RU2006116830A - METHOD FOR PRODUCING ATOMIC-SMOOTH GALLIUM ARSENIDE - Google Patents

METHOD FOR PRODUCING ATOMIC-SMOOTH GALLIUM ARSENIDE Download PDF

Info

Publication number
RU2006116830A
RU2006116830A RU2006116830/15A RU2006116830A RU2006116830A RU 2006116830 A RU2006116830 A RU 2006116830A RU 2006116830/15 A RU2006116830/15 A RU 2006116830/15A RU 2006116830 A RU2006116830 A RU 2006116830A RU 2006116830 A RU2006116830 A RU 2006116830A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
gallium arsenide
layer
temperature
substrate
centrifuge
Prior art date
Application number
RU2006116830/15A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2319798C1 (en
Inventor
дин Николай Николаевич Безр (RU)
Николай Николаевич Безрядин
Геннадий Иванович Котов (RU)
Геннадий Иванович Котов
Александр Александрович Стародубцев (RU)
Александр Александрович Стародубцев
Владимир Дмитриевич Стрыгин (RU)
Владимир Дмитриевич Стрыгин
Иван Никитич Арсентьев (RU)
Иван Никитич Арсентьев
Original Assignee
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образовани Воронежска государственна технологическа академи (RU)
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Воронежская государственная технологическая академия
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образовани Воронежска государственна технологическа академи (RU), Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Воронежская государственная технологическая академия filed Critical Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образовани Воронежска государственна технологическа академи (RU)
Priority to RU2006116830/15A priority Critical patent/RU2319798C1/en
Publication of RU2006116830A publication Critical patent/RU2006116830A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2319798C1 publication Critical patent/RU2319798C1/en

Links

Claims (1)

Способ получения атомно-гладкой поверхности арсенида галлия, включающий химико-динамическую полировку поверхности полупроводника в полирующем травителе H2SO4:H2O2:H2O=5:1:1 в течение 8÷10 мин, снятие слоя естественного оксида в растворе Н2O:HCl=10:1 до проявления гидрофобных свойств чистой поверхности GaAs, промывку в деионизованной воде и сушку в центрифуге, отличающийся тем, что после сушки в центрифуге подложку из GaAs обрабатывают в парах селена в камере квазизамкнутого объема с образованием слоя Ga2Se3 при температуре подложки Тn=(310÷350)°С, температуре стенок камеры Тс=(230÷250)°С, температуре селена TSe=(280÷300)°С в течение 3÷10 мин, после обработки в парах Se подложку снова помещают на 10÷15 мин в раствор Н2O:HCl=10:1 для стравливания слоя Ga2Se3.A method of obtaining an atomically smooth surface of gallium arsenide, including chemical-dynamic polishing of the surface of a semiconductor in a polishing etchant H 2 SO 4 : H 2 O 2 : H 2 O = 5: 1: 1 for 8 ÷ 10 min, removing a layer of natural oxide in a solution of H 2 O: HCl = 10: 1 until the hydrophobic properties of the GaAs clean surface are manifested, washing in deionized water and drying in a centrifuge, characterized in that after drying in a centrifuge, the GaAs substrate is treated in selenium vapor in a quasi-closed chamber with the formation of a Ga layer 2 Se 3 at a substrate temperature T n = (310 ÷ 350) ° С, temp the temperature of the chamber walls T c = (230–250) ° С, selenium temperature T Se = (280–300) ° С for 3–10 min; after treatment in Se vapor, the substrate is again placed for 10–15 min in H 2 solution O: HCl = 10: 1 to etch the Ga 2 Se 3 layer.
RU2006116830/15A 2006-05-16 2006-05-16 Method for preparing even-atom surface of gallium arsenide RU2319798C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2006116830/15A RU2319798C1 (en) 2006-05-16 2006-05-16 Method for preparing even-atom surface of gallium arsenide

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2006116830/15A RU2319798C1 (en) 2006-05-16 2006-05-16 Method for preparing even-atom surface of gallium arsenide

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2006116830A true RU2006116830A (en) 2007-12-10
RU2319798C1 RU2319798C1 (en) 2008-03-20

Family

ID=38903247

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2006116830/15A RU2319798C1 (en) 2006-05-16 2006-05-16 Method for preparing even-atom surface of gallium arsenide

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2319798C1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2453874C1 (en) * 2011-01-11 2012-06-20 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН) Method of forming flat smooth surface of solid material
CN115385309A (en) * 2022-09-19 2022-11-25 西南交通大学 Preparation method and application of two-dimensional oxygen-doped GaSe nanosheet

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2494493C1 (en) * 2012-04-02 2013-09-27 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Воронежский государственный университет инженерных технологий (ФГБОУ ВПО ВГУИТ) Method to preserve surface of substrates from gallium arsenide

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2453874C1 (en) * 2011-01-11 2012-06-20 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН) Method of forming flat smooth surface of solid material
CN115385309A (en) * 2022-09-19 2022-11-25 西南交通大学 Preparation method and application of two-dimensional oxygen-doped GaSe nanosheet

Also Published As

Publication number Publication date
RU2319798C1 (en) 2008-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8691019B2 (en) Process for cleaning a compound semiconductor wafer
TW200802603A (en) Method for removing damaged dielectric material
WO2007143476A3 (en) Apparatus and method for single substrate processing
WO2011094132A3 (en) Method of reducing pattern collapse in high aspect ratio nanostructures
RU2013108268A (en) Light emitting diodes
TW200741852A (en) Method of manufacturing epitaxial silicon wafer
TW200623254A (en) Method for producing epitaxial silicon wafer
TW200717628A (en) Wafer edge cleaning process
CN102243997A (en) Process method for etching and cleaning oxide film in deep groove before epitaxial growth
RU2006116830A (en) METHOD FOR PRODUCING ATOMIC-SMOOTH GALLIUM ARSENIDE
RU2323503C2 (en) Method for treatment of single-crystalline silicon wafer surface
WO2010059419A3 (en) Method of forming a semiconductor layer
Jiang et al. Study on the morphology and shape control of volcano-shaped patterned sapphire substrates fabricated by imprinting and wet etching
CN102364697B (en) Method for removing micro-damage layer from crystalline silicon surface after RIE (Reactive Ion Etching) flocking
JP5432180B2 (en) Reduction of watermarks in HF processing of semiconductor substrates
TW200833824A (en) Solution for removing residue after semiconductor dry process and method of removing the residue using the same
CN104613732A (en) Before-epitaxy polished section rapid drying method after cleaning
TWI615896B (en) 矽 Wafer manufacturing method
CN104252103A (en) Removal method of residual photoresist after photoetching reworking
TW200620452A (en) Method of preparing the surface of a Si substrate or layer or source and drain recess of semiconductor elements for depositing an epitaxial layer of sige
CN105655248B (en) A kind of caustic corrosion processing method of non-polished monocrystalline silicon-based devices photoetching alignment mark
EP1562226B1 (en) A method for removing oxides from a Germanium semiconductor substrate surface
KR20050001332A (en) Process for the wet-chemical surface treatment of a semiconductor wafer
TW200733209A (en) Method for suppressing oxide growth while performing wet cleaning sequence on semiconductor device on semiconductor substrate
CN103474332A (en) Etching method for promoting Web Growth

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20080517