RU2010131745A - X-RAY LITHOGRAPHIC TEMPLATE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE - Google Patents
X-RAY LITHOGRAPHIC TEMPLATE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE Download PDFInfo
- Publication number
- RU2010131745A RU2010131745A RU2010131745/28A RU2010131745A RU2010131745A RU 2010131745 A RU2010131745 A RU 2010131745A RU 2010131745/28 A RU2010131745/28 A RU 2010131745/28A RU 2010131745 A RU2010131745 A RU 2010131745A RU 2010131745 A RU2010131745 A RU 2010131745A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- ray
- metal
- absorbing layer
- support ring
- ray absorbing
- Prior art date
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
1. Рентгенолитографический шаблон, содержащий опорное кольцо и металлический рентгенопоглощающий слой с топологическим рисунком, отличающийся тем, что не содержит несущей мембраны, а металлический рентгенопоглощающий слой крепится своими краями непосредственно к опорному кольцу. ! 2. Рентгенолитографический шаблон по п.1, отличающийся тем, что его металлический рентгенопоглощающий слой выполнен в виде чередующихся пленок (слоев) различных металлов. ! 3. Способ изготовления рентгенолитографического шаблона, включающий в себя процессы формирования резистивной маски на рабочей поверхности исходной электропроводящей (или содержащей электропроводящие слои) подложки, процессы электроосаждения металлического рентгенопоглощающего слоя, отличающийся тем, что исходную подложку выполняют состоящей из двух деталей, выполненных из разных материалов: опорного кольца и внутреннего диска, который полностью удаляется селективным травлением на последних этапах изготовления шаблона. 1. X-ray lithography template containing a support ring and a metal x-ray absorbing layer with a topological pattern, characterized in that it does not contain a supporting membrane, and the metal x-ray absorbing layer is attached with its edges directly to the support ring. ! 2. The x-ray lithographic template according to claim 1, characterized in that its metal x-ray absorbing layer is made in the form of alternating films (layers) of various metals. ! 3. A method of manufacturing an x-ray lithographic template, including the processes of forming a resistive mask on the working surface of the initial electrically conductive (or containing electrically conductive layers) substrate, the processes of electrodeposition of a metal x-ray absorbing layer, characterized in that the initial substrate is made up of two parts made of different materials: the support ring and the inner disk, which is completely removed by selective etching in the last stages of the manufacture of the template.
Claims (3)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2010131745/28A RU2469369C2 (en) | 2010-07-28 | 2010-07-28 | X-ray lithographic template and method for production thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2010131745/28A RU2469369C2 (en) | 2010-07-28 | 2010-07-28 | X-ray lithographic template and method for production thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2010131745A true RU2010131745A (en) | 2012-02-10 |
RU2469369C2 RU2469369C2 (en) | 2012-12-10 |
Family
ID=45853067
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2010131745/28A RU2469369C2 (en) | 2010-07-28 | 2010-07-28 | X-ray lithographic template and method for production thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2469369C2 (en) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2546989C2 (en) * | 2013-08-01 | 2015-04-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения РАН (ИЯФ СО РАН) | X-ray mask and method of its fabrication |
RU2704673C1 (en) * | 2019-02-22 | 2019-10-30 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт Ядерной Физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения (ИЯФ СО РАН) | Method of making x-ray lithographic pattern |
RU2721172C1 (en) * | 2019-04-16 | 2020-05-18 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт Ядерной Физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения (ИЯФ СО РАН) | Method of manufacturing self-bearing x-ray lithography mask |
RU2716858C1 (en) * | 2019-04-22 | 2020-03-17 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт Ядерной Физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения (ИЯФ СО РАН) | Method of making a silicon x-ray image |
RU2759387C1 (en) * | 2020-11-11 | 2021-11-12 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения Российской академии наук (ИЯФ СО РАН) | Method for producing a self-supporting x-ray mask |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU864383A1 (en) * | 1979-12-13 | 1981-09-15 | Предприятие П/Я Р-6707 | Pattern for roentgenolythography |
SU1064352A1 (en) * | 1982-05-17 | 1983-12-30 | Ордена Ленина Институт Кибернетики Ан Усср | Process for manufacturing template |
JP2005175406A (en) * | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Unitika Ltd | X-ray lithography mask |
US7608367B1 (en) * | 2005-04-22 | 2009-10-27 | Sandia Corporation | Vitreous carbon mask substrate for X-ray lithography |
RU2339067C1 (en) * | 2007-03-27 | 2008-11-20 | Институт ядерной физики СО РАН | X-ray lithographic template and method for its production |
-
2010
- 2010-07-28 RU RU2010131745/28A patent/RU2469369C2/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2469369C2 (en) | 2012-12-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2010131745A (en) | X-RAY LITHOGRAPHIC TEMPLATE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE | |
JP2016122684A5 (en) | ||
JP2013257593A5 (en) | Method of manufacturing transfer mask and method of manufacturing semiconductor device | |
JP2014205902A5 (en) | Metal oxide film | |
EP2500775A3 (en) | Patterning process and composition for forming silicon-containing film usable therefor | |
JP2014208899A5 (en) | ||
BR112013016671A2 (en) | defined photo aperture plate and method to produce the same | |
MY171887A (en) | Hdd patterning using flowable cvd film | |
JP2015502668A5 (en) | ||
WO2013049367A3 (en) | Plasmonic lithography using phase mask | |
JP2015200883A5 (en) | ||
EP2835884A3 (en) | Light emitting element and method of manufacturing the same | |
JP2015156034A5 (en) | ||
SG10201908125SA (en) | Photomask blank, method for manufacturing photomask, and mask pattern formation method | |
JP2015222448A5 (en) | ||
JP2016095504A5 (en) | ||
JP2012138570A5 (en) | ||
SG11201807712YA (en) | Method for manufacturing reflective mask blank, reflective mask blank, method for manufacturing reflective mask, reflective mask, and method for manufacturing semiconductor device | |
JP2017520915A5 (en) | ||
JP2012113297A5 (en) | ||
EP2863259A3 (en) | Method for manufacturing photomask blank | |
JP2015088216A5 (en) | ||
JP2015207638A5 (en) | ||
JP2012190789A5 (en) | Insulation pattern forming method | |
JP2015065308A5 (en) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20200729 |