RU2005117828A - Способ радиационно-индуцированного газового скалывания хрупких кристаллических материалов (варианты) - Google Patents
Способ радиационно-индуцированного газового скалывания хрупких кристаллических материалов (варианты) Download PDFInfo
- Publication number
- RU2005117828A RU2005117828A RU2005117828/28A RU2005117828A RU2005117828A RU 2005117828 A RU2005117828 A RU 2005117828A RU 2005117828/28 A RU2005117828/28 A RU 2005117828/28A RU 2005117828 A RU2005117828 A RU 2005117828A RU 2005117828 A RU2005117828 A RU 2005117828A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- ions
- radiation
- atoms
- gas
- irradiation
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Claims (4)
1. Способ радиационно-индуцированного газового скалывания хрупких кристаллических материалов, заключающийся в облучении объекта ионами атомов газа, отличающийся тем, что в процессе облучения ионами одного типа атомов газа объект последовательно и/или периодически имплантируется ионами, ускоренными до различных энергий, причем облучение производится ионами водорода.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что доза легирования объекта при заданной энергии определяется исходя из требуемого значения величины отношения количества дефектов к количеству легирующих атомов.
3. Способ радиационно-индуцированного газового скалывания хрупких кристаллических материалов, заключающийся в облучении объекта ионами атомов газа, отличающийся тем, что в процессе облучения ионами одного типа атомов газа объект последовательно и/или периодически наклоняют на заданный угол по отношению к падающему пучку ионов, а время нахождения образца под заданными углами определяют исходя из требуемого значения величины отношения количества дефектов к количеству легирующих атомов.
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что угол наклона определяют из расчетного расстояния между максимумами профиля повреждения и легирования для заданных параметров материала, типа и энергии частиц и находится, по крайней мере, в интервале 20-40°.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2005117828/28A RU2297691C2 (ru) | 2005-06-09 | 2005-06-09 | Способ радиационно-индуцированного газового скалывания хрупких кристаллических материалов (варианты) |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2005117828/28A RU2297691C2 (ru) | 2005-06-09 | 2005-06-09 | Способ радиационно-индуцированного газового скалывания хрупких кристаллических материалов (варианты) |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2005117828A true RU2005117828A (ru) | 2006-12-20 |
| RU2297691C2 RU2297691C2 (ru) | 2007-04-20 |
Family
ID=37666523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2005117828/28A RU2297691C2 (ru) | 2005-06-09 | 2005-06-09 | Способ радиационно-индуцированного газового скалывания хрупких кристаллических материалов (варианты) |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2297691C2 (ru) |
-
2005
- 2005-06-09 RU RU2005117828/28A patent/RU2297691C2/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2297691C2 (ru) | 2007-04-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Shu et al. | Microstructure dependence of deuterium retention and blistering in the near-surface region of tungsten exposed to high flux deuterium plasmas of 38 eV at 315 K | |
| US8288741B1 (en) | Apparatus and method for three dimensional ion processing | |
| Hashida et al. | Ion emission from a metal surface through a multiphoton process and optical field ionization | |
| Ogorodnikova et al. | Effect of nitrogen seeding into deuterium plasma on deuterium retention in tungsten | |
| WO2002019374A3 (en) | Methods and apparatus for adjusting beam parallelism in ion implanters | |
| Woryna et al. | Laser produced Ag ions for direct implantation | |
| Posthumus et al. | Double-pulse measurements of laser-induced alignment of molecules | |
| TW200639931A (en) | Non-uniform ion implantation apparatus and method thereof | |
| JP2013506757A (ja) | 結晶構造を作るための方法および構成 | |
| RU2014138019A (ru) | Способ обработки пучком нейтральных частиц, основанный на технологии обработки пучком газовых кластерных ионов, и полученные таким образом изделия | |
| RU2005117828A (ru) | Способ радиационно-индуцированного газового скалывания хрупких кристаллических материалов (варианты) | |
| US8110796B2 (en) | Nanophotonic production, modulation and switching of ions by silicon microcolumn arrays | |
| Bentzon et al. | Sputtering damage in Mo (111) studied with slow positrons and computer simulations | |
| Kornelsen et al. | Thermal release of inert gases from tungsten: Dependence on the crystal face bombarded | |
| Ivanov et al. | Irradiation effects in carbon fibers after N+-ion irradiation | |
| Nassisi et al. | Modification of Pd–H2 and Pd–D2 thin films processed by He–Ne laser | |
| Djemaa et al. | Fabrication and characterization of silicon pillars formed by nanosecond pulsed excimer laser in vacuum | |
| Constantinescu et al. | Pulsed laser deposition of lysozyme: the dependence on shot numbers and the angular distribution | |
| Torii et al. | Ablation process of silica glass induced by laser plasma soft X-ray irradiation | |
| Ishimaru et al. | Surface morphology of ion-beam-irradiated rutile single crystals | |
| Khaydarov et al. | Effect of light gas atom inclusions on the characteristics of laser-produced plasma ions | |
| WO2017164148A1 (ja) | マグネシウム精錬および高純度マグネシウムの生成装置および方法 | |
| Park et al. | Characterization of SnO 2 thin films grown by pulsed laser deposition under transverse magnetic field | |
| Das | Growth of ZnO Thin Films on Silicon and Glass Substrate by Pulsed Laser Deposition a Thesis | |
| Rosiński et al. | Direct implantation of Ge ions produced by high-energy low-intensity laser pulses into SiO2 films prepared on Si substrates |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20110610 |