RU2001103049A - Светоизлучающие диоды ик-диапазона - Google Patents

Светоизлучающие диоды ик-диапазона

Info

Publication number
RU2001103049A
RU2001103049A RU2001103049/28A RU2001103049A RU2001103049A RU 2001103049 A RU2001103049 A RU 2001103049A RU 2001103049/28 A RU2001103049/28 A RU 2001103049/28A RU 2001103049 A RU2001103049 A RU 2001103049A RU 2001103049 A RU2001103049 A RU 2001103049A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
led
luminescence
emitting diode
reverse bias
voltage
Prior art date
Application number
RU2001103049/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2197770C2 (ru
Inventor
Тимоти ЭШЛИ (GB)
Тимоти ЭШЛИ
Джон Грэхэм КРАУДЕР (GB)
Джон Грэхэм КРАУДЕР
Фолькер Пауль МАННХАЙМ (DE)
Фолькер Пауль МАННХАЙМ
Стенли Дезмонд СМИТ (GB)
Стенли Дезмонд СМИТ
Original Assignee
Дзе Секретэри Оф Стейт Фор Дефенс (Gb)
Дзе Секретэри Оф Стейт Фор Дефенс
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Дзе Секретэри Оф Стейт Фор Дефенс (Gb), Дзе Секретэри Оф Стейт Фор Дефенс filed Critical Дзе Секретэри Оф Стейт Фор Дефенс (Gb)
Application granted granted Critical
Publication of RU2197770C2 publication Critical patent/RU2197770C2/ru
Publication of RU2001103049A publication Critical patent/RU2001103049A/ru

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26Materials of the light emitting region
    • H01L33/30Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/31Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
    • G01N21/35Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
    • G01N21/3504Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light for analysing gases, e.g. multi-gas analysis
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/0004Devices characterised by their operation
    • H01L33/002Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap
    • H01L33/0025Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap comprising only AIIIBV compounds

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Spectrometry And Color Measurement (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Claims (16)

