Claims (50)
1. Устройство с электронной проводимостью, содержащее элемент, имеющий первую и вторую поверхности, и включающий в себя слой материала, разделяющий первую и вторую поверхности, при этом первая и вторая поверхности выполнены с возможностью несения первого и второго электрического заряда соответственно, средство формирования электрического поля, направленного поперек, по меньшей мере, части элемента, содержащее средство формирования первого электрического заряда на первой поверхности элемента и средство формирования второго электрического заряда на второй поверхности элемента, причем второй электрический заряд отличается от первого электрического заряда с целью перемещения совокупности электронов через элемент в направлении, практически перпендикулярном первой или второй поверхности, отличающееся тем, что слой материала разделяющий первую и вторую поверхности подготовлен с возможностью снижения рассеяния электронов в указанном слое за счет того, что является монокристаллическим материалом, имеющим заданную кристаллографическую ориентацию, перпендикулярную к первой или второй поверхности, и за счет того, что концентрация примесей в нем составляет менее 1014 см-3, и толщина слоя материала в направлении, по меньшей мере, приблизительно перпендикулярном первой или второй поверхности, больше или равна 0,2 мкм.1. A device with electronic conductivity containing an element having a first and second surface, and including a layer of material separating the first and second surfaces, while the first and second surfaces are configured to carry the first and second electric charge, respectively, means for generating an electric field directed across at least a portion of the element, comprising means for generating a first electric charge on a first surface of the element and means for forming a second electric charge on the second surface of the element, the second electric charge being different from the first electric charge in order to move the collection of electrons through the element in a direction almost perpendicular to the first or second surface, characterized in that the layer of material separating the first and second surfaces is prepared to reduce electron scattering in the specified layer due to the fact that it is a single-crystal material having a given crystallographic orientation perpendicular to ervoy or second surface, and due to the fact that the concentration of impurities therein is less than 10 14 cm -3, and the thickness of the material layer in a direction at least approximately perpendicular to the first or the second surface, is greater than or equal to 0.2 microns.
2. Устройство с электронной проводимостью по п. 1, в котором слой материала включает в себя полупроводниковый материал, в частности, кремний, германий, карбид кремния, арсенид галлия, фосфид индия, антимонид индия, арсенид индия, арсенид алюминия, теллурид цинка или нитрид кремния, а также любую их комбинацию. 2. The electronic conductivity device according to claim 1, wherein the material layer includes a semiconductor material, in particular silicon, germanium, silicon carbide, gallium arsenide, indium phosphide, indium antimonide, indium arsenide, aluminum arsenide, zinc telluride or nitride silicon, as well as any combination thereof.
3. Устройство с электронной проводимостью по п. 1 или 2, в котором подготовка слоя материала включает в себя легирование слоя материала легирующим материалом с целью получения заданной концентрации примеси. 3. The device with electronic conductivity according to claim 1 or 2, in which the preparation of the material layer includes alloying the material layer with the alloying material in order to obtain a given impurity concentration.
4. Устройство с электронной проводимостью по п. 3, в котором легирующий материал включает в себя фосфор, литий, сурьму, мышьяк, бор, алюминий, тантал, галлий, индий, висмут, кремний, германий, серу, олово, теллур, селен, углерод, бериллий, магний, цинк или кадмий, а также любую их комбинацию. 4. The device with electronic conductivity according to claim 3, in which the alloying material includes phosphorus, lithium, antimony, arsenic, boron, aluminum, tantalum, gallium, indium, bismuth, silicon, germanium, sulfur, tin, tellurium, selenium, carbon, beryllium, magnesium, zinc or cadmium, as well as any combination thereof.
5. Устройство с электронной проводимостью по любому из пп. 1-4, в котором средство формирования первого электрического заряда на первой поверхности включает в себя, по меньшей мере, частично проводящий первый материал или набор материалов. 5. A device with electronic conductivity according to any one of paragraphs. 1-4, in which the means of forming the first electric charge on the first surface includes at least partially conductive first material or a set of materials.
6. Устройство с электронной проводимостью по любому из пп. 1-5, в котором средство формирования второго электрического заряда на второй поверхности включает в себя, по меньшей мере, частично проводящий второй материал или набор материалов. 6. A device with electronic conductivity according to any one of paragraphs. 1-5, in which the means of forming a second electric charge on the second surface includes at least partially conductive second material or a set of materials.
7. Устройство с электронной проводимостью по п. 6, в котором по меньшей мере, частично проводящий первый материал или набор материалов образует слой, имеющий первую и вторую поверхности, причем вторая поверхность в ходе эксплуатации подключается к первой клемме накопителя заряда, и первая поверхность находится в непосредственном соприкосновении с первой поверхностью слоя материала элемента. 7. The device with electronic conductivity according to claim 6, wherein the at least partially conductive first material or set of materials forms a layer having first and second surfaces, the second surface being connected to the first terminal of the charge storage device during operation, and the first surface is in direct contact with the first surface of the layer of material of the element.
8. Устройство с электронной проводимостью по п. 7, в котором по меньшей мере, частично проводящий второй материал или набор материалов образует слой, имеющий первую и вторую поверхности, причем первая поверхность в ходе эксплуатации подключается ко второй клемме накопителя заряда, а вторая поверхность находится в непосредственном соприкосновении со второй поверхностью слоя материала элемента. 8. The device with electronic conductivity according to claim 7, wherein the at least partially conductive second material or set of materials forms a layer having a first and second surface, the first surface being connected to the second terminal of the charge storage device during operation and the second surface being in direct contact with the second surface of the layer of material of the element.
