RU2033658C1 - Etching agent for chemical smoothing of substrates of cadmium telluride - Google Patents
Etching agent for chemical smoothing of substrates of cadmium telluride Download PDFInfo
- Publication number
- RU2033658C1 RU2033658C1 RU93032451A RU93032451A RU2033658C1 RU 2033658 C1 RU2033658 C1 RU 2033658C1 RU 93032451 A RU93032451 A RU 93032451A RU 93032451 A RU93032451 A RU 93032451A RU 2033658 C1 RU2033658 C1 RU 2033658C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrates
- sulfamic acid
- etchant
- cadmium telluride
- etching agent
- Prior art date
Links
Landscapes
- Weting (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к обработке полупроводниковых приборов или их деталей, в частности к химическому полированию полупроводниковых подложек теллурида кадмия различной кристаллографической ориентации. The invention relates to the processing of semiconductor devices or their parts, in particular to the chemical polishing of semiconductor substrates of cadmium telluride of various crystallographic orientations.
Известен травитель для химического полирования подложек соединений AIIBVI состава HNO3:H2O:K2Cr2O7=10 мл:20 мл:4 г [1]
Недостатком данного травителя является образование ямок травления и окислов на рабочей стороне подложек.Known etchant for chemical polishing of the substrates of compounds A II B VI of the composition HNO 3 : H 2 O: K 2 Cr 2 O 7 = 10 ml: 20 ml: 4 g [1]
The disadvantage of this etchant is the formation of etching pits and oxides on the working side of the substrates.
Наиболее близким к изобретению является травитель для обработки подложек соединений теллурида кадмия состава CrO3:HCl:H2O=1:1:3-1:3:6 [2]
Основными недостатками данного травителя являются образование окислов и растравливание поверхности подложек.Closest to the invention is an etchant for processing substrates of cadmium telluride compounds of the composition CrO 3 : HCl: H 2 O = 1: 1: 3-1: 3: 6 [2]
The main disadvantages of this etchant are the formation of oxides and etching of the surface of the substrates.
Технический результат изобретения получение бездефектной поверхности подложек теллурида кадмия различной кристаллографической ориентации. The technical result of the invention is the preparation of a defect-free surface of cadmium telluride substrates of various crystallographic orientations.
Технический результат достигается тем, что травитель содержит компоненты в следующем соотношении, мас. CrO3 2-15 Сульфаминовая кислота 10-20 Вода Остальное
В данном составе оксид хрома выполняет функцию окислителя, сульфаминовая кислота создает необходимый рН раствора и является комплексообразователем, вода является растворителем.The technical result is achieved by the fact that the etchant contains components in the following ratio, wt. CrO 3 2-15 Sulfamic acid 10-20 Water Else
In this composition, chromium oxide acts as an oxidizing agent, sulfamic acid creates the necessary pH of the solution and is a complexing agent, water is a solvent.
При содержании оксида хрома менее 2 мас. сильно снижается скорость травления и на поверхности подложек появляются окислы. При концентрации оксида хрома более 15 мас. из-за увеличения скорости травления происходит растравливание поверхности подложек. При содержании сульфаминовой кислоты менее 10 мас. сильно снижается скорость травления и процесс становится нетехнологичным. При концентрации сульфаминовой кислоты 20 мас% раствор становится насыщенным и более высокую концентрацию получить не удается. When the content of chromium oxide is less than 2 wt. the etching rate is greatly reduced and oxides appear on the surface of the substrates. When the concentration of chromium oxide is more than 15 wt. due to the increase in the etching rate, the surface of the substrates is etched. When the content of sulfamic acid is less than 10 wt. the etching rate is greatly reduced and the process becomes low-tech. At a concentration of sulfamic acid of 20 wt%, the solution becomes saturated and a higher concentration cannot be obtained.
Разработанный травитель при указанных концентрациях компонентов позволяет получить бездефектную поверхность теллурида кадмия с хорошей воспроизводимостью результатов обработки и высоким выходом годного. The developed etchant at the indicated concentrations of the components makes it possible to obtain a defect-free cadmium telluride surface with good reproducibility of the treatment results and high yield.
Травитель готовят следующим образом. В 100 мл нагретой до 80оС деионизованной воды растворяют при перемешивании сначала сульфаминовую кислоту, а затем оксид хрома, доводят температуру травителя до 70оС и проводят химическое полирование подложек. Затем подложки в течение 2-4 мин промывают проточной деионизованной водой и сушат.The etchant is prepared as follows. In 100 ml of heated to 80 ° C deionized water were dissolved under stirring first sulfamic acid, and then chromium oxide etchant temperature was adjusted to 70 C and conduct chemical polishing substrates. Then the substrate for 2-4 minutes, washed with flowing deionized water and dried.
