RU2008108013A - METHOD FOR REMOVING SURFACE DEPOSITS AND PASSIVATING INTERNAL SURFACES OF A CHEMICAL DEPOSITION REACTOR FROM A VAPOR PHASE - Google Patents

METHOD FOR REMOVING SURFACE DEPOSITS AND PASSIVATING INTERNAL SURFACES OF A CHEMICAL DEPOSITION REACTOR FROM A VAPOR PHASE Download PDF

Info

Publication number
RU2008108013A
RU2008108013A RU2008108013/02A RU2008108013A RU2008108013A RU 2008108013 A RU2008108013 A RU 2008108013A RU 2008108013/02 A RU2008108013/02 A RU 2008108013/02A RU 2008108013 A RU2008108013 A RU 2008108013A RU 2008108013 A RU2008108013 A RU 2008108013A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
source
gas mixture
carbon
gas
chamber
Prior art date
Application number
RU2008108013/02A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Герберт Х. СОВИН (US)
Герберт Х. СОВИН
Бо БАЙ (US)
Бо БАЙ
Дзу Дзин АН (US)
Дзу Дзин АН
Original Assignee
Массачусетс Инститьют Оф Текнолоджи (Us)
Массачусетс Инститьют Оф Текнолоджи
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Массачусетс Инститьют Оф Текнолоджи (Us), Массачусетс Инститьют Оф Текнолоджи filed Critical Массачусетс Инститьют Оф Текнолоджи (Us)
Publication of RU2008108013A publication Critical patent/RU2008108013A/en

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/12—Gaseous compositions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853—Hygiene
    • H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts

Abstract

1. Активированная газовая смесь, содержащая ! от примерно 60% до примерно 75% атомов фтора, ! от примерно 10% до примерно 30% атомов азота, ! возможно, до примерно 15% атомов кислорода, и ! от примерно 0,3% до примерно 15% одного или более атомов, выбранных из группы, состоящей из углерода и серы. ! 2. Активированная газовая смесь по п.1, причем ! доля атомов фтора составляет от примерно 66% до примерно 74%, ! доля атомов азота составляет от примерно 11% до примерно 24%, ! доля атомов кислорода составляет от примерно 0,9% до примерно 11%, и ! доля одного или более атомов, выбранных из группы, состоящей из углерода и серы, составляет от примерно 0,6% до примерно 11%. ! 3. Активированная газовая смесь по п.1 или 2, в которой один или более атомов, выбранных из группы, состоящей из углерода и серы, является углеродом. ! 4. Активированная газовая смесь по п.1, дополнительно содержащая газ-носитель. ! 5. Активированная газовая смесь по п.4, в которой газ-носитель выбран из группы, состоящей из аргона и гелия. ! 6. Активированная газовая смесь по п.5, в которой газ-носитель является аргоном. ! 7. Способ травления и удаления поверхностных отложений с внутренних поверхностей CVD-аппарата, включающий ! активирование в удаленной камере газовой смеси, содержащей источник кислорода, источник одного или более атомов, выбранных из группы, состоящей из углерода и серы, и NF3, причем мольное отношение источника кислорода к источнику одного или более атомов, выбранных из группы, состоящей из углерода и серы, составляет по меньшей мере примерно 0,75:1, и причем мольная доля NF3 в указанной газовой смеси составляет от примерно 50% до примерно 98%; ! направление потока указанной активированной газов1. An activated gas mixture containing! from about 60% to about 75% of fluorine atoms,! from about 10% to about 30% nitrogen atoms,! possibly up to about 15% oxygen atoms, and! from about 0.3% to about 15% of one or more atoms selected from the group consisting of carbon and sulfur. ! 2. The activated gas mixture according to claim 1, moreover! the proportion of fluorine atoms is from about 66% to about 74%,! the proportion of nitrogen atoms is from about 11% to about 24%,! the proportion of oxygen atoms is from about 0.9% to about 11%, and! the proportion of one or more atoms selected from the group consisting of carbon and sulfur is from about 0.6% to about 11%. ! 3. An activated gas mixture according to claim 1 or 2, wherein one or more of the atoms selected from the group consisting of carbon and sulfur is carbon. ! 4. An activated gas mixture according to claim 1, further comprising a carrier gas. ! 5. The activated gas mixture of claim 4, wherein the carrier gas is selected from the group consisting of argon and helium. ! 6. The activated gas mixture of claim 5, wherein the carrier gas is argon. ! 7. A method of etching and removing surface deposits from the inner surfaces of a CVD apparatus, including! activation in a remote chamber of a gas mixture containing an oxygen source, a source of one or more atoms selected from the group consisting of carbon and sulfur, and NF3, wherein the molar ratio of the oxygen source to the source of one or more atoms selected from the group consisting of carbon and sulfur is at least about 0.75: 1, and the mole fraction of NF3 in said gas mixture is from about 50% to about 98%; ! flow direction of the specified activated gases

