RU2012123622A - Метод и устройство термофотоэлектрических преобразователей с микронным зазором (мртv) высокой степени с субмикронным зазором - Google Patents

Метод и устройство термофотоэлектрических преобразователей с микронным зазором (мртv) высокой степени с субмикронным зазором Download PDF

Info

Publication number
RU2012123622A
RU2012123622A RU2012123622/28A RU2012123622A RU2012123622A RU 2012123622 A RU2012123622 A RU 2012123622A RU 2012123622/28 A RU2012123622/28 A RU 2012123622/28A RU 2012123622 A RU2012123622 A RU 2012123622A RU 2012123622 A RU2012123622 A RU 2012123622A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
shell
thermally conductive
radiation
photovoltaic cell
vacuum
Prior art date
Application number
RU2012123622/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2563551C2 (ru
Inventor
Эрик Л. БРАУН
Роберт С. ДИМЭТТЕО
Бруно А. НАРДЭЛЛИ
Бин ПЭН
Сяю ЛИ
Original Assignee
МТПВ Пауэ Корпорейшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by МТПВ Пауэ Корпорейшн filed Critical МТПВ Пауэ Корпорейшн
Publication of RU2012123622A publication Critical patent/RU2012123622A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2563551C2 publication Critical patent/RU2563551C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/0547—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising light concentrating means of the reflecting type, e.g. parabolic mirrors, concentrators using total internal reflection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/024—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/052—Cooling means directly associated or integrated with the PV cell, e.g. integrated Peltier elements for active cooling or heat sinks directly associated with the PV cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/052—Cooling means directly associated or integrated with the PV cell, e.g. integrated Peltier elements for active cooling or heat sinks directly associated with the PV cells
    • H01L31/0521—Cooling means directly associated or integrated with the PV cell, e.g. integrated Peltier elements for active cooling or heat sinks directly associated with the PV cells using a gaseous or a liquid coolant, e.g. air flow ventilation, water circulation
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S10/00—PV power plants; Combinations of PV energy systems with other systems for the generation of electric power
    • H02S10/30—Thermophotovoltaic systems
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S40/00—Components or accessories in combination with PV modules, not provided for in groups H02S10/00 - H02S30/00
    • H02S40/40—Thermal components
    • H02S40/44—Means to utilise heat energy, e.g. hybrid systems producing warm water and electricity at the same time
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/60—Thermal-PV hybrids

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

1. Метод преобразования тепловой энергии в электрическую мощность с использованием термофотоэлектрической технологии с субмикронным зазором, включающий следующие ступени:- собирание тепловой энергии с помощью поглощающей поверхности радиационно-излучающего слоя с внутренней поверхности термопроводящей оболочки, в то время как внешняя поверхность оболочки подвергается воздействию высокой температуры источника тепловой энергии;- поддержание дистанции меньше одного микрона между принимающей поверхностью фотоэлектрического гальванического элемента и излучающей поверхностью радиационно-эмиссионного слоя;- поглощение электромагнитного излучения с излучающей поверхности с помощью принимающей поверхности для выработки электрической мощности фотоэлектрическим гальваническим элементом;- обеспечение давления на фотоэлектрический гальванический элемент с помощью находящейся под давлением, термопроводящей, поддающейся деформации мембраны для того, чтобы сохранился близкий контакт между поглощающей поверхностью радиационно-эмиссионного слоя и внутренней поверхностью оболочки, и для увеличения охлаждения; и- обеспечение давления на радиатор в контакте с термопроводящей, поддающейся деформации мембраной для увеличения охлаждения.2. Метод по п.1, отличающийся тем, что также включает в себя изобретение вакуума между излучающей поверхностью и принимающей поверхностью для уменьшения проводимости тепла.3. Метод по п.2, отличающийся тем, что вакуум занимает меньше 10мм.рт.ст.4. Метод по п.1, отличающийся тем, что также включает в себя поддержание вакуума внутри оболочки.5. Метод по п.1, отличающийся тем, что рас

