Claims (16)
1. Способ изготовления фотонной интегральной схемы, содержащей структуру сложного полупроводника, имеющую область квантовой ямы, содержащий этапы, на которых облучают структуру с помощью источника фотонов для порождения дефектов, причем энергия (Е) фотонов не меньше энергии смешения (Ес), по меньшей мере, одного элемента сложного полупроводника, а затем отжигают структуру для того, чтобы стимулировать смешение квантовых ям.1. A method of manufacturing a photon integrated circuit containing a complex semiconductor structure having a quantum well region, comprising the steps of irradiating the structure with a photon source to generate defects, wherein the photon energy (E) is not less than the mixing energy (E c ), at least of one element of a complex semiconductor, and then anneal the structure in order to stimulate the mixing of quantum wells.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что источником излучения является плазма.2. The method according to claim 1, characterized in that the radiation source is plasma.
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что источник плазмы генерируют с использованием системы электронного циклотронного резонанса (ЭЦР), системы индуктивно связанной плазмы (ИСП), плазменного диска, возбуждаемого пучком низкоэнергичных электронов в вакууме, и плазменных устройств мягкого рентгеновского излучения (МРИ).3. The method according to claim 2, characterized in that the plasma source is generated using an electron cyclotron resonance (ECR) system, an inductively coupled plasma (ICP) system, a plasma disk excited by a low-energy electron beam in vacuum, and soft X-ray plasma devices ( MRI).
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что источник излучения выбирают из группы, состоящей из электрических газоразрядных приборов, эксимерных лазеров, синхротронных устройств, импульсных рентгеновских устройств и источников гамма-излучения.4. The method according to claim 1, characterized in that the radiation source is selected from the group consisting of electric gas-discharge devices, excimer lasers, synchrotron devices, pulsed x-ray devices and gamma radiation sources.
5. Способ по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что содержит этап, на котором маскируют часть структуры для управления степенью радиационного повреждения.5. The method according to any one of claims 1 to 4, characterized in that it comprises the step of masking part of the structure to control the degree of radiation damage.
6. Способ по п.5, отличающийся тем, что маску приспосабливают для предотвращения полного смешения.6. The method according to claim 5, characterized in that the mask is adapted to prevent complete mixing.
7. Способ по п.5, отличающийся тем, что структуру маскируют различным образом для того, чтобы обеспечить избирательное смешение структуры с возможностью пространственного управления путем управления экспонированием участков структуры заранее определенным образом.7. The method according to claim 5, characterized in that the structure is masked in various ways in order to provide selective mixing of the structure with the possibility of spatial control by controlling the exposure of sections of the structure in a predetermined manner.
8. Способ по любому из пп.5-7, отличающийся тем, что маску выбирают из группы, состоящей из двоичных масок, фазовых масок, серых масок, диэлектрических или металлических масок и фоторезистивных масок.8. The method according to any one of claims 5 to 7, characterized in that the mask is selected from the group consisting of binary masks, phase masks, gray masks, dielectric or metal masks and photoresist masks.
9. Способ по любому из пп.1-8, отличающийся тем, что пространственное управление смешением осуществляют с помощью шаблона маски переменного профиля.9. The method according to any one of claims 1 to 8, characterized in that the spatial control of the mixing is carried out using a variable profile mask template.
10. Способ по любому из пп.1-9, отличающийся тем, что дополнительно содержит этапы, на которых формируют фоторезист на структуре и различным образом экспонируют области фоторезиста с возможностью пространственной избирательности в зависимости от необходимой степени смешения квантовых ям, а затем проявляют фоторезист.10. The method according to any one of claims 1 to 9, characterized in that it further comprises the steps of forming a photoresist on the structure and exposing the photoresist regions with the possibility of spatial selectivity in various ways depending on the required degree of mixing of the quantum wells, and then developing the photoresist.
11. Способ по п.10, отличающийся тем, что содержит этап, на котором накладывают оптическую маску на фоторезист и экспонируют фоторезист через оптическую маску, оптическое пропускание которой варьируется с возможностью пространственной избирательности.11. The method according to claim 10, characterized in that it comprises the step of applying an optical mask to the photoresist and exposing the photoresist through an optical mask, the optical transmission of which varies with the possibility of spatial selectivity.
12. Способ по п.11, отличающийся тем, что оптическая маска является полутоновой или серой маской.12. The method according to claim 11, characterized in that the optical mask is a grayscale or gray mask.
13. Способ по любому из пп.10-12, отличающийся тем, что фоторезист накладывают на маскирующий слой.13. The method according to any one of paragraphs.10-12, characterized in that the photoresist is applied to the mask layer.
14. Способ по п.13, отличающийся тем, что маскирующий слой является диэлектрическим.14. The method according to item 13, wherein the masking layer is dielectric.
15. Способ по п.13 или 14, отличающийся тем, что дополнительно содержит этап, на котором осуществляют травление структуры с проявленным фоторезистом на месте для обеспечения различным образом протравленного маскирующего слоя.15. The method according to item 13 or 14, characterized in that it further comprises the step of etching the structure with the developed photoresist in place to provide a differently etched mask layer.
16. Способ по любому из пп.1-15, отличающийся тем, что для генерации плазмы используют систему электронного циклотронного резонанса (ЭЦР), причем мощность СВЧ системы ЭЦР составляет от 300 до 3000 Вт, более предпочтительно, от 1000 до 2000 Вт, рабочая температура составляет от 25 до 500°С, более предпочтительно, от 25 до 200°С, рабочее давление составляет от 0,1 до 100 мТорр, более предпочтительно, от 20 до 50 мТорр, и время экспонирования составляет от 30 с до 1 ч, более предпочтительно, от 4 до 14 мин.16. The method according to any one of claims 1 to 15, characterized in that an electron cyclotron resonance (ECR) system is used for plasma generation, wherein the power of the microwave ECR system is from 300 to 3000 W, more preferably from 1000 to 2000 W, operating the temperature is from 25 to 500 ° C, more preferably from 25 to 200 ° C, the operating pressure is from 0.1 to 100 mTorr, more preferably from 20 to 50 mTorr, and the exposure time is from 30 s to 1 h, more preferably 4 to 14 minutes