RU2011131549A - NANOSTRUCTURE BASED ON THREE COMPONENT OXIDES - Google Patents

NANOSTRUCTURE BASED ON THREE COMPONENT OXIDES Download PDF

Info

Publication number
RU2011131549A
RU2011131549A RU2011131549/28A RU2011131549A RU2011131549A RU 2011131549 A RU2011131549 A RU 2011131549A RU 2011131549/28 A RU2011131549/28 A RU 2011131549/28A RU 2011131549 A RU2011131549 A RU 2011131549A RU 2011131549 A RU2011131549 A RU 2011131549A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
component
hafnium
zirconium
titanium
components
Prior art date
Application number
RU2011131549/28A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Анатолий Павлович Алехин
Андрей Сергеевич Батурин
Ирина Павловна Григал
Светлана Александровна Гудкова
Андрей Михайлович Маркеев
Анастасия Александровна Чуприк
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский физико-технический институт (государственный университет)" (МФТИ)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский физико-технический институт (государственный университет)" (МФТИ) filed Critical Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский физико-технический институт (государственный университет)" (МФТИ)
Priority to RU2011131549/28A priority Critical patent/RU2011131549A/en
Publication of RU2011131549A publication Critical patent/RU2011131549A/en

Links

Landscapes

  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

1. Наноструктура на основе трехкомпонентных оксидов, состоящая из трех чередующихся слоев, а именно активного слоя, расположенного между двумя токопроводящими слоями, причем активным слоем является трехкомпонентный оксид, одним из компонентов которого является титан, или цирконий, или гафний, вторым компонентом является металл, третьим компонентом является кислород, отличающаяся тем, что металл является трехвалентным, с ионным радиусом, близким по величине к ионному радиусу титана, или циркония, или гафния соответственно.2. Наноструктура по п.1, отличающаяся тем, что, если одним из компонентов является титан, то вторым компонентом является алюминий или скандий, если одним из компонентов является цирконий или гафний, то вторым компонентом является скандий, или иттрии, или лютеций. 1. A nanostructure based on three-component oxides, consisting of three alternating layers, namely, an active layer located between two conductive layers, the active layer being a three-component oxide, one of the components of which is titanium, or zirconium, or hafnium, the second component is a metal, the third component is oxygen, characterized in that the metal is trivalent, with an ionic radius close in magnitude to the ionic radius of titanium, or zirconium, or hafnium, respectively. 2. The nanostructure according to claim 1, characterized in that if one of the components is titanium, then the second component is aluminum or scandium, if one of the components is zirconium or hafnium, then the second component is scandium, or yttrium, or lutetium.

Claims (2)

1. Наноструктура на основе трехкомпонентных оксидов, состоящая из трех чередующихся слоев, а именно активного слоя, расположенного между двумя токопроводящими слоями, причем активным слоем является трехкомпонентный оксид, одним из компонентов которого является титан, или цирконий, или гафний, вторым компонентом является металл, третьим компонентом является кислород, отличающаяся тем, что металл является трехвалентным, с ионным радиусом, близким по величине к ионному радиусу титана, или циркония, или гафния соответственно.1. A nanostructure based on three-component oxides, consisting of three alternating layers, namely, an active layer located between two conductive layers, the active layer being a three-component oxide, one of the components of which is titanium, or zirconium, or hafnium, the second component is a metal, the third component is oxygen, characterized in that the metal is trivalent, with an ionic radius close in magnitude to the ionic radius of titanium, or zirconium, or hafnium, respectively. 2. Наноструктура по п.1, отличающаяся тем, что, если одним из компонентов является титан, то вторым компонентом является алюминий или скандий, если одним из компонентов является цирконий или гафний, то вторым компонентом является скандий, или иттрии, или лютеций. 2. The nanostructure according to claim 1, characterized in that if one of the components is titanium, then the second component is aluminum or scandium, if one of the components is zirconium or hafnium, then the second component is scandium, or yttrium, or lutetium.
RU2011131549/28A 2011-07-28 2011-07-28 NANOSTRUCTURE BASED ON THREE COMPONENT OXIDES RU2011131549A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011131549/28A RU2011131549A (en) 2011-07-28 2011-07-28 NANOSTRUCTURE BASED ON THREE COMPONENT OXIDES

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011131549/28A RU2011131549A (en) 2011-07-28 2011-07-28 NANOSTRUCTURE BASED ON THREE COMPONENT OXIDES

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011146089/07A Substitution RU2472254C9 (en) 2011-11-14 2011-11-14 Memristor based on mixed oxide of metals

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2011131549A true RU2011131549A (en) 2013-02-10

Family

ID=49119357

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011131549/28A RU2011131549A (en) 2011-07-28 2011-07-28 NANOSTRUCTURE BASED ON THREE COMPONENT OXIDES

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2011131549A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2013080918A5 (en)
JP2012033908A5 (en)
JP2014007394A5 (en) Semiconductor device
WO2014185994A3 (en) Cycloidal diffractive waveplate and method of manufacture
JP2015015457A5 (en)
JP2014197664A5 (en) Semiconductor device
JP2014082388A5 (en)
EP2813926A3 (en) Decoration cover plate
JP2012199536A5 (en)
JP2013236072A5 (en)
JP2013089613A5 (en) Semiconductor device
EA201491381A1 (en) BASIS EQUIPPED WITH A SYSTEM OF LAYERS WITH THERMAL PROPERTIES, CONTAINING FOUR METAL FUNCTIONAL LAYERS
RU2012138144A (en) TWO-SIDED CUTTING INSERT
IN2015DN00551A (en)
JP2014131022A5 (en)
JP2014112657A5 (en) Semiconductor device
JP2014116591A5 (en)
JP2015513329A5 (en) How to determine hand hygiene compliance
EP3014519A4 (en) Face recognition with parallel detection and tracking, and/or grouped feature motion shift tracking
WO2015084293A3 (en) Passive security of applications
JP2013021308A5 (en) Semiconductor device
EP2866128A3 (en) Touch panel
JP2014136811A5 (en)
EA201391051A1 (en) SINTERED MATERIAL BASED ON CHROMIUM OXIDE WITH ADDITIVES
GB201611268D0 (en) Spinel-type lithium cobal manganese-containing complex oxide