RU2013122654A - METHOD FOR PRODUCING NITRIDE CRYSTAL III GROUP WITH A LOW DENSITY OF DISLOCATIONS - Google Patents

METHOD FOR PRODUCING NITRIDE CRYSTAL III GROUP WITH A LOW DENSITY OF DISLOCATIONS Download PDF

Info

Publication number
RU2013122654A
RU2013122654A RU2013122654/05A RU2013122654A RU2013122654A RU 2013122654 A RU2013122654 A RU 2013122654A RU 2013122654/05 A RU2013122654/05 A RU 2013122654/05A RU 2013122654 A RU2013122654 A RU 2013122654A RU 2013122654 A RU2013122654 A RU 2013122654A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
pits
group iii
iii nitride
nitride
Prior art date
Application number
RU2013122654/05A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Бернд МЕЙЕР
Владимир НИКОЛАЕВ
Original Assignee
Общество с ограниченной ответственностью "Совершенные кристаллы"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Общество с ограниченной ответственностью "Совершенные кристаллы" filed Critical Общество с ограниченной ответственностью "Совершенные кристаллы"
Publication of RU2013122654A publication Critical patent/RU2013122654A/en

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/04—Pattern deposit, e.g. by using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • C30B25/186—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate being specially pre-treated by, e.g. chemical or physical means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • C30B25/20—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate the substrate being of the same materials as the epitaxial layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403—AIII-nitrides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Abstract

1. Способ получения кристалла нитрида III группы с низкой плотностью дислокаций, включающий следующие стадии:а) осаждение первого слоя нитрида III группы;б) образование ямок в местах пронизывающих дислокаций;в) формирование маскирующего слоя в областях ямок посредством процесса самосовмещения;г) осаждение второго слоя нитрида III группы,где нитрид III группы - это нитрид галлия, нитрид алюминия, нитрид индия или их сплав любого состава; распространение дислокаций во второй слой нитрида III группы предотвращают указанным выше маскирующим слоем, и области ямок латерально заращивают указанным слоем нитрида III группы с образованием плоской поверхности.2. Способ по п.1, где ямки представляют собой перевернутые пирамиды, образованные при выращивании первого слоя нитрида III группы.3. Способ по п.1, где ямки образуют in situ травлением с использованием водорода, хлористого водорода, хлора или любой их смеси.4. Способ по п.1, где ямки образуют ex situ химическим травлением с использованием кислоты или щелочи.5. Способ по п.1, где образование маскирующего слоя включает следующие стадии:а) осаждение диэлектрического слоя;б) нанесение слоя смолы на диэлектрическую поверхность центрифугированием;в) травление слоя смолы, оставляя смолу только в ямках;г) избирательное травление диэлектрического слоя, оставляя диэлектрическую маску только в ямах;е) удаление смолы.6. Способ по п.1, где образование маскирующего слоя включает следующие стадии:а) нанесение слоя стекла (ЦС) центрифугированием на слой нитрида III группы;б) обжиг и отверждение слоя ЦС;в) травление слоя ЦС, оставляя ЦС только в ямках.7. Способ по п.1, где образование маскирующего слоя включа1. A method of obtaining a crystal of group III nitride with a low dislocation density, which includes the following stages: a) deposition of the first layer of group III nitride; b) the formation of pits in the places of penetrating dislocations; c) the formation of a masking layer in the regions of the pits through a self-alignment process; d) deposition the second layer of group III nitride, where group III nitride is gallium nitride, aluminum nitride, indium nitride or their alloy of any composition; the propagation of dislocations into the second layer of group III nitride is prevented by the masking layer indicated above, and the dimple regions are laterally covered with the specified layer of group III nitride to form a flat surface. 2. The method according to claim 1, where the pits are inverted pyramids formed during the cultivation of the first layer of group III nitride. The method of claim 1, wherein the pits are formed in situ by etching using hydrogen, hydrogen chloride, chlorine, or any mixture thereof. The method of claim 1, wherein the pits are formed ex situ by chemical etching using acid or alkali. The method according to claim 1, where the formation of the masking layer includes the following stages: a) deposition of the dielectric layer; b) applying a resin layer to the dielectric surface by centrifugation; c) etching the resin layer, leaving the resin only in the pits; d) selective etching of the dielectric layer, leaving dielectric mask only in the pits; e) resin removal. 6. The method according to claim 1, where the formation of a masking layer includes the following stages: a) applying a glass layer (CA) by centrifugation on a layer of group III nitride; b) roasting and curing the CA layer; c) etching the CA layer, leaving the CA only in the pits. . The method according to claim 1, where the formation of a masking layer including

