RU2001103049A - Светоизлучающие диоды ик-диапазона - Google Patents
Светоизлучающие диоды ик-диапазонаInfo
- Publication number
- RU2001103049A RU2001103049A RU2001103049/28A RU2001103049A RU2001103049A RU 2001103049 A RU2001103049 A RU 2001103049A RU 2001103049/28 A RU2001103049/28 A RU 2001103049/28A RU 2001103049 A RU2001103049 A RU 2001103049A RU 2001103049 A RU2001103049 A RU 2001103049A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- led
- luminescence
- emitting diode
- reverse bias
- voltage
- Prior art date
Links
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 9
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
- G01N21/3504—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light for analysing gases, e.g. multi-gas analysis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
- H01L33/002—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap
- H01L33/0025—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap comprising only AIIIBV compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Claims (16)
1. Устройство светоизлучающего диода (СИД), содержащее СИД (30) ИК-диапазона, который испускает положительную люминесценцию при напряжении прямого смещения и испускает отрицательную люминесценцию при напряжении обратного смещения, средство возбуждения для подачи напряжения чередующегося прямого и обратного смещения на СИД, отличающееся тем, что уровни напряжений прямого (+v1) и обратного (-v2) смещений, подаваемые средством возбуждения, устанавливают так, чтобы при уровне входного напряжения прямого смещения изменение выходной мощности СИД с изменением температуры оказалось по существу равным изменению выходной мощности СИД с изменением температуры при уровне входного напряжения обратного смещения и уравновешивалось им по всему выбранному интервалу температур, чтобы разность в выходной мощности между положительной люминесценцией и отрицательной люминесценцией светоизлучающего диода стабилизировалась относительно температуры.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что входное напряжение чередующегося прямого и обратного смещения чередуется с одинаковым интервалом.
3. Устройство по одному из п.1 или 2, отличающееся тем, что период и величина входного напряжения прямого смещения по существу одинаковые в последовательных циклах положительной люминесценции и период и величина входного напряжения обратного смещения по существу одинаковые в последовательных циклах отрицательной люминесценции.
4. Устройство по любому из предыдущих пунктов, отличающееся тем, что входное напряжение обратного смещения, подаваемое на СИД (30), такое, что оно формирует максимальный уровень отрицательной люминесценции в СИД при максимальной температуре выбранного интервала рабочих температур.
5. Устройство по любому из предыдущих пунктов, отличающееся тем, что светоизлучающий диод (30) испускает излучение в инфракрасном диапазоне длин волн в интервале 3-13 микрон.
6. Устройство по любому из предыдущих пунктов, отличающееся тем, что светоизлучающий диод (30) образован из узкозонного полупроводникового материала.
7. Датчик (40), включающий в себя устройство светоизлучающего диода ИК-диапазона по любому из предыдущих пунктов.
8. Датчик по п.7, в котором датчик представляет собой газовый датчик.
9. Способ приведения в действие светоизлучающего диода (СИД) (30) ИК-диапазона, который испускает положительную люминесценцию при напряжении прямого смещения и испускает отрицательную люминесценцию при напряжении обратного смещения, содержащий подачу чередующегося входного напряжения прямого (+v1) и обратного (-v2) смещения на светоизлучающий диод, отличающийся тем, что уровни напряжений прямого и обратного смещения выбирают так, чтобы изменение выходной мощности СИД при изменении температуры в случае уровня входного напряжения прямого смещения было по существу равно изменению выходной мощности СИД при изменении температуры в случае уровня входного напряжения обратного смещения и уравновешено им по выбранному интервалу температур, чтобы разность в выходной мощности между положительной люминесценцией и отрицательной люминесценцией светоизлучающего диода стабилизировалась относительно температуры.
10. Способ по п.9, отличающийся тем, что чередующееся входное напряжение прямого и обратного смещения чередуется с одинаковым интервалом.
11. Способ по одному из п.9 или 10, отличающийся тем, что период и величина входного напряжения прямого смещения по существу одинаковые в последовательных циклах положительной люминесценции и период и величина входного напряжения обратного смещения по существу одинаковые в последовательных циклах отрицательной люминесценции.
