможность размещения на подложке тонкопленочного нагревателя.
Получение пленок пористого сорбента, в которых в качестве активирующего вещества размещаются ГПС состава Co3P2W6Mo12O62, Mn3P2W6Mo12O62, Co3(H3PW9V3O40)2, Mn3(H3PW9V3O40)2, осуществляли методом гидролитической поликонденсации растворов, в которые вводились эти ГПС в количестве 1-70 мас. При этом в качестве основы сорбента могут быть использованы кремнезем SiOx (где х ≅2), оксиды титана, тантала и др. Термообработку, необходимую для удаления растворителя и продуктов гидролиза из пленки сорбента, проводили при температуре до 300оС.
Таким образом, по сравнению с прототипом предложенный датчик концентрации паров гидразина обладает следующими преимуществами: более высокой чувствительностью по отношению к парам гидразина; более высокой селективностью по отношению к парам гидразина.
Claims (1)
- ДАТЧИК КОНЦЕНТРАЦИИ ПАРОВ ГИДРАЗИНА, содержащий подложку, на которой расположены электроды и чувствительный слой, выполненный из сорбента, активированного гетерополисоединением, отличающийся тем, что гетерополисоединение имеет один из следующих составов: Co3P2W6Mo1 2O6 2, или Mn3P2W6Mo1 2O6 2, или Co3(H3PW9V3O4 0)2, или Mn3(H3PW9V3O4 0)2, при этом его содержание в слое сорбента составляет 1-70 мас.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU5058002 RU2034284C1 (ru) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | Датчик концентрации паров гидразина |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU5058002 RU2034284C1 (ru) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | Датчик концентрации паров гидразина |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2034284C1 true RU2034284C1 (ru) | 1995-04-30 |
Family
ID=21611230
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU5058002 RU2034284C1 (ru) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | Датчик концентрации паров гидразина |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2034284C1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2522735C1 (ru) * | 2012-11-26 | 2014-07-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" | Электрический сенсор на пары гидразина |
RU2646419C1 (ru) * | 2016-12-19 | 2018-03-05 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО) | Электрический сенсор на пары гидразина |
-
1992
- 1992-08-07 RU SU5058002 patent/RU2034284C1/ru active
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
1. Патент США N 4200608, кл. G 01N 27/02, 1980. * |
2. Крутоверцев С.А. и др. Сенсоры на основе активированных оксидных пленок для контроля утечек вредных и токсичных газов. Электронная техника, сер.8. М.: ЦНИИ "Электроника", 1990, вып.5, с.32-34. * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2522735C1 (ru) * | 2012-11-26 | 2014-07-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" | Электрический сенсор на пары гидразина |
RU2522735C9 (ru) * | 2012-11-26 | 2014-11-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" | Электрический сенсор на пары гидразина |
RU2646419C1 (ru) * | 2016-12-19 | 2018-03-05 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО) | Электрический сенсор на пары гидразина |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7017389B2 (en) | Sensors including metal oxides selective for specific gases and methods for preparing same | |
Steffes et al. | Enhancement of NO2 sensing properties of In2O3-based thin films using an Au or Ti surface modification | |
JP2002522788A (ja) | 遷移金属酸化物ガスセンサー | |
Kanan et al. | Dual WO3 based sensors to selectively detect DMMP in the presence of alcohols | |
US6044689A (en) | Apparatus for sensing low concentration NOx, chamber used for apparatus for sensing low concentration NOx; gas sensor element and method of manufacturing the same; and ammonia removing apparatus and NOx sensor utilizing this apparatus | |
US8778714B2 (en) | Gas sensitive materials for gas detection and methods of making | |
KR870001258B1 (ko) | 감가스소자 | |
RU2034284C1 (ru) | Датчик концентрации паров гидразина | |
US9927412B2 (en) | Dual gas sensor structure and measurement method | |
Andrews | Radiationless decay in rhodium (I) and iridiuum (I) complexes. Polarization and solvent relaxation studies | |
Jakubik et al. | Sensor properties of lead phthalocyanine in a surface acoustic wave system | |
JP4010738B2 (ja) | ガスセンサ及びガス検出器及びガス検出方法 | |
Winquist et al. | Thin metal film—oxide—semiconductor structures with temperature-dependent sensitivity for unsaturated hydrocarbons | |
RU2034285C1 (ru) | Датчик концентрации паров этаноламина | |
RU2029293C1 (ru) | Датчик концентрации паров алифатических аминов | |
JPH0433387B2 (ru) | ||
RU2029292C1 (ru) | Датчик концентрации аммиака | |
Poghossian et al. | Selective petrol vapour sensor based on an Fe2O3 thin film | |
Mohammed | Determination of chromium by electrothermal atomisation atomic absorption spectrometry | |
Brueggemeyer et al. | Comparison of furnace atomization behavior of aluminum from standard and thorium-treated L'vov platforms | |
Toby | Vapour sensing properties of a cadmium oxide–antimony oxide system ceramic, Cd 2 Sb 2 O 6.8 | |
Unwin et al. | An exposure monitor for chlorinated hydrocarbons based on conductometry using lead phthalocyanne films | |
JP4315992B2 (ja) | ガスセンサ及びガス検出器及びガス検出方法 | |
SU1430858A1 (ru) | Чувствительный элемент термокаталитического датчика горючих газов | |
JP2005164495A (ja) | ガスセンサー素子 |