RU2011988C1 - Method for determining light sensitivity characteristics of photographic glass ceramic - Google Patents
Method for determining light sensitivity characteristics of photographic glass ceramic Download PDFInfo
- Publication number
- RU2011988C1 RU2011988C1 SU4903991A RU2011988C1 RU 2011988 C1 RU2011988 C1 RU 2011988C1 SU 4903991 A SU4903991 A SU 4903991A RU 2011988 C1 RU2011988 C1 RU 2011988C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- sample
- heat treatment
- light sensitivity
- glass ceramic
- sensitivity characteristics
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к оптическому приборостроению, в частности к способам контроля параметров при изготовлении фотоситаллов, и может быть использовано для изготовления элементов интегральной и градиентной оптики. The invention relates to optical instrumentation, in particular to methods for controlling parameters in the manufacture of photo-metals, and can be used for the manufacture of elements of integrated and gradient optics.
Известен способ определения параметров стекол по электросопротивлению в процессе их ситаллизации [1] . A known method for determining the parameters of glasses by electrical resistance in the process of their crystallization [1].
Однако данный способ позволяет осуществить контроль и управление только в процессе отжига стекла. В процессе облучения этот метод не дает информацию, так как во время облучения не образуется кристаллическая фаза. However, this method allows monitoring and control only in the process of annealing the glass. During irradiation, this method does not provide information, since no crystalline phase forms during irradiation.
Наиболее близким по технической сущности к заявляемому способу определения параметров является Метод определения светочувствительных характеристик исходных стекол для получения фотоситалла. Closest to the technical nature of the claimed method for determining the parameters is the Method for determining the photosensitive characteristics of the source glass to obtain photosetall.
В данном способе образец получают, подвергают термообработке и определяют параметры по непосредственному измерению зависимости коэффициента поглощения от длины волны и экспериментальным микрофотометрированием проявляемого изображения [2] . In this method, a sample is obtained, subjected to heat treatment, and parameters are determined by directly measuring the dependence of the absorption coefficient on the wavelength and experimental microphotometry of the developed image [2].
Данный метод невозможно применить в процессе облучения образца и последующей термообработки. Кроме того, этот метод сложен, не дает достаточной точности и невозможен для получения образцов с заранее заданными параметрами. This method cannot be applied in the process of sample irradiation and subsequent heat treatment. In addition, this method is complex, does not provide sufficient accuracy, and is impossible to obtain samples with predetermined parameters.
Целью изобретения является повышение точности и упрощение способа определения параметров. The aim of the invention is to improve the accuracy and simplification of the method for determining the parameters.
Цель достигается тем, что в процессе облучения и термообработки измеряют электрический заряд на поверхности образца, а искомые характеристики определяют по предварительно полученным калибровочным зависимостям. The goal is achieved by the fact that in the process of irradiation and heat treatment measure the electric charge on the surface of the sample, and the desired characteristics are determined by the previously obtained calibration dependencies.
Сущность изобретения заключается в следующем. The invention consists in the following.
При облучении светочувствительного стекла в ультрафиолетовом свете число образуемых центров кристаллизации определяется временем экспозиции. When irradiating a photosensitive glass in ultraviolet light, the number of crystallization centers formed is determined by the exposure time.
Экспериментально была выявлена зависимость величины электрического заряда облученной поверхности образца от времени экспозиции. В процессе термообработки в облученном образце образуется кристаллическая фаза. The dependence of the electric charge of the irradiated surface of the sample on the exposure time was experimentally revealed. During the heat treatment, a crystalline phase forms in the irradiated sample.
Экспериментально была выявлена зависимость величины электрического заряда облученной поверхности от температуры и времени кристаллизации. The dependence of the electric charge of the irradiated surface on the temperature and crystallization time was experimentally revealed.