1. Устройство светоизлучающего диода (СИД), содержащее СИД (30) ИК-диапазона, который испускает положительную люминесценцию при напряжении прямого смещения и испускает отрицательную люминесценцию при напряжении обратного смещения, средство возбуждения для подачи напряжения чередующегося прямого и обратного смещения на СИД, отличающееся тем, что уровни напряжений прямого (+v1) и обратного (-v2) смещений, подаваемые средством возбуждения, устанавливают так, чтобы при уровне входного напряжения прямого смещения изменение выходной мощности СИД с изменением температуры оказалось по существу равным изменению выходной мощности СИД с изменением температуры при уровне входного напряжения обратного смещения и уравновешивалось им по всему выбранному интервалу температур, чтобы разность в выходной мощности между положительной люминесценцией и отрицательной люминесценцией светоизлучающего диода стабилизировалась относительно температуры.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что входное напряжение чередующегося прямого и обратного смещения чередуется с одинаковым интервалом.
3. Устройство по одному из п.1 или 2, отличающееся тем, что период и величина входного напряжения прямого смещения по существу одинаковые в последовательных циклах положительной люминесценции и период и величина входного напряжения обратного смещения по существу одинаковые в последовательных циклах отрицательной люминесценции.
4. Устройство по любому из предыдущих пунктов, отличающееся тем, что входное напряжение обратного смещения, подаваемое на СИД (30), такое, что оно формирует максимальный уровень отрицательной люминесценции в СИД при максимальной температуре выбранного интервала рабочих температур.
5. Устройство по любому из предыдущих пунктов, отличающееся тем, что светоизлучающий диод (30) испускает излучение в инфракрасном диапазоне длин волн в интервале 3-13 микрон.
6. Устройство по любому из предыдущих пунктов, отличающееся тем, что светоизлучающий диод (30) образован из узкозонного полупроводникового материала.
7. Датчик (40), включающий в себя устройство светоизлучающего диода ИК-диапазона по любому из предыдущих пунктов.
8. Датчик по п.7, в котором датчик представляет собой газовый датчик.
9. Способ приведения в действие светоизлучающего диода (СИД) (30) ИК-диапазона, который испускает положительную люминесценцию при напряжении прямого смещения и испускает отрицательную люминесценцию при напряжении обратного смещения, содержащий подачу чередующегося входного напряжения прямого (+v1) и обратного (-v2) смещения на светоизлучающий диод, отличающийся тем, что уровни напряжений прямого и обратного смещения выбирают так, чтобы изменение выходной мощности СИД при изменении температуры в случае уровня входного напряжения прямого смещения было по существу равно изменению выходной мощности СИД при изменении температуры в случае уровня входного напряжения обратного смещения и уравновешено им по выбранному интервалу температур, чтобы разность в выходной мощности между положительной люминесценцией и отрицательной люминесценцией светоизлучающего диода стабилизировалась относительно температуры.
10. Способ по п.9, отличающийся тем, что чередующееся входное напряжение прямого и обратного смещения чередуется с одинаковым интервалом.
11. Способ по одному из п.9 или 10, отличающийся тем, что период и величина входного напряжения прямого смещения по существу одинаковые в последовательных циклах положительной люминесценции и период и величина входного напряжения обратного смещения по существу одинаковые в последовательных циклах отрицательной люминесценции.
12. Способ по любому из пп.9-11, отличающийся тем, что входное напряжение обратного смещения, подводимое к СИД (30), такое, что оно формирует максимальный уровень отрицательной люминесценции в СИД при максимальной температуре в выбранном рабочем интервале температур.
13. Способ по любому из пп.9-12, отличающийся тем, что светоизлучающий диод (30) испускает излучение на инфракрасных длинах волн в диапазоне 3-13 микрон.
14. Способ по любому из пп.9-13, отличающийся тем, что минимальный уровень отрицательной люминесценции СИД используется в качестве базового уровня для измерений выходной мощности СИД.
15. Способ работы датчика (40), содержащего светоизлучающий диод (СИД) (30) ИК-диапазона, посредством приведения в действие СИД в соответствии со способом по любому из пп.9-14.
16. Способ по п.15, отличающийся тем, что датчик представляет собой газовый датчик.
RU2001103049/28A 1998-07-04 1999-07-02 Светоизлучающие диоды ик-диапазона RU2197770C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GBGB9814462.9A GB9814462D0 (en) 1998-07-04 1998-07-04 Infrared light emitting diodes
GB9814462.9 1998-07-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2197770C2 RU2197770C2 (ru) 2003-01-27
RU2001103049A true RU2001103049A (ru) 2004-03-20

Family

ID=10834915

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2001103049/28A RU2197770C2 (ru) 1998-07-04 1999-07-02 Светоизлучающие диоды ик-диапазона

Country Status (13)

Country Link
US (1) US6850013B1 (ru)
EP (1) EP1099257A1 (ru)
JP (1) JP2002520824A (ru)
KR (1) KR20010071735A (ru)
CN (1) CN1308777A (ru)
AU (1) AU760701B2 (ru)
CA (1) CA2336609A1 (ru)
GB (2) GB9814462D0 (ru)
NO (1) NO20010037L (ru)
PL (1) PL198169B1 (ru)
RU (1) RU2197770C2 (ru)
UA (1) UA57845C2 (ru)
WO (1) WO2000002263A1 (ru)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6995360B2 (en) 2003-05-23 2006-02-07 Schlumberger Technology Corporation Method and sensor for monitoring gas in a downhole environment
EP2219305B1 (en) * 2007-10-24 2018-11-07 Kabushiki Kaisha Audio-Technica Infrared transmitter
TWI427824B (zh) * 2008-03-14 2014-02-21 Asahi Kasei Emd Corp 紅外線發光元件
US9164178B2 (en) * 2009-02-26 2015-10-20 Thales-Raytheon Systems Company, LLC Transmitting location information of a beacon
DE102012007016B3 (de) * 2012-04-05 2013-10-10 Dräger Safety AG & Co. KGaA Optischer Gassensor
US9052069B2 (en) 2013-02-21 2015-06-09 Lockheed Martin Corporation System and method for providing LED tube lights with integrated sensors
US9528876B2 (en) * 2014-09-29 2016-12-27 Innovative Science Tools, Inc. Solid state broad band near-infrared light source
US10573782B2 (en) 2017-12-21 2020-02-25 Asahi Kasei Microdevices Corporation Infrared light emitting device
US11935973B2 (en) 2018-02-28 2024-03-19 Asahi Kasei Microdevices Corporation Infrared detecting device

