Claims (8)
1. Способ изготовления детектора терагерцового излучения, содержащего подложку, контактные площадки, размещенные на подложке, графен, подсоединенный к контактным площадкам, отличающийся тем, что контактные площадки выполнены в виде плоской спиральной антенны логарифмического типа.1. A method of manufacturing a terahertz radiation detector containing a substrate, contact pads located on the substrate, graphene connected to the contact pads, characterized in that the contact pads are made in the form of a flat spiral antenna of a logarithmic type.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что контактные площадки выполнены из металлов с разной работой выхода в одном литографическом цикле.2. The method according to p. 1, characterized in that the contact pads are made of metals with different work functions in one lithographic cycle.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что контактные площадки выполнены из хрома и золота.3. The method according to p. 1, characterized in that the contact pads are made of chromium and gold.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что графен синтезирован методом химического осаждения из газовой фазы на никелевых подложках размером до 1⋅2 см2.4. The method according to p. 1, characterized in that the graphene is synthesized by chemical vapor deposition on nickel substrates up to 1-2 cm 2 in size.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что латеральные размеры чувствительного элемента составляют от 1 до 10 мкм.5. The method according to p. 1, characterized in that the lateral dimensions of the sensing element are from 1 to 10 microns.
6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве подложки используют материал, прозрачный в области рабочих длин волн детектора.6. The method according to p. 1, characterized in that the substrate is a material transparent in the region of the operating wavelengths of the detector.
7. Способ по п. 6, отличающийся тем, что в качестве подложки используют кремний с проводимостью 10 Ом⋅см, покрытый термическим оксидом толщиной 500 нм.7. The method according to p. 6, characterized in that as the substrate using silicon with a conductivity of 10 Ohm · cm, coated with thermal oxide with a thickness of 500 nm.
8. Способ по п. 1, отличающийся тем, что подложка фиксируется на плоской поверхности кремниевой линзы так, что излучение фокусируется на чувствительном элементе, проходя через подложку.8. The method according to p. 1, characterized in that the substrate is fixed on the flat surface of the silicon lens so that the radiation focuses on the sensitive element passing through the substrate.