RU2010131745A - X-RAY LITHOGRAPHIC TEMPLATE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE - Google Patents

X-RAY LITHOGRAPHIC TEMPLATE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE Download PDF

Info

Publication number
RU2010131745A
RU2010131745A RU2010131745/28A RU2010131745A RU2010131745A RU 2010131745 A RU2010131745 A RU 2010131745A RU 2010131745/28 A RU2010131745/28 A RU 2010131745/28A RU 2010131745 A RU2010131745 A RU 2010131745A RU 2010131745 A RU2010131745 A RU 2010131745A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
ray
metal
absorbing layer
support ring
ray absorbing
Prior art date
Application number
RU2010131745/28A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2469369C2 (en
Inventor
Александр Николаевич Генцелев (RU)
Александр Николаевич Генцелев
Original Assignee
Учреждение Российской академии наук Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения РАН (ИЯФ СО РАН) (RU)
Учреждение Российской академии наук Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения РАН (ИЯФ СО РАН)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Учреждение Российской академии наук Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения РАН (ИЯФ СО РАН) (RU), Учреждение Российской академии наук Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения РАН (ИЯФ СО РАН) filed Critical Учреждение Российской академии наук Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения РАН (ИЯФ СО РАН) (RU)
Priority to RU2010131745/28A priority Critical patent/RU2469369C2/en
Publication of RU2010131745A publication Critical patent/RU2010131745A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2469369C2 publication Critical patent/RU2469369C2/en

Links

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

1. Рентгенолитографический шаблон, содержащий опорное кольцо и металлический рентгенопоглощающий слой с топологическим рисунком, отличающийся тем, что не содержит несущей мембраны, а металлический рентгенопоглощающий слой крепится своими краями непосредственно к опорному кольцу. ! 2. Рентгенолитографический шаблон по п.1, отличающийся тем, что его металлический рентгенопоглощающий слой выполнен в виде чередующихся пленок (слоев) различных металлов. ! 3. Способ изготовления рентгенолитографического шаблона, включающий в себя процессы формирования резистивной маски на рабочей поверхности исходной электропроводящей (или содержащей электропроводящие слои) подложки, процессы электроосаждения металлического рентгенопоглощающего слоя, отличающийся тем, что исходную подложку выполняют состоящей из двух деталей, выполненных из разных материалов: опорного кольца и внутреннего диска, который полностью удаляется селективным травлением на последних этапах изготовления шаблона. 1. X-ray lithography template containing a support ring and a metal x-ray absorbing layer with a topological pattern, characterized in that it does not contain a supporting membrane, and the metal x-ray absorbing layer is attached with its edges directly to the support ring. ! 2. The x-ray lithographic template according to claim 1, characterized in that its metal x-ray absorbing layer is made in the form of alternating films (layers) of various metals. ! 3. A method of manufacturing an x-ray lithographic template, including the processes of forming a resistive mask on the working surface of the initial electrically conductive (or containing electrically conductive layers) substrate, the processes of electrodeposition of a metal x-ray absorbing layer, characterized in that the initial substrate is made up of two parts made of different materials: the support ring and the inner disk, which is completely removed by selective etching in the last stages of the manufacture of the template.

Claims (3)

1. Рентгенолитографический шаблон, содержащий опорное кольцо и металлический рентгенопоглощающий слой с топологическим рисунком, отличающийся тем, что не содержит несущей мембраны, а металлический рентгенопоглощающий слой крепится своими краями непосредственно к опорному кольцу.1. X-ray lithography template containing a support ring and a metal x-ray absorbing layer with a topological pattern, characterized in that it does not contain a supporting membrane, and the metal x-ray absorbing layer is attached with its edges directly to the support ring. 2. Рентгенолитографический шаблон по п.1, отличающийся тем, что его металлический рентгенопоглощающий слой выполнен в виде чередующихся пленок (слоев) различных металлов.2. The x-ray lithographic template according to claim 1, characterized in that its metal x-ray absorbing layer is made in the form of alternating films (layers) of various metals. 3. Способ изготовления рентгенолитографического шаблона, включающий в себя процессы формирования резистивной маски на рабочей поверхности исходной электропроводящей (или содержащей электропроводящие слои) подложки, процессы электроосаждения металлического рентгенопоглощающего слоя, отличающийся тем, что исходную подложку выполняют состоящей из двух деталей, выполненных из разных материалов: опорного кольца и внутреннего диска, который полностью удаляется селективным травлением на последних этапах изготовления шаблона. 3. A method of manufacturing an x-ray lithographic template, including the processes of forming a resistive mask on the working surface of the initial electrically conductive (or containing electrically conductive layers) substrate, the processes of electrodeposition of a metal x-ray absorbing layer, characterized in that the initial substrate is made up of two parts made of different materials: the support ring and the inner disk, which is completely removed by selective etching in the last stages of the manufacture of the template.
RU2010131745/28A 2010-07-28 2010-07-28 X-ray lithographic template and method for production thereof RU2469369C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010131745/28A RU2469369C2 (en) 2010-07-28 2010-07-28 X-ray lithographic template and method for production thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010131745/28A RU2469369C2 (en) 2010-07-28 2010-07-28 X-ray lithographic template and method for production thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010131745A true RU2010131745A (en) 2012-02-10
RU2469369C2 RU2469369C2 (en) 2012-12-10

