RU2007100884A - Способ получения регулярных систем наноразмерных нитевидных кристаллов кремния - Google Patents
Способ получения регулярных систем наноразмерных нитевидных кристаллов кремния Download PDFInfo
- Publication number
- RU2007100884A RU2007100884A RU2007100884/15A RU2007100884A RU2007100884A RU 2007100884 A RU2007100884 A RU 2007100884A RU 2007100884/15 A RU2007100884/15 A RU 2007100884/15A RU 2007100884 A RU2007100884 A RU 2007100884A RU 2007100884 A RU2007100884 A RU 2007100884A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- photoresist
- less
- electrolyte solution
- regular systems
- silicon crystals
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
Способ получения регулярных систем наноразмерных нитевидных кристаллов кремния, включающий маскирование поверхности кремниевой пластины фоторезистом и электрохимическое осаждение металла из раствора электролита, отличающийся тем, что в фоторезисте импринт-литографией создают цилиндрические отверстия диаметром менее 250 нм с последующим гальваническим осаждением в них островков металла толщиной менее 12,5 нм из раствора электролита и удалением фоторезиста в 5%-ном растворе плавиковой кислоты.
Claims (1)
- Способ получения регулярных систем наноразмерных нитевидных кристаллов кремния, включающий маскирование поверхности кремниевой пластины фоторезистом и электрохимическое осаждение металла из раствора электролита, отличающийся тем, что в фоторезисте импринт-литографией создают цилиндрические отверстия диаметром менее 250 нм с последующим гальваническим осаждением в них островков металла толщиной менее 12,5 нм из раствора электролита и удалением фоторезиста в 5%-ном растворе плавиковой кислоты.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2007100884/15A RU2336224C1 (ru) | 2007-01-09 | 2007-01-09 | Способ получения регулярных систем наноразмерных нитевидных кристаллов кремния |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2007100884/15A RU2336224C1 (ru) | 2007-01-09 | 2007-01-09 | Способ получения регулярных систем наноразмерных нитевидных кристаллов кремния |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2007100884A true RU2007100884A (ru) | 2008-07-20 |
| RU2336224C1 RU2336224C1 (ru) | 2008-10-20 |
Family
ID=40041208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2007100884/15A RU2336224C1 (ru) | 2007-01-09 | 2007-01-09 | Способ получения регулярных систем наноразмерных нитевидных кристаллов кремния |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2336224C1 (ru) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2456230C2 (ru) * | 2009-12-02 | 2012-07-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ получения эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов полупроводников постоянного диаметра |
| RU2526066C1 (ru) * | 2013-01-09 | 2014-08-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ получения нитевидных нанокристаллов полупроводников |
| RU2712534C9 (ru) * | 2016-12-14 | 2020-03-19 | федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки "Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алферова Российской академии наук" | Способ формирования тонких упорядоченных полупроводниковых нитевидных нанокристаллов без участия стороннего катализатора на подложках кремния |
-
2007
- 2007-01-09 RU RU2007100884/15A patent/RU2336224C1/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2336224C1 (ru) | 2008-10-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8453319B2 (en) | Process for forming a hexagonal array | |
| US8568877B2 (en) | Porous and non-porous nanostructures | |
| CN103868909B (zh) | 蘑菇形阵列表面增强拉曼光谱活性基底及制备方法 | |
| Ko et al. | Bulk quantities of single-crystal silicon micro-/nanoribbons generated from bulk wafers | |
| Ji et al. | Templated fabrication of nanowire and nanoring arrays based on interference lithography and electrochemical deposition | |
| JP5576356B2 (ja) | 支持部材に懸垂された超薄型シートを形成する方法 | |
| Wang et al. | Catalyst interface engineering for improved 2D film lift-off and transfer | |
| US20120168713A1 (en) | Method for manufacturing a silicon nanowire array using a porous metal film | |
| JP2009107878A (ja) | 表面に凹凸パターンを有するガラス材の製造方法 | |
| RU2007100884A (ru) | Способ получения регулярных систем наноразмерных нитевидных кристаллов кремния | |
| WO2011114968A1 (ja) | 金型製造方法およびその方法により形成された金型 | |
| Khokhar et al. | Nanofabrication of gallium nitride photonic crystal light-emitting diodes | |
| Singh et al. | Universal method for the fabrication of detachable ultrathin films of several transition metal oxides | |
| CN104073857A (zh) | 一种纳米压印镍印章的制备方法 | |
| EP1396349A3 (en) | Method for production of support for lithographic printing plate precursor and support for lithographic printing plate precursor | |
| WO2009113874A3 (en) | Method for texturing silicon surfaces and wafers thereof | |
| US10156018B2 (en) | Method for manufacturing anodic metal oxide nanoporous templates | |
| US8465655B1 (en) | Method of manufacturing polymer nanopillars by anodic aluminum oxide membrane and imprint process | |
| JP2008142915A (ja) | インプリントモールドおよびインプリントモールド製造方法 | |
| Nagase et al. | Resist properties of thin poly (methyl methacrylate) and polystyrene films patterned by thermal nanoimprint lithography for Au electrodeposition | |
| Zhu et al. | Formation of Silicon Nanoporous Structures Induced by Colloidal Gold Nanoparticles in HF/H2O2 Solutions | |
| JP2004001191A (ja) | 凹凸を有する構造体、該構造体の製造方法及び機能デバイス | |
| US9805946B2 (en) | Photoresist removal | |
| TW201348515A (zh) | 利用臭氧水之金屬或金屬氧化物之蝕刻方法、利用臭氧水之金屬或金屬氧化物表面之平滑化方法、及使用臭氧水之圖案化方法 | |
| CN109487318B (zh) | 一种在平头光纤端面大面积均匀制备金纳米盘阵列的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| QB4A | Licence on use of patent |
Free format text: LICENCE Effective date: 20111220 |
|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20120110 |
|
| NF4A | Reinstatement of patent |
Effective date: 20140710 |
|
| RH4A | Copy of patent granted that was duplicated for the russian federation |
Effective date: 20160303 |
|
| PD4A | Correction of name of patent owner | ||
| QB4A | Licence on use of patent |
Free format text: LICENCE Effective date: 20161025 |
|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20170110 |
|
| NF4A | Reinstatement of patent |
Effective date: 20190111 |
|
| RH4A | Copy of patent granted that was duplicated for the russian federation |
Effective date: 20200512 |
|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20210110 |