RU2009114639A - Многослойный пироэлектрический чувствительный элемент - Google Patents
Многослойный пироэлектрический чувствительный элемент Download PDFInfo
- Publication number
- RU2009114639A RU2009114639A RU2009114639/28A RU2009114639A RU2009114639A RU 2009114639 A RU2009114639 A RU 2009114639A RU 2009114639/28 A RU2009114639/28 A RU 2009114639/28A RU 2009114639 A RU2009114639 A RU 2009114639A RU 2009114639 A RU2009114639 A RU 2009114639A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- ferroelectric
- sensitive element
- layer
- pmn
- Prior art date
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
1. Многослойный пироэлектрический чувствительный элемент, содержащий тонкопленочную структуру, сформированную на подложке, по крайней мере, из трех слоев, расположенных один над другим поликристаллических сегнетоэлектрических релаксоров, включающих слой из твердого раствора магнониобата титаната свинца, верхний и нижний электроды, нанесенные на поверхности, перпендикулярные полярной оси тонкопленочной структуры, причем верхний электрод нанесен на внешнюю поверхность тонкопленочной структуры, отличающийся тем, что слои поликристаллических сегнетоэлектрических релаксоров сформированы на подложке из керамического электретного материала, содержащей сегнетоэлектрик на основе цирконата титаната свинца с добавкой стекла, причем материал первого слоя сегнетоэлектрического релаксора в направлении от подложки к верхнему электроду имеет состав: 0,75 PbMg1/3Nb2/3O3-0,25 PbTiO3 (0,75 PMN-0,25 PT), материал второго слоя - 0,85 PbMg1/3Nb2/3O3-0,15 PbTiO3 (0,85 PMN-0,15 PT) и материал третьего слоя - 0,925 PbMg1/3Nb2/3O3-0,075 PbTiO3 (0,925 PMN-0,075) PT), а нижний электрод нанесен на внешнюю поверхность подложки. ! 2. Многослойный пироэлектрический чувствительный элемент по п.1, отличающийся тем, что керамический электретный материал подложки содержит сегнетоэлектрик состава ! 0,437(PbZrTiO3)0,373(PbZrTiO3)0,44(PbMn1/3Nb2/3)O3(PbW1/2Nb2/3)O3 ! с добавкой стекла состава, вес%: ! 40 PbO+40SiO3+10 TiO3+6Bi2O3+2SrO+2WO3 ! при следующем соотношении исходных компонентов, вес%: ! сегнетоэлектрик 70 стекло 30 ! 3. Многослойный пироэлектрический чувствительный элемент по п.1, отличающийся тем, что толщина подложки составляет 30-40 мкм.
Claims (3)
1. Многослойный пироэлектрический чувствительный элемент, содержащий тонкопленочную структуру, сформированную на подложке, по крайней мере, из трех слоев, расположенных один над другим поликристаллических сегнетоэлектрических релаксоров, включающих слой из твердого раствора магнониобата титаната свинца, верхний и нижний электроды, нанесенные на поверхности, перпендикулярные полярной оси тонкопленочной структуры, причем верхний электрод нанесен на внешнюю поверхность тонкопленочной структуры, отличающийся тем, что слои поликристаллических сегнетоэлектрических релаксоров сформированы на подложке из керамического электретного материала, содержащей сегнетоэлектрик на основе цирконата титаната свинца с добавкой стекла, причем материал первого слоя сегнетоэлектрического релаксора в направлении от подложки к верхнему электроду имеет состав: 0,75 PbMg1/3Nb2/3O3-0,25 PbTiO3 (0,75 PMN-0,25 PT), материал второго слоя - 0,85 PbMg1/3Nb2/3O3-0,15 PbTiO3 (0,85 PMN-0,15 PT) и материал третьего слоя - 0,925 PbMg1/3Nb2/3O3-0,075 PbTiO3 (0,925 PMN-0,075) PT), а нижний электрод нанесен на внешнюю поверхность подложки.
