RU2006140760A - Гетероструктура для фотокатода - Google Patents

Гетероструктура для фотокатода Download PDF

Info

Publication number
RU2006140760A
RU2006140760A RU2006140760/28A RU2006140760A RU2006140760A RU 2006140760 A RU2006140760 A RU 2006140760A RU 2006140760/28 A RU2006140760/28 A RU 2006140760/28A RU 2006140760 A RU2006140760 A RU 2006140760A RU 2006140760 A RU2006140760 A RU 2006140760A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
heterostructure
heterophase
nanocarbide
inhomogeneities
region
Prior art date
Application number
RU2006140760/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2335031C1 (ru
Inventor
Эдуард Анатольевич Ильичев (RU)
Эдуард Анатольевич Ильичев
Эдуард Алексеевич Полторацкий (RU)
Эдуард Алексеевич Полторацкий
Геннадий Сергеевич Рычков (RU)
Геннадий Сергеевич Рычков
Михаил Александрович Негодаев (RU)
Михаил Александрович Негодаев
Владимир Эдуардович Немировский (RU)
Владимир Эдуардович Немировский
Original Assignee
ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина" (RU)
ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина" (RU), ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина" filed Critical ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина" (RU)
Priority to RU2006140760/28A priority Critical patent/RU2335031C1/ru
Publication of RU2006140760A publication Critical patent/RU2006140760A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2335031C1 publication Critical patent/RU2335031C1/ru

Links

Landscapes

  • Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)

Claims (2)

1. Гетероструктура для фотокатода, содержащая слой из алмаза с наноразмерными топологическими неоднородностями на его поверхности, отличающаяся тем, что поверхность слоя, за исключением окрестных областей указанных неоднородностей, покрыта проводящей аморфной углеродной либо нанокарбидной пленкой.
2. Гетероструктура для фотокатода по п.1, отличающаяся тем, что ее приповерхностная гетерофазная область выполнена в виде нанокристаллитов из алмаза, интегрированных в проводящую аморфную углеродную либо нанокарбидную фазу, а упомянутая гетерофазная система расположена на подложке, в которой, вплоть до упомянутой гетерофазной области, выполнена полость с площадью, существенно превышающей суммарную площадь наноразмерной топологической неоднородности с ее окрестностями.
RU2006140760/28A 2006-11-17 2006-11-17 Гетероструктура для фотокатода RU2335031C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2006140760/28A RU2335031C1 (ru) 2006-11-17 2006-11-17 Гетероструктура для фотокатода

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2006140760/28A RU2335031C1 (ru) 2006-11-17 2006-11-17 Гетероструктура для фотокатода

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2006140760A true RU2006140760A (ru) 2008-05-27
RU2335031C1 RU2335031C1 (ru) 2008-09-27

Family

ID=39586175

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2006140760/28A RU2335031C1 (ru) 2006-11-17 2006-11-17 Гетероструктура для фотокатода

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2335031C1 (ru)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2454750C2 (ru) * 2010-08-02 2012-06-27 Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Фотокатод
RU2497222C1 (ru) * 2012-06-19 2013-10-27 Открытое акционерное общество "Зеленоградский инновационно-технологический центр" (ОАО "ЗИТЦ") Гетеропереходная структура
RU2542334C2 (ru) * 2013-06-13 2015-02-20 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (МИЭТ) Фотокатод
RU2569041C1 (ru) * 2014-07-14 2015-11-20 Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха" (АО "НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха") Гетероструктура для полупрозрачного фотокатода
RU2569917C1 (ru) * 2014-10-09 2015-12-10 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ) Фотокатод
RU2593648C1 (ru) * 2015-07-06 2016-08-10 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ) Комбинированный электронно-оптический преобразователь
RU2658580C1 (ru) * 2017-07-10 2018-06-21 Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН) Алмазный фотокатод

Also Published As

Publication number Publication date
RU2335031C1 (ru) 2008-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2006140760A (ru) Гетероструктура для фотокатода
WO2008085185A3 (en) Functional porous substrates for attaching biomolecules
EP1835550A3 (en) Package structure for solid-state lighting devices and method of fabricating the same
EP2458620A3 (en) Fabrication of graphene electronic devices using step surface contour
JP2008517743A5 (ru)
TW200620435A (en) Integrated circuit chip utilizing dielectric layer having oriented cylindrical voids formed from carbon nanotubes
JP2008509528A5 (ru)
WO2006068654A3 (en) Systems and methods for nanowire growth and manufacturing
EP1873839A3 (en) Semiconductor device
EP2071631A3 (en) Electronic element having carbon nanotubes
WO2005104225A3 (en) Method for forming a semiconductor device having a notched control electrode and structure thereof
WO2006112995A3 (en) Glass-based semiconductor on insulator structures and methods of making same
EP2312425A3 (en) Transparent conductive film, method for production thereof and touch panel therewith
TW200715621A (en) Procedure for producing a semiconductor component with a planner contact and the semiconductor component
EP1564802A3 (en) Thin film semiconductor device and method for fabricating the same
JP2010519780A5 (ru)
JP2010521061A5 (ru)
JP2009521679A5 (ru)
ATE526437T1 (de) Verfahren zur züchtung und entnahme von kohlenstoffnanoröhren
WO2007094757A3 (en) Adhesive transfer method of carbon nanotube layer
WO2006078281A3 (en) Systems and methods for harvesting and integrating nanowires
WO2009023100A3 (en) Method for forming a multi-layer electrode underlying a piezoelectric layer and related structure
JP2008515654A5 (ru)
JP2007515775A5 (ru)
EP2096688A3 (en) Piezoelectric substrate, fabrication and related methods

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20151118