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8417303D0 (en) * 1984-07-06 1984-08-08 Secr Defence Infra-red detector
US5214292A (en) * 1991-08-14 1993-05-25 Mission Research Corporation Dynamic infrared scene display
US5251225A (en) * 1992-05-08 1993-10-05 Massachusetts Institute Of Technology Quantum-well diode laser
US5625635A (en) * 1994-11-28 1997-04-29 Sandia Corporation Infrared emitting device and method
GB9519897D0 (en) * 1995-09-29 1995-11-29 Secr Defence Dynamic infrared scene projector

Also Published As

Publication number Publication date
EP1099257A1 (en) 2001-05-16
RU2197770C2 (ru) 2003-01-27
GB2358288A (en) 2001-07-18
PL198169B1 (pl) 2008-06-30
AU760701B2 (en) 2003-05-22
UA57845C2 (ru) 2003-07-15
GB2358288B (en) 2003-06-18
JP2002520824A (ja) 2002-07-09
PL345358A1 (en) 2001-12-17
CA2336609A1 (en) 2000-01-13
CN1308777A (zh) 2001-08-15
WO2000002263A1 (en) 2000-01-13
GB0029193D0 (en) 2001-01-17
NO20010037L (no) 2001-03-05
KR20010071735A (ko) 2001-07-31
US6850013B1 (en) 2005-02-01
GB9814462D0 (en) 1998-09-02
AU4633999A (en) 2000-01-24
NO20010037D0 (no) 2001-01-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69623285T2 (de) Oximeter mit lichtquelle und informationselement
US6611000B2 (en) Lighting device
US5590652A (en) Drive circuit for light-emitting diode in pulse oximeter
JP5550690B2 (ja) 較正機能付きled光モジュール
TW200627331A (en) Power supply for semiconductor light emitting element, and lighting apparatus
JP2001332764A5 (ru)
RU2622388C2 (ru) Самонастраивающийся драйвер освещения для возбуждения источников света и осветительное устройство, включающее в себя самонастраивающийся драйвер освещения
RU2001103049A (ru) Светоизлучающие диоды ик-диапазона
US20110156596A1 (en) Method and apparatus for controlling and measuring aspects of time-varying combined light
ATE309595T1 (de) Methode zur steuerung einer anzeige aus organischen leuchtdioden und anzeigevorrichtung, die zur ausführung dieser methode eingerichtet ist
ATE387832T1 (de) Led treiberschaltung mit pwm speisestrom
ATE388607T1 (de) Betriebsschaltung für eine led mit beleuchtungsstärkerückkopplung
KR101303367B1 (ko) 컬러 포인트 제어 시스템
TW200423433A (en) Sensing light emitted from multiple light sources
DK1934652T3 (da) Laserprojektionssystem baseret på en luminescensskærm
TWI257185B (en) Light emitting diode element and driving method thereof
TW200637028A (en) White light device having light-emitting diode
KR20160029344A (ko) 발광소자 구동회로 및 조명장치
TW200731866A (en) Lighting device
ATE385665T1 (de) Regelung der lichtintensität von leds hoher leistung mittels der eigenschaften des photoelektrischen effekts dieser leds
DE50203055D1 (de) Schaltkreis für Leuchtdioden mit temperaturabhängiger Stromregelung
RU2526043C2 (ru) Универсальный полупроводниковый прибор, модуль и способ функционирования
JP2005285527A (ja) Led式信号灯器
JP4988525B2 (ja) 発光ダイオード照明器具
Bliznikas et al. Solid-state lamp for the improvement of nutritional quality of leafy vegetables

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20030703