Claims (59)

1. Активированная газовая смесь, содержащая1. Activated gas mixture containing от примерно 60% до примерно 75% атомов фтора,from about 60% to about 75% of fluorine atoms, от примерно 10% до примерно 30% атомов азота,from about 10% to about 30% nitrogen atoms, возможно, до примерно 15% атомов кислорода, иpossibly up to about 15% oxygen atoms, and от примерно 0,3% до примерно 15% одного или более атомов, выбранных из группы, состоящей из углерода и серы.from about 0.3% to about 15% of one or more atoms selected from the group consisting of carbon and sulfur. 2. Активированная газовая смесь по п.1, причем2. The activated gas mixture according to claim 1, wherein доля атомов фтора составляет от примерно 66% до примерно 74%,the proportion of fluorine atoms is from about 66% to about 74%, доля атомов азота составляет от примерно 11% до примерно 24%,the proportion of nitrogen atoms is from about 11% to about 24%, доля атомов кислорода составляет от примерно 0,9% до примерно 11%, иthe proportion of oxygen atoms is from about 0.9% to about 11%, and доля одного или более атомов, выбранных из группы, состоящей из углерода и серы, составляет от примерно 0,6% до примерно 11%.the proportion of one or more atoms selected from the group consisting of carbon and sulfur is from about 0.6% to about 11%. 3. Активированная газовая смесь по п.1 или 2, в которой один или более атомов, выбранных из группы, состоящей из углерода и серы, является углеродом.3. The activated gas mixture according to claim 1 or 2, in which one or more atoms selected from the group consisting of carbon and sulfur is carbon. 4. Активированная газовая смесь по п.1, дополнительно содержащая газ-носитель.4. The activated gas mixture according to claim 1, additionally containing a carrier gas. 5. Активированная газовая смесь по п.4, в которой газ-носитель выбран из группы, состоящей из аргона и гелия.5. The activated gas mixture according to claim 4, in which the carrier gas is selected from the group consisting of argon and helium. 6. Активированная газовая смесь по п.5, в которой газ-носитель является аргоном.6. The activated gas mixture according to claim 5, in which the carrier gas is argon. 7. Способ травления и удаления поверхностных отложений с внутренних поверхностей CVD-аппарата, включающий7. The method of etching and removing surface deposits from the inner surfaces of the CVD apparatus, including активирование в удаленной камере газовой смеси, содержащей источник кислорода, источник одного или более атомов, выбранных из группы, состоящей из углерода и серы, и NF3, причем мольное отношение источника кислорода к источнику одного или более атомов, выбранных из группы, состоящей из углерода и серы, составляет по меньшей мере примерно 0,75:1, и причем мольная доля NF3 в указанной газовой смеси составляет от примерно 50% до примерно 98%;activating in a remote chamber a gas mixture containing an oxygen source, a source of one or more atoms selected from the group consisting of carbon and sulfur, and NF 3 , the molar ratio of the oxygen source to the source of one or more atoms selected from the group consisting of carbon and sulfur, is at least about 0.75: 1, and wherein the mole fraction of NF 3 in said gas mixture is from about 50% to about 98%; направление потока указанной активированной газовой смеси через трубопровод в рабочую камеру, снижая тем самым скорость поверхностной рекомбинации газофазных компонентов на внутренних поверхностях указанного CVD-аппарата.the direction of flow of the specified activated gas mixture through the pipeline into the working chamber, thereby reducing the rate of surface recombination of gas-phase components on the inner surfaces of the specified CVD apparatus. 8. Способ по п.7, в котором один или более атомов, выбранных из группы, состоящей из углерода и серы, является углеродом.8. The method according to claim 7, in which one or more atoms selected from the group consisting of carbon and sulfur is carbon. 9. Способ по п.7, в котором аппарат является PECVD-аппаратом.9. The method according to claim 7, in which the apparatus is a PECVD apparatus. 10. Способ по п.7, в котором внутренние поверхности аппарата выполнены из материала, выбранного из группы, состоящей из алюминия и анодированного алюминия.10. The method according to claim 7, in which the internal surfaces of the apparatus are made of a material selected from the group consisting of aluminum and anodized aluminum. 11. Способ по п.7, в котором трубопровод охлаждается.11. The method according to claim 7, in which the pipeline is cooled. 