RU203016U1 - Терагерцовый планарный диод с барьером Шоттки с анодным электродом в форме зигзагообразного мостика - Google Patents
Терагерцовый планарный диод с барьером Шоттки с анодным электродом в форме зигзагообразного мостика Download PDFInfo
- Publication number
- RU203016U1 RU203016U1 RU2019135266U RU2019135266U RU203016U1 RU 203016 U1 RU203016 U1 RU 203016U1 RU 2019135266 U RU2019135266 U RU 2019135266U RU 2019135266 U RU2019135266 U RU 2019135266U RU 203016 U1 RU203016 U1 RU 203016U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- diode
- mesa
- thickness
- zigzag
- terahertz
- Prior art date
Links
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims abstract description 17
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000002077 nanosphere Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000004347 surface barrier Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008276 ice cloud Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 239000003351 stiffener Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Полезная модель относится к области полупроводниковой электроники, а именно к конструкции диодов с барьером Шоттки, предназначенных для использования в составе радиотехнических приборов терагерцового диапазона частот.Терагерцовый планарный диод с барьером Шоттки с анодным электродом в форме зигзагообразного мостика включает в себя полуизолирующую подложку с полупроводниковой мезой с убывающим в направлении роста двухуровневым профилем легирования, а) на поверхности которой через окно в диэлектрике сформирован металлический электрод контакта Шоттки, соединенный с поверхностью лежащего между полуизолирующей подложкой и подножием мезы стоп-слоя через зигзагообразный анодный мостик; б) через окно, в слаболегированном слое которой сформирован омический контакт к ее сильнолегированному слою, окантованный катодной шиной.Предлагаемая конструкция терагерцового планарного диода с барьером Шоттки обеспечивает возможность одновременного выбора толщины мезы диодного элемента, равной глубине скин-слоя в n+-GaAs и формирования металлизации выводных контактов с толщиной в несколько раз меньшей толщины мезы у ее подножия, а также минимизацию количества плоскопараллельно разнесенных токонесущих конструктивных элементов с разными потенциалами.Техническим результатом является возможность двукратного уменьшения длины диодного элемента без увеличения значений его паразитных параметров: шунтирующей емкости и последовательного сопротивления; а также упрощение технической реализации терагерцового приемника на базе диода предлагаемой конструкции при интеграции с копланарной линией передачи в рамках квазиоптической схемы ввода терагерцового излучения.
Description
Полезная модель относится к области полупроводниковой электроники, а именно к конструкции диодов с барьером Шоттки, предназначенных для использования в составе радиотехнических приборов терагерцового диапазона частот.
Исследования Вальтера Шоттки в начале 20 века, направленные на изучение потенциального барьера на границе раздела металл/полупроводник, заложили основу отдельного класса полупроводниковых приборов - диодов с барьером Шоттки, активно используемых в современной электронике в силу высокого быстродействия. Активный переход от вискерной к планарной технологии диодов с барьером Шоттки начался в 90-е годы 20 века. На сегодняшний день существует несколько основных конструкций диода с барьером Шоттки, обеспечивающих возможность его эффективного использования для умножения субтерагерцовых частот и регистрации слабых терагерцовых сигналов.
Из патента РФ RU 2635853 C2 (ЭБД Google patents, выдан 16.11.2017; классификационный индекс H01L 24/05) и патента РФ 201610253 (ЭБД ФГУ ФИПС, опубликован 16.11.2017; классификационный индекс H01L 21/329) известен способ изготовления и базовая конструкция терагерцового диода с вискером "меза-подложка". Согласно способу перед травлением мезы и формированием воздушных мостов на анодном контакте микронных размеров формируется металлический вискер, представляющий собой перевернутый усеченный металлический конус с усеченным основанием, соединенным с анодным контактом, и с широким основанием, соединенным с нависающим над анодом концом воздушного моста, другой конец которого соединен с расположенной на полуизолирующем слое у основания мезы выводной контактной площадкой. В число недостатков предлагаемой способом конструкции диода входит необходимость формирования ребра жесткости на внешней стороне воздушного моста, а также необходимость гальванизации области низкоомного омического катодного контакта для последующего соединения с выводной металлической шиной, лежащей на боковой поверхности мезы.