Способ осуществляется с помощью устройств, изображенных схематично на фиг. 1 и 2, где показаны образец 1 измерительная камера 2, электропечь 3, электрометр 4, самописец 5, оптическая щелочь 6, ртутная лампа 7. The method is carried out using the devices shown schematically in FIG. 1 and 2, where
Реализация способа происходит в двухстадийной технологической обработке: облучение образца в ультрафиолетовом свете с последующим термическим отжигом. The implementation of the method takes place in a two-stage processing: irradiation of the sample in ultraviolet light, followed by thermal annealing.
На первой стадии на образец 1 устанавливается металлический электрод и производится непрерывное измерение заряда поверхности. При достижении расчетного значения заряда процесс облучения прерывается. На второй стадии образец 1, находящийся в экранированной металлической камере 2 с электродом на поверхности помещают в электронагревательную печь 3. В процессе непрерывного измерения заряда поверхности определяют момент начала кристаллизации и время, за которое концентрация кристаллической фазы достигает расчетного значения. После этого процесс отжига прекращается. At the first stage, a metal electrode is mounted on
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4903991 RU2011988C1 (en) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | Method for determining light sensitivity characteristics of photographic glass ceramic |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4903991 RU2011988C1 (en) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | Method for determining light sensitivity characteristics of photographic glass ceramic |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2011988C1 true RU2011988C1 (en) | 1994-04-30 |
Family
ID=21556441
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU4903991 RU2011988C1 (en) | 1990-10-26 | 1990-10-26 | Method for determining light sensitivity characteristics of photographic glass ceramic |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2011988C1 (en) |
-
1990
- 1990-10-26 RU SU4903991 patent/RU2011988C1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4890245A (en) | Method for measuring temperature of semiconductor substrate and apparatus therefor | |
KR20000011356A (en) | Heating apparatus and a test method of the heating apparatus | |
JP2010107506A (en) | Method of determining laser stabilities of optical material, crystals obtained with this method, and uses of the crystals | |
RU2011988C1 (en) | Method for determining light sensitivity characteristics of photographic glass ceramic | |
US3790784A (en) | Method and apparatus for treating thermoluminescent dosimeters during read-out to enable their immediate reuse | |
JP4806522B2 (en) | Method for quantitative measurement of stability of crystals used in optical elements exposed to high energy density, crystals graded by the method, and methods of using the crystals | |
JPH04229994A (en) | X-rays film exposure time automatic de- cision method and embodied device | |
US7688444B2 (en) | Method of determining laser stabilities of optical materials, crystals selected according to said method, and uses of said selected crystals | |
JPH0318340B2 (en) | ||
JPH0640027B2 (en) | Method for measuring the temperature of an object to be heated in an optical heat treatment apparatus | |
JPH01124726A (en) | Heating device | |
US20050237523A1 (en) | Determining the suitability of an optical material for the production of optical elements, corresponding device, and use of said material | |
JPH01114727A (en) | Radiation temperature measuring instrument | |
JPS63182528A (en) | Ultraviolet-ray illuminance measuring instrument for ultraviolet-ray irradiating device for optical fiber drawing device | |
JP2000036468A (en) | Substrate processor and substrate processing method therefor | |
JPS61228637A (en) | Method and device for temperature measurement of semiconductor substrate | |
JP2004109023A (en) | Method and apparatus for measuring surface temperature of steel product | |
JPS6379339A (en) | Method and apparatus for measuring temperature of semiconductor substrate | |
SU927036A1 (en) | Method and apparatus for detecting radiation-induced defects in dielectrics | |
JPS63166241A (en) | Equipment for annealing semiconductor substrate | |
JPS6223126A (en) | Dose determining method | |
JPH0521566A (en) | Measuring method for ion implantation amount in semiconductor crystal | |
SU451004A1 (en) | Method of measuring heat capacity and small effects during pulsed heating | |
SU998927A1 (en) | Nuclear adsorption analysis method | |
US3726592A (en) | Method and apparatus for detecting moisture |