Claims (8)
1. Инжекционный лазер, содержащий контактные слои, между которыми расположены слои полупроводниковых материалов, образующих активную излучающую структуру, отличающийся тем, что контактные слои и слои полупроводниковых материалов, образующих активную излучающую структуру, расположены коаксиально в канале кругового, n-угольного или иного фигурного сечения, выполненном в теле подложки, при этом внешний контактный слой соединен со стенками канала непосредственно или через буферные слои, на нем расположены слои полупроводниковых материалов, образующих активную излучающую структуру, а на них центральный контактный слой, причем на торцевой поверхности слоев полупроводниковых материалов, образующих активную излучающую структуру, расположены с одной стороны непрозрачный, а с другой - стороны полупрозрачный зеркальные слои, при этом центральный контактный слой и внешний контактный слой соединены с токопроводящими дорожками, расположенными на подложке.1. Injection laser containing contact layers, between which are layers of semiconductor materials forming an active emitting structure, characterized in that the contact layers and layers of semiconductor materials forming an active emitting structure are coaxial in a channel of circular, n-coal or other shaped section made in the body of the substrate, while the external contact layer is connected to the walls of the channel directly or through buffer layers, layers of semiconductor material are located on it in, forming the active radiating structure, and on them the central contact layer, and on the end surface of the layers of semiconductor materials forming the active radiating structure, there are opaque on the one hand and translucent mirror layers on the other, with the central contact layer and the external contact the layer is connected to conductive tracks located on the substrate.
2. Способ изготовления инжекционного лазера по п.1, включающий последовательное нанесение методом химического осаждения из газовой фазы на подложку слоев материалов, образующих структуру инжекционного лазера, отличающийся тем, что в теле подложки изготавливают сквозные каналы кругового, n-угольного или иного фигурного сечения, затем нагревают подложку и последовательно пропускают через сквозные каналы в ней газовую фазу металлорганических соединений, осуществляя осаждение слоев материалов нужной толщины, структуры и состава на внутренней поверхности каналов и последовательно формируя внешний контактный слой, буферные или переходные слои, слои полупроводниковых материалов, образующих активную излучающую структуру, и центральный контактный слой, после чего заполняют оставшийся канал вспомогательным материалом, затем удаляют слои материалов, образовавшиеся на торцевых поверхностях подложки, с одной стороны подложки вытравливают на глубину слоя диэлектрика торцевую часть центрального контактного слоя, а с другой стороны подложки торцевую часть внешнего контактного слоя, после чего с обеих сторон подложек заполняют вытравленные области диэлектриком, затем на обе стороны подложек наносят токопроводящие дорожки, соединенные со стороны, где была вытравлена часть центрального контактного слоя с внешним контактным слоем, а со стороны, где была вытравлена часть внешнего контактного слоя с центральным контактным слоем, после чего на подложку наносят зеркальные слои, причем перед этим канал, образованный центральным контактным слоем освобождают от вспомогательного материала, либо оставляют вспомогательный материал в канале.2. A method of manufacturing an injection laser according to claim 1, comprising sequentially applying chemical vapor deposition onto the substrate layers of materials forming the structure of the injection laser, characterized in that through channels of circular, n-coal or other shaped section are made in the substrate body, then the substrate is heated and successively passed through the through channels in it the gas phase of organometallic compounds, by deposition of layers of materials of the desired thickness, structure and composition on the inside the lower surface of the channels and sequentially forming an external contact layer, buffer or transition layers, layers of semiconductor materials forming an active emitting structure, and a central contact layer, after which they fill the remaining channel with auxiliary material, then remove the layers of materials formed on the end surfaces of the substrate, with one the sides of the substrate etch the end part of the central contact layer to the depth of the dielectric layer, and on the other side of the substrate, the end part of the external contact about the layer, after which the etched areas are filled with dielectric on both sides of the substrates, then conductive paths are applied to both sides of the substrates, connected from the side where the part of the central contact layer was etched with the external contact layer, and from the side where the part of the external contact layer was etched with a central contact layer, after which mirror layers are applied to the substrate, and before that, the channel formed by the central contact layer is freed from the auxiliary material or left to the auxiliary linen material in the channel.
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что вытравливание части контактных слоев не производится, а слой диэлектрика наносится непосредственно на торцевые области контактных слоев с их перекрытием, причем с одной стороны подложки слой диэлектрика наносят на торец центрального контактного слоя, а с другой стороны на торец внешнего контактного слоя, затем на стороны подложки наносят токопроводящие дорожки, соединенные с незакрытыми слоем диэлектрика торцами контактных слоев, после чего на подложку наносятся зеркальные слои.3. The method according to claim 2, characterized in that the etching of part of the contact layers is not performed, and the dielectric layer is applied directly to the end regions of the contact layers with their overlap, and on one side of the substrate, the dielectric layer is applied to the end face of the central contact layer, and on the other side on the end face of the outer contact layer, then conductive paths are applied to the sides of the substrate, connected to the ends of the contact layers that are not covered by a dielectric layer, after which mirror layers are applied to the substrate.
4. Способ по п.2, отличающийся тем, что с поверхности подложки удаляют все слои материалов, образовавшиеся при формировании слоев в каналах, кроме слоя металла внешнего контактного слоя, и на этом слое вытравливают токопроводящие дорожки, соединенные с внешним контактным слоем.4. The method according to claim 2, characterized in that all layers of materials formed during the formation of layers in the channels, except for the metal layer of the external contact layer, are removed from the surface of the substrate, and conductive tracks connected to the external contact layer are etched on this layer.
5. Способ по п.2, отличающийся тем, что для электрического соединения контактных слоев используют металлические зеркальные слои, нанесенные на стороны подложки.5. The method according to claim 2, characterized in that for the electrical connection of the contact layers using metallic mirror layers deposited on the sides of the substrate.
6. Устройство для газофазной эпитаксии, содержащее реактор, держатель подложек, входные и выходные патрубки, нагреватели, загрузочные и смотровые люки, отличающееся тем, что реактор разделен на зону высокого давления и зону низкого давления держателем подложек.6. A device for gas-phase epitaxy containing a reactor, a substrate holder, inlet and outlet pipes, heaters, loading and inspection hatches, characterized in that the reactor is divided into a high pressure zone and a low pressure zone by a substrate holder.
7. Устройство для газофазной эпитаксии по п.6, отличающееся тем, что держатель подложек представляет собой пластину с гнездами под подложки и со сквозными отверстиями в тех местах, где у подложек имеются сквозные каналы, причем размер отверстий в держателе больше размера каналов или области с каналами в подложке.7. The device for gas-phase epitaxy according to claim 6, characterized in that the substrate holder is a plate with slots for the substrate and with through holes in those places where the substrates have through channels, and the size of the holes in the holder is larger than the size of the channels or region with channels in the substrate.
8. Устройство для газофазной эпитаксии по п.7, отличающееся тем, что имеет систему управления реактором, обеспечивающую поддержание заданных величин давления в зоне высокого давления и в зоне низкого давления, а также разницы давлений газа в них, соединенную с датчиками давления, расположенными в каждой зоне реактора, и с редукционными узлами.
8. The device for gas-phase epitaxy according to claim 7, characterized in that it has a reactor control system that maintains the set pressure values in the high pressure zone and in the low pressure zone, as well as the difference in gas pressures in them, connected to pressure sensors located in each zone of the reactor, and with reduction units.