2. Многослойный пироэлектрический чувствительный элемент по п.1, отличающийся тем, что керамический электретный материал подложки содержит сегнетоэлектрик состава
0,437(PbZrTiO3)0,373(PbZrTiO3)0,44(PbMn1/3Nb2/3)O3(PbW1/2Nb2/3)O3
с добавкой стекла состава, вес%:
40 PbO+40SiO3+10 TiO3+6Bi2O3+2SrO+2WO3
при следующем соотношении исходных компонентов, вес%:
3. Многослойный пироэлектрический чувствительный элемент по п.1, отличающийся тем, что толщина подложки составляет 30-40 мкм.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2009114639/28A RU2413186C2 (ru) | 2009-04-20 | 2009-04-20 | Многослойный пироэлектрический чувствительный элемент |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2009114639/28A RU2413186C2 (ru) | 2009-04-20 | 2009-04-20 | Многослойный пироэлектрический чувствительный элемент |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2009114639A true RU2009114639A (ru) | 2010-10-27 |
RU2413186C2 RU2413186C2 (ru) | 2011-02-27 |
Family
ID=44041873
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2009114639/28A RU2413186C2 (ru) | 2009-04-20 | 2009-04-20 | Многослойный пироэлектрический чувствительный элемент |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2413186C2 (ru) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU207821U1 (ru) * | 2021-07-20 | 2021-11-18 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Сибирский государственный университет геосистем и технологий» | Пироэлектрический детектор миллиметрового излучения |
-
2009
- 2009-04-20 RU RU2009114639/28A patent/RU2413186C2/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2413186C2 (ru) | 2011-02-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4108602B2 (ja) | 薄膜容量素子用組成物、高誘電率絶縁膜、薄膜容量素子および薄膜積層コンデンサ | |
TWI244660B (en) | High dielectric constant insulating film, thin-film capacitive element, thin-film multilayer capacitor, and method for manufacturing thin-film capacitive element | |
US7560854B2 (en) | Piezoelectric element and its manufacturing method | |
KR101565645B1 (ko) | 적층 커패시터 소자 | |
US20070095653A1 (en) | Method for manufacturing conductive complex oxide layer, and method for manufacturing laminated body having ferroelectric layer | |
KR20010014838A (ko) | 실리콘상의 비결정성 유전체 커패시터 | |
JP2007300071A5 (ru) | ||
JP2008042069A (ja) | 圧電体素子とその製造方法 | |
US20180230603A1 (en) | Electrode, ferroelectric ceramics and manufacturing method thereof | |
JP2016029708A (ja) | 薄膜誘電体及び薄膜コンデンサ素子 | |
Kwak et al. | Lead-free (Na0. 5, K0. 5) NbO3 thin films for the implantable piezoelectric medical sensor applications | |
JP2006310744A (ja) | 薄膜キャパシタ及び半導体装置 | |
US8648992B2 (en) | Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same | |
US7382013B2 (en) | Dielectric thin film, dielectric thin film device, and method of production thereof | |
SG113020A1 (en) | Heterolayered ferroelectric thin films and methods of forming the same | |
US9636902B2 (en) | Film stack including adhesive layer | |
RU2009114639A (ru) | Многослойный пироэлектрический чувствительный элемент | |
JP2003146660A5 (ru) | ||
JP2004111850A5 (ru) | ||
JP4321526B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及びそれを用いた電子部品 | |
KR101213606B1 (ko) | 산화물 박막 소자의 제조방법 | |
JP3210007B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4088477B2 (ja) | 薄膜容量素子および薄膜積層コンデンサ | |
JP2004165596A (ja) | 薄膜容量素子用組成物、高誘電率絶縁膜、薄膜容量素子、薄膜積層コンデンサ、電子回路および電子機器 | |
US20240124362A1 (en) | Lead-free piezoelectric ceramic composition and method for manufacturing lead-free piezoelectric ceramic |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20170421 |