12. Способ по п.7, в котором для повышения давления в аппарате в цикле очистки применяется дроссельный клапан.12. The method according to claim 7, in which to increase the pressure in the apparatus in the cleaning cycle, a butterfly valve is used. 13. Способ по п.8, в котором источником кислорода является молекулярный кислород.13. The method of claim 8, wherein the oxygen source is molecular oxygen. 14. Способ по п.8, в котором источником углерода является фторуглерод.14. The method of claim 8, wherein the carbon source is fluorocarbon. 15. Способ по п.14, в котором фторуглеродом является перфторуглерод.15. The method according to 14, in which the fluorocarbon is perfluorocarbon. 16. Способ по п.14, в котором фторуглерод выбран из группы, состоящей из тетрафторметана, гексафторэтана, октафторпропана, перфтортетрагидрофурана и октафторциклобутана.16. The method according to 14, in which the fluorocarbon is selected from the group consisting of tetrafluoromethane, hexafluoroethane, octafluoropropane, perfluorotetrahydrofuran and octafluorocyclobutane. 17. Способ по п.14, в котором фторуглерод является гексафторэтаном.17. The method of claim 14, wherein the fluorocarbon is hexafluoroethane. 18. Способ по п.14, в котором фторуглерод является октафторциклобутаном.18. The method of claim 14, wherein the fluorocarbon is octafluorocyclobutane. 19. Способ по п.7, в котором мольная доля NF3 составляет от примерно 60% до примерно 98% газовой смеси.19. The method according to claim 7, in which the molar fraction of NF 3 is from about 60% to about 98% of the gas mixture. 20. Способ по п.7, в котором NF3 составляет от примерно 70% до примерно 90% газовой смеси.20. The method according to claim 7, in which NF 3 is from about 70% to about 90% of the gas mixture. 21. Способ по п.14, в котором отношение источник кислорода:источник углерода составляет примерно 1:1.21. The method according to 14, in which the ratio of oxygen source: carbon source is approximately 1: 1. 22. Способ по п.14, в котором источником кислорода и источником углерода является диоксид углерода, и мольная доля диоксида углерода в газовой смеси составляет от примерно 2% до примерно 15%.22. The method according to 14, in which the oxygen source and the carbon source is carbon dioxide, and the molar fraction of carbon dioxide in the gas mixture is from about 2% to about 15%. 23. Способ по п.7, в котором газовая смесь дополнительно содержит газ-носитель.23. The method according to claim 7, in which the gas mixture further comprises a carrier gas. 24. Способ по п.23, в котором указанный газ-носитель выбран из группы, состоящей из аргона и гелия.24. The method according to claim 23, wherein said carrier gas is selected from the group consisting of argon and helium. 25. Способ по п.7, в котором давление в рабочей камере составляет от примерно 0,5 торр до примерно 20 торр.25. The method according to claim 7, in which the pressure in the working chamber is from about 0.5 torr to about 20 torr. 26. Способ по п.7, в котором давление в рабочей камере составляет от примерно 1 торр до примерно 15 торр.26. The method according to claim 7, in which the pressure in the working chamber is from about 1 torr to about 15 torr. 27. Способ по п.7, в котором давление в удаленной камере составляет от примерно 0,5 торр до примерно 15 торр.27. The method according to claim 7, in which the pressure in the remote chamber is from about 0.5 torr to about 15 torr. 28. Способ по п.27, в котором давление в удаленной камере составляет от примерно 2 торр до примерно 6 торр.28. The method according to item 27, in which the pressure in the remote chamber is from about 2 torr to about 6 torr. 29. Способ по п.7, в котором указанная мощность генерируется источником радиочастотного излучения, источником постоянного тока или источником микроволнового излучения.29. The method according to claim 7, in which the specified power is generated by a source of radio frequency radiation, a constant current source or a microwave source. 30. Способ по п.29, в котором указанная мощность генерируется источником радиочастотного излучения.30. The method according to clause 29, in which the specified power is generated by a source of radio frequency radiation. 31. Способ пассивирования внутренних поверхностей аппарата, включающий31. The method of passivation of the internal surfaces of the apparatus, including (a) получение активированной газовой смеси по п.1 или 2 в удаленной камере,(a) obtaining an activated gas mixture according to claim 1 or 2 in a remote chamber, (b) направление потока указанной активированной газовой смеси через трубопровод в рабочую камеру, и после этого(b) the direction of flow of the specified activated gas mixture through the pipeline into the working chamber, and then (c) уменьшение скорости поверхностной рекомбинации газофазных компонентов.