RU2004123919A - Тензометрический первичный преобразователь давления с компенсацией дрейфа нуля - Google Patents

Тензометрический первичный преобразователь давления с компенсацией дрейфа нуля Download PDF

Info

Publication number
RU2004123919A
RU2004123919A RU2004123919/28A RU2004123919A RU2004123919A RU 2004123919 A RU2004123919 A RU 2004123919A RU 2004123919/28 A RU2004123919/28 A RU 2004123919/28A RU 2004123919 A RU2004123919 A RU 2004123919A RU 2004123919 A RU2004123919 A RU 2004123919A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
membrane
strain gauge
pressure transducer
primary pressure
transducer according
Prior art date
Application number
RU2004123919/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2286555C2 (ru
Inventor
Дмитрий Леонидович Воробьев (RU)
Дмитрий Леонидович Воробьев
Original Assignee
Дмитрий Леонидович Воробьев (RU)
Дмитрий Леонидович Воробьев
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Дмитрий Леонидович Воробьев (RU), Дмитрий Леонидович Воробьев filed Critical Дмитрий Леонидович Воробьев (RU)
Priority to RU2004123919/28A priority Critical patent/RU2286555C2/ru
Publication of RU2004123919A publication Critical patent/RU2004123919A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2286555C2 publication Critical patent/RU2286555C2/ru

Links

Claims (16)

1. Тензометрический первичный преобразователь давления, включающий в себя мембрану, имеющую планарную поверхность и противоположную ей профилированную поверхность, к которой прикладывается усилие, создаваемое измеряемым давлением, под действием которого мембрана деформируется, схему тензорезисторов, сформированную на планарной поверхности мембраны и предназначенную для регистрации прикладываемого усилия на основе изменения сопротивления тензорезисторов при деформации мембраны, при этом мембрана целиком изготовлена из сапфира и имеет монокристаллическую структуру.
2. Тензометрический первичный преобразователь давления по п.1, в котором схема тензорезисторов ориентирована по наиболее тензочувствительным кристаллографическим направлениям кристаллической структуры мембраны.
3. Тензометрический первичный преобразователь давления по п.1, в котором мембрана является осесимметричной.
4. Тензометрический первичный преобразователь давления по п.1, в котором рабочий профиль профилированной поверхности мембраны определяется механическими свойствами мембраны, требующимися для обеспечения заранее заданных метрологических характеристик.
5. Тензометрический первичный преобразователь давления по п.4, в котором рабочий профиль профилированной поверхности мембраны является осесимметричным и определяется диапазоном измеряемых давлений и потребными метрологическими характеристиками.
6. Тензометрический первичный преобразователь давления по п.1, в котором схема тензорезисторов сформирована в эпитаксиальной пленке кремния на планарной поверхности мембраны.
7. Тензометрический первичный преобразователь давления по п.1, в котором схема тензорезисторов представляет собой мостовую схему.
8. Тензометрический первичный преобразователь давления по п.1, в котором тензометрический первичный преобразователь давления имеет рычажную конструкцию.
9. Тензометрический первичный преобразователь давления по п.1, в котором мембрана прикреплена к металлическому основанию, обеспечивающему механическую прочность конструкции тензометрического первичного преобразователя давления.
10. Тензометрический первичный преобразователь давления по п.9, в котором крепление мембраны к металлическому основанию выполнено посредством пайки.
11. Тензометрический первичный преобразователь давления по п.9, в котором металлическое основание изготовлено из металла, обеспечивающего необходимые механические свойства.
12. Тензометрический первичный преобразователь давления по п.11, в котором металлом, обеспечивающим необходимые механические свойства, является титан.
13. Мембрана тензометрического первичного преобразователя давления, которая имеет планарную поверхность, предназначенную для формирования на ней схемы тензорезисторов, и противоположную ей профилированную поверхность, к которой прикладывается усилие, создаваемое измеряемым давлением, под действием которого мембрана деформируется, при этом мембрана целиком изготовлена из сапфира и имеет монокристаллическую структуру.
14. Мембрана по п.13, в которой рабочий профиль профилированной поверхности является осесимметричным.
15. Мембрана по п.13, в которой рабочий профиль профилированной поверхности определяется механическими свойствами мембраны, требующимися для обеспечения заранее заданных метрологических характеристик.
16. Мембрана по п.15, в которой рабочий профиль профилированной поверхности является осесимметричным и определяется диапазоном измеряемых давлений и потребными метрологическими характеристиками.
RU2004123919/28A 2004-08-04 2004-08-04 Тензометрический первичный преобразователь давления с компенсацией дрейфа нуля и мембрана для него RU2286555C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2004123919/28A RU2286555C2 (ru) 2004-08-04 2004-08-04 Тензометрический первичный преобразователь давления с компенсацией дрейфа нуля и мембрана для него

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2004123919/28A RU2286555C2 (ru) 2004-08-04 2004-08-04 Тензометрический первичный преобразователь давления с компенсацией дрейфа нуля и мембрана для него

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2004123919A true RU2004123919A (ru) 2006-01-20
RU2286555C2 RU2286555C2 (ru) 2006-10-27

Family

ID=35873115

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2004123919/28A RU2286555C2 (ru) 2004-08-04 2004-08-04 Тензометрический первичный преобразователь давления с компенсацией дрейфа нуля и мембрана для него

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2286555C2 (ru)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2469940C1 (ru) * 2011-07-08 2012-12-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет" Контейнер для мусора
RU2684672C1 (ru) * 2018-06-18 2019-04-11 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" Инфразвуковой микробарометр

Also Published As

Publication number Publication date
RU2286555C2 (ru) 2006-10-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8127616B1 (en) Elevated temperature pressure sensor
EP3236226B1 (en) Method of manufacturing a pressure sensor
WO2009028283A1 (ja) 半導体歪みセンサー
JPH07502122A (ja) 圧電抵抗シリコン圧力センサ設計
ATE326688T1 (de) Dehnungsmesser
WO2015195346A1 (en) Pressure sensing apparatus
Shioya et al. Blood pressure measurement device based on the arterial tonometry method with micro triaxial force sensor
RU2004123919A (ru) Тензометрический первичный преобразователь давления с компенсацией дрейфа нуля
JPH01197621A (ja) デュアルサイド形圧力センサ
Wilner A diffused silicon pressure transducer with stress concentrated at transverse gages
JP5339495B2 (ja) ロードセル
JP2011191126A (ja) 起歪体、ロードセル及び多点式秤
EP2656037A1 (en) Force sensor
US20210190606A1 (en) Strain gages and methods for manufacturing thereof
Nambisan et al. Sensitivity and non-linearity study and performance enhancement in bossed diaphragm piezoresistive pressure sensor
Zhao et al. Effect of residual stress on the performance of self-packaging piezoresistive pressure sensor in wireless capsule
JPS5577178A (en) Semiconductor pressure converting element
RU2559300C2 (ru) Датчик давления
EP2201346B1 (en) Silicon sensing structure to detect through-plane motion a plane of material with thermal expansion substantially different from that of silicon
RU45526U1 (ru) Устройство для измерения давления
RU2316743C2 (ru) Устройство для измерения давления
JP2006300908A (ja) 力変換器
RU2423677C1 (ru) Тензорезисторный преобразователь силы
RU146089U1 (ru) Полупроводниковый тензорезистор
CN115112274B (zh) 一种基于蛇形石墨烯压敏电阻的压力传感器及其设计方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20090805