RU2016121459A - Регулирование температуры плавильного тигля в печи - Google Patents

Регулирование температуры плавильного тигля в печи Download PDF

Info

Publication number
RU2016121459A
RU2016121459A RU2016121459A RU2016121459A RU2016121459A RU 2016121459 A RU2016121459 A RU 2016121459A RU 2016121459 A RU2016121459 A RU 2016121459A RU 2016121459 A RU2016121459 A RU 2016121459A RU 2016121459 A RU2016121459 A RU 2016121459A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
crucible
heat
furnace
furnace system
insulating plug
Prior art date
Application number
RU2016121459A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2016121459A3 (ru
RU2669599C2 (ru
Inventor
Бернард Д. ДЖОНС
Дин С. СКЕЛТОН
Томас С. МакГИ
Роберт ЭБНЕР
Original Assignee
Эбнер Индустриеофенбау Гмбх
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Эбнер Индустриеофенбау Гмбх filed Critical Эбнер Индустриеофенбау Гмбх
Publication of RU2016121459A publication Critical patent/RU2016121459A/ru
Publication of RU2016121459A3 publication Critical patent/RU2016121459A3/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2669599C2 publication Critical patent/RU2669599C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/002—Crucibles or containers for supporting the melt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/003—Heating or cooling of the melt or the crystallised material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/006—Controlling or regulating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/20—Aluminium oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B35/002—Crucibles or containers
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B14/00—Crucible or pot furnaces
    • F27B14/08—Details peculiar to crucible or pot furnaces
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B14/00—Crucible or pot furnaces
    • F27B14/08—Details peculiar to crucible or pot furnaces
    • F27B14/20—Arrangement of controlling, monitoring, alarm or like devices
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • F27D99/0073—Seals
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B14/00—Crucible or pot furnaces
    • F27B14/08—Details peculiar to crucible or pot furnaces
    • F27B2014/0825—Crucible or pot support
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B14/00—Crucible or pot furnaces
    • F27B14/08—Details peculiar to crucible or pot furnaces
    • F27B2014/0875—Two zones or chambers, e.g. one used for charging
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D19/00—Arrangements of controlling devices
    • F27D2019/0028—Regulation
    • F27D2019/0034—Regulation through control of a heating quantity such as fuel, oxidant or intensity of current
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • F27D99/0001—Heating elements or systems
    • F27D99/0006—Electric heating elements or system
    • F27D2099/0026—Electric heating elements or system with a generator of electromagnetic radiations

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Claims (31)