(c) a decrease in the rate of surface recombination of the gas phase components. 32. Способ по п.31, в котором аппарат является PECVD-аппаратом.32. The method according to p, in which the apparatus is a PECVD apparatus. 33. Способ по п.31, в котором внутренние поверхности аппарата выполнены из материала, выбранного из группы, состоящей из алюминия и анодированного алюминия.33. The method according to p, in which the inner surfaces of the apparatus are made of a material selected from the group consisting of aluminum and anodized aluminum. 34. Способ по п.31, в котором трубопровод охлаждается.34. The method according to p, in which the pipeline is cooled. 35. Способ по п.31, в котором для повышения давления в аппарате в цикле очистки применяется дроссельный клапан.35. The method according to p, in which to increase the pressure in the apparatus in the cleaning cycle, a butterfly valve is used. 36. Способ по п.31, в котором газовая смесь дополнительно содержит газ-носитель.36. The method according to p, in which the gas mixture further comprises a carrier gas. 37. Способ по п.36, в котором указанный газ-носитель выбран из группы, состоящей из аргона и гелия.37. The method according to clause 36, wherein said carrier gas is selected from the group consisting of argon and helium. 38. Способ по п.31, в котором давление в рабочей камере составляет от примерно 0,5 торр до примерно 20 торр.38. The method according to p, in which the pressure in the working chamber is from about 0.5 torr to about 20 torr. 39. Способ по п.31, в котором давление в рабочей камере составляет от примерно 1 торр до примерно 15 торр.39. The method according to p, in which the pressure in the working chamber is from about 1 torr to about 15 torr. 40. Способ по п.31, в котором давление в удаленной камере составляет от примерно 0,5 торр до примерно 15 торр.40. The method according to p, in which the pressure in the remote chamber is from about 0.5 torr to about 15 torr. 41. Способ по п.31, в котором давление в удаленной камере составляет от примерно 2 торр до примерно 6 торр.41. The method according to p, in which the pressure in the remote chamber is from about 2 torr to about 6 torr. 42. Способ по п.31, в котором указанная мощность генерируется источником радиочастотного излучения, источником постоянного тока или источником микроволнового излучения.42. The method according to p, in which the specified power is generated by a source of radio frequency radiation, a constant current source or a source of microwave radiation. 43. Способ по п.42, в котором указанная мощность генерируется источником радиочастотного излучения.43. The method according to § 42, wherein said power is generated by a radio frequency source. 44. PECVD-аппарат, содержащий44. PECVD apparatus containing (a) удаленную камеру с источником плазмы,(a) a remote chamber with a plasma source, (b) газораспределительную систему, соединяющую удаленный источник плазмы, чтобы подать чистящий газ и инертный газ,(b) a gas distribution system connecting a remote plasma source to supply a cleaning gas and an inert gas, (c) PECVD-камеру, причем удаленная камера с плазмой соединяется с PECVD-камерой средством, позволяющим переход активированного газа по пп.1-3 или 4 из удаленной камеры с плазмой в рабочую камеру, и(c) a PECVD camera, wherein the remote plasma chamber is connected to the PECVD camera by means enabling the transfer of activated gas according to claims 1 to 3 or 4 from the remote plasma chamber to the working chamber, and (d) линию вывода.(d) an output line. 45. PECVD-аппарат по п.44, в котором линия вывода соединена с источником вакуума.45. The PECVD apparatus according to claim 44, wherein the output line is connected to a vacuum source. 46. PECVD-аппарат по п.45, в котором источник вакуума является вакуумным насосом.46. The PECVD apparatus of claim 45, wherein the vacuum source is a vacuum pump. 47. PECVD-аппарат по п.44, в котором средство, позволяющее переносить активированный газ из удаленной камеры с плазмой в рабочую камеру, содержит короткую соединительную трубу до распылительной насадки и трубопровод, напрямую соединяющую источник плазмы с рабочей камерой.47. The PECVD apparatus according to claim 44, wherein the means for transferring activated gas from a remote plasma chamber to the working chamber comprises a short connecting pipe to the spray nozzle and a pipe directly connecting the plasma source to the working chamber. 