Claims (25)

1. Метод преобразования тепловой энергии в электрическую мощность с использованием термофотоэлектрической технологии с субмикронным зазором, включающий следующие ступени:
- собирание тепловой энергии с помощью поглощающей поверхности радиационно-излучающего слоя с внутренней поверхности термопроводящей оболочки, в то время как внешняя поверхность оболочки подвергается воздействию высокой температуры источника тепловой энергии;
- поддержание дистанции меньше одного микрона между принимающей поверхностью фотоэлектрического гальванического элемента и излучающей поверхностью радиационно-эмиссионного слоя;
- поглощение электромагнитного излучения с излучающей поверхности с помощью принимающей поверхности для выработки электрической мощности фотоэлектрическим гальваническим элементом;
- обеспечение давления на фотоэлектрический гальванический элемент с помощью находящейся под давлением, термопроводящей, поддающейся деформации мембраны для того, чтобы сохранился близкий контакт между поглощающей поверхностью радиационно-эмиссионного слоя и внутренней поверхностью оболочки, и для увеличения охлаждения; и
- обеспечение давления на радиатор в контакте с термопроводящей, поддающейся деформации мембраной для увеличения охлаждения.
2. Метод по п.1, отличающийся тем, что также включает в себя изобретение вакуума между излучающей поверхностью и принимающей поверхностью для уменьшения проводимости тепла.
3. Метод по п.2, отличающийся тем, что вакуум занимает меньше 10-3 мм.рт.ст.
4. Метод по п.1, отличающийся тем, что также включает в себя поддержание вакуума внутри оболочки.
5. Метод по п.1, отличающийся тем, что расстояние между принимающей поверхностью фотоэлектрического гальванического элемента и излучающей поверхностью радиационно-излучающего слоя обычно в пределах от 1,10 до 0,30 мкн.
6. Метод по п.1, отличающийся тем, что также включает в себя поддержание расстояния между принимающей поверхностью фотоэлектрического гальванического элемента и излучающей поверхностью радиационно-эмиссионного слоя с использованием термоизоляционных прокладок.
7. Метод по п.1, отличающийся тем, что поддающаяся деформации мембрана оказывается под давлением линейного привода и пазухи, заполненной жидким металлом.
8. Метод по п.1, отличающийся тем, что также включает в себя установку термопроводящей поверхности между поглощающей поверхностью радиационно-эмиссионного слоя и внутренней поверхностью термопроводящей оболочки.
9. Метод по п.8, отличающийся тем, что термопроводящая поверхность содержит термопроводящий графит.
10. Метод по п.1, отличающийся тем, что также включает в себя снижение температуры фотоэлектрического гальванического элемента, радиатора, камеры жидкого металла и поддающейся деформации мембраны с помощью циркулирующей через камеры радиатора охлаждающей жидкости.
11. Метод по п.10, отличающийся тем, что также включает в себя разнесение охлаждающей жидкости через гибкие мембраны и корпус распределения воды.
12. Устройство преобразования энергии тепла в электрическую мощность с использованием термофотоэлектрической технологии с субмикронным зазором, включающее в себя:
- сбор тепловой энергии с помощью поглощающей поверхности радиационно-излучающего слоя с внутренней поверхности термопроводящей оболочки, в то время как внешняя поверхность оболочки подвергается воздействию высокой температуры источника тепловой энергии;
- поддержание дистанции меньше одного микрона между принимающей поверхностью фотоэлектрического гальванического элемента и излучающей поверхностью радиационно-эмиссионного слоя;
- поглощение электромагнитного излучения с излучающей поверхности с помощью принимающей поверхности для выработки электрической мощности фотоэлектрическим гальваническим элементом;
