RU2011139192A - Способ и устройство модифицирования поверхности осесимметричных изделий - Google Patents
Способ и устройство модифицирования поверхности осесимметричных изделий Download PDFInfo
- Publication number
- RU2011139192A RU2011139192A RU2011139192/07A RU2011139192A RU2011139192A RU 2011139192 A RU2011139192 A RU 2011139192A RU 2011139192/07 A RU2011139192/07 A RU 2011139192/07A RU 2011139192 A RU2011139192 A RU 2011139192A RU 2011139192 A RU2011139192 A RU 2011139192A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- axisymmetric
- cathode
- anode
- product
- magnetic field
- Prior art date
Links
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
1. Способ модифицирования поверхности изделий, заключающийся в том, что обрабатываемое осесимметричное изделие в виде заземленного катода помещается в камеру, наполненную рабочим газом, в магнитное поле и с цилиндрическим анодом, находящимся под электрическим потенциалом в газовом разряде, отличающийся тем, что, с целью получения режимов очистки и травления, высоких антикоррозионных, трибологических и механических свойств осесимметричное изделие располагают соосно с осесимметричным составным анодом, с изменяемой геометрией в зависимости от формы и размеров обрабатываемой поверхности, в скрещенных осесимметричном радиально направленном электрическом и продольном магнитном полях, создают регулируемый осесимметричный радиально сходящийся ионный поток в интервале энергий от 0,5 до 5 кэВ и давлении рабочего газа от 10-2 до 100 Па, для этого располагают по торцам соосно изолированные электроды, находящиеся под авто регулирующимся электрическим потенциалом, формируют продольное аксиальносимметричное однородное магнитное поле, и продольно перемещают обрабатываемое изделие с осевым поворотом (вращением).2. Устройство для модифицирования поверхности осесимметричных изделий путем ионно-плазменной обработки, содержащее магнитную систему, создающую направленное магнитное поле, вакуумную камеру, внутри которой размещены катод и цилиндрический анод, отличающееся тем, что катод расположен осесимметрично внутри анода, по торцам которого установлены соосно изолированные отражательные электроды, служащие для запирания свободных электронов внутри анода и находящиеся под отрицательным авторегулирующимся относ�
Claims (3)
1. Способ модифицирования поверхности изделий, заключающийся в том, что обрабатываемое осесимметричное изделие в виде заземленного катода помещается в камеру, наполненную рабочим газом, в магнитное поле и с цилиндрическим анодом, находящимся под электрическим потенциалом в газовом разряде, отличающийся тем, что, с целью получения режимов очистки и травления, высоких антикоррозионных, трибологических и механических свойств осесимметричное изделие располагают соосно с осесимметричным составным анодом, с изменяемой геометрией в зависимости от формы и размеров обрабатываемой поверхности, в скрещенных осесимметричном радиально направленном электрическом и продольном магнитном полях, создают регулируемый осесимметричный радиально сходящийся ионный поток в интервале энергий от 0,5 до 5 кэВ и давлении рабочего газа от 10-2 до 100 Па, для этого располагают по торцам соосно изолированные электроды, находящиеся под авто регулирующимся электрическим потенциалом, формируют продольное аксиальносимметричное однородное магнитное поле, и продольно перемещают обрабатываемое изделие с осевым поворотом (вращением).
2. Устройство для модифицирования поверхности осесимметричных изделий путем ионно-плазменной обработки, содержащее магнитную систему, создающую направленное магнитное поле, вакуумную камеру, внутри которой размещены катод и цилиндрический анод, отличающееся тем, что катод расположен осесимметрично внутри анода, по торцам которого установлены соосно изолированные отражательные электроды, служащие для запирания свободных электронов внутри анода и находящиеся под отрицательным авторегулирующимся относительно катода потенциалом, а в качестве катода используется осесимметричное изделие, поверхность которого подвергается обработке.