Существенными отличиями предлагаемого травителя от прототипа являются использование сульфаминовой кислоты при соотношении компонентов, мас. CrO3 2-15
Сульфаминовая кислота 10-20 Вода Остальное
П р и м е р 1. Подложки CdZnSeTe ориентации (III) A, (211) A перед эпитаксией обрабатывают в 100 мл травителя состава 2 мас. оксида хрома, 10 мас. сульфаминовой кислоты в течение 2 мин при температуре 70оС. Качество поверхности подложек соответствует требованиям эпитаксиального наращивания, на поверхности подложек отсутствуют дефекты травления и окисные пленки.Significant differences of the proposed etchant from the prototype are the use of sulfamic acid with a ratio of components, wt. CrO 3 2-15
Sulfamic acid 10-20 Water Else
PRI me R 1. Substrates CdZnSeTe orientation (III) A, (211) A before epitaxy treated in 100 ml of etchant composition of 2 wt. chromium oxide, 10 wt. sulfamic acid for 2 min at a temperature of 70 o C. The surface quality of the substrates meets the requirements of epitaxial growth, on the surface of the substrates there are no etching defects and oxide films.
П р и м е р 2. Подложки CdZnSeTe ориентации (III) A, (211) A перед эпитаксией обрабатывают в 100 мл травителя состава 15 мас. оксида хрома, 20 мас. сульфаминовой кислоты в течение 2 мин при температуре 70оС. Качество поверхности подложек соответствует требованиям эпитаксиального наращивания, на поверхности подложек отсутствуют дефекты травления и окисные пленки.PRI me R 2. Substrates CdZnSeTe orientation (III) A, (211) A before epitaxy treated in 100 ml of etchant composition of 15 wt. chromium oxide, 20 wt. sulfamic acid for 2 min at a temperature of 70 o C. The surface quality of the substrates meets the requirements of epitaxial growth, on the surface of the substrates there are no etching defects and oxide films.
П р и м ер 3. Подложки CdZnSeTe ориентации (III) A, (211) A перед эпитаксией обрабатывают в 100 мл травителя состава 2 мас. оксида хрома, 7 мас. сульфаминовой кислоты в течение 2 мин при температуре 70оС. Поверхность пластин покрыта окислами.PRI me R 3. Substrates CdZnSeTe orientation (III) A, (211) A before epitaxy treated in 100 ml of etchant composition of 2 wt. chromium oxide, 7 wt. sulfamic acid for 2 min at a temperature of 70 about C. The surface of the plates is coated with oxides.
П р и м е р 4. Подложки CdZnSeTe ориентации (III) A, (211) A перед эпитаксией обрабатывают в 100 мл травителя состава 16 мас. оксида хрома, 15 мас. сульфаминовой кислоты в течение 1 мин при 70оС. Поверхность пластин перетравлена.PRI me R 4. Substrates CdZnSeTe orientation (III) A, (211) A before epitaxy treated in 100 ml of etchant composition 16 wt. chromium oxide, 15 wt. sulfamic acid for 1 min at 70 about C. The surface of the plates is etched.
П р и м е р 5. Подложки CdZnSeTe ориентации (III) A, (211) A перед эпитаксией обрабатывают в 100 мл травителя состава 4 мас. оксида хрома, 12 мас. сульфаминовой кислоты в течение 2 мин при температуре 70оС. На поверхности подложек отсутствуют окисные пленки, дефекты травления. Морфология подложек сохраняется первоначальной.PRI me R 5. Substrates CdZnSeTe orientation (III) A, (211) A before epitaxy treated in 100 ml of etchant composition of 4 wt. chromium oxide, 12 wt. sulfamic acid for 2 min at a temperature of 70 about C. On the surface of the substrates there are no oxide films, etching defects. The morphology of the substrates remains the same.
П р и м е р 6. Подложки CdZnSeTe ориентации (III) A, (211) A перед эпитаксией обрабатывают в 100 мл травителя состава 1,5 мас. оксида хрома, 15 мас. сульфаминовой кислоты в течение 1 мин при температуре 70оС. Поверхность пластин покрыта окислами.PRI me R 6. Substrates CdZnSeTe orientation (III) A, (211) A before epitaxy treated in 100 ml of etchant composition of 1.5 wt. chromium oxide, 15 wt. sulfamic acid for 1 min at a temperature of 70 about C. The surface of the plates is coated with oxides.