12. Способ по любому из пп.9-11, отличающийся тем, что входное напряжение обратного смещения, подводимое к СИД (30), такое, что оно формирует максимальный уровень отрицательной люминесценции в СИД при максимальной температуре в выбранном рабочем интервале температур.
13. Способ по любому из пп.9-12, отличающийся тем, что светоизлучающий диод (30) испускает излучение на инфракрасных длинах волн в диапазоне 3-13 микрон.
14. Способ по любому из пп.9-13, отличающийся тем, что минимальный уровень отрицательной люминесценции СИД используется в качестве базового уровня для измерений выходной мощности СИД.
15. Способ работы датчика (40), содержащего светоизлучающий диод (СИД) (30) ИК-диапазона, посредством приведения в действие СИД в соответствии со способом по любому из пп.9-14.
16. Способ по п.15, отличающийся тем, что датчик представляет собой газовый датчик.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GBGB9814462.9A GB9814462D0 (en) | 1998-07-04 | 1998-07-04 | Infrared light emitting diodes |
GB9814462.9 | 1998-07-04 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2197770C2 RU2197770C2 (ru) | 2003-01-27 |
RU2001103049A true RU2001103049A (ru) | 2004-03-20 |
Family
ID=10834915
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2001103049/28A RU2197770C2 (ru) | 1998-07-04 | 1999-07-02 | Светоизлучающие диоды ик-диапазона |
Country Status (13)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6850013B1 (ru) |
EP (1) | EP1099257A1 (ru) |
JP (1) | JP2002520824A (ru) |
KR (1) | KR20010071735A (ru) |
CN (1) | CN1308777A (ru) |
AU (1) | AU760701B2 (ru) |
CA (1) | CA2336609A1 (ru) |
GB (2) | GB9814462D0 (ru) |
NO (1) | NO20010037L (ru) |
PL (1) | PL198169B1 (ru) |
RU (1) | RU2197770C2 (ru) |
UA (1) | UA57845C2 (ru) |
WO (1) | WO2000002263A1 (ru) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6995360B2 (en) | 2003-05-23 | 2006-02-07 | Schlumberger Technology Corporation | Method and sensor for monitoring gas in a downhole environment |
EP2219305B1 (en) * | 2007-10-24 | 2018-11-07 | Kabushiki Kaisha Audio-Technica | Infrared transmitter |
TWI427824B (zh) * | 2008-03-14 | 2014-02-21 | Asahi Kasei Emd Corp | 紅外線發光元件 |
US9164178B2 (en) * | 2009-02-26 | 2015-10-20 | Thales-Raytheon Systems Company, LLC | Transmitting location information of a beacon |
DE102012007016B3 (de) * | 2012-04-05 | 2013-10-10 | Dräger Safety AG & Co. KGaA | Optischer Gassensor |
US9052069B2 (en) | 2013-02-21 | 2015-06-09 | Lockheed Martin Corporation | System and method for providing LED tube lights with integrated sensors |
US9528876B2 (en) * | 2014-09-29 | 2016-12-27 | Innovative Science Tools, Inc. | Solid state broad band near-infrared light source |
US10573782B2 (en) | 2017-12-21 | 2020-02-25 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Infrared light emitting device |
US11935973B2 (en) | 2018-02-28 | 2024-03-19 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Infrared detecting device |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB8417303D0 (en) * | 1984-07-06 | 1984-08-08 | Secr Defence | Infra-red detector |
US5214292A (en) * | 1991-08-14 | 1993-05-25 | Mission Research Corporation | Dynamic infrared scene display |
US5251225A (en) * | 1992-05-08 | 1993-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Quantum-well diode laser |
US5625635A (en) * | 1994-11-28 | 1997-04-29 | Sandia Corporation | Infrared emitting device and method |
GB9519897D0 (en) * | 1995-09-29 | 1995-11-29 | Secr Defence | Dynamic infrared scene projector |
-
1998
- 1998-07-04 GB GBGB9814462.9A patent/GB9814462D0/en not_active Ceased
-
1999
- 1999-02-07 UA UA2001020774A patent/UA57845C2/ru unknown
