RU2012128233A

RU2012128233A - Полупроводниковый лазер (варианты)

Info

Publication number: RU2012128233A
Application number: RU2012128233/28A
Authority: RU
Inventors: Сергей Михайлович Некоркин; Борис Николаевич Звонков; Михаил Николаевич Колесников; Александр Алексеевич Дубинов; Владимир Яковлевич Алешкин
Priority date: 2012-07-04
Filing date: 2012-07-04
Publication date: 2014-01-10
Also published as: RU2529450C2

Abstract

1. Полупроводниковый лазер, включающий гетероструктуру, выращенную на подложке, по крайней мере, с одной активной квантовой ямой и окружающими ее слоями полупроводника, отличающийся тем, что гетероструктура включает буферный слой, покровный слой, контактный слой, область с активной квантовой ямой (активная область) выполнена в p-n и/или в p-i-n переходе, сформированном в окружающих слоях полупроводника, показатель преломления активной квантовой ямы превышает показатели преломления окружающих ее слоев полупроводника, волновод сформирован всеми слоями гетероструктуры за счет разности показателей преломления активной квантовой ямы и окружающих ее слоев полупроводника.2. Полупроводниковый лазер по п.1, отличающийся тем, что подложка легирована сильнее, чем область с квантовыми ямами, степень легирования составляет 10-3·10см.3. Полупроводниковый лазер по п.1, отличающийся тем, что буферный слой выполнен с той же степенью легирования, что и подложка.4. Полупроводниковый лазер по п.1, отличающийся тем, что покровный слой легирован слабо, слабее, чем подложка, степень легирования составляет 10-5·10см.5. Полупроводниковый лазер по п.1, отличающийся тем, что контактный слой легирован сильно, степень легирования составляет 10-5·10см.6. Полупроводниковый лазер по п.1, отличающийся тем, что в качестве полупроводников используют соединения типа А3В5 и их твердые растворы.7. Полупроводниковый лазер, включающий гетероструктуру, выращенную на подложке, с активными квантовыми ямами и окружающими их слоями полупроводника, отличающийся тем, что гетероструктура включает буферный слой, промежуточные слои, покровный слой, контактный слой, обла�

Claims

1. Полупроводниковый лазер, включающий гетероструктуру, выращенную на подложке, по крайней мере, с одной активной квантовой ямой и окружающими ее слоями полупроводника, отличающийся тем, что гетероструктура включает буферный слой, покровный слой, контактный слой, область с активной квантовой ямой (активная область) выполнена в p-n и/или в p-i-n переходе, сформированном в окружающих слоях полупроводника, показатель преломления активной квантовой ямы превышает показатели преломления окружающих ее слоев полупроводника, волновод сформирован всеми слоями гетероструктуры за счет разности показателей преломления активной квантовой ямы и окружающих ее слоев полупроводника.

2. Полупроводниковый лазер по п.1, отличающийся тем, что подложка легирована сильнее, чем область с квантовыми ямами, степень легирования составляет 10¹⁸-3·10¹⁸ см^-3.

3. Полупроводниковый лазер по п.1, отличающийся тем, что буферный слой выполнен с той же степенью легирования, что и подложка.

4. Полупроводниковый лазер по п.1, отличающийся тем, что покровный слой легирован слабо, слабее, чем подложка, степень легирования составляет 10¹⁷-5·10¹⁷ см^-3.

5. Полупроводниковый лазер по п.1, отличающийся тем, что контактный слой легирован сильно, степень легирования составляет 10¹⁹-5·10¹⁹ см^-3.

6. Полупроводниковый лазер по п.1, отличающийся тем, что в качестве полупроводников используют соединения типа А3В5 и их твердые растворы.

7. Полупроводниковый лазер, включающий гетероструктуру, выращенную на подложке, с активными квантовыми ямами и окружающими их слоями полупроводника, отличающийся тем, что гетероструктура включает буферный слой, промежуточные слои, покровный слой, контактный слой, область с активнми квантовыми ямами (активная область) выполнена в p-n и/или в p-i-n переходе, сформированном в окружающих слоях полупроводника, показатели преломления активных квантовых ям превышают показатели преломления окружающих их слоев полупроводника, волновод сформирован всеми слоями гетероструктуры за счет разности показателей преломления активных квантовых ям и окружающих их слоев полупроводника.

8. Полупроводниковый лазер, по п.7, отличающийся тем, что подложка легирована сильнее, чем область с квантовыми ямами, степень легирования составляет 10¹⁸-3·10¹⁸ см^-3.

9. Полупроводниковый лазер по п.7, отличающийся тем, что буферный слой выполнен с той же степенью легирования, что и подложка.

10. Полупроводниковый лазер по п.7, отличающийся тем, что покровный слой легирован слабо, слабее, чем подложка, степень легирования составляет 10¹⁷-5·10¹⁷ см^-3.

11. Полупроводниковый лазер по п.7, отличающийся тем, что контактный слой легирован сильно, степень легирования составляет 10¹⁹-5·10¹⁹ см^-3.

12. Полупроводниковый лазер по п.7, отличающийся тем, что в качестве полупроводников используют соединения типа А3В5 и их твердые растворы.