Claims (23)
1. Способ изготовления гетероструктуры, заключающийся в том, что в рабочую пластину осуществляют введение водорода, проводят химическую обработку рабочей пластины, рабочую пластину и подложку соединяют, сращивают и расслаивают рабочую пластину с переносом пленки в гетероструктуру, отличающийся тем, что перед введением водорода в рабочей пластине формируют скрытую границу раздела, выделяющую в рабочей пластине слой, переносимый в качестве пленки в гетероструктуру, или формируют скрытую границу раздела с дельта-легированным слоем примеси или тонким слоем в виде соединений примеси, также выделяющую в рабочей пластине слой, переносимый в качестве пленки в гетероструктуру, после химической обработки рабочей пластины /и подложки/ проводят последовательно сушку, удаление физически адсорбированных веществ с поверхности рабочей пластины /и подложки/ и нанесение адгезионного слоя, соединение, сращивание рабочей пластины и подложки и расслоение рабочей пластины с переносом пленки в гетероструктуру при температуре, при которой водород, введенный в рабочую пластину, остается внутри ее объема, собираясь на скрытой границе раздела или скрытой границе раздела с дельта-легированным слоем примеси или тонким слоем в виде соединений примеси, причем глубина введения водорода в рабочую пластину больше или того же порядка, что и глубина залегания скрытой границы раздела или скрытой границы раздела с дельта-легированным слоем примеси или тонким слоем в виде соединений примеси.1. A method of manufacturing a heterostructure, which consists in the fact that hydrogen is introduced into the work plate, the work plate is chemically treated, the work plate and substrate are joined, spliced and delaminate the work plate with film transfer to the heterostructure, characterized in that before hydrogen is introduced into the work plate a hidden interface is formed in the wafer, releasing a layer transferred into the heterostructure as a film in the working wafer, or a hidden interface with a delta-doped layer of and or with a thin layer in the form of impurity compounds, also releasing in the working plate a layer transferred as a film to the heterostructure, after chemical treatment of the working plate / and substrate /, drying is carried out sequentially, removal of physically adsorbed substances from the surface of the working plate / and substrate / and deposition adhesion layer, bonding, fusion of the working plate and the substrate, and delamination of the working plate with transfer of the film to the heterostructure at a temperature at which the hydrogen introduced into the working plate remains in wipe its volume, gathering at a hidden interface or a hidden interface with a delta-doped impurity layer or a thin layer in the form of impurity compounds, and the depth of hydrogen introduction into the working plate is greater than or the same order as the depth of the hidden interface or hidden border section with a delta-doped impurity layer or a thin layer in the form of impurity compounds.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве рабочей пластины используют пластину кремния, являющуюся основой рабочей пластины, покрытую слоем/слоями кристаллического материала.2. The method according to claim 1, characterized in that as the working plate use a silicon plate, which is the basis of the working plate, covered with a layer / layers of crystalline material.
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что в качестве кристаллического материала используют монокристаллический, или поликристаллический, или текстурированный материал.3. The method according to claim 2, characterized in that as the crystalline material using single-crystal, or polycrystalline, or textured material.
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что в качестве монокристаллического, или поликристаллического, или текстурированного материала используют кремний.4. The method according to claim 3, characterized in that silicon is used as a single-crystal, or polycrystalline, or textured material.
5. Способ по п.3, отличающийся тем, что в качестве монокристаллического, или поликристаллического, или текстурированного материала используют нитрид галлия.5. The method according to claim 3, characterized in that gallium nitride is used as a single-crystal, or polycrystalline, or textured material.
6. Способ по п.3, отличающийся тем, что в качестве монокристаллического, или поликристаллического, или текстурированного материала используют ниобий.6. The method according to claim 3, characterized in that niobium is used as a single-crystal, or polycrystalline, or textured material.
7. Способ по любому из пп.1-6, отличающийся тем, что поверхность рабочей пластины покрывают тонким слоем окисла кремния, через который вводят водород и который после введения водорода удаляют.7. The method according to any one of claims 1 to 6, characterized in that the surface of the working plate is covered with a thin layer of silicon oxide through which hydrogen is introduced and which is removed after the introduction of hydrogen.
8. Способ по любому из пп.1-7, отличающийся тем, что в качестве подложки используют пластину из жесткого материала.8. The method according to any one of claims 1 to 7, characterized in that a plate of rigid material is used as a substrate.
9. Способ по любому из пп.1-8, отличающийся тем, что в качестве подложки используют пластину, покрытую слоем или слоями материала, отличного по своим свойствам от материала пластины, используемой в качестве подложки.9. The method according to any one of claims 1 to 8, characterized in that the substrate is a plate coated with a layer or layers of a material different in its properties from the material of the plate used as the substrate.
10. Способ по любому из пп.1-9, отличающийся тем, что в качестве подложки используют пластину из полупроводника.10. The method according to any one of claims 1 to 9, characterized in that a semiconductor wafer is used as a substrate.
11. Способ по любому из пп.1-10, отличающийся тем, что в качестве подложки используют пластину из кремния.11. The method according to any one of claims 1 to 10, characterized in that a silicon wafer is used as the substrate.
12. Способ по любому из пп.1-11, отличающийся тем, что в качестве подложки используют пластину из кремния, покрытую слоем окисла кремния.12. The method according to any one of claims 1 to 11, characterized in that a silicon wafer coated with a layer of silicon oxide is used as a substrate.
13. Способ по любому из пп.1-8, отличающийся тем, что в качестве подложки используют кварцевую пластину.13. The method according to any one of claims 1 to 8, characterized in that a quartz plate is used as a substrate.