Claims (7)

1. Способ получения кристалла нитрида III группы с низкой плотностью дислокаций, включающий следующие стадии:1. A method of obtaining a crystal of group III nitride with a low dislocation density, comprising the following stages: а) осаждение первого слоя нитрида III группы;a) the deposition of the first layer of nitride of group III; б) образование ямок в местах пронизывающих дислокаций;b) the formation of dimples in the places of piercing dislocations; в) формирование маскирующего слоя в областях ямок посредством процесса самосовмещения;c) the formation of a masking layer in the areas of the pits through the process of self-alignment; г) осаждение второго слоя нитрида III группы,g) the deposition of the second layer of nitride of group III, где нитрид III группы - это нитрид галлия, нитрид алюминия, нитрид индия или их сплав любого состава; распространение дислокаций во второй слой нитрида III группы предотвращают указанным выше маскирующим слоем, и области ямок латерально заращивают указанным слоем нитрида III группы с образованием плоской поверхности.where group III nitride is gallium nitride, aluminum nitride, indium nitride or their alloy of any composition; the propagation of dislocations into the second layer of group III nitride is prevented by the masking layer indicated above, and the dimple regions are laterally covered with the specified layer of group III nitride to form a flat surface. 2. Способ по п.1, где ямки представляют собой перевернутые пирамиды, образованные при выращивании первого слоя нитрида III группы.2. The method according to claim 1, where the pits are inverted pyramids formed when growing the first layer of group III nitride. 3. Способ по п.1, где ямки образуют in situ травлением с использованием водорода, хлористого водорода, хлора или любой их смеси.3. The method according to claim 1, where the pits are formed in situ by etching using hydrogen, hydrogen chloride, chlorine, or any mixture thereof. 4. Способ по п.1, где ямки образуют ex situ химическим травлением с использованием кислоты или щелочи.4. The method according to claim 1, where the pits are formed ex situ by chemical etching using acid or alkali. 5. Способ по п.1, где образование маскирующего слоя включает следующие стадии:5. The method according to claim 1, where the formation of the masking layer includes the following stages: а) осаждение диэлектрического слоя;a) deposition of the dielectric layer; б) нанесение слоя смолы на диэлектрическую поверхность центрифугированием;b) applying a layer of resin on a dielectric surface by centrifugation; в) травление слоя смолы, оставляя смолу только в ямках;c) etching the resin layer, leaving the resin only in the pits; г) избирательное травление диэлектрического слоя, оставляя диэлектрическую маску только в ямах;d) selective etching of the dielectric layer, leaving the dielectric mask only in the pits; е) удаление смолы.e) resin removal. 6. Способ по п.1, где образование маскирующего слоя включает следующие стадии:6. The method according to claim 1, where the formation of the masking layer includes the following stages: а) нанесение слоя стекла (ЦС) центрифугированием на слой нитрида III группы;a) applying a layer of glass (CS) by centrifugation on a layer of group III nitride; б) обжиг и отверждение слоя ЦС;b) firing and curing of the CA layer; в) травление слоя ЦС, оставляя ЦС только в ямках.c) etching of the CA layer, leaving the CA only in the pits. 7. Способ по п.1, где образование маскирующего слоя включает следующие стадии:7. The method according to claim 1, where the formation of the masking layer includes the following stages: а) осаждение диэлектрического слоя;a) deposition of the dielectric layer; б) травление диэлектрического слоя при скользящем угле падения, оставляя диэлектрическую маску только в ямках. b) etching of the dielectric layer at a sliding angle of incidence, leaving the dielectric mask only in the pits.
RU2013122654/05A 2010-10-21 2011-10-20 METHOD FOR PRODUCING NITRIDE CRYSTAL III GROUP WITH A LOW DENSITY OF DISLOCATIONS RU2013122654A (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US40539310P 2010-10-21 2010-10-21
US61/405,393 2010-10-21
PCT/EP2011/068337 WO2012052513A1 (en) 2010-10-21 2011-10-20 Method for producing a low dislocation density iii-nitride crystal

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2013122654A true RU2013122654A (en) 2014-11-27

Family

ID=44936248

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013122654/05A RU2013122654A (en) 2010-10-21 2011-10-20 METHOD FOR PRODUCING NITRIDE CRYSTAL III GROUP WITH A LOW DENSITY OF DISLOCATIONS