Из патента США US 10075151 B2 (ЭБД Google patents, выдан 11.09.2018; классификационный индекс H03K 5/00006, H01L 21/8252, H01L 23/66, H01L 27/0207, H01L 27/0814, H01L 29/205, H01L 29/66143, H01L 29/872, Н03В 19/18, H03D 9/0608, Н04 В1/16, H01L 2223/6627, H01L 2223/6655, H01L 2223/6677, H01L 2223/6688, H01L 2924/0002, H01L 2924/12032, H01L 2924/14) и патента США US 8693973B2 (ЭБД Google patents, выдан 08.04.2014; классификационный индекс H03D 7/02, H03D 9/0633, H01L 29/20, H01L 29/66212, H01L 29/872) известна конструкция планарного диода Шоттки "диод с поверхностным каналом", эффективно используемая при создании субтерагерцовых волноводных умножителей частоты и смесителей. Основная идея данной конструкции диода состоит в том, что поверхностный канал на подложке n-GaAs / n+-GaAs / AlGaAs / SI-GaAs глубиной до стоп-слоя уменьшает паразитную емкость между анодом и катодом изготавливаемой структуры вследствие замены GaAs, обладающего высокой диэлектрической проницаемостью, под анодным мостиком на воздух. К числу недостатков "диода с поверхностным каналом" относится сложность интеграции диодного элемента с копланаром при квазиоптической реализации линии ввода электромагнитного излучения в силу сравнимости толщины мезы и зазоров между центральным полоском и землей копланара и сопряженными с этим сложностями травления сэндвича n-GaAs / n+-GaAs в процессе микроструктурирования, неоптимальная паразитная емкость.
Из патента США US 9349881 B2 (ЭБД Google patents, выдан 24.05.2016; классификационный индекс H01L 29/872, H01L 27/14, H01L 27/14612, H01L 29/0619, H01L 29/456, H01L 31/022408, H01L 31/108, H01L 27/14643) известна конструкция латерального диодного элемента. Диодный элемент включает в себя слой с низкой концентрацией носителей первого проводящего типа, слой с высокой концентрацией носителей первого проводящего типа, и электрод Шоттки и омический электрод, которые сформированы на поверхности полупроводника. Слаболегированный слой имеет концентрацию носителей ниже концентрации высоколегированного слоя. Диодный элемент включает в себя область с примесью первого проводящего типа, сформированную под омическим электродом, и область с примесью второго проводящего типа, сформированную так чтобы не иметь электрического контакта с электродом Шоттки на поверхности полупроводника между Шоттки и омическим электродами. Область второго проводящего типа находится в контакте с областью первого проводящего типа. Недостатком предлагаемой конструкции латерального диодного элемента является технологическая сложность изготовления.
Из патента РФ 2014106480/28 (ЭБД ФГУ ФИПС, опубликован 10.05.2015; классификационный индекс H01L 29/872, H01L 21/329) известны конструкция и способ изготовления кремниевого диода с барьером Шоттки, позволяющие получить диод с уменьшенным значением токов утечки и высоким значением обратного напряжения при высоких значениях температуры окружающей среды с одновременным улучшением качества защитного диэлектрического покрытия меза-структуры диода. В выполненном в виде меза-структуры кремниевом диоде с барьером Шоттки периферийная часть барьерного контакта защищена слоем оксида кремния, а толщина меза-структуры превышает толщину эпитаксиального рабочего слоя кремния n-типа электропроводности, при этом защитное диэлектрическое покрытие, толщина которого превышает толщину меза-структуры, выполнено из алюмосиликатного стекла и расположено на боковой поверхности меза-структуры и на поверхности кремниевой подложки n+-типа электропроводности. К недостаткам предлагаемой конструкции диода относится увеличенное значение паразиткой емкости, связанное с использованием защитного диэлектрического покрытия, что является критичным при работе в терагерцовой области электромагнитного спектра.