14. Способ по любому из пп.1-7, отличающийся тем, что в качестве подложки используют пластину из гибкого материала.14. The method according to any one of claims 1 to 7, characterized in that a plate of flexible material is used as a substrate.
15. Способ по п.14, отличающийся тем, что в качестве подложки используют пластину из полиимида.15. The method according to 14, characterized in that as the substrate use a plate of polyimide.
16. Способ по любому из пп.1-4 или 7-15, отличающийся тем, что в качестве примеси используют бор или углерод со слоевой концентрацией атомов (6-14)×1014 см-2 при переносе в гетероструктуру слоя кремния.16. The method according to any one of claims 1 to 4 or 7-15, characterized in that boron or carbon with a layer concentration of atoms (6-14) × 10 14 cm -2 are used as an impurity when a silicon layer is transferred to the heterostructure.
17. Способ по любому из пп.1-3, или 5, или 7-15, отличающийся тем, что в качестве примеси используют бериллий со слоевой концентрацией атомов 6×1014 см-2 при переносе в гетероструктуру слоя нитрида галлия.17. The method according to any one of claims 1 to 3, or 5, or 7-15, characterized in that beryllium with a layer concentration of atoms of 6 × 10 14 cm -2 is used as an impurity when a layer of gallium nitride is transferred to the heterostructure.
18. Способ по любому из пп.1-3 или 6-15, отличающийся тем, что в качестве примеси используют бор со слоевой концентрацией атомов 9×1014 см-2 при переносе в гетероструктуру слоя ниобия.18. The method according to any one of claims 1 to 3 or 6-15, characterized in that boron with a layer concentration of atoms of 9 × 10 14 cm -2 is used as an impurity when a niobium layer is transferred to the heterostructure.
19. Способ по любому из пп.1-18, отличающийся тем, что введение водорода в рабочую пластину осуществляют имплантацией ионов Н или H+ дозой (1,5-15)×10 см-2 и энергией 5-200 кэВ или введение водорода осуществляют из водородной плазмы.19. The method according to any one of claims 1 to 18, characterized in that the introduction of hydrogen into the working plate is carried out by implantation of H ions or H + dose (1.5-15) × 10 cm -2 and an energy of 5-200 keV or the introduction of hydrogen is carried out from hydrogen plasma.
20. Способ по любому из пп.1-19, отличающийся тем, что после расслоения рабочей пластины с переносом пленки в гетероструктуру проводят отжиг при температуре 300-1100°С в течение 0,5-10 ч.20. The method according to any one of claims 1 to 19, characterized in that after separation of the working plate with transfer of the film to the heterostructure, annealing is carried out at a temperature of 300-1100 ° C for 0.5-10 hours.
21. Способ по любому из пп.1-20, отличающийся тем, что после химической обработки проводят сушку, удаление физически адсорбированных веществ с поверхности рабочей пластины /и подложки /и нанесение адгезионного слоя, соединение, сращивание рабочей пластины и подложки и расслоение рабочей пластины с переносом пленки в гетероструктуру проводят в одну стадию в вакууме (101-104 Па) или на воздухе при температуре от 80 до 350°С длительностью от 0,1 до 100 ч или после химической обработки проводят сушку, удаление физически адсорбированных веществ с поверхности рабочей пластины /и подложки/ и нанесение адгезионного слоя, соединение, сращивание рабочей пластины и подложки в одну стадию в вакууме (101-104 Па) или на воздухе при температуре от 80 до 350°С, длительностью от 0,1 до 100 ч, а расслоение рабочей пластины с переносом пленки в гетероструктуру проводят механически.21. The method according to any one of claims 1 to 20, characterized in that after chemical treatment, drying is carried out, removal of physically adsorbed substances from the surface of the working plate / and substrate / and applying an adhesive layer, joining, splicing of the working plate and substrate and delamination of the working plate with the transfer of the film to the heterostructure, it is carried out in one step in vacuum (10 1 -10 4 Pa) or in air at a temperature of from 80 to 350 ° C for a duration of 0.1 to 100 hours, or after chemical treatment, drying is carried out, removal of physically adsorbed substances from the surface the surface of the working plate / and substrate / and applying an adhesive layer, joining, splicing the working plate and substrate in one step in vacuum (10 1 -10 4 Pa) or in air at a temperature of from 80 to 350 ° C, lasting from 0.1 to 100 h, and the separation of the working plate with the transfer of the film into the heterostructure is carried out mechanically.
22. Способ по любому из пп.1-21, отличающийся тем, что формируют скрытую границу раздела тем, что на поверхности основы рабочей пластины выращивают эпитаксиальный слой кремния.22. The method according to any one of claims 1 to 21, characterized in that a hidden interface is formed in that an epitaxial silicon layer is grown on the surface of the base of the working plate.
23. Способ по любому из пп.1-21, отличающийся тем, что формируют скрытую границу раздела с дельта-легированным слоем примеси или тонким слоем в виде соединений примеси таким образом, что сначала на поверхности основы рабочей пластины эпитаксией выращивают буферный слой, затем дельта-легированный слой примеси или тонкий слой в виде соединений примеси, затем капсулирующий слой и слой материала, переносимый совместно с капсулирующим слоем в качестве пленки в гетероструктуру.23. The method according to any one of claims 1 to 21, characterized in that a hidden interface is formed with a delta-doped impurity layer or a thin layer in the form of impurity compounds so that first a buffer layer is grown on the surface of the base of the working plate with epitaxy, then delta a doped impurity layer or a thin layer in the form of impurity compounds, then an encapsulating layer and a layer of material transferred together with the encapsulating layer as a film into the heterostructure.