Family

ID=45853067

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010131745/28A RU2469369C2 (en) 2010-07-28 2010-07-28 X-ray lithographic template and method for production thereof

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2469369C2 (en)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2546989C2 (en) * 2013-08-01 2015-04-10 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения РАН (ИЯФ СО РАН) X-ray mask and method of its fabrication
RU2704673C1 (en) * 2019-02-22 2019-10-30 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт Ядерной Физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения (ИЯФ СО РАН) Method of making x-ray lithographic pattern
RU2721172C1 (en) * 2019-04-16 2020-05-18 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт Ядерной Физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения (ИЯФ СО РАН) Method of manufacturing self-bearing x-ray lithography mask
RU2716858C1 (en) * 2019-04-22 2020-03-17 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт Ядерной Физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения (ИЯФ СО РАН) Method of making a silicon x-ray image
RU2759387C1 (en) * 2020-11-11 2021-11-12 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения Российской академии наук (ИЯФ СО РАН) Method for producing a self-supporting x-ray mask

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU864383A1 (en) * 1979-12-13 1981-09-15 Предприятие П/Я Р-6707 Pattern for roentgenolythography
SU1064352A1 (en) * 1982-05-17 1983-12-30 Ордена Ленина Институт Кибернетики Ан Усср Process for manufacturing template
JP2005175406A (en) * 2003-12-15 2005-06-30 Unitika Ltd X-ray lithography mask
US7608367B1 (en) * 2005-04-22 2009-10-27 Sandia Corporation Vitreous carbon mask substrate for X-ray lithography
RU2339067C1 (en) * 2007-03-27 2008-11-20 Институт ядерной физики СО РАН X-ray lithographic template and method for its production

Also Published As

Publication number Publication date
RU2469369C2 (en) 2012-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2010131745A (en) X-RAY LITHOGRAPHIC TEMPLATE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE
JP2016122684A5 (en)
JP2013257593A5 (en) Method of manufacturing transfer mask and method of manufacturing semiconductor device
JP2014205902A5 (en) Metal oxide film
EP2500775A3 (en) Patterning process and composition for forming silicon-containing film usable therefor
BR112013016671A2 (en) defined photo aperture plate and method to produce the same
JP2014157364A5 (en) Transmission mask blank, transmission mask, and method for manufacturing semiconductor device
MY171887A (en) Hdd patterning using flowable cvd film
JP2015502668A5 (en)
WO2013049367A3 (en) Plasmonic lithography using phase mask
JP2015200883A5 (en)
SG10201908125SA (en) Photomask blank, method for manufacturing photomask, and mask pattern formation method
JP2012138570A5 (en)
JP2017520915A5 (en)
JP2012113297A5 (en)
SG11201807712YA (en) Method for manufacturing reflective mask blank, reflective mask blank, method for manufacturing reflective mask, reflective mask, and method for manufacturing semiconductor device
EP2863259A3 (en) Method for manufacturing photomask blank
JP2015207638A5 (en)
JP2015065308A5 (en)
JP2016111057A5 (en)
RU2010101434A (en) METAL NETWORK STRUCTURE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE
CN104166307A (en) Graphical method for graphene thin film, functional device and application of graphene thin film
JP2016122751A5 (en)
JP2018117020A5 (en)
RU2013136230A (en) X-RAY TEMPLATE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20200729