Claims (1)
Микрополосковый СВЧ диплексор, содержащий многослойную диэлектрическую подложку с нижним и верхним экранирующими металлическими слоями, входной и два выходных порта, а также два полосно-пропускающих фильтра, выполненных из расположенных на различных слоях подложки связанных полуволновых резонаторов, причем пары полуволновых резонаторов первого и второго фильтров, расположенные на одном слое подложки выполнены пересекающимися в средних точках, которые соединены с нижним и верхним экранирующими слоями с помощью металлизированных отверстий связи через слои диэлектрической подложки, при этом крайние резонаторы первого из упомянутых фильтров с помощью отрезков согласующих линий электрически связаны с входным и первым выходным портом, а крайние резонаторы второго фильтра с помощью отрезков согласующих линий электрически связаны с входным и вторым выходным портом, отличающийся, тем, что каждая пара пересекающихся полуволновых резонаторов первого и второго фильтров расположена на отдельном слое подложки, связь между полуволновыми резонаторами в каждом фильтре выполнена с помощью металлизированных отверстий связи через слой подложки, на сторонах которого они расположены, при этом полуволновые резонаторы каждого фильтра в соседних слоях расположены ортогонально.A microstrip microwave diplexer containing a multilayer dielectric substrate with lower and upper shielding metal layers, an input and two output ports, as well as two band-pass filters made of coupled half-wave resonators located on different layers of the substrate, and pairs of half-wave resonators of the first and second filters, the substrates located on one layer are made intersecting at midpoints, which are connected to the lower and upper shielding layers using metallized the apertures of communication through the layers of the dielectric substrate, while the extreme resonators of the first of the mentioned filters are electrically connected to the input and the first output port by the segments of matching filters, and the extreme resonators of the second filter are electrically connected to the input and second output ports by the segments of matching lines, the fact that each pair of intersecting half-wave resonators of the first and second filters is located on a separate layer of the substrate, the connection between the half-wave resonators in each filter is made It is not possible by means of metallized communication holes through the substrate layer, on the sides of which they are located, while the half-wave resonators of each filter in the adjacent layers are located orthogonally.