- обеспечение давления на фотоэлектрический гальванический элемент с помощью находящейся под давлением, термопроводящей, поддающейся деформации мембраны для того, чтобы сохранился близкий контакт между поглощающей поверхностью радиационно-эмиссионного слоя и внутренней поверхностью оболочки, и для увеличения охлаждения; и
- обеспечение давления на радиатор в контакте с термопроводной, поддающейся деформации мембраной для увеличения охлаждения.
13. Устройство по п.12, отличающееся тем, что также включает в себя установку термопроводящей поверхности между поглощающей поверхностью радиационно-эмиссионного слоя и внутренней поверхностью термопроводящей оболочки.
14. Устройство по п.12, отличающееся тем, что термопроводящая поверхность включает в себя термопроводящий графит.
15. Устройство по п.12, отличающееся тем, что поддерживается вакуум между излучающей поверхностью и принимающей поверхностью.
16. Устройство по п.12, отличающееся тем, что вакуум поддерживается внутри оболочки.
17. Устройство по п.12, отличающееся тем, что также включает в себя термоизолированные прокладки для поддержания расстояния между принимающей поверхностью фотоэлектрического гальванического элемента и излучающей поверхностью радиационно-эмиссионного слоя.
18. Устройство по п.12, отличающееся тем, что поддающаяся деформации мембрана находится под давлением линейного привода и пазухи, заполненной жидким металлом.
19. Устройство по п.12, отличающееся тем, что также включает в себя охлаждающую жидкость, распределяющуюся с помощью гибких мембран и корпуса распределения воды.
20. Устройство преобразования энергии тепла в электрическую мощность с использованием термофотоэлектрической технологии с субмикронным зазором, содержащей оболочку для изоляции компонентов Квада, включающее в себя:
- решетку эмиттерного чипа, поддерживаемую в тесном тепловом контакте с оболочкой с помощью графитной термопроводящей поверхности;
- полукомплект мембранной и фотоэлектрической решетки, отделенный от решетки эмиттерного чипа термоизляционными прокладками;
- камеру жидкого металла, контактирующую с мембраной, для поддержания тесного термоконтакта между решеткой эмиттерного чипа и оболочкой;
- полукомплект радиатора для приема охлаждающей жидкости для охлаждения мембраны, камеры жидкого металла и фотоэлектрической решетки;
- корпус распределения воды для перенесения охлаждающей жидкости к полукомплекту радиатора через полукомплект мембран;
- воздушный полукомплект для поддержания близкого контакта между радиатором и жидкометаллическим охладителем и фотоэлектрической решеткой; и
- линейный привод давления в приводе для поддержания давления в воздушном полукомплекте.
21. Устройство по п.20, отличающееся тем, что вакуум поддерживается внутри оболочки.
22. Устройство по п.20, отличающееся тем, что мембрана находится под давлением линейного привода и пазухи, заполненной жидким металлом.
23. Устройство по п.20, отличающееся тем, что Квад содержит множество фотоэлектрических решеток и решеток эмиттерного чипа.
24. Устройство по п.20, отличающееся тем, что оболочка может быть M×N решеткой Квадов, где М и N больше либо равны единице.
25. Устройство по п.20, отличающееся тем, что также включает в себя модуль контроля охлаждения, модуль вакуумного контроля и модуль контроля воздушного давления.
RU2012123622/28A 2010-02-28 2011-02-28 Метод и устройство термофотоэлектрических преобразователей с микронным зазором (мртv) высокой степени с субмикронным зазором RU2563551C2 (ru)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US30897210P 2010-02-28 2010-02-28
US61/308,972 2010-02-28
US13/037,214 2011-02-28
PCT/US2011/026544 WO2012108887A1 (en) 2010-02-28 2011-02-28 Micron-gap thermal photovoltaic large scale sub-micron gap method and apparatus
US13/037,214 US8791357B2 (en) 2010-02-28 2011-02-28 Micro-gap thermal photovoltaic large scale sub-micron gap method and apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012123622A true RU2012123622A (ru) 2014-04-10
RU2563551C2 RU2563551C2 (ru) 2015-09-20

