RU2009114639A - Многослойный пироэлектрический чувствительный элемент - Google Patents

Многослойный пироэлектрический чувствительный элемент Download PDF

Info

Publication number
RU2009114639A
RU2009114639A RU2009114639/28A RU2009114639A RU2009114639A RU 2009114639 A RU2009114639 A RU 2009114639A RU 2009114639/28 A RU2009114639/28 A RU 2009114639/28A RU 2009114639 A RU2009114639 A RU 2009114639A RU 2009114639 A RU2009114639 A RU 2009114639A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
substrate
ferroelectric
sensitive element
layer
pmn
Prior art date
Application number
RU2009114639/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2413186C2 (ru
Inventor
Юрий Николаевич Захаров (RU)
Юрий Николаевич Захаров
Евгений Михайлович Панченко (RU)
Евгений Михайлович Панченко
Игорь Павлович Раевский (RU)
Игорь Павлович Раевский
Лариса Андреевна Резниченко (RU)
Лариса Андреевна Резниченко
Рубен Арамаисович Пипоян (RU)
Рубен Арамаисович Пипоян
Светлана Игоревна Раевская (RU)
Светлана Игоревна Раевская
Александр Геннадиевич Лутохин (RU)
Александр Геннадиевич Лутохин
Алексей Александрович Павелко (RU)
Алексей Александрович Павелко
Original Assignee
Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южный Федеральный Университет" (RU)
Федеральное Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Южный Федеральный Университет"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южный Федеральный Университет" (RU), Федеральное Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Южный Федеральный Университет" filed Critical Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южный Федеральный Университет" (RU)
Priority to RU2009114639/28A priority Critical patent/RU2413186C2/ru
Publication of RU2009114639A publication Critical patent/RU2009114639A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2413186C2 publication Critical patent/RU2413186C2/ru

Links

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

1. Многослойный пироэлектрический чувствительный элемент, содержащий тонкопленочную структуру, сформированную на подложке, по крайней мере, из трех слоев, расположенных один над другим поликристаллических сегнетоэлектрических релаксоров, включающих слой из твердого раствора магнониобата титаната свинца, верхний и нижний электроды, нанесенные на поверхности, перпендикулярные полярной оси тонкопленочной структуры, причем верхний электрод нанесен на внешнюю поверхность тонкопленочной структуры, отличающийся тем, что слои поликристаллических сегнетоэлектрических релаксоров сформированы на подложке из керамического электретного материала, содержащей сегнетоэлектрик на основе цирконата титаната свинца с добавкой стекла, причем материал первого слоя сегнетоэлектрического релаксора в направлении от подложки к верхнему электроду имеет состав: 0,75 PbMg1/3Nb2/3O3-0,25 PbTiO3 (0,75 PMN-0,25 PT), материал второго слоя - 0,85 PbMg1/3Nb2/3O3-0,15 PbTiO3 (0,85 PMN-0,15 PT) и материал третьего слоя - 0,925 PbMg1/3Nb2/3O3-0,075 PbTiO3 (0,925 PMN-0,075) PT), а нижний электрод нанесен на внешнюю поверхность подложки. ! 2. Многослойный пироэлектрический чувствительный элемент по п.1, отличающийся тем, что керамический электретный материал подложки содержит сегнетоэлектрик состава ! 0,437(PbZrTiO3)0,373(PbZrTiO3)0,44(PbMn1/3Nb2/3)O3(PbW1/2Nb2/3)O3 ! с добавкой стекла состава, вес%: ! 40 PbO+40SiO3+10 TiO3+6Bi2O3+2SrO+2WO3 ! при следующем соотношении исходных компонентов, вес%: ! сегнетоэлектрик 70 стекло 30 ! 3. Многослойный пироэлектрический чувствительный элемент по п.1, отличающийся тем, что толщина подложки составляет 30-40 мкм.

