Claims (3)
1. Устройство для магнетронного нанесения слоев, содержащее вакуумную камеру, систему откачки, систему дозированного напуска газов, держатель подложки, заслонку подложки со средствами ручного или электронного управления ею, катодный узел, содержащий источник магнитного поля, средства теплоотвода и держатель мишени из распыляемого материала, а также источник отрицательного смещения, подаваемого на мишень, и электрический конденсатор, включенный параллельно разрядному промежутку, отличающееся тем, что устройство содержит средства измерения амплитуды осцилляций тока разряда, средства ввода требуемых пороговых значений амплитуды осцилляций тока разряда, средства управления заслонкой, выполненные с возможностью автоматического или ручного открытия и закрытия заслонки при достижении заданных пороговых значений амплитуды осцилляций тока разряда.1. A device for magnetron deposition of layers, containing a vacuum chamber, an pumping system, a dosed injection system of gases, a substrate holder, a substrate shutter with means for manual or electronic control of it, a cathode unit containing a magnetic field source, heat removal means and a target holder made of sputtered material, as well as a source of negative bias applied to the target, and an electric capacitor connected parallel to the discharge gap, characterized in that the device contains means for measuring the amplitude of discharge current oscillations, means for entering the required threshold values of the amplitude of discharge current oscillations, means for controlling the damper, configured to automatically or manual opening and closing of the damper when specified threshold values of the amplitude of discharge current oscillations are reached.
2. Способ использования устройства магнетронного нанесения слоев, заключающийся в том, что материал мишени распыляют в плазме магнетронного разряда и осаждают на подложку, отличающийся тем, что вводят разряд в режим автоколебаний тока разряда путем задания емкости конденсатора, включенного параллельно разрядному промежутку в пределах от 0,1⋅I⋅U/T до 10,0⋅I⋅U/T, где I – величина тока разряда, U – напряжение, приложенное к разрядному промежутку, T – характерное время процесса перезарядки порядка 1⋅10-4 с, контролируют амплитуду возникших осцилляций разрядного тока и производят экспозицию подложки потоку осаждаемого материала путем открытия заслонки только при уменьшении амплитуды автоколебаний разрядного тока ниже заданного порогового уровня, предусмотренного технологией нанесения для конкретного процесса, и прерывают экспозицию путем закрытия заслонки при амплитуде автоколебаний разрядного тока выше заданного порогового уровня.2. A method of using a device for magnetron deposition of layers, which consists in the fact that the target material is sputtered in the plasma of a magnetron discharge and deposited on a substrate, characterized in that the discharge is introduced into the mode of self-oscillations of the discharge current by setting the capacitance of a capacitor connected parallel to the discharge gap in the range from 0 ,1⋅I⋅U/T up to 10.0⋅I⋅U/T, where I is the magnitude of the discharge current, U is the voltage applied to the discharge gap, T is the characteristic time of the recharging process of the order of 1⋅10 -4 s, controlled the amplitude of the resulting oscillations of the discharge current and expose the substrate to the flow of the deposited material by opening the damper only when the amplitude of self-oscillations of the discharge current decreases below a given threshold level provided by the deposition technology for a specific process, and interrupt the exposure by closing the damper when the amplitude of self-oscillations of the discharge current is above a given threshold level.
3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что конденсатор выполнен с емкостью или с возможностью задания емкости в пределах от 0,1⋅I⋅U/T до 10,0⋅I⋅U/T, где I – величина тока разряда, U – напряжение, приложенное к разрядному промежутку, T – характерное время процесса перезарядки порядка 1⋅10-4 с.3. The device according to claim 1, characterized in that the capacitor is made with a capacitance or with the ability to set the capacitance in the range from 0.1⋅I⋅U/T to 10.0⋅I⋅U/T, where I is the value of the discharge current , U is the voltage applied to the discharge gap, T is the characteristic time of the recharging process of the order of 1⋅10 -4 s.