Claims (2)
1. Способ изготовления СВЧ меза-диодов, включающий в себя утоньшение со стороны подложки полупроводниковой пластины, содержащей активную структуру, нанесения с обеих сторон металлизации, травление контактов со стороны подложки, травление меза-структур, с их последующим разделением и монтажом на теплоотвод, формирование жесткого вывода и обтравливание меза-структур до их рабочих размеров, отличающийся тем, что после металлизации утоньшенной полупроводниковой пластины со стороны активной структуры в металлизации производится вскрытие окон диаметром D1 так, что внутри него остаются металлические контакты, имеющие суммарную площадь и конфигурацию, равную рабочей площади активного перехода в заданном диапазоне частот, а после травления со стороны подложки верхнего контакта диаметром D2 соосного с вскрытым окном D1 и травления до нижней металлизации соосно с верхним контактом меза-структур диаметра D3>D1, во вскрытом окне D1 производится травление рабочих меза-структур с одновременным образованием кольцевой технологической меза-структуры, окружающей активные меза-структуры и соединенной с ними остаточным слоем подложки толщиной L, причем размеры D1; D2; D3 выбираются из соотношений: D3>D1+L; D1>D2+L; D2>D4+L, D4 - диаметр окружности, описанной вокруг рабочих меза-структур, затем производится монтаж технологической меза-структуры с находящимися внутри нее рабочими меза-структурами на теплоотвод, имеющий класс чистоты поверхности не ниже 14-го, после этого производится формирование жесткого вывода и травление технологической меза-структуры по маске верхнего контакта D2 до ее отделения от рабочих меза-структур и полного удаления.1. A method of manufacturing microwave mesa diodes, which includes thinning the semiconductor wafer containing the active structure from the substrate side, depositing metallization on both sides of the substrate, etching the contacts from the substrate side, etching the mesa structures, followed by their separation and mounting on the heat sink, forming hard output and etching of the mesa structures to their working sizes, characterized in that after metallization of the thinned semiconductor wafer from the side of the active structure in the metallization is performed con diameter D 1 such that the inside of it are the metal contacts having a total area and a configuration equal to the working area of the active transition in a predetermined frequency range, and after etching by the upper contact of the substrate with diameter D 2 coaxial with autopsy window D 1 and etched to the bottom metallization coaxially with the upper contact mesa structures diameter D 3> D 1, D in the exposed by window 1 is carried etching working mesa structures with simultaneous formation of ring technological mesa structure surrounding the active mesa structure urs and associated residual substrate layer thickness L, the dimensions of D 1; D 2 ; D 3 are selected from the relations: D 3 > D 1 + L; D 1 > D 2 + L; D 2 > D 4 + L, D 4 is the diameter of the circle described around the working mesa structures, then the technological mesa structure with the working mesa structures inside it is mounted on a heat sink having a surface cleanliness class not lower than the 14th, after of this, a hard lead is formed and the technological mesa structure is etched by the upper contact mask D 2 until it is separated from the working mesa structures and completely removed.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что удаление технологической меза-структуры производится до формирования жесткого вывода.2. The method according to claim 1, characterized in that the removal of the technological mesa structure is performed before the formation of a hard conclusion.