RU2011121963A - Способ получения циклопропановых производных фуллеренов, применение органических производных фуллеренов в качестве материалов для электронных полупроводниковых устройств, органического полевого транзистора, органической фотовольтаической ячейки, органический полевой транзистор и органическая фотовольтаическая ячейка - Google Patents
Способ получения циклопропановых производных фуллеренов, применение органических производных фуллеренов в качестве материалов для электронных полупроводниковых устройств, органического полевого транзистора, органической фотовольтаической ячейки, органический полевой транзистор и органическая фотовольтаическая ячейка Download PDFInfo
- Publication number
- RU2011121963A RU2011121963A RU2011121963/04A RU2011121963A RU2011121963A RU 2011121963 A RU2011121963 A RU 2011121963A RU 2011121963/04 A RU2011121963/04 A RU 2011121963/04A RU 2011121963 A RU2011121963 A RU 2011121963A RU 2011121963 A RU2011121963 A RU 2011121963A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- range
- radical
- fullerenes
- optionally substituted
- organic
- Prior art date
Links
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 title claims abstract 12
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 10
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical class [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 title claims abstract 8
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 5
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims 5
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims 4
- 238000013086 organic photovoltaic Methods 0.000 title claims 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 3
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims abstract 7
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims abstract 7
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 claims abstract 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract 2
- -1 α-ketoacetic acid ester Chemical class 0.000 claims abstract 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- ATLMFJTZZPOKLC-UHFFFAOYSA-N C70 fullerene Chemical compound C12=C(C3=C4C5=C67)C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C(C%14=C%15C%16=%17)=C%18C%19=C%20C%21=C%22C%23=C%24C%21=C%21C(C=%25%26)=C%20C%18=C%12C%26=C%10C8=C4C=%25C%21=C5C%24=C6C(C4=C56)=C%23C5=C5C%22=C%19C%14=C5C=%17C6=C5C6=C4C7=C3C1=C6C1=C5C%16=C3C%15=C%13C%11=C4C9=C2C1=C34 ATLMFJTZZPOKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 1
- HHLFWLYXYJOTON-UHFFFAOYSA-N glyoxylic acid Chemical compound OC(=O)C=O HHLFWLYXYJOTON-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 125000002088 tosyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1C([H])([H])[H])S(*)(=O)=O 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
1. Способ получения циклопропановых производных фуллеренов путем нагревания немодифицированного фуллерена с тозилгидразоном в присутствии растворителя и основания, отличающийся тем, что процесс ведут с тозилгидразоном эфира α-кетоуксусной кислоты общей формулы 1,где в общей формуле 1 радикал R обозначает, но не ограничивается следующими определениями:- произвольным образом замещенный линейный или разветвленный алифатический радикал C, где n находится в пределах от 1 до 50;- произвольным образом замещенный линейный или разветвленный гетероалкильный радикал C, где n находится в пределах от 1 до 50;- произвольным образом замещенный линейный или разветвленный ненасыщенный углеводородный радикал C, где n находится в пределах от 1 до 50;- произвольным образом замещенный циклоалкильный углеводородный радикал C, где n находится в пределах от 1 до 50;- произвольным образом замещенный гетероциклоалкильный углеводородный радикал C, где n находится в пределах от 1 до 50;- произвольным образом замещенный арилалкильный радикал C, где n находится в пределах от 1 до 50;- где в общей формуле 1 радикал Rобозначает, но не ограничивается следующими определениями:- произвольным образом замещенный линейный или разветвленный алифатический радикал C, где n находится в пределах от 1 до 50;- произвольным образом замещенный линейный или разветвленный гетероалкильный радикал C, где n находится в пределах от 1 до 50;- произвольным образом замещенный линейный или разветвленный ненасыщенный углеводородный радикал C, где n находится в пределах от 1 до 50;- произвольным образом замещенный циклоалкильный углеводородный радикал C, где n находится в пределах от 1 до 5
Claims (7)
1. Способ получения циклопропановых производных фуллеренов путем нагревания немодифицированного фуллерена с тозилгидразоном в присутствии растворителя и основания, отличающийся тем, что процесс ведут с тозилгидразоном эфира α-кетоуксусной кислоты общей формулы 1