1. Система печи для выращивания кристаллов, содержащая
тигель (110) для выращивания кристалла;
печь (120), содержащая корпус (121) с внутренней полостью (Vi), формирующей зону нагрева,
причем тигель (110) установлен во внутренней полости (Vi),
и корпус (121) печи имеет сквозной проход (124), соединяющий внутреннюю полость (Vi) со средой, окружающей корпус (121); и
теплоизоляционную заглушку (101), которая может быть введена с возможностью перемещения в сквозной проход (124) для регулирования отвода тепла из тигля (110) посредством излучения,
причем теплоизоляционная заглушка (101) не находится в передающем силу контакте с тиглем (110).
2. Система печи по п. 1, в которой корпус (121) печи имеет нижнюю часть (122) с опорной зоной (123), на которую опирается тигель (110), и в опорной зоне (123) выполнен сквозной проход (124), соединяющий внутреннюю полость (Vi) со средой, окружающей корпус (121).
3. Система печи по п. 1 или 2, в которой тигель (110) установлен во внутренней полости (Vi) таким образом, что сквозной проход (124) закрывается нижней поверхностью (112) тигля (110) для изолирования внутренней полости (Vi) от внешней среды.
4. Система печи по п. 1 или 2, в которой нижняя поверхность (112) тигля (110) имеет первый диаметр (I1), а верхний конец теплоизоляционной заглушки (101) имеет второй диаметр (I2), который равен первому диаметру (I1).
5. Система печи по п. 1 или 2, в которой тигель (110) содержит затравочный кристалл (103), имеющий цилиндрическую форму с диаметром (Is) кристалла, причем второй диаметр (I2) верхнего конца теплоизоляционной заглушки (101) равен диаметру (Is) кристалла.
6. Система печи по п. 5, в которой третий диаметр сквозного прохода может изменяться регулируемым образом до второго диаметра (I2) верхнего конца теплоизоляционной заглушки (101).
7. Система печи по одному из пп. 1, 2 или 6, в которой теплоизоляционная заглушка (101) содержит теплоизлучающую секцию (104), формирующую свободный конец теплоизоляционной заглушки (101), обращенный к поверхности, в частности к нижней поверхности (112), тигля (110).
8. Система печи по п. 7, в которой теплоизлучающая секция (104) содержит материал, коэффициент теплопередачи которого составляет больше чем 50 Вт/(м⋅К), в частности больше чем 90 Вт/(м⋅К).
9. Система печи по одному из пп. 1, 2, 6 или 8, в которой теплоизоляционная заглушка (101) содержит теплоизоляционную секцию (105), формирующую свободный конец теплоизоляционной заглушки (101), обращенный к среде, окружающей корпус (121) печи.
10. Система печи по п. 9, в которой теплоизоляционная секция (105) содержит материал, коэффициент теплопередачи которого составляет меньше чем 20 Вт/(м⋅К), в частности меньше чем 1 Вт/(м⋅К).
11. Система печи по одному из пп. 2, 6, 8 или 10, в которой площадь нижней поверхности (112) тигля (110) равна или больше площади поперечного сечения сквозного прохода (124).
12. Система печи по одному из пп. 2, 6, 8 или 10, содержащая также опорную пластину (106), установленную между нижней поверхностью (112) тигля (110) и опорной зоной (123).
13. Система печи по одному из пп. 1, 2, 6, 8 или 10, в которой теплоизоляционная заглушка (101) поддерживается с возможностью перемещения в направлении тигля (110) и в направлении от тигля (110).
14. Система печи по одному из пп. 1, 2, 6, 8 или 10, содержащая также теплообменник (130), который термически связан с теплоизоляционной заглушкой (101) для передачи тепла между теплоизоляционной заглушкой (101) и теплообменником (130).
15. Система печи по одному из пп. 1, 2, 6, 8 или 10, содержащая также по меньшей мере один другой тигель (160) для выращивания другого кристалла, причем другой тигель (160) установлен во внутренней полости (Vi).
16. Система печи по одному из пп. 1, 2, 6, 8 или 10, в которой корпус (121) печи содержит по меньшей мере один другой сквозной проход (126), соединяющий внутреннюю полость (Vi) со средой, окружающей корпус (121), и система печи содержит также другую теплоизоляционную заглушку (170), которая может быть введена с возможностью перемещения в другой сквозной проход (126) для регулирования отвода тепла из внутренней полости (Vi), причем другая теплоизоляционная заглушка (170) не находится в передающем силу контакте с тиглем (110).
17. Система печи по п. 16, в которой другой тигель (160) установлен во внутренней полости (Vi) таким образом, что другой сквозной проход (126) закрывается нижней поверхностью (162) другого тигля (160) для изолирования внутренней полости (Vi) от внешней среды.
18. Система печи по одному из пп. 1, 2, 6, 8, 10 или 17, в которой печь (120) содержит радиационное нагревательное устройство (125) для нагрева по меньшей мере тигля (110), причем радиационное нагревательное устройство (125) установлено во внутренней полости (Vi) корпуса печи.
19. Система печи по п. 18, в которой радиационное нагревательное устройство (125) содержит теплоизлучающую стенку, которая охватывает тигель (110) и другой тигель (160).
20. Система печи по п. 18, в которой радиационное нагревательное устройство (125) содержит первую теплоизлучающую стенку (128) и вторую теплоизлучающую стенку (128), причем первая теплоизлучающая стенка (128) охватывает тигель (110), а вторая теплоизлучающая стенка (128) охватывает другой тигель (160).
21. Система печи по п. 15, в которой печь (120) содержит опорную конструкцию для тиглей, которая установлена во внутренней полости (Vi), причем опорная конструкция для тигля содержит углубление, в которое может быть установлен по меньшей мере один тигель (110, 120).
22. Способ выращивания кристаллов, включающий
предоставление тигля (110) для выращивания кристалла;
установку тигля (110) во внутренней полости (Vi) корпуса (121) печи (120), причем корпус (121) имеет сквозной проход (124), соединяющий внутреннюю полость (Vi) со средой, окружающей корпус (121); и
введение с возможностью перемещения теплоизоляционной заглушки (101) в сквозной проход (124) для регулирования отвода тепла из тигля (110) посредством излучения, причем теплоизоляционная заглушка (101) не находится в передающем силу контакте с тиглем (110).
RU2016121459A 2013-11-07 2014-11-03 Регулирование температуры плавильного тигля в печи RU2669599C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB1319671.2 2013-11-07
GBGB1319671.2A GB201319671D0 (en) 2013-11-07 2013-11-07 Controlling a temperature of a crucible inside an oven
PCT/EP2014/073540 WO2015067552A1 (en) 2013-11-07 2014-11-03 Controlling a temperature of a crucible inside an oven