Family

ID=45351352

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012123622/28A RU2563551C2 (ru) 2010-02-28 2011-02-28 Метод и устройство термофотоэлектрических преобразователей с микронным зазором (мртv) высокой степени с субмикронным зазором

Country Status (14)

Country Link
US (1) US8791357B2 (ru)
EP (1) EP2539945B1 (ru)
JP (1) JP5865270B2 (ru)
KR (1) KR101908138B1 (ru)
CN (1) CN102823004B (ru)
BR (1) BR112012015080A2 (ru)
CA (1) CA2779777C (ru)
GB (1) GB2491508B (ru)
HK (1) HK1173264A1 (ru)
IL (1) IL220023A (ru)
MY (1) MY161738A (ru)
RU (1) RU2563551C2 (ru)
SG (2) SG10201501429WA (ru)
WO (1) WO2012108887A1 (ru)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2966773B1 (en) * 2013-03-08 2019-06-12 Japan Science and Technology Agency Thermal emission source
JP6445522B2 (ja) * 2013-03-15 2018-12-26 エムティーピーヴィ・パワー・コーポレーション マイクロギャップ熱光起電力デバイス用マイクロチャネルヒートシンク
KR20180111927A (ko) * 2016-02-08 2018-10-11 엠티피브이 파워 코퍼레이션 투명한 에미터를 갖는 방사형 마이크론 갭 열 광전지 시스템
US10497821B2 (en) * 2017-03-24 2019-12-03 Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. Thermophotovoltaic energy converter
CN115163436B (zh) * 2022-07-21 2023-04-21 哈尔滨工业大学 一种结合近场热光伏系统的多效空间电源装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4561040A (en) * 1984-07-12 1985-12-24 Ibm Corporation Cooling system for VLSI circuit chips
US5593509A (en) * 1995-03-17 1997-01-14 Lockheed Idaho Technologies Company Portable thermo-photovoltaic power source
GB9525111D0 (en) * 1995-12-08 1996-02-07 Pilkington Plc Glass and glass products
US6084173A (en) * 1997-07-30 2000-07-04 Dimatteo; Robert Stephen Method and apparatus for the generation of charged carriers in semiconductor devices
US6232456B1 (en) * 1997-10-06 2001-05-15 Abbott Laboratories Serine protease reagents and methods useful for detecting and treating diseases of the prostate
DE69901294T2 (de) * 1998-03-10 2002-10-24 Federal-Mogul Technology Ltd., Rugby Abdichtung mit überzugsschicht
US6616999B1 (en) * 2000-05-17 2003-09-09 Raymond G. Freuler Preapplicable phase change thermal interface pad
US6946596B2 (en) * 2002-09-13 2005-09-20 Kucherov Yan R Tunneling-effect energy converters
US7390962B2 (en) * 2003-05-22 2008-06-24 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Micron gap thermal photovoltaic device and method of making the same
US20050109386A1 (en) 2003-11-10 2005-05-26 Practical Technology, Inc. System and method for enhanced thermophotovoltaic generation
US20050196321A1 (en) * 2004-03-03 2005-09-08 Zhili Huang Fluidic programmable array devices and methods
US20060016471A1 (en) 2004-07-21 2006-01-26 Paul Greiff Thermally resistant spacers for a submicron gap thermo-photo-voltaic device and method
US7755184B2 (en) * 2004-12-03 2010-07-13 Chris Macris Liquid metal thermal interface material system
RU2006138699A (ru) * 2006-11-03 2008-05-10 Андрей Борисович Адамович (RU) Способ термофотоэлектрокаталитического преобразования энергии, выделяемой при сгорании углеводородных топлив, и устройство для его осуществления
JP2008300626A (ja) * 2007-05-31 2008-12-11 Tokyo Institute Of Technology 近接場光発電素子および近接場光発電装置
US8013238B2 (en) 2007-07-09 2011-09-06 Energy Related Devices, Inc. Micro concentrators elastically coupled with spherical photovoltaic cells
US20090084435A1 (en) * 2007-10-01 2009-04-02 International Business Machines Corporation Techniques for Cooling Solar Concentrator Devices
US20090188549A1 (en) 2008-01-29 2009-07-30 Mtvp Corporation Method of and apparatus for improved thermophotonic generation of electricity
US8633373B2 (en) 2008-05-12 2014-01-21 Mtpv Power Corporation Sub-micrometer gap thermophotovoltaic structure (MTPV) and fabrication method therefor
US8076569B2 (en) * 2008-05-12 2011-12-13 Mtpv, Llc Method and structure, using flexible membrane surfaces, for setting and/or maintaining a uniform micron/sub-micron gap separation between juxtaposed photosensitive and heat-supplying surfaces of photovoltaic chips and the like for the generation of electrical power

