RU2005112799A - METHOD FOR GROWING GERMANY SINGLE CRYSTALS - Google Patents

METHOD FOR GROWING GERMANY SINGLE CRYSTALS Download PDF

Info

Publication number
RU2005112799A
RU2005112799A RU2005112799/15A RU2005112799A RU2005112799A RU 2005112799 A RU2005112799 A RU 2005112799A RU 2005112799/15 A RU2005112799/15 A RU 2005112799/15A RU 2005112799 A RU2005112799 A RU 2005112799A RU 2005112799 A RU2005112799 A RU 2005112799A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
melt
single crystals
former
seed crystal
growing
Prior art date
Application number
RU2005112799/15A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2304642C2 (en
Inventor
Иван Александрович Каплунов (RU)
Иван Александрович Каплунов
Александр Игоревич Колесников (RU)
Александр Игоревич Колесников
Юрий Мстиславович Смирнов (RU)
Юрий Мстиславович Смирнов
Original Assignee
ООО МНПП "Кристалл" (RU)
ООО МНПП "Кристалл"
Иван Александрович Каплунов (RU)
Иван Александрович Каплунов
Александр Игоревич Колесников (RU)
Александр Игоревич Колесников
Юрий Мстиславович Смирнов (RU)
Юрий Мстиславович Смирнов
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ООО МНПП "Кристалл" (RU), ООО МНПП "Кристалл", Иван Александрович Каплунов (RU), Иван Александрович Каплунов, Александр Игоревич Колесников (RU), Александр Игоревич Колесников, Юрий Мстиславович Смирнов (RU), Юрий Мстиславович Смирнов filed Critical ООО МНПП "Кристалл" (RU)
Priority to RU2005112799/15A priority Critical patent/RU2304642C2/en
Publication of RU2005112799A publication Critical patent/RU2005112799A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2304642C2 publication Critical patent/RU2304642C2/en

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Claims (1)

Способ выращивания монокристаллов германия из расплава на затравочный кристалл с использованием формообразующего элемента, имеющего отверстия для удаления образующегося при кристаллизации избыточного расплава, отличающийся тем, что выращивание на первоначальном этапе ведут на вращающийся на затравочный кристалл, расплав находится в формообразователе (круглой или иной формы, соответствующей боковой форме выращиваемого слитка), помещенном в тигель без расплава, в формообразователе в месте примыкания нижней части формообразователя к тиглю выполнены отверстия, радиус (r) которых удовлетворяет условию r<K/h, где К=0,2 см-2, h - высота расплава (см), а количество отверстий составляет 12-18 штук, угловые расстояния между которыми одинаковы.A method of growing germanium single crystals from a melt onto a seed crystal using a forming element having openings for removing excess melt formed during crystallization, characterized in that the growth is initially carried out on a seed crystal rotating on a seed crystal, the melt is in a former (round or other shape corresponding to lateral form of the grown ingot), placed in a crucible without melt, in the former at the junction of the lower part of the former holes, the radius (r) of which satisfies the condition r <K / h, where K = 0.2 cm -2 , h is the melt height (cm), and the number of holes is 12-18 pieces, the angular distances between which are the same.
RU2005112799/15A 2005-04-27 2005-04-27 Method of growing germanium monocrystals RU2304642C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2005112799/15A RU2304642C2 (en) 2005-04-27 2005-04-27 Method of growing germanium monocrystals

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2005112799/15A RU2304642C2 (en) 2005-04-27 2005-04-27 Method of growing germanium monocrystals

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2005112799A true RU2005112799A (en) 2006-11-10
RU2304642C2 RU2304642C2 (en) 2007-08-20

Family

ID=37500432

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2005112799/15A RU2304642C2 (en) 2005-04-27 2005-04-27 Method of growing germanium monocrystals

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2304642C2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113957520A (en) * 2021-09-30 2022-01-21 云南驰宏国际锗业有限公司 Manufacturing and processing method for improving germanium single crystal seed crystal defects

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2493297C1 (en) * 2012-02-27 2013-09-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тверской государственный университет" Method of growing germanium monocrystals
RU2491375C1 (en) * 2012-05-21 2013-08-27 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Тверской государственный университет Method of growing profiled monocrystals of germanium from liquor
RU2600380C1 (en) * 2015-12-01 2016-10-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тверской государственный университет" Germanium monocrystals-based method for producing shaped articles
RU2631810C1 (en) * 2016-11-30 2017-09-26 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тверской государственный университет" Method for growing single crystals of profiled radial germanium

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113957520A (en) * 2021-09-30 2022-01-21 云南驰宏国际锗业有限公司 Manufacturing and processing method for improving germanium single crystal seed crystal defects

Also Published As

Publication number Publication date
RU2304642C2 (en) 2007-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2005112799A (en) METHOD FOR GROWING GERMANY SINGLE CRYSTALS
CN104790026B (en) A kind of recycling method casting class monocrystalline seed crystal
JP2013103863A5 (en) β-Ga2O3 single crystal and method for producing the same
EP1354987A4 (en) Silicon carbide single crystal, and method and apparatus for producing the same
JP2012513950A5 (en)
DK1866466T3 (en) Process for making a monocrystalline disc of approximately polygonal cross section
CN110039669A (en) A kind of silicon ingot evolution and dicing method
EP1201793A4 (en) Method and apparatus for growing high quality single crystal
EP1293591A3 (en) Silicon semiconductor substrate and method for production thereof
NZ513163A (en) Method for rapidly obtaining crystals with desirable morphologies
JPH0340987A (en) Growing method for single crystal
EP2045371A3 (en) Method and apparatus for manufacturing an ultra low defect semiconductor single crystalline ingot
RU2002115061A (en) METHOD FOR GROWING OPTICAL FLUORITE SINGLE CRYSTALS
KR920014956A (en) Crystal Growth Method and Apparatus
JP6900512B2 (en) Methods and plants for pulling single crystals by the FZ method
WO2004016091A3 (en) A method of forming a non-fractionated, room-temperature pourable butter
JP3775776B2 (en) Single crystal manufacturing method
KR200450238Y1 (en) Jig for filament cut
JP4923253B2 (en) Method for producing Si bulk polycrystal
EP1555336A3 (en) Crucible for the growth of silicon crystal and process for the growth of silicon crystal
RU2006132106A (en) METHOD FOR GROWING MONOCRYSTALS OF SEMICONDUCTOR COMPOUNDS OF TYPE A3B5
CA2380145A1 (en) Growth of bulk single crystals of aluminum
RU2006109203A (en) PRODUCTS FROM SPINEL AND METHODS OF THEIR MANUFACTURE
KR200449801Y1 (en) Jig for half cut
US20170051433A1 (en) Method for producing silicon-ingots

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20080428