Из патента РФ 2014100144/28 (ЭБД ФГУ ФИПС, опубликован 10.04.2015; классификационный индекс H01L 21/268) известен способ изготовления и базовая конструкция детекторов терагерцового диапазона электромагнитных волн с поверхностно-барьерными диодами. Способ включает формирование на поверхности полупроводниковой пластины слоя изолятора с отверстиями, лазерно-пиролитическое нанесение металла анода и формирование антенны, слой изолятора напыляют в вакууме на полупроводниковую пластину с предварительно осажденным на ее поверхность слоем не соприкасающихся между собой наносфер, после чего получают отверстия удалением наносфер и затем формируют анодный электрод адресуемым лазерно-пиролитическим нанесением металла в атмосфере, содержащей пары летучего химического соединения металла, на участок изолятора с перекрытием краев отверстия, продолжая нанесение до образования антенны. Основной недостаток предлагаемой способом конструкции детектора терагерцового диапазона связан с необходимостью использования лазерно-пиролитической технологии осаждения металлической пленки анодного электрода поверхностно-барьерного диода, обладающей недостаточной разрешающей способностью.
Из патента РФ 122204 (ЭБД e-library, опубликован 2012; классификационный индекс H01L 2900) известна конструкция выпрямительных диодов с барьером Шоттки на рельефной структуре с улучшенными технико-экономическими показателями из-за исключения из технологического процесса трудоемких операций, повышенным пробивным напряжением, меньшими обратными токами утечек. Сущность конструкции диодного элемента заключается в том, что: - изолирующий слой на боковых стенках и нижней части канавок создается в едином окислительном процессе; - формирование канавок активной и охранной области выполняется в едином технологическом цикле; - охранная область включает как минимум одно первое ограничительное кольцо, ширина которого должна быть не менее ширины внутренней канавки активной области и не более половины ширины области пространственного заряда при напряжении лавинного пробоя диода, и полевой электрод, длина которого должна быть не менее ширины области пространственного заряда в полупроводниковом слое при напряжении лавинного пробоя; - ширина гребней подобрана оптимально для обеспечения минимальных обратных токов утечек. К недостаткам предлагаемой конструкции диода относится увеличенное значение паразиткой емкости и последовательного сопротивления, что является критичным при работе в терагерцовой области электромагнитного спектра.
Из представленных в открытой печати научно-технических статей (В.Т. Bulcha, J.L. Hesler, V. Drakinskiy, J. Stake, and N.S. Barker, "1.9-3.2 THz Schottky based harmonic mixer design and characterization", in Proc. Eur. Microw. Conf., Sep. 2015, pp. 837-840. DOI: 10.1109/EuMC2015.7345894; T.W. Crowe, J.L. Hesler, C. Pouzou, W.L. Bishop, and G.S. Schoenthan, "Development and characterization of a 2.7 THz LO source", in Proc. 22nd Int. Symp. Space THz Technol., 2011. https://www.vadiodes.com/en/news/16-2011-news/43 7-isstt-2011) известно об использовании конструкции диода с барьером Шоттки "диод с поверхностным каналом" с субмикронным размером анода при создании смесителя на 3,2 ТГц и умножителя частоты на 2,7 ТГц. Основная идея данной конструкции диода состоит в том, что поверхностный канал на подложке n-GaAs / n+-GaAs / AlGaAs / SI-GaAs глубиной до стоп-слоя уменьшает паразитную емкость между анодом и катодом изготавливаемой структуры вследствие замены GaAs, обладающего высокой диэлектрической проницаемостью, под анодным мостиком на воздух. Субмикронный размер анода способствует снижению паразитной емкости диодного элемента. К числу недостатков "диода с поверхностным каналом" относится сложность интеграции диодного элемента с копланаром при квазиоптической реализации линии ввода электромагнитного излучения в силу сравнимости толщины мезы и зазоров между центральным полоском и землей копланара и сопряженными с этим сложностями травления сэндвича n-GaAs / n+-GaAs в процессе микроструктурирования, неоптимальная паразитная емкость.