3. Устройство по п.2, отличающееся тем, что магнитная система состоит из полюсных наконечников электромагнита, расположенных по торцам пространства, образованного цилиндрическими анодом и осесимметричным катодом, за отражательными электродами, и обмотки электромагнита, находящейся за пределами вакуумной камеры, а магнитный поток замыкается через немагнитные стенки камеры.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2011139192/07A RU2504040C2 (ru) | 2011-09-26 | 2011-09-26 | Способ и устройство модифицирования поверхности осесимметричных изделий |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2011139192/07A RU2504040C2 (ru) | 2011-09-26 | 2011-09-26 | Способ и устройство модифицирования поверхности осесимметричных изделий |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2011139192A true RU2011139192A (ru) | 2013-04-10 |
RU2504040C2 RU2504040C2 (ru) | 2014-01-10 |
Family
ID=49151582
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2011139192/07A RU2504040C2 (ru) | 2011-09-26 | 2011-09-26 | Способ и устройство модифицирования поверхности осесимметричных изделий |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2504040C2 (ru) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100307074B1 (ko) * | 1999-09-08 | 2001-09-24 | 이종구 | 다원계 증착을 위한 표적표면 오염 방지용 나누개 및 기판 오염 방지용 가리개를 가진 증착조 |
RU2167466C1 (ru) * | 2000-05-30 | 2001-05-20 | Бугров Глеб Эльмирович | Плазменный источник ионов и способ его работы |
RU2403316C2 (ru) * | 2008-05-13 | 2010-11-10 | Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "Уралавиаспецтехнология" | Способ нанесения ионно-плазменного покрытия |
RU97730U1 (ru) * | 2009-01-11 | 2010-09-20 | Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное предприятие "Уралавиаспецтехнология" | Установка для комплексной ионно-плазменной обработки и нанесения покрытий |
RU111855U1 (ru) * | 2011-07-25 | 2011-12-27 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский государственный университет нефти и газа имени И.М. Губкина" | Устройство для нанесения ионно-плазменного покрытия |
-
2011
- 2011-09-26 RU RU2011139192/07A patent/RU2504040C2/ru active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2504040C2 (ru) | 2014-01-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2016129486A (ru) | Система и способ для лечения плазмой с использованием энергетической системы направленного диэлектрического барьерного разряда | |
RU2014131219A (ru) | Плазменный двигатель и способ генерирования движущей плазменной тяги | |
RU2014143206A (ru) | Плазменно-иммерсионная ионная обработка и осаждение покрытий из паровой фазы при содействии дугового разряда низкого давления | |
CN101835334B (zh) | 一种交叉场放电共振耦合的控制方法 | |
JP2012501524A (ja) | ワイドリボンイオンビーム生成のための高密度ヘリコンプラズマソース | |
WO2011127394A8 (en) | Improved ion source | |
CN103327721A (zh) | 一种控制会切磁场推力器羽流发散角度的方法 | |
EP2739764A2 (en) | Ion source | |
JP2016172927A5 (ru) | ||
CN103168338B (zh) | 具有大靶的用于高压溅射的溅射源和溅射方法 | |
RU2011139192A (ru) | Способ и устройство модифицирования поверхности осесимметричных изделий | |
EP2482303A3 (en) | Deposition apparatus and methods | |
CN105088156A (zh) | 一种磁控溅射设备 | |
RU87065U1 (ru) | Устройство для создания однородной газоразрядной плазмы в технологических вакуумных камерах больших объемов | |
CN105112872A (zh) | 制备圆筒零件内表面涂层的脉冲磁控溅射装置及其应用 | |
EP2136388A2 (en) | Deposition of Materials | |
CN101124349A (zh) | 等离子体成膜装置 | |
RU2483501C2 (ru) | Плазменный реактор с магнитной системой | |
CN102296274A (zh) | 用于阴极弧金属离子源的屏蔽装置 | |
RU2634534C2 (ru) | Устройство для нанесения покрытий в вакууме | |
KR101598808B1 (ko) | 광폭 대기압 플라즈마 방전장치 | |
RU2575018C1 (ru) | Магнетронная распылительная система с протяженным катодом | |
US20100218721A1 (en) | Hollow-cathode discharge apparatus for plasma-based processing | |
JP2012094462A5 (ru) | ||
US20160064191A1 (en) | Ion control for a plasma source |