Claims (10)
1. Способ получения инфракрасного излучения, заключающийся в том, что пучок излучения с длиной волны короче 2 мкм преобразуют в первый и второй пучки ИК излучения, длины волн которых перестраивают в диапазоне 2-6 мкм, а среднюю мощность модулируют сигналом, Фурье спектр которого находится в диапазоне 0-1 МГц, отличающийся тем, что пучок излучения с длиной волны короче 2 мкм преобразуют в первый пучок квазинепрерывного излучения с длиной волны λ1
, перестраиваемой в диапазоне 2-3,7 мкм, первый пучок квазинепрерывного излучения с длиной волны λ1 делят на две части, первую из которых преобразуют во второй пучок квазинепрерывного излучения с длиной волны λ2, перестраиваемой в диапазоне 3,7-6 мкм, второй пучок сводят со второй частью первого пучка, формируя единый пучок двухчастотного ИК излучения, перестраиваемого в диапазоне 2-6 мкм.1. The method of obtaining infrared radiation, which consists in the fact that a radiation beam with a wavelength shorter than 2 μm is converted into the first and second infrared radiation beams whose wavelengths are tuned in the range of 2-6 μm, and the average power is modulated by a signal whose Fourier spectrum is in the range of 0-1 MHz, characterized in that the radiation beam with a wavelength shorter than 2 mm is converted into a quasi-continuous first beam of radiation with a wavelength λ 1, tunable in the range of 2-3,7 mm, a first quasi-continuous beam of radiation having a wavelength λ 1 de ny into two parts, the first of which is converted into the second quasi-continuous beam of radiation having a wavelength λ 2, tunable in the range of 3,7-6 microns, reduce the second beam with the second portion of the first beam, forming a single two-frequency IR beam emission tunable in the range 2 -6 microns.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что модуляцию единого пучка двухчастотного ИК излучения осуществляют путем модуляции пучка излучения с длиной волны короче 2 мкм.2. The method according to claim 1, characterized in that the modulation of a single beam of two-frequency infrared radiation is carried out by modulating a radiation beam with a wavelength shorter than 2 microns.
3. Устройство для получения инфракрасного излучения, содержащее лазер накачки с длиной волны излучения короче 2 мкм и оптический генератор, формирующий первый и второй пучки излучения на двух длинах волн, принадлежащих диапазону 2-6 мкм, отличающееся тем, что оптический генератор содержит первый активный элемент, излучающий на длине волны λ1, принадлежащей диапазону 2-3,7 мкм; первый оптический резонатор, формирующий первый пучок излучения, в который помещен первый активный элемент; второй активный элемент, поглощающий излучение на длине волны λ1 и излучающий на длине волны λ2, принадлежащей диапазону 3.7-6 мкм; второй оптический резонатор, формирующий второй пучок излучения, в который помещен второй активный элемент; а также оптические элементы, обеспечивающие сведение первого и второго пучков в единый пучок двухчастотного ИК излучения.3. Device for producing infrared radiation, comprising a pump laser with a radiation wavelength shorter than 2 μm and an optical generator that generates the first and second radiation beams at two wavelengths belonging to the range 2-6 μm, characterized in that the optical generator contains the first active element emitting at a wavelength of λ 1 belonging to the range of 2-3.7 μm; a first optical resonator forming a first radiation beam in which the first active element is placed; the second active element, absorbing radiation at a wavelength of λ 1 and emitting at a wavelength of λ 2 , belonging to the range 3.7-6 μm; a second optical resonator forming a second radiation beam in which the second active element is placed; as well as optical elements that ensure the reduction of the first and second beams into a single beam of two-frequency infrared radiation.
4. Устройство по п.3, отличающееся тем, что первый и второй активные элементы выполнены из соединений А2В6, легированных атомами переходных металлов.4. The device according to claim 3, characterized in that the first and second active elements are made of A2B6 compounds doped with transition metal atoms.
5. Устройство по п.4, отличающееся тем, что первый активный элемент выполнен из одного из соединений: ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, CdS, CdSe, CdTe, CdO, легированных атомами Cr с концентрацией от 1017 до 2·1019 см-3, а второй активный элемент выполнен из одного из соединений: ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, CdS, CdSe, CdTe, CdO, легированных атомами Fe с концентрацией от 1017 до 2·1019 см-3.5. The device according to claim 4, characterized in that the first active element is made of one of the compounds: ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, CdS, CdSe, CdTe, CdO doped with Cr atoms with a concentration of from 10 17 to 2 · 10 19 cm -3 , and the second active element is made of one of the compounds: ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, CdS, CdSe, CdTe, CdO, doped with Fe atoms with a concentration of 10 17 to 2 · 10 19 cm -3 .
6. Устройство по п.3, отличающееся тем, что первый и второй активные элементы выполнены в виде кристаллов.6. The device according to claim 3, characterized in that the first and second active elements are made in the form of crystals.
7. Устройство по п.3, отличающееся тем, что первый и второй активные элементы выполнены в виде керамики.7. The device according to claim 3, characterized in that the first and second active elements are made in the form of ceramics.
8. Устройство по п.3, отличающееся тем, что лазер накачки выполнен в виде туллиевого лазера с поперечной накачкой излучением линеек лазерных диодов с длиной волны, принадлежащей диапазону 770-800 нм.8. The device according to claim 3, characterized in that the pump laser is made in the form of a thulium laser with transverse pumping by radiation of laser diode lines with a wavelength belonging to the range of 770-800 nm.
9. Устройство по п.3, отличающееся тем, что лазер накачки выполнен в виде туллиевого лазера с продольной накачкой излучением линеек лазерных диодов с длиной волны, принадлежащей диапазону 770-800 нм.9. The device according to claim 3, characterized in that the pump laser is made in the form of a tulle laser with longitudinal pumping by radiation of lines of laser diodes with a wavelength belonging to the range of 770-800 nm.
10. Устройство по п.3, отличающееся тем, что лазер накачки выполнен в виде линейки лазерных диодов, излучающих в диапазоне 1,7-2,0 мкм.
10. The device according to claim 3, characterized in that the pump laser is made in the form of a line of laser diodes emitting in the range of 1.7-2.0 μm.