Из представленных в открытой печати научно-технических статей (В. Thomas et al., "Submillimetre-wave receiver developments for ICI onboard MetOP-SG and ice cloud remote sensing instruments", in Proc. IEEE Int. Geosci. Remote Sens. Symp., Jul. 2012, pp. 1278-1281. DOI: 10.1109AGARSS.2012.6351306; N. Alijabbari, M.F. Bauwens, and R.M. Weikle, "Design and characterization of integrated submillimeter-wave quasi-vertical Schottky diodes", IEEE Trans. THz Sci. Technol., vol. 5, no. 1, pp. 73-80, Jan. 2015. DOI: 10.1109/TTHZ.2014.2361434; N. Alijabbari, M.F. Bauwens, and R.M. Weikle, "160 GHz balanced frequency quadruplers based on quasi-vertical Schottky varactors integrated on micromachined silicon", IEEE Trans. THz Sci. Technol., vol. 4, no. 6, pp. 678-685, Nov. 2015. DOI: 10.1109/TTHZ.2014.2360983) известно об использовании конструкции диода с барьером Шоттки "квази-вертикальный диод" при создании смесителя и умножителей частоты субтерагерцового диапазона. В рамках данной конструкции диода контакт Шоттки (анод) формируется на лицевой стороне эпитаксиального слоя, в то время как омический контакт (катод) формируется на его оборотной стороне, непосредственно под областью анодного контакта для обеспечения вертикального течения тока. Катодный электрод проходит в итоге сквозь подложку SI-GaAs. Недостатком предлагаемой конструкции диодного элемента является технологическая сложность изготовления.
Из представленных в открытой печати научно-технических статей (I. Mehdi et al., "Local oscillator sub-systems for array receivers in the 1-3 THz range", Proc. SPIE vol. 8452, p. 845212, Sep. 2012. DOI: 10.1117/12.925256; A. Maestrini et al., "A 2.5-2.7 THz room temperature electronic source", in Proc. 22nd Int. Symp. Space THz Technol., Tucson, AZ, USA, Apr. 2011; J. C. Pearson et al., "Demonstration of a room temperature 2.48-2.75 THz coherent spectroscopy source", Rev. Sci. Instrum., vol. 82, no. 9, p. 093105, 2011. DOI: 10.1063/1.3617420) известно об использовании конструкции диода с барьером Шоттки "диод с вывешенным мостиком" при создании умножителей частоты на 2,7 ТГц. В отличие от конструкции "диод с поверхностным каналом", анодная меза стравлена до стоп-слоя AlGaAs. Для формирования анодного мостика и компенсации перепада высот между поверхностями контакта Шоттки и стоп-слоя применяется метод оплавления специализированного фоторезиста. К недостаткам предлагаемой конструкции диодного элемента относится дискретизация значений толщины мезы, обусловленная свойствами используемых фоторезистов. Предложенное техническое решение наиболее близко по технической сущности и достигаемому техническому результату к заявляемой полезной модели.
Технической задачей, на решение которой направлена заявляемая полезная модель, является добавление новых качеств к известному аналогу - "диоду с вывешенным мостиком", обеспечивающих возможность изготовления диодного элемента с мезой заданной толщины, его миниатюризацию, а также интеграцию с согласованной по импедансу копланарной линией на подложке GaAs в рамках квазиоптической схемы ввода электромагнитного излучения.
Технический результат, достижение которого обеспечивается реализацией всей заявляемой совокупности существенных признаков полезной модели, состоит в обеспечении возможности двукратного уменьшения длины диодного элемента без увеличения значений его паразитных параметров: шунтирующей емкости и последовательного сопротивления, а также упрощении технической реализации терагерцового приемника на базе диода предлагаемой конструкции. Это достигается благодаря возможности одновременного выбора толщины мезы диодного элемента равной глубине скин-слоя в n+-GaAs, обеспечивающей минимизацию потерь на переменном токе, и формирования металлизации выводных контактов с толщиной в несколько раз меньшей толщины мезы у ее подножия.