- 1999-07-02 PL PL345358A patent/PL198169B1/pl not_active IP Right Cessation
- 1999-07-02 CA CA002336609A patent/CA2336609A1/en not_active Abandoned
- 1999-07-02 JP JP2000558567A patent/JP2002520824A/ja active Pending
- 1999-07-02 CN CN99808251A patent/CN1308777A/zh active Pending
- 1999-07-02 WO PCT/GB1999/002117 patent/WO2000002263A1/en not_active Application Discontinuation
- 1999-07-02 EP EP99929550A patent/EP1099257A1/en not_active Ceased
- 1999-07-02 RU RU2001103049/28A patent/RU2197770C2/ru not_active IP Right Cessation
- 1999-07-02 AU AU46339/99A patent/AU760701B2/en not_active Ceased
- 1999-07-02 GB GB0029193A patent/GB2358288B/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-07-02 US US09/743,039 patent/US6850013B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-07-02 KR KR1020017000101A patent/KR20010071735A/ko not_active Application Discontinuation
-
2001
- 2001-01-03 NO NO20010037A patent/NO20010037L/no unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1099257A1 (en) | 2001-05-16 |
RU2197770C2 (ru) | 2003-01-27 |
GB2358288A (en) | 2001-07-18 |
PL198169B1 (pl) | 2008-06-30 |
AU760701B2 (en) | 2003-05-22 |
UA57845C2 (ru) | 2003-07-15 |
GB2358288B (en) | 2003-06-18 |
JP2002520824A (ja) | 2002-07-09 |
PL345358A1 (en) | 2001-12-17 |
CA2336609A1 (en) | 2000-01-13 |
CN1308777A (zh) | 2001-08-15 |
WO2000002263A1 (en) | 2000-01-13 |
GB0029193D0 (en) | 2001-01-17 |
NO20010037L (no) | 2001-03-05 |
KR20010071735A (ko) | 2001-07-31 |
US6850013B1 (en) | 2005-02-01 |
GB9814462D0 (en) | 1998-09-02 |
AU4633999A (en) | 2000-01-24 |
NO20010037D0 (no) | 2001-01-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69623285T2 (de) | Oximeter mit lichtquelle und informationselement | |
US6611000B2 (en) | Lighting device | |
US5590652A (en) | Drive circuit for light-emitting diode in pulse oximeter | |
JP5550690B2 (ja) | 較正機能付きled光モジュール | |
TW200627331A (en) | Power supply for semiconductor light emitting element, and lighting apparatus | |
JP2001332764A5 (ru) | ||
RU2622388C2 (ru) | Самонастраивающийся драйвер освещения для возбуждения источников света и осветительное устройство, включающее в себя самонастраивающийся драйвер освещения | |
RU2001103049A (ru) | Светоизлучающие диоды ик-диапазона | |
US20110156596A1 (en) | Method and apparatus for controlling and measuring aspects of time-varying combined light | |
ATE309595T1 (de) | Methode zur steuerung einer anzeige aus organischen leuchtdioden und anzeigevorrichtung, die zur ausführung dieser methode eingerichtet ist | |
ATE387832T1 (de) | Led treiberschaltung mit pwm speisestrom | |
ATE388607T1 (de) | Betriebsschaltung für eine led mit beleuchtungsstärkerückkopplung | |
KR101303367B1 (ko) | 컬러 포인트 제어 시스템 | |
TW200423433A (en) | Sensing light emitted from multiple light sources | |
DK1934652T3 (da) | Laserprojektionssystem baseret på en luminescensskærm | |
TWI257185B (en) | Light emitting diode element and driving method thereof | |
TW200637028A (en) | White light device having light-emitting diode | |
KR20160029344A (ko) | 발광소자 구동회로 및 조명장치 | |
TW200731866A (en) | Lighting device | |
ATE385665T1 (de) | Regelung der lichtintensität von leds hoher leistung mittels der eigenschaften des photoelektrischen effekts dieser leds | |
DE50203055D1 (de) | Schaltkreis für Leuchtdioden mit temperaturabhängiger Stromregelung | |
RU2526043C2 (ru) | Универсальный полупроводниковый прибор, модуль и способ функционирования | |
JP2005285527A (ja) | Led式信号灯器 | |
JP4988525B2 (ja) | 発光ダイオード照明器具 | |
Bliznikas et al. | Solid-state lamp for the improvement of nutritional quality of leafy vegetables |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20030703 |