48. PECVD-аппарат по п.47, в котором и короткая соединительная труба с распылительной насадкой, и трубопровод, напрямую соединяющий источник плазмы с рабочей камерой, дополнительно содержит устройство ограничения потока, чтобы изменять пропорции активированного газа, текущего по двум путям.48. The PECVD apparatus according to clause 47, in which both the short connecting pipe with the spray nozzle and the pipeline directly connecting the plasma source to the working chamber further comprise a flow restriction device to change the proportions of the activated gas flowing in two ways. 49. PECVD-аппарат по п.48, в котором устройство ограничения потока является отверстием или клапаном.49. The PECVD apparatus of claim 48, wherein the flow restriction device is an orifice or valve. 50. PECVD-аппарат по п.44, в котором линия вывода дополнительно содержит по меньшей мере один дроссельный клапан.50. The PECVD apparatus according to claim 44, wherein the output line further comprises at least one throttle valve. 51. PECVD-аппарат по п.44, в котором газораспределительная система содержит трубу, соединяющую баллоны с газом, для каждого газа, подаваемого в PECVD-камеру через отдельные регуляторы массового потока каждого газа, в смесительную камеру и оттуда соединяющиеся с удаленной камерой источника плазмы.51. The PECVD apparatus according to claim 44, wherein the gas distribution system comprises a pipe connecting the cylinders to the gas for each gas supplied to the PECVD chamber through separate mass flow controllers of each gas to the mixing chamber and from there connected to the remote chamber of the plasma source . 52. PECVD-аппарат по п.44, в котором газораспределительная система содержит трубы, соединяющие баллон с чистящей газовой смесью через регулятор массового потока с удаленной камерой источника плазмы, и трубу, соединяющую источник инертного газа через регулятор массового потока с удаленной камерой источника плазмы.52. The PECVD apparatus according to claim 44, wherein the gas distribution system comprises pipes connecting a cylinder to a cleaning gas mixture through a mass flow regulator with a remote plasma source chamber, and a pipe connecting an inert gas source through a mass flow regulator with a remote plasma source chamber. 53. PECVD-аппарат по п.44, в котором средство, делающее возможным переход активированного газа из удаленной камеры с плазмой в рабочую камеру, охлаждается.53. The PECVD apparatus according to claim 44, wherein the means making it possible to transfer activated gas from a remote plasma chamber to a working chamber is cooled. 54. PECVD-аппарат по п.44, в котором линия вывода выполнена из алюминия или анодированного алюминия и охлаждается.54. The PECVD apparatus according to claim 44, wherein the output line is made of aluminum or anodized aluminum and is cooled. 55. Газовая смесь для очистки CVD-реактора, содержащая, в мольных процентах газа55. A gas mixture for cleaning a CVD reactor containing, in molar percent gas до 25% газообразного источника кислорода,up to 25% of a gaseous source of oxygen, от примерно 50% до примерно 98% неорганического газообразного источника фтора,from about 50% to about 98% of an inorganic gaseous fluorine source, до примерно 25% газообразного источника углерода, иup to about 25% of a gaseous carbon source, and до примерно 25% газообразного источника серы,up to about 25% of a gaseous source of sulfur, причем полное количество газообразного источника углерода плюс количество газообразного источника серы составляет от 1 до 25%.wherein the total amount of the gaseous carbon source plus the amount of the gaseous sulfur source is from 1 to 25%. 56. Газовая смесь по п.55, в которой неорганическим газообразным источником фтора является NF3.56. The gas mixture according to claim 55, wherein the inorganic gaseous fluorine source is NF 3 . 57. Газовая смесь по п.55, в которой газообразным источником углерода является фторуглерод или углеводород.57. The gas mixture according to item 55, in which the gaseous source of carbon is fluorocarbon or hydrocarbon. 58. Газовая смесь по п.57, в которой газообразным источником углерода является CO2, CH4, C2F8 или октофторциклобутан.58. The gas mixture according to clause 57, in which the gaseous source of carbon is CO 2 , CH 4 , C 2 F 8 or octofluorocyclobutane. 59. Газовая смесь по п.55, в которой газообразным источником серы является SF6. 59. The gas mixture according to item 55, in which the gaseous source of sulfur is SF 6 .
RU2008108013/02A 2005-08-02 2006-08-02 METHOD FOR REMOVING SURFACE DEPOSITS AND PASSIVATING INTERNAL SURFACES OF A CHEMICAL DEPOSITION REACTOR FROM A VAPOR PHASE RU2008108013A (en)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US70484005P 2005-08-02 2005-08-02
US60/704,840 2005-08-02
US77947006P 2006-03-06 2006-03-06
US60/779,470 2006-03-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2008108013A true RU2008108013A (en) 2009-09-10