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP2630277A1 (en)
RU (1) RU2013122654A (en)
WO (1) WO2012052513A1 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103165434A (en) * 2013-01-28 2013-06-19 华中科技大学 Method using H2 corrosion and SiNx burying to improve quality of AlGaN material
JP6315665B2 (en) * 2014-02-19 2018-04-25 古河機械金属株式会社 Group III nitride semiconductor layer and group III nitride semiconductor substrate manufacturing method
FR3048547B1 (en) * 2016-03-04 2018-11-09 Saint-Gobain Lumilog PROCESS FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6447604B1 (en) * 2000-03-13 2002-09-10 Advanced Technology Materials, Inc. Method for achieving improved epitaxy quality (surface texture and defect density) on free-standing (aluminum, indium, gallium) nitride ((al,in,ga)n) substrates for opto-electronic and electronic devices
JP3988018B2 (en) * 2001-01-18 2007-10-10 ソニー株式会社 Crystal film, crystal substrate and semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012052513A1 (en) 2012-04-26
EP2630277A1 (en) 2013-08-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2013122654A (en) METHOD FOR PRODUCING NITRIDE CRYSTAL III GROUP WITH A LOW DENSITY OF DISLOCATIONS
Song et al. Carbon sinks/sources in the Yellow and East China Seas—Air-sea interface exchange, dissolution in seawater, and burial in sediments
WO2009047894A1 (en) Method for producing group iii nitride crystal substrate, group iii nitride crystal substrate, and semiconductor device using group iii nitride crystal substrate
RU2014106932A (en) ACID HYDROLYSIS OF LIGNO CELLULAR BIOMASS WITH MINIMUM USE OF ACID CATALYST
RU2013108268A (en) Light emitting diodes
CN102651311A (en) Preparation method of low-temperature polycrystalline silicon film and low-temperature polycrystalline silicon film
CN104513342A (en) Preparation method of normal temperature synthesized polycarboxylate superplasticizer
FR2944276B1 (en) PROCESS FOR RECOVERING RARE LANDS FROM A SOLID MIXTURE CONTAINING HALOPHOSPHATE AND A COMPOUND OF ONE OR MORE RARE EARTHS
WO2011028054A3 (en) Production method for a silicon nanowire array using a porous metal thin film
RU2013122694A (en) METHOD FOR PRODUCING AMMONIUM SULPHATE-NITRATE
RU2008102874A (en) SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR STRUCTURE
CN101950770A (en) Method for preparing selective emitting electrode structure of crystalline silicon solar cell
ATE514193T1 (en) METHOD FOR TEXTURING SILICON WAFERS FOR PRODUCING SOLAR CELLS
CN101740704B (en) Method for manufacturing GaN-based LED with photonic crystal structure
RU2015148544A (en) METHOD FOR EVALUATING THE COAL WEATHERING DEGREE, METHOD FOR EVALUATING THE WATER COAL COCKABILITY, METHOD FOR CONTROLING THE COAL WEATHERING DEGREE AND METHOD FOR MAKING COX
CN110747908A (en) Anti-seepage system combining anti-seepage membrane and salt pond plate and construction method and application thereof
EA201171253A1 (en) METHOD AND COMPOSITION FOR THE PRODUCTION OF HYDROCARBONS WITH ARTIFICIAL SUPPORT OF ENERGY OF A LAYER WITH A VERY HIGH SALTY AND HIGH TEMPERATURE
CN103696022A (en) Method for separating sapphire through ion implantation
CN104060323A (en) Method for obtaining self-supported GaN monocrystal by preparing substrate with N-sided conical structure
CN104253246B (en) The manufacture method of low-temperature polysilicon film, low-temperature polysilicon film and related device
US9583517B2 (en) Polycrystalline oxide thin-film transistor array substrate and method of manufacturing same
CN103130691A (en) Chromium fog inhibitor and preparation method thereof
JP6083522B2 (en) Group III nitride semiconductor crystal manufacturing method and GaN substrate manufacturing method
CN104988505A (en) Substrate corrosive liquid for preparing Si-based mercury cadmium telluride chip dislocation observation sample
CN101330117A (en) Method for preparing illuminating device using zinc oxide

Legal Events

Date Code Title Description
HE9A Changing address for correspondence with an applicant
FA92 Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted)

Effective date: 20160125