Claims (28)
1. Фоточувствительная гетерогенная структура, включающая1. Photosensitive heterogeneous structure, including
слой n-типа проводимости; и n-type layer of conductivity; and
слой p-типа проводимости, содержащий однослойные углеродные нанотрубки (ОСУНТ), и полимер, обладающий дырочной проводимостью. a p-type conductivity layer containing single-walled carbon nanotubes (SWCNT), and a hole-conducting polymer.
2. Фоточувствительная гетерогенная структура по п. 1, дополнительно содержащая между слоем n-типа проводимости и слоем p-типа проводимости слой i-типа проводимости.2. A photosensitive heterogeneous structure according to claim 1, further comprising a layer of i-type conductivity between the n-type conduction layer and the p-type conduction layer.
3. Фоточувствительная гетерогенная структура по пп. 1-2, отличающаяся тем, что слой n-типа проводимости представляет собой гидрогенизированный аморфный кремний, легированный для придания проводимости n-типа, предпочтительно фосфором.3. Photosensitive heterogeneous structure on PP. 1-2, characterized in that the layer of n-type conductivity is a hydrogenated amorphous silicon alloyed to impart n-type conductivity, preferably phosphorus.
4. Фоточувствительная гетерогенная структура по пп. 1-3, отличающаяся тем, что слой i-типа проводимости представляет собой гидрогенизированный аморфный кремний.4. Photosensitive heterogeneous structure in PP. 1-3, characterized in that the layer of i-type conductivity is hydrogenated amorphous silicon.
5. Фоточувствительная гетерогенная структура по пп. 1-4, отличающаяся тем, что полимер, обладающий дырочной проводимостью, выбран из PEDOT:PSS, P3HT:PCBM, P3OT, PCDTBT:PCBM и спиро-OMeTAD.5. Photosensitive heterogeneous structure of PP. 1-4, characterized in that the polymer having hole conductivity is selected from PEDOT: PSS, P3HT: PCBM, P3OT, PCDTBT: PCBM and Spiro-OMeTAD.
6. Фоточувствительная гетерогенная структура по пп. 1-5, дополнительно включающая антиотражающий слой над слоем p-типа проводимости.6. Photosensitive heterogeneous structure of PP. 1-5, further comprising an anti-reflective layer above the p-type conductivity layer.
7. Фоточувствительная гетерогенная структура по пп. 1-6, отличающаяся тем, что антиотражающий слой представляет собой полметилметакрилат (ПММА).7. Photosensitive heterogeneous structure on PP. 1-6, characterized in that the antireflection layer is a polmethylmethacrylate (PMMA).
8. Фоточувствительная гетерогенная структура по пп. 1-7, отличающаяся тем, что слой n-типа толщину от примерно 20 нм до примерно 35 нм.8. Photosensitive heterogeneous structure in PP. 1-7, characterized in that the n-type layer thickness is from about 20 nm to about 35 nm.
9. Фоточувствительная гетерогенная структура по пп. 2-8, отличающаяся тем, что слой i-типа имеет толщину от примерно 250 нм до примерно 350 нм.9. Photosensitive heterogeneous structure of PP. 2-8, characterized in that the i-type layer has a thickness of from about 250 nm to about 350 nm.
10. Фоточувствительная гетерогенная структура по пп. 1-9, отличающаяся тем, что слой p-типа проводимости имеет толщину от примерно 55 нм до примерно 85 нм, причем слой однослойных углеродных нанотрубок имеет толщину от примерно 10 нм до примерно 30 нм.10. Photosensitive heterogeneous structure of PP. 1-9, characterized in that the p-type conductivity layer has a thickness of from about 55 nm to about 85 nm, and the layer of single-layer carbon nanotubes has a thickness of from about 10 nm to about 30 nm.
11. Фоточувствительная гетерогенная структура по п. 6 или 7, отличающаяся тем, что антиотражающий слой имеет толщину от примерно 250 нм до примерно 350 нм.11. The photosensitive heterogeneous structure according to claim 6 or 7, characterized in that the anti-reflective layer has a thickness of from about 250 nm to about 350 nm.
12. Фоточувствительная гетерогенная структура по любому из пп. 1-11, которая является двусторонним.12. Photosensitive heterogeneous structure according to any one of paragraphs. 1-11, which is bilateral.
13. Способ изготовления фоточувствительной гетерогенной структуры по пп. 1-12, включающий13. A method of manufacturing a photosensitive heterogeneous structure on PP. 1-12, including
а) обеспечение слоя слой n-типа проводимости;a) providing a layer of n-type conductivity layer;
b) нанесение на слой n-типа проводимости слоя однослойных углеродных нанотрубок;b) applying a layer of single-walled carbon nanotubes to the n-type layer;
c) нанесение на слой однослойных углеродных нанотрубок слоя полимера, обладающего дырочной проводимостью.c) deposition on the layer of single-walled carbon nanotubes a layer of polymer with hole conductivity.
14. Способ по п. 13 дополнительно включающий после стадии а) нанесение на слой n-типа проводимости слоя i-типа проводимости.14. The method according to claim 13 further comprising, after step a), applying an n-type conductivity layer on the i-type layer.
15. Способ по пп. 13-14, включающий:15. The method according to paragraphs. 13-14, including:
а) осаждение оксида цинка, легированного алюминием, на подложку с помощью распыления при постоянном токе;a) deposition of zinc oxide doped with aluminum on a substrate by spraying at a constant current;
b) нанесение слоя тонкой пленки гидрогенизированного аморфного кремния n-типа проводимости, с помощью плазмохимического осаждения из газовой фазы;b) applying a layer of thin film of hydrogenated n-type amorphous silicon, using plasma-chemical deposition from the gas phase;
c) нанесение слоя тонкой пленки гидрогенизированного аморфного кремния i-типа проводимости с помощью плазмохимического осаждения из газовой фазы;c) applying a layer of a thin film of hydrogenated amorphous i-type silicon with plasma chemical deposition from the gas phase;
d) нанесение в сухом виде одностенных углеродных нанотрубок на предварительно обработанную фторидом водорода поверхность слоя i-типа в условиях окружающей среды;d) dry application of single-walled carbon nanotubes onto the surface of i-type layer pretreated with hydrogen fluoride under ambient conditions;
e) нанесение по каплям изопропанола с последующим его испарением;e) applying dropwise isopropanol followed by evaporation;
f) нанесение поли(3,4-этилендиокситиофен) поли(стиролсульфоната (PEDOT:PSS) путем осаждения полимера из раствора.f) applying poly (3,4-ethylenedioxythiophene) poly (styrene sulfonate (PEDOT: PSS) by precipitating the polymer from solution.
17. Способ по пп. 13-15 дополнительно включает нанесение слоя полиметилметакрилата путем его осаждения из раствора.17. The method according to paragraphs. 13-15 further includes applying a layer of polymethyl methacrylate by precipitating it from solution.
18. Композиция, композиционный материал, пленка, гетерогенная структура, фотоэлектрический преобразователь, панель, модуль или способы их изготовления, как раскрыто в настоящем описании.18. Composition, composite material, film, heterogeneous structure, photoelectric converter, panel, module or methods for their manufacture, as disclosed in the present description.