П р и м е р 7. Подложки CdZnSeTe ориентации (III) A, (211) A перед эпитаксией обрабатывают в 100 мл травителя состава 10 мас. оксида хрома, 21 мас. сульфаминовой кислоты в течение 2 мин при температуре 70оС. В травителе имеется осадок нерастворенной сульфаминовой кислоты. Качество поверхности подложек соответствует требованиям эпитаксиального наращивания, на поверхности подложек отсутствуют дефекты травления и окисные пленки.PRI me R 7. Substrates CdZnSeTe orientation (III) A, (211) A before epitaxy treated in 100 ml of etchant composition of 10 wt. chromium oxide, 21 wt. sulfamic acid for 2 min at a temperature of 70 about C. In the etchant there is a precipitate of undissolved sulfamic acid. The surface quality of the substrates meets the requirements of epitaxial growth; there are no etching defects and oxide films on the surface of the substrates.
Данный травитель для химического полирования подложек теллурида кадмия по сравнению с известными химическими травителями позволяет получать поверхность подложек теллурида кадмия без окисных пленок и дефектов травления, что повышает выход годного на операции химической обработки подложек. This etchant for chemical polishing of cadmium telluride substrates in comparison with the known chemical etchants allows to obtain the surface of cadmium telluride substrates without oxide films and etching defects, which increases the yield of the substrate for chemical processing.
Claims (1)
Сульфаминовая кислота 10 20
Вода ОстальноеChromium oxide 2 15
Sulfamic acid 10 20
Water Else
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU93032451A RU2033658C1 (en) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | Etching agent for chemical smoothing of substrates of cadmium telluride |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU93032451A RU2033658C1 (en) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | Etching agent for chemical smoothing of substrates of cadmium telluride |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2033658C1 true RU2033658C1 (en) | 1995-04-20 |
| RU93032451A RU93032451A (en) | 1995-10-20 |
Family
ID=20143680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU93032451A RU2033658C1 (en) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | Etching agent for chemical smoothing of substrates of cadmium telluride |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2033658C1 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2619423C1 (en) * | 2016-06-06 | 2017-05-15 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Composition of selective thinner for tellurid of cadmium-mercury |
| RU2627711C1 (en) * | 2016-11-02 | 2017-08-10 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Polishing etchant composition for chemical-mechanical polishing of cadmium-zinc telluride |
-
1993
- 1993-06-21 RU RU93032451A patent/RU2033658C1/en active
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 1. J.Electrochem, N 4, 128, april 1981, рр.924-926. * |
| 2. Заявка Японии N 59-79530, кл. H 01L 21/306, 1984. * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2619423C1 (en) * | 2016-06-06 | 2017-05-15 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Composition of selective thinner for tellurid of cadmium-mercury |
| RU2627711C1 (en) * | 2016-11-02 | 2017-08-10 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Polishing etchant composition for chemical-mechanical polishing of cadmium-zinc telluride |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4582624A (en) | Etchant composition | |
| EP0470957A1 (en) | Etchant solution for photoresist-patterned metal layers. | |
| RU2033658C1 (en) | Etching agent for chemical smoothing of substrates of cadmium telluride | |
| EP0107240A1 (en) | Method of photolithographically treating a substrate | |
| JPH054811A (en) | Method for cleansing polycrystalline silicon | |
| JPS5588322A (en) | Treatment of semiconductor substrate | |
| JP2569574B2 (en) | Semiconductor processing agent | |
| JPH05262524A (en) | Production of zinc oxide thin film | |
| JP3376420B2 (en) | Method for producing zinc oxide-based compound patterned film | |
| SU1127477A1 (en) | Etching agent for chemical polishing of gallium phosphide monocrystals | |
| JP3080860B2 (en) | Dry etching method | |
| RU2006981C1 (en) | Polishing etching agent for treatment of crystals of diphthoride of barium | |
| JP2730261B2 (en) | Method for producing silicon dioxide coating | |
| JP2706211B2 (en) | Semiconductor etchant, crystal processing method, and semiconductor device manufacturing method | |
| SU669695A1 (en) | Solution for producing source of donor impurity diffusion | |
| Dremlyuzhenko et al. | Effect of treatment on the CdTe, Cd1–x Mnx Te and Cd1–x Znx Te surface stoichiometry | |
| JPH0418729A (en) | Preprocessing of silicon wafer oxide film and oxidizing solution of silicon wafer | |
| JPS63242999A (en) | Method for etching ii-v compound semiconductor single crystal substrate | |
| JPH09249673A (en) | Aqueous solution for forming silica coating membrane and formation of silica coating membrane | |
| JPH0762386A (en) | Low-surface-tension sulfuric acid composition | |
| SU941434A1 (en) | Composition for detecting dislocations in monocrystaline triple chalcogenide materials | |
| SU1176292A1 (en) | Light-sensitive composition for etching | |
| JPH07283209A (en) | Gaas wafer surface processing method | |
| RU2046451C1 (en) | Solution to etch layers of indium sulfide | |
| SU816331A1 (en) | Polishing pickling composition for mercury iodide |