Сущность полезной модели поясняется на фиг. 1, где показана слоевая структура планарного диода с барьером Шоттки с анодным электродом в форме зигзагообразного мостика. В качестве слоя-основы выступает полуизолирующая подложка GaAs толщиной 350 мкм (1). Наличие стоп-слоя AlxGa1-xAs, где х=0,8±0,04, толщиной 50 нм (2) способствует формированию полупроводниковой мезы n-GaAs/n+-GaAs (60/2000 нм) (3.1/3.2) с убывающим в направлении роста двухуровневым профилем легирования без понижения уровня поверхности полуизолирующей подложки относительно подножия мезы вокруг нее. Металлический электрод контакта Шоттки (4) сформирован на поверхности мезы через окно диаметром 1,5 мкм в диэлектрике - SiO2 толщиной 250 нм (5) с использованием трехслойной системы металлизации Ti/Pt/Au (60/20/20 нм). Омический контакт к сильнолегированному слою n+-GaAs (6) сформирован на верней стороне мезы через окно в слаболегированном слое n-GaAs с использованием пятислойной системы металлизации Ni/Ge/Au/Ni/Au (5/55/25/5/200 нм) площадью 100 мкм2. Зигзагообразный анодный мостик (7) и катодная шина (8) представляют собой двухслойную систему металлизации Ti/Au (5/500 нм), их толщина должна быть не менее суммарной толщины n-GaAs и SiO2. Вертикальный профиль зигзага определяется геометрией полупроводниковой мезы, имеющей форму цилиндра с трапецией в основании, перпендикулярном линии базового среза полуизолирующей подложки; а угол изгиба зигзага ф) совпадает с двугранным углом, образованным боковой гранью полупроводниковой мезы и поверхностью сто-слоя у ее подножия с внешней стороны, и составляет 135° при ориентации плоскости симметрии анодного мостика вдоль линии базового среза подложки. Ширина зигзага не превышает толщины мезы. Длина участка анодного мостика между зигзагом и контактом Шоттки может варьироваться в диапазоне от одной до нескольких десятков толщин мез. При формировании металлизации выводных контактов в форме копланарной линии к диодному элементу предлагаемой конструкции достигается пространственное разрешение, определяемое разрешением электронной литографии.
Claims (6)
1. Терагерцовый планарный диод с барьером Шоттки с анодным электродом в форме зигзагообразного мостика, включающий полуизолирующую подложку с полупроводниковой мезой с убывающим в направлении роста двухуровневым профилем легирования, а) на поверхности которой через окно в диэлектрике сформирован металлический электрод контакта Шоттки, соединенный с поверхностью лежащего между полуизолирующей подложкой и подножием мезы стоп-слоя через зигзагообразный анодный мостик; б) через окно, в слаболегированном слое которой сформирован омический контакт к ее сильнолегированному слою, окантованный катодной шиной.
2. Диод по п. 1, отличающийся тем, что полупроводниковая меза представлена сэндвичем n-GaAs/n+-GaAs (60/2000 нм) и имеет форму цилиндра с трапецией в основании, перпендикулярном линии базового среза полуизолирующей подложки.
3. Диод по п. 1, отличающийся тем, что металлический электрод контакта Шотки представлен системой металлизации Ti/Pt/Au (60/20/20 нм).
4. Диод по п. 1, отличающийся тем, что зигзагообразный анодный мостик представлен системой металлизации Ti/Au (5/500 нм), толщина которой существенно меньше толщины полупроводниковой мезы; угол изгиба зигзага совпадает с двугранным углом, образованным боковой гранью полупроводниковой мезы и поверхностью стоп-слоя у ее подножия с внешней стороны, и составляет 135° при ориентации плоскости симметрии анодного мостика вдоль линии базового среза полуизолирующей подложки.
5. Диод по п. 1, отличающийся тем, что омический контакт представлен системой металлизации Ni/Ge/Au/Ni/Au (5/55/25/5/200 нм) площадью 100 мкм2.
6. Диод по п. 1, отличающийся тем, катодная шина представлена системой металлизации Ti/Au (5/500 нм), толщина которой существенно меньше толщины полупроводниковой мезы.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019135266U RU203016U1 (ru) | 2019-11-05 | 2019-11-05 | Терагерцовый планарный диод с барьером Шоттки с анодным электродом в форме зигзагообразного мостика |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019135266U RU203016U1 (ru) | 2019-11-05 | 2019-11-05 | Терагерцовый планарный диод с барьером Шоттки с анодным электродом в форме зигзагообразного мостика |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU203016U1 true RU203016U1 (ru) | 2021-03-18 |
Family