Claims (3)

1. Многослойный пироэлектрический чувствительный элемент, содержащий тонкопленочную структуру, сформированную на подложке, по крайней мере, из трех слоев, расположенных один над другим поликристаллических сегнетоэлектрических релаксоров, включающих слой из твердого раствора магнониобата титаната свинца, верхний и нижний электроды, нанесенные на поверхности, перпендикулярные полярной оси тонкопленочной структуры, причем верхний электрод нанесен на внешнюю поверхность тонкопленочной структуры, отличающийся тем, что слои поликристаллических сегнетоэлектрических релаксоров сформированы на подложке из керамического электретного материала, содержащей сегнетоэлектрик на основе цирконата титаната свинца с добавкой стекла, причем материал первого слоя сегнетоэлектрического релаксора в направлении от подложки к верхнему электроду имеет состав: 0,75 PbMg1/3Nb2/3O3-0,25 PbTiO3 (0,75 PMN-0,25 PT), материал второго слоя - 0,85 PbMg1/3Nb2/3O3-0,15 PbTiO3 (0,85 PMN-0,15 PT) и материал третьего слоя - 0,925 PbMg1/3Nb2/3O3-0,075 PbTiO3 (0,925 PMN-0,075) PT), а нижний электрод нанесен на внешнюю поверхность подложки.
2. Многослойный пироэлектрический чувствительный элемент по п.1, отличающийся тем, что керамический электретный материал подложки содержит сегнетоэлектрик состава
0,437(PbZrTiO3)0,373(PbZrTiO3)0,44(PbMn1/3Nb2/3)O3(PbW1/2Nb2/3)O3
с добавкой стекла состава, вес%:
40 PbO+40SiO3+10 TiO3+6Bi2O3+2SrO+2WO3
при следующем соотношении исходных компонентов, вес%:
сегнетоэлектрик 70 стекло 30
3. Многослойный пироэлектрический чувствительный элемент по п.1, отличающийся тем, что толщина подложки составляет 30-40 мкм.
RU2009114639/28A 2009-04-20 2009-04-20 Многослойный пироэлектрический чувствительный элемент RU2413186C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2009114639/28A RU2413186C2 (ru) 2009-04-20 2009-04-20 Многослойный пироэлектрический чувствительный элемент

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2009114639/28A RU2413186C2 (ru) 2009-04-20 2009-04-20 Многослойный пироэлектрический чувствительный элемент

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2009114639A true RU2009114639A (ru) 2010-10-27
RU2413186C2 RU2413186C2 (ru) 2011-02-27

Family

ID=44041873

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009114639/28A RU2413186C2 (ru) 2009-04-20 2009-04-20 Многослойный пироэлектрический чувствительный элемент

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2413186C2 (ru)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU207821U1 (ru) * 2021-07-20 2021-11-18 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Сибирский государственный университет геосистем и технологий» Пироэлектрический детектор миллиметрового излучения

Also Published As

Publication number Publication date
RU2413186C2 (ru) 2011-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4108602B2 (ja) 薄膜容量素子用組成物、高誘電率絶縁膜、薄膜容量素子および薄膜積層コンデンサ
TWI244660B (en) High dielectric constant insulating film, thin-film capacitive element, thin-film multilayer capacitor, and method for manufacturing thin-film capacitive element
US7560854B2 (en) Piezoelectric element and its manufacturing method
KR101565645B1 (ko) 적층 커패시터 소자
US20070095653A1 (en) Method for manufacturing conductive complex oxide layer, and method for manufacturing laminated body having ferroelectric layer
KR20010014838A (ko) 실리콘상의 비결정성 유전체 커패시터
JP2007300071A5 (ru)
JP2008042069A (ja) 圧電体素子とその製造方法
US20180230603A1 (en) Electrode, ferroelectric ceramics and manufacturing method thereof
JP2016029708A (ja) 薄膜誘電体及び薄膜コンデンサ素子
Kwak et al. Lead-free (Na0. 5, K0. 5) NbO3 thin films for the implantable piezoelectric medical sensor applications
JP2006310744A (ja) 薄膜キャパシタ及び半導体装置
US8648992B2 (en) Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same
US7382013B2 (en) Dielectric thin film, dielectric thin film device, and method of production thereof
SG113020A1 (en) Heterolayered ferroelectric thin films and methods of forming the same
US9636902B2 (en) Film stack including adhesive layer
RU2009114639A (ru) Многослойный пироэлектрический чувствительный элемент
JP2003146660A5 (ru)
JP2004111850A5 (ru)
JP4321526B2 (ja) 誘電体磁器組成物及びそれを用いた電子部品
KR101213606B1 (ko) 산화물 박막 소자의 제조방법
JP3210007B2 (ja) 半導体装置
JP4088477B2 (ja) 薄膜容量素子および薄膜積層コンデンサ
JP2004165596A (ja) 薄膜容量素子用組成物、高誘電率絶縁膜、薄膜容量素子、薄膜積層コンデンサ、電子回路および電子機器
US20240124362A1 (en) Lead-free piezoelectric ceramic composition and method for manufacturing lead-free piezoelectric ceramic

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20170421