RU2011139192A - Способ и устройство модифицирования поверхности осесимметричных изделий - Google Patents

Способ и устройство модифицирования поверхности осесимметричных изделий Download PDF

Info

Publication number
RU2011139192A
RU2011139192A RU2011139192/07A RU2011139192A RU2011139192A RU 2011139192 A RU2011139192 A RU 2011139192A RU 2011139192/07 A RU2011139192/07 A RU 2011139192/07A RU 2011139192 A RU2011139192 A RU 2011139192A RU 2011139192 A RU2011139192 A RU 2011139192A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
axisymmetric
cathode
anode
product
magnetic field
Prior art date
Application number
RU2011139192/07A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2504040C2 (ru
Inventor
Борис Александрович Калин
Николай Викторович Волков
Игорь Валерьевич Мацегорин
Юрий Владимирович Пименов
Original Assignee
Открытое акционерное общество "ТВЭЛ"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Открытое акционерное общество "ТВЭЛ" filed Critical Открытое акционерное общество "ТВЭЛ"
Priority to RU2011139192/07A priority Critical patent/RU2504040C2/ru
Publication of RU2011139192A publication Critical patent/RU2011139192A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2504040C2 publication Critical patent/RU2504040C2/ru

Links

Landscapes

  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

1. Способ модифицирования поверхности изделий, заключающийся в том, что обрабатываемое осесимметричное изделие в виде заземленного катода помещается в камеру, наполненную рабочим газом, в магнитное поле и с цилиндрическим анодом, находящимся под электрическим потенциалом в газовом разряде, отличающийся тем, что, с целью получения режимов очистки и травления, высоких антикоррозионных, трибологических и механических свойств осесимметричное изделие располагают соосно с осесимметричным составным анодом, с изменяемой геометрией в зависимости от формы и размеров обрабатываемой поверхности, в скрещенных осесимметричном радиально направленном электрическом и продольном магнитном полях, создают регулируемый осесимметричный радиально сходящийся ионный поток в интервале энергий от 0,5 до 5 кэВ и давлении рабочего газа от 10-2 до 100 Па, для этого располагают по торцам соосно изолированные электроды, находящиеся под авто регулирующимся электрическим потенциалом, формируют продольное аксиальносимметричное однородное магнитное поле, и продольно перемещают обрабатываемое изделие с осевым поворотом (вращением).2. Устройство для модифицирования поверхности осесимметричных изделий путем ионно-плазменной обработки, содержащее магнитную систему, создающую направленное магнитное поле, вакуумную камеру, внутри которой размещены катод и цилиндрический анод, отличающееся тем, что катод расположен осесимметрично внутри анода, по торцам которого установлены соосно изолированные отражательные электроды, служащие для запирания свободных электронов внутри анода и находящиеся под отрицательным авторегулирующимся относ�

Claims (3)

1. Способ модифицирования поверхности изделий, заключающийся в том, что обрабатываемое осесимметричное изделие в виде заземленного катода помещается в камеру, наполненную рабочим газом, в магнитное поле и с цилиндрическим анодом, находящимся под электрическим потенциалом в газовом разряде, отличающийся тем, что, с целью получения режимов очистки и травления, высоких антикоррозионных, трибологических и механических свойств осесимметричное изделие располагают соосно с осесимметричным составным анодом, с изменяемой геометрией в зависимости от формы и размеров обрабатываемой поверхности, в скрещенных осесимметричном радиально направленном электрическом и продольном магнитном полях, создают регулируемый осесимметричный радиально сходящийся ионный поток в интервале энергий от 0,5 до 5 кэВ и давлении рабочего газа от 10-2 до 100 Па, для этого располагают по торцам соосно изолированные электроды, находящиеся под авто регулирующимся электрическим потенциалом, формируют продольное аксиальносимметричное однородное магнитное поле, и продольно перемещают обрабатываемое изделие с осевым поворотом (вращением).
2. Устройство для модифицирования поверхности осесимметричных изделий путем ионно-плазменной обработки, содержащее магнитную систему, создающую направленное магнитное поле, вакуумную камеру, внутри которой размещены катод и цилиндрический анод, отличающееся тем, что катод расположен осесимметрично внутри анода, по торцам которого установлены соосно изолированные отражательные электроды, служащие для запирания свободных электронов внутри анода и находящиеся под отрицательным авторегулирующимся относительно катода потенциалом, а в качестве катода используется осесимметричное изделие, поверхность которого подвергается обработке.
3. Устройство по п.2, отличающееся тем, что магнитная система состоит из полюсных наконечников электромагнита, расположенных по торцам пространства, образованного цилиндрическими анодом и осесимметричным катодом, за отражательными электродами, и обмотки электромагнита, находящейся за пределами вакуумной камеры, а магнитный поток замыкается через немагнитные стенки камеры.
RU2011139192/07A 2011-09-26 2011-09-26 Способ и устройство модифицирования поверхности осесимметричных изделий RU2504040C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011139192/07A RU2504040C2 (ru) 2011-09-26 2011-09-26 Способ и устройство модифицирования поверхности осесимметричных изделий