Family

ID=37698316

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2008108013/02A RU2008108013A (en) 2005-08-02 2006-08-02 METHOD FOR REMOVING SURFACE DEPOSITS AND PASSIVATING INTERNAL SURFACES OF A CHEMICAL DEPOSITION REACTOR FROM A VAPOR PHASE

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP2009503905A (en)
KR (1) KR20080050403A (en)
RU (1) RU2008108013A (en)
TW (1) TW200711757A (en)
WO (1) WO2007027350A2 (en)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070107750A1 (en) * 2005-11-14 2007-05-17 Sawin Herbert H Method of using NF3 for removing surface deposits from the interior of chemical vapor deposition chambers
US20070207275A1 (en) * 2006-02-21 2007-09-06 Applied Materials, Inc. Enhancement of remote plasma source clean for dielectric films
US20080087642A1 (en) * 2006-09-25 2008-04-17 Sawin Herbert H Method for removing surface deposits in the interior of a chemical vapor deposition reactor
CN102089848B (en) * 2008-07-09 2013-05-22 欧瑞康太阳能股份公司(特吕巴赫) Remote plasma cleaning method and apparatus for applying said method
KR101630234B1 (en) * 2009-11-17 2016-06-15 주성엔지니어링(주) Method of Cleaning Process Chamber
US20130017644A1 (en) * 2011-02-18 2013-01-17 Air Products And Chemicals, Inc. Fluorine Based Chamber Clean With Nitrogen Trifluoride Backup
JP5710433B2 (en) * 2011-09-13 2015-04-30 株式会社東芝 Film forming apparatus cleaning method and film forming apparatus
US9828672B2 (en) 2015-03-26 2017-11-28 Lam Research Corporation Minimizing radical recombination using ALD silicon oxide surface coating with intermittent restoration plasma
US10773282B2 (en) 2016-03-31 2020-09-15 Tokyo Electron Limited Controlling dry etch process characteristics using waferless dry clean optical emission spectroscopy
KR102652258B1 (en) * 2016-07-12 2024-03-28 에이비엠 주식회사 Metal component and manufacturing method thereof and process chamber having the metal component
US10211099B2 (en) * 2016-12-19 2019-02-19 Lam Research Corporation Chamber conditioning for remote plasma process
TWI794238B (en) * 2017-07-13 2023-03-01 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 Apparatus and method for removal of oxide and carbon from semiconductor films in a single processing chamber
KR101960073B1 (en) * 2017-10-27 2019-03-20 주식회사 뉴파워 프라즈마 Substrate processing system for semiconductor process
KR20200086750A (en) 2017-12-07 2020-07-17 램 리써치 코포레이션 Conditioning the oxidation-resistant protective layer in the chamber
US10760158B2 (en) 2017-12-15 2020-09-01 Lam Research Corporation Ex situ coating of chamber components for semiconductor processing
CN113196444A (en) * 2018-12-20 2021-07-30 应用材料公司 Method and apparatus for supplying improved gas flow to a processing volume of a processing chamber
TW202124749A (en) * 2019-10-25 2021-07-01 美商應用材料股份有限公司 Extreme ultraviolet mask blank defect reduction methods