где в общей формуле 1 радикал R обозначает, но не ограничивается следующими определениями:
- произвольным образом замещенный линейный или разветвленный алифатический радикал Cn, где n находится в пределах от 1 до 50;
- произвольным образом замещенный линейный или разветвленный гетероалкильный радикал Cn, где n находится в пределах от 1 до 50;
- произвольным образом замещенный линейный или разветвленный ненасыщенный углеводородный радикал Cn, где n находится в пределах от 1 до 50;
- произвольным образом замещенный циклоалкильный углеводородный радикал Cn, где n находится в пределах от 1 до 50;
- произвольным образом замещенный гетероциклоалкильный углеводородный радикал Cn, где n находится в пределах от 1 до 50;
- произвольным образом замещенный арилалкильный радикал Cn, где n находится в пределах от 1 до 50;
- где в общей формуле 1 радикал R1 обозначает, но не ограничивается следующими определениями:
- произвольным образом замещенный линейный или разветвленный алифатический радикал Cn, где n находится в пределах от 1 до 50;
- произвольным образом замещенный линейный или разветвленный гетероалкильный радикал Cn, где n находится в пределах от 1 до 50;
- произвольным образом замещенный линейный или разветвленный ненасыщенный углеводородный радикал Cn, где n находится в пределах от 1 до 50;
- произвольным образом замещенный циклоалкильный углеводородный радикал Cn, где n находится в пределах от 1 до 50;
- произвольным образом замещенный гетероциклоалкильный углеводородный радикал Cn, где n находится в пределах от 1 до 50;
- произвольным образом замещенный ароматический радикал Cn, где n находится в пределах от 1 до 50;
- произвольным образом замещенный арилалкильный радикал Cn, где n находится в пределах от 1 до 50;
- произвольным образом замещенный гетероароматический радикал Cn, где n находится в пределах от 1 до 30;
2. Способ получения органических производных фуллеренов по п.1, отличающийся тем, что в качестве фуллерена берут фуллерен C60, или фуллерен C70 или высший фуллерен C>70, или углеродный наноматериал, называемый в научно-технической литературе «фуллереновый экстракт», и представляющий собой смесь фуллеренов C60 и C70 (суммарное содержание 95.0-99.999% по весу) и высших фуллеренов (C>70, содержание 0.001-5.0% по весу).
3. Применение циклопропановых производных фуллеренов общей формулы Fu=C(R1)COOR в качестве материалов для электронных полупроводниковых устройств.
4. Применение циклопропановых производных фуллеренов общей формулы Fu=C(R1)COOR в качестве материалов для органического полевого транзистора.
5. Применение циклопропановых производных фуллеренов общей формулы Fu=C(R1)COOR в качестве материалов для органической фотовольтаической ячейки.
6. Органический полевой транзистор, содержащий слои подложки, диэлектрика и полупроводникового материала, а также нижний электрод (затвор) и верхние электроды (сток и исток), отличающийся тем, что в качестве полупроводникового материала используют циклопропановые производные фуллеренов общей формулы Fu=C(R1)COOR.
7. Органическая фотовольтаическая ячейка, отличающаяся тем, что в качестве компонента активного слоя используют циклопропановые производные фуллеренов общей формулы Fu=C(R1)COOR.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2011121963/04A RU2519782C2 (ru) | 2011-06-01 | 2011-06-01 | Способ получения циклопропановых производных фуллеренов, применение органических производных фуллеренов в качестве материалов для электронных полупроводниковых устройств, органического полевого транзистора, органической фотовольтаической ячейки, органический полевой транзистор и органическая фотовольтаическая ячейка |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2011121963/04A RU2519782C2 (ru) | 2011-06-01 | 2011-06-01 | Способ получения циклопропановых производных фуллеренов, применение органических производных фуллеренов в качестве материалов для электронных полупроводниковых устройств, органического полевого транзистора, органической фотовольтаической ячейки, органический полевой транзистор и органическая фотовольтаическая ячейка |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2011121963A true RU2011121963A (ru) | 2012-12-27 |
| RU2519782C2 RU2519782C2 (ru) | 2014-06-20 |
Family
ID=49257147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011121963/04A RU2519782C2 (ru) | 2011-06-01 | 2011-06-01 | Способ получения циклопропановых производных фуллеренов, применение органических производных фуллеренов в качестве материалов для электронных полупроводниковых устройств, органического полевого транзистора, органической фотовольтаической ячейки, органический полевой транзистор и органическая фотовольтаическая ячейка |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2519782C2 (ru) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2579148C1 (ru) * | 2014-11-18 | 2016-04-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Башкирский государственный университет" | Способ получения норборнензамещенных циклопропановых производных фуллеренов и полимеров на их основе |