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011139192/07A RU2504040C2 (ru) 2011-09-26 2011-09-26 Способ и устройство модифицирования поверхности осесимметричных изделий

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2011139192A true RU2011139192A (ru) 2013-04-10
RU2504040C2 RU2504040C2 (ru) 2014-01-10

Family

ID=49151582

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011139192/07A RU2504040C2 (ru) 2011-09-26 2011-09-26 Способ и устройство модифицирования поверхности осесимметричных изделий

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2504040C2 (ru)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100307074B1 (ko) * 1999-09-08 2001-09-24 이종구 다원계 증착을 위한 표적표면 오염 방지용 나누개 및 기판 오염 방지용 가리개를 가진 증착조
RU2167466C1 (ru) * 2000-05-30 2001-05-20 Бугров Глеб Эльмирович Плазменный источник ионов и способ его работы
RU2403316C2 (ru) * 2008-05-13 2010-11-10 Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "Уралавиаспецтехнология" Способ нанесения ионно-плазменного покрытия
RU97730U1 (ru) * 2009-01-11 2010-09-20 Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное предприятие "Уралавиаспецтехнология" Установка для комплексной ионно-плазменной обработки и нанесения покрытий
RU111855U1 (ru) * 2011-07-25 2011-12-27 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский государственный университет нефти и газа имени И.М. Губкина" Устройство для нанесения ионно-плазменного покрытия

Also Published As

Publication number Publication date
RU2504040C2 (ru) 2014-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2016129486A (ru) Система и способ для лечения плазмой с использованием энергетической системы направленного диэлектрического барьерного разряда
RU2014131219A (ru) Плазменный двигатель и способ генерирования движущей плазменной тяги
RU2014143206A (ru) Плазменно-иммерсионная ионная обработка и осаждение покрытий из паровой фазы при содействии дугового разряда низкого давления
CN101835334B (zh) 一种交叉场放电共振耦合的控制方法
JP2012501524A (ja) ワイドリボンイオンビーム生成のための高密度ヘリコンプラズマソース
WO2011127394A8 (en) Improved ion source
CN103327721A (zh) 一种控制会切磁场推力器羽流发散角度的方法
EP2739764A2 (en) Ion source
JP2016172927A5 (ru)
CN103168338B (zh) 具有大靶的用于高压溅射的溅射源和溅射方法
RU2011139192A (ru) Способ и устройство модифицирования поверхности осесимметричных изделий
EP2482303A3 (en) Deposition apparatus and methods
CN105088156A (zh) 一种磁控溅射设备
RU87065U1 (ru) Устройство для создания однородной газоразрядной плазмы в технологических вакуумных камерах больших объемов
CN105112872A (zh) 制备圆筒零件内表面涂层的脉冲磁控溅射装置及其应用
EP2136388A2 (en) Deposition of Materials
CN101124349A (zh) 等离子体成膜装置
RU2483501C2 (ru) Плазменный реактор с магнитной системой
CN102296274A (zh) 用于阴极弧金属离子源的屏蔽装置
RU2634534C2 (ru) Устройство для нанесения покрытий в вакууме
KR101598808B1 (ko) 광폭 대기압 플라즈마 방전장치
RU2575018C1 (ru) Магнетронная распылительная система с протяженным катодом
US20100218721A1 (en) Hollow-cathode discharge apparatus for plasma-based processing
JP2012094462A5 (ru)
US20160064191A1 (en) Ion control for a plasma source