ID=74874144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2019135266U RU203016U1 (ru) | 2019-11-05 | 2019-11-05 | Терагерцовый планарный диод с барьером Шоттки с анодным электродом в форме зигзагообразного мостика |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU203016U1 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113937097A (zh) * | 2021-10-14 | 2022-01-14 | 中电国基南方集团有限公司 | 一种采用肖特基势垒二极管的太赫兹宽带零偏检波芯片 |
| RU2803409C1 (ru) * | 2022-08-16 | 2023-09-12 | Общество с ограниченной ответственностью Арсенид-галлиевые актуальные технологии (ООО АГАТ) | Кристалл высоковольтного гиперскоростного сильноточного диода с барьером Шоттки и p-n переходами |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103367463B (zh) * | 2013-07-23 | 2015-12-09 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一种太赫兹横向肖特基二极管及其制作方法 |
| CN102903761B (zh) * | 2012-10-11 | 2016-01-20 | 王昊 | 太赫兹肖特基二极管 |
| WO2016033557A2 (en) * | 2014-08-29 | 2016-03-03 | University Of Virginia | Quasi-vertical diode with integrated ohmic contact base and related method thereof |
| RU2635853C2 (ru) * | 2016-01-26 | 2017-11-16 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (АО "НИИПП") | Способ изготовления диода с вискером терагерцового диапазона |
| CN111048598A (zh) * | 2019-12-09 | 2020-04-21 | 北京国联万众半导体科技有限公司 | GaN肖特基二极管 |
-
2019
- 2019-11-05 RU RU2019135266U patent/RU203016U1/ru active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102903761B (zh) * | 2012-10-11 | 2016-01-20 | 王昊 | 太赫兹肖特基二极管 |
| CN103367463B (zh) * | 2013-07-23 | 2015-12-09 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一种太赫兹横向肖特基二极管及其制作方法 |
| WO2016033557A2 (en) * | 2014-08-29 | 2016-03-03 | University Of Virginia | Quasi-vertical diode with integrated ohmic contact base and related method thereof |
| RU2635853C2 (ru) * | 2016-01-26 | 2017-11-16 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (АО "НИИПП") | Способ изготовления диода с вискером терагерцового диапазона |
| CN111048598A (zh) * | 2019-12-09 | 2020-04-21 | 北京国联万众半导体科技有限公司 | GaN肖特基二极管 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113937097A (zh) * | 2021-10-14 | 2022-01-14 | 中电国基南方集团有限公司 | 一种采用肖特基势垒二极管的太赫兹宽带零偏检波芯片 |
| RU2803409C1 (ru) * | 2022-08-16 | 2023-09-12 | Общество с ограниченной ответственностью Арсенид-галлиевые актуальные технологии (ООО АГАТ) | Кристалл высоковольтного гиперскоростного сильноточного диода с барьером Шоттки и p-n переходами |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106876484B (zh) | 高击穿电压氧化镓肖特基二极管及其制作方法 | |
| US11018238B2 (en) | Structure, method for manufacturing same, semiconductor element, and electronic circuit | |
| US3962713A (en) | Large value capacitor | |
| US5856217A (en) | Modulation-doped field-effect transistors and fabrication processes | |
| CN101752430A (zh) | 一种场板结构的氮化镓基肖特基二极管 | |
| Ogura et al. | A capacitance investigation of InGaAs/InP isotype heterojunction | |
| US4075650A (en) | Millimeter wave semiconductor device | |
| Peatman et al. | Design and fabrication of 0.5 micron GaAs Schottky barrier diodes for low-noise terahertz receiver applications | |
| RU203016U1 (ru) | Терагерцовый планарный диод с барьером Шоттки с анодным электродом в форме зигзагообразного мостика | |
| US3742317A (en) | Schottky barrier diode | |
| US4301233A (en) | Beam lead Schottky barrier diode for operation at millimeter and submillimeter wave frequencies | |
| US4549194A (en) | Light sensitive detector | |
| CN117238974B (zh) | 一种等差式多环区的超突变变容二极管及其制备方法 | |
| Kressel et al. | The effective ionization rate for hot carriers in GaAs | |
| Peatman et al. | Quarter‐micrometer GaAs Schottky barrier diode with high video responsivity at 118 μm | |
| US4665413A (en) | Edge junction schottky diode | |
| US3604990A (en) | Smoothly changing voltage-variable capacitor having an extendible pn junction region | |
| JP6741943B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US4223327A (en) | Nickel-palladium Schottky junction in a cavity | |
| US4108738A (en) | Method for forming contacts to semiconductor devices | |
| US4674177A (en) | Method for making an edge junction schottky diode | |
| US4631560A (en) | MOMS tunnel emission transistor | |
| Kahng et al. | Gold-epitaxial silicon high-frequency diodes | |
| Shurakov et al. | Planar Schottky diode with a Γ-shaped anode suspended bridge | |
| US4201998A (en) | Devices with Schottky metal contacts filling a depression in a semi-conductor body |