Publications (3)

Publication Number Publication Date
RU2016121459A true RU2016121459A (ru) 2017-12-08
RU2016121459A3 RU2016121459A3 (ru) 2018-03-06
RU2669599C2 RU2669599C2 (ru) 2018-10-12

Family

ID=49818274

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016121459A RU2669599C2 (ru) 2013-11-07 2014-11-03 Регулирование температуры плавильного тигля в печи

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10094040B2 (ru)
EP (1) EP3066235B1 (ru)
KR (1) KR102249983B1 (ru)
CN (1) CN105705682A (ru)
GB (1) GB201319671D0 (ru)
RU (1) RU2669599C2 (ru)
WO (1) WO2015067552A1 (ru)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107999720A (zh) * 2016-11-02 2018-05-08 福建省瑞奥麦特轻金属有限责任公司 一种用于连续制备铝合金半固态浆料的打结式保温炉
JP7186534B2 (ja) 2018-07-25 2022-12-09 昭和電工株式会社 結晶成長装置
CN109112630B (zh) * 2018-09-25 2020-04-28 天通银厦新材料有限公司 一种蓝宝石晶体生长炉坩埚固定装置
DE102018129492B4 (de) 2018-11-22 2022-04-28 Ebner Industrieofenbau Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Züchten von Kristallen
DE102019102376B4 (de) 2019-01-30 2020-11-05 Ebner Industrieofenbau Gmbh Formvorrichtung zum Züchten von Einkristallen
DE102020106291B4 (de) 2020-03-09 2024-02-08 Ebner Industrieofenbau Gmbh Heizvorrichtung und Verfahren zur Kristallzüchtung mit beweglicher Impfkristallhalterung
DE102020111456B4 (de) 2020-04-27 2023-11-16 Ebner Industrieofenbau Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Erwärmen mehrerer Tiegel
AT524601B1 (de) 2020-12-29 2023-04-15 Fametec Gmbh Vorrichtung zum Züchten eines künstlich hergestellten Einkristalls, insbesondere eines Saphir-Einkristalls
AT524602B1 (de) * 2020-12-29 2023-05-15 Fametec Gmbh Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls
RU2759623C1 (ru) * 2021-02-25 2021-11-16 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) Опора тигля для выращивания кристаллов