Also Published As

Publication number Publication date
EP2539945A1 (en) 2013-01-02
EP2539945B1 (en) 2021-01-06
CN102823004A (zh) 2012-12-12
KR20130007539A (ko) 2013-01-18
IL220023A0 (en) 2012-10-31
JP2013521673A (ja) 2013-06-10
CA2779777C (en) 2019-11-19
GB201214891D0 (en) 2012-10-03
BR112012015080A2 (pt) 2017-03-07
CA2779777A1 (en) 2011-08-28
RU2563551C2 (ru) 2015-09-20
SG10201501429WA (en) 2015-04-29
CN102823004B (zh) 2015-11-25
KR101908138B1 (ko) 2018-12-10
JP5865270B2 (ja) 2016-02-17
WO2012108887A1 (en) 2012-08-16
IL220023A (en) 2016-06-30
GB2491508B (en) 2014-03-26
EP2539945A4 (en) 2015-10-07
MY161738A (en) 2017-05-15
HK1173264A1 (en) 2013-05-10
SG183209A1 (en) 2012-09-27
GB2491508A (en) 2012-12-05
US20110315195A1 (en) 2011-12-29
US8791357B2 (en) 2014-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012123622A (ru) Метод и устройство термофотоэлектрических преобразователей с микронным зазором (мртv) высокой степени с субмикронным зазором
US9635783B2 (en) Electronic component housing with heat sink
KR101072094B1 (ko) 태양광 발전장치 및 그의 제조방법
TW201422903A (zh) 熱電發電裝置與熱電發電系統
CN103430325A (zh) 光伏聚光接收器及其应用
JP6896088B2 (ja) 太陽電池
US20160013343A1 (en) Integrated photovoltaic and thermal module (pvt)
KR101020730B1 (ko) 태양전지 모듈장치
KR101001328B1 (ko) 태양에너지를 이용한 복합발전장치
KR20170036885A (ko) 열전 발전 장치
US20220085757A1 (en) Hybrid solar panel for producing electrical energy and thermal energy
US20110272001A1 (en) Photovoltaic panel assembly with heat dissipation function
US20220231213A1 (en) Flexible Thermoelectric Device Having Radiative Cooling Part and Method of Manufacturing Radiative Cooling Part
KR20100011368U (ko) 태양광 모듈의 냉각장치
KR101637674B1 (ko) 차량용 열전발전 장치
JP2012009523A (ja) 太陽電池の放熱材料と太陽電池モジュール
CN104242814A (zh) 一种光伏太阳能接线盒
US20230402970A1 (en) Thermal contact sheet for photovoltaic thermal collector
KR20120110855A (ko) 태양광 모듈 냉각장치
CN110971142B (zh) 一种基于teg和peg的太阳能与风能多能互补小型能量采集装置
MX2012009270A (es) Metodo y aparato de submicroseparacion a gran escala fotovoltaica termica de microseparacion.
KR100950898B1 (ko) 열 교환장치가 설치된 태양전지의 변형 방지장치
KR101090514B1 (ko) 태양광을 이용한 열병합 시스템
CN102005495B (zh) 无源太阳能水循环冷却系统
TWI604623B (zh) 使用次微米間隙熱光電技術將熱能轉換成電力的方法與裝置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20210301