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5788778A (en) * 1996-09-16 1998-08-04 Applied Komatsu Technology, Inc. Deposition chamber cleaning technique using a high power remote excitation source
KR100767762B1 (en) * 2000-01-18 2007-10-17 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤 A CVD semiconductor-processing device provided with a remote plasma source for self cleaning
EP1127957A1 (en) * 2000-02-24 2001-08-29 Asm Japan K.K. A film forming apparatus having cleaning function
KR100682042B1 (en) * 2001-08-30 2007-02-15 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 Plasma cleaning gas and plasma cleaning method
US20050178333A1 (en) * 2004-02-18 2005-08-18 Asm Japan K.K. System and method of CVD chamber cleaning
US20050241671A1 (en) * 2004-04-29 2005-11-03 Dong Chun C Method for removing a substance from a substrate using electron attachment

Also Published As

Publication number Publication date
WO2007027350A2 (en) 2007-03-08
JP2009503905A (en) 2009-01-29
TW200711757A (en) 2007-04-01
WO2007027350A3 (en) 2007-05-03
KR20080050403A (en) 2008-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2008108013A (en) METHOD FOR REMOVING SURFACE DEPOSITS AND PASSIVATING INTERNAL SURFACES OF A CHEMICAL DEPOSITION REACTOR FROM A VAPOR PHASE
US20090047447A1 (en) Method for removing surface deposits and passivating interior surfaces of the interior of a chemical vapor deposition reactor
TWI716421B (en) Methods to improve in-film particle performance of amorphous born-carbon hardmask process in pecvd system
US20070107750A1 (en) Method of using NF3 for removing surface deposits from the interior of chemical vapor deposition chambers
CN101313085A (en) Method of removing surface deposits and passivating interior surfaces of the interior of a chemical vapour deposition (cvd) chamber
US20080087642A1 (en) Method for removing surface deposits in the interior of a chemical vapor deposition reactor
US20160166868A1 (en) Plasma abatement using water vapor in conjunction with hydrogen or hydrogen containing gases
US20150093908A1 (en) High selectivity and low stress carbon hardmask by pulsed low frequency rf power
US20070248767A1 (en) Method of self-cleaning of carbon-based film
US20060084280A1 (en) Method of forming a carbon polymer film using plasma CVD
JP2019057737A (en) Method of operating semiconductor manufacturing process chamber
US20100258510A1 (en) Methods and apparatus for treating effluent
TW201203426A (en) Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
WO2005057630A3 (en) Manufacturable low-temperature silicon carbide deposition technology
KR20070040748A (en) Remote chamber methods for removing surface deposits
CN100461344C (en) Method for removing carbon-containing residues from a substrate
CN103503113B (en) chemical delivery system
JP2004273750A (en) Cleaning method and semiconductor manufacturing equipment
US20190282948A1 (en) Semiconductor processing system
KR20180054478A (en) Hydrogen partial pressure control in a vacuum process chamber
US20050279382A1 (en) Method for cleaning a process chamber
US20110126764A1 (en) Gas supply apparatus
WO2004073049A3 (en) Methods and apparatus for processing semiconductor wafers with plasma processing chambers in a wafer track environment
CN103037989A (en) Deposition chamber cleaning using in situ activation of molecular fluorine
KR100765128B1 (en) Apparatus for cleaning of chemical vaporization deposition chamber and method of cleaning the same