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2553232B1 (fr) * 1983-10-05 1985-12-27 Comp Generale Electricite Procede et dispositif pour elaborer un lingot d'un materiau semi-conducteur polycristallin
JPH064519B2 (ja) * 1989-06-30 1994-01-19 日本鋼管株式会社 希土類金属と遷移金属とからなる巨大磁歪合金ロツドの製造方法
JPH062635B2 (ja) 1989-06-30 1994-01-12 日本鋼管株式会社 巨大磁歪合金ロツドの製造方法
JP4203647B2 (ja) * 2002-06-13 2009-01-07 株式会社日立製作所 単結晶の製造装置、及びその製造方法
US7867334B2 (en) 2004-03-29 2011-01-11 Kyocera Corporation Silicon casting apparatus and method of producing silicon ingot
US7344596B2 (en) * 2005-08-25 2008-03-18 Crystal Systems, Inc. System and method for crystal growing
FR2918675B1 (fr) * 2007-07-10 2009-08-28 Commissariat Energie Atomique Dispositif de fabrication d'un bloc de materiau cristallin avec modulation de la conductivite thermique.
KR100955221B1 (ko) 2007-10-05 2010-04-29 주식회사 글로실 힌지를 이용한 도어 개폐장치가 구비된 태양전지용 다결정실리콘 주괴 제조 장치
TW200928018A (en) 2007-12-21 2009-07-01 Green Energy Technology Inc Crystal-growing furnace with convectional cooling structure
KR101217458B1 (ko) * 2009-09-24 2013-01-07 주식회사 글로실 회전형 도어 개폐장치가 구비된 다결정 실리콘 주괴 제조장치
KR101139845B1 (ko) * 2010-04-29 2012-04-30 한국화학연구원 태양전지용 고 생산성 다결정 실리콘 잉곳 제조 장치
TWI432617B (zh) * 2011-07-12 2014-04-01 Sino American Silicon Prod Inc 長晶裝置
CN103890242B (zh) * 2011-08-01 2018-05-08 Gtat公司 液体冷却热交换器
KR101345747B1 (ko) 2011-08-18 2013-12-30 한국화학연구원 반도체 또는 금속산화물 잉곳 제조장치
KR20140059803A (ko) * 2011-09-14 2014-05-16 엠이엠씨 싱가포르 피티이. 엘티디. 이동식 열교환기를 구비한 방향성 응고로
FR2980489B1 (fr) * 2011-09-28 2014-09-19 Ecm Technologies Four de solidification dirigee de cristaux
US20130152851A1 (en) * 2011-12-15 2013-06-20 Spx Corporation Bulk Growth Grain Controlled Directional Solidification Device and Method
US20140261158A1 (en) 2013-03-13 2014-09-18 Advanced Renewableenergy Company, Llc Furnance employing components for use with graphite hot zone

Also Published As

Publication number Publication date
KR102249983B1 (ko) 2021-05-11
KR20160083022A (ko) 2016-07-11
CN105705682A (zh) 2016-06-22
EP3066235B1 (en) 2019-05-01
GB201319671D0 (en) 2013-12-25
RU2016121459A3 (ru) 2018-03-06
US20160281259A1 (en) 2016-09-29
RU2669599C2 (ru) 2018-10-12
US10094040B2 (en) 2018-10-09
WO2015067552A1 (en) 2015-05-14
EP3066235A1 (en) 2016-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2016121459A (ru) Регулирование температуры плавильного тигля в печи
CN101323968B (zh) 多元化合物红外晶体生长装置
CN202989330U (zh) 新型多晶炉加热装置
WO2017209376A3 (ko) 탄화규소 단결정 잉곳의 성장장치 및 그 성장방법
SG10201403612SA (en) Heat-dissipating structure having embedded support tube to form internally recycling heat transfer fluid and application apparatus
CN203699919U (zh) 一种多点控温高温石墨化炉
CN104165898A (zh) 大温度梯度布里奇曼炉
ES2387996T3 (es) Dispositivo y procedimiento de fabricación de un bloque de material cristalino
TW201129730A (en) Single crystal pulling apparatus and single crystal pulling method
CN204101489U (zh) 大温度梯度布里奇曼炉
CN102485978A (zh) 一种可以调节炉膛温度梯度的保温桶
KR101168836B1 (ko) 에너지 절약형 온수 난방바닥
CN102534747A (zh) 可容纳多个水热釜的水热法晶体生长炉
CN103757695B (zh) 一种多晶硅定向凝固设备的侧壁热量补偿装置
TWM485251U (zh) 晶體生長裝置及其保溫罩
TWI432617B (zh) 長晶裝置
CN102912416A (zh) 新型多晶炉加热装置
CN202220222U (zh) 坩埚测温仪辅助晶体生长装置
CN201574211U (zh) 一种筒式单晶炉的石墨热场
KR20150011788A (ko) 내부 오염 방지형 진공 증발원
CN109171394A (zh) 一种保温杯
CN202786499U (zh) 适用于泡生法生长掺钛蓝宝石晶体的高温炉
CN109137061A (zh) 一种用于溶液法晶体生长的坩埚系统
KR20150011520A (ko) 내부 오염 방지형 진공 증발원
CN202626013U (zh) 料盆

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20191104