| RU2711566C2 (ru) * | 2016-12-28 | 2020-01-17 | Общество с ограниченной ответственностью "ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ ОРГАНИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ" (ООО "ФОМ") | Способ получения циклопропановых производных фуллеренов |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2287483C1 (ru) * | 2005-07-15 | 2006-11-20 | Институт Проблем Химической Физики Российской Академии Наук (Ипхф Ран) | Производные фуллеренов, способ их получения и фотовольтаическое устройство |
| WO2009062457A1 (de) * | 2007-11-13 | 2009-05-22 | Thüringisches Institut für Textil- und Kunststoff-Forschung e.V. | Organischer feldeffekttransistor basierend auf einem löslichen fullerenderivat |
| DE112007003754A5 (de) * | 2007-11-13 | 2010-10-21 | Thüringisches Institut für Textil- und Kunststoff-Forschung e.V. | Photoelektrisches Halbleiterbauelement, basierend auf einem löslichen Fullerenderivat |
-
2011
- 2011-06-01 RU RU2011121963/04A patent/RU2519782C2/ru not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2519782C2 (ru) | 2014-06-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Sun et al. | Indirect-to-direct band gap crossover in few-layer transition metal dichalcogenides: a theoretical prediction | |
| Choi et al. | Lateral MoS2 p–n junction formed by chemical doping for use in high-performance optoelectronics | |
| Ho et al. | High-mobility InSe transistors: the role of surface oxides | |
| Li et al. | High-performance p-type black phosphorus transistor with scandium contact | |
| Wells et al. | Suppressing ambient degradation of exfoliated InSe nanosheet devices via seeded atomic layer deposition encapsulation | |
| Cheng et al. | van der Waals heterojunction devices based on organohalide perovskites and two-dimensional materials | |
| Sucharitakul et al. | Intrinsic electron mobility exceeding 103 cm2/(V s) in multilayer InSe FETs | |
| Yamamoto et al. | Self-limiting oxides on WSe2 as controlled surface acceptors and low-resistance hole contacts | |
| Lu et al. | Universal transfer and stacking of chemical vapor deposition grown two-dimensional atomic layers with water-soluble polymer mediator | |
| Zou et al. | Controllable electrical properties of metal-doped In2O3 nanowires for high-performance enhancement-mode transistors | |
| Gupta et al. | Luminscent graphene quantum dots for organic photovoltaic devices | |
| Wang et al. | Electronic transport of encapsulated graphene and WSe2 devices fabricated by pick-up of prepatterned hBN | |
| Lembke et al. | Breakdown of high-performance monolayer MoS2 transistors | |
| Chen et al. | High-performance single-crystalline arsenic-doped indium oxide nanowires for transparent thin-film transistors and active matrix organic light-emitting diode displays | |
| Meng et al. | Perovskite core–shell nanowire transistors: interfacial transfer doping and surface passivation | |
| Cao et al. | ZnO nanowalls grown with high-pressure PLD and their applications as field emitters and UV detectors | |
| JP2011520246A5 (ru) | ||
| JP2014506246A5 (ru) | ||
| JP2012039103A5 (ru) | ||
| Dahiya et al. | Flexible organic/inorganic hybrid field-effect transistors with high performance and operational stability | |
| Ding et al. | High-performance ballistic quantum transport of sub-10 nm monolayer GeS field-effect transistors | |
| Ma et al. | UV-epoxy-enabled simultaneous intact transfer and highly efficient doping for roll-to-roll production of high-performance graphene films | |
| Berktas et al. | Negative capacitance behavior at low frequencies of nitrogen-doped polyethylenimine-functionalized graphene quantum dots-based structure | |
| RU2011121963A (ru) | Способ получения циклопропановых производных фуллеренов, применение органических производных фуллеренов в качестве материалов для электронных полупроводниковых устройств, органического полевого транзистора, органической фотовольтаической ячейки, органический полевой транзистор и органическая фотовольтаическая ячейка | |
| EP2410380A3 (en) | Electrophotographic photoreceptor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA92 | Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted) |
Effective date: 20130724 |
|
| FZ9A | Application not withdrawn (correction of the notice of withdrawal) |
Effective date: 20130910 |