9. Устройство с электронной проводимостью по любому из пп. 6-8, в котором по меньшей мере, частично проводящие первый и второй материалы или наборы материалов включают в себя металл или высоколегированный полупроводниковый материал, степень легирования которого превышает 1•1017 см-3.9. A device with electronic conductivity according to any one of paragraphs. 6-8, in which at least partially conductive first and second materials or sets of materials include metal or highly alloyed semiconductor material, the degree of alloying of which exceeds 1 • 10 17 cm -3 .
10. Устройство с электронной проводимостью по п. 9, в котором по меньшей мере, частично проводящие первый и второй материалы или наборы материалов включают в себя золото, хром, платину, алюминий, медь, цезий, рубидий, стронций, индий, празеодим, самарий, иттербий, франций или европий, а также любую их комбинацию. 10. The device with electronic conductivity according to claim 9, in which at least partially conductive first and second materials or sets of materials include gold, chromium, platinum, aluminum, copper, cesium, rubidium, strontium, indium, praseodymium, samarium , ytterbium, france or europium, as well as any combination thereof.
11. Устройство с электронной проводимостью по любому из пп. 1-10, в котором электроны проводимости включают в себя квазибаллистические электроны. 11. A device with electronic conductivity according to any one of paragraphs. 1-10, in which conduction electrons include quasiballistic electrons.
12. Устройство с электронной проводимостью по любому из пп. 1-11, в котором концентрация примеси в слое материала составляет менее 1013 см-3 или менее, 1012 см-3.12. A device with electronic conductivity according to any one of paragraphs. 1-11, in which the concentration of impurities in the layer of material is less than 10 13 cm -3 or less, 10 12 cm -3 .
13. Электронный эмиттер, включающий в себя устройство с электронной проводимостью по любому из предшествующих пунктов, в котором средство подачи второго электрического заряда на вторую поверхность выполнено с возможностью пропуска по меньшей мере, части электронов, прошедших через слой материала. 13. An electronic emitter, including a device with electronic conductivity according to any one of the preceding paragraphs, in which the means for supplying a second electric charge to the second surface is configured to pass at least a portion of the electrons transmitted through the material layer.
14. Электронный эмиттер по п. 13, в котором средство подачи второго электрического заряда на вторую поверхность содержит тонкопленочный слой, выполненный с возможностью пропускания по меньшей мере, части электронов, прошедших через слой материала. 14. The electronic emitter of claim 13, wherein the means for supplying the second electric charge to the second surface comprises a thin film layer configured to transmit at least a portion of the electrons transmitted through the material layer.
15. Способ переноса электронов, согласно которому формируют элемент, имеющий первую и вторую поверхности, в котором первая и вторая поверхности выполнены с возможностью несения первого и второго электрического заряда, соответственно, причем первая поверхность практически параллельна второй поверхности, причем указанный элемент включает в себя слой монокристаллического материала, толщина которого в направлении, по меньшей мере, приблизительно перпендикулярном первой или второй поверхности, больше или равна 0,2 мкм, а слой материала подготовлен с целью обеспечения траекторий для баллистического или квазибаллистического переноса электронов в слое материала за счет того, что заданная кристаллографическая ориентация перпендикулярна первой или второй поверхности, и слой материала подготовлен с целью снижения рассеяния электронов в слое материала за счет того, что концентрация примеси в нем составляет менее 1014 см-3, формируют первый электрический заряд на первой поверхности элемента, формируют второй электрический заряд на второй поверхности элемента, причем второй электрический заряд отличается от первого электрического заряда с целью создания электрического поля в материале или наборе материалов, и осуществляют перенос совокупности электронов через слой материала по баллистическим или квазибаллистическим траекториям в направлении, практически перпендикулярном первой или второй поверхности.15. The method of electron transfer, according to which an element is formed having a first and second surface, in which the first and second surfaces are configured to carry the first and second electric charge, respectively, the first surface being substantially parallel to the second surface, said element including a layer monocrystalline material, the thickness of which in the direction of at least approximately perpendicular to the first or second surface is greater than or equal to 0.2 μm, and the layer of material is made in order to provide trajectories for ballistic or quasi-ballistic electron transfer in the material layer due to the fact that the given crystallographic orientation is perpendicular to the first or second surface, and the material layer is prepared to reduce electron scattering in the material layer due to the fact that the impurity concentration in it is less than 10 14 cm- 3 , form the first electric charge on the first surface of the element, form the second electric charge on the second surface of the element, and the second ele the ctric charge differs from the first electric charge in order to create an electric field in the material or set of materials, and carry out the transfer of electrons through the material layer along ballistic or quasi-ballistic trajectories in a direction almost perpendicular to the first or second surface.
16. Способ по п. 17, согласно которому слой материала включает в себя полупроводниковый материал, например, кремний, германий, карбид кремния, арсенид галлия, фосфид индия, антимонид индия, арсенид индия, арсенид алюминия, теллурид цинка или нитрид кремния, а также любую их комбинацию. 16. The method according to p. 17, according to which the material layer includes a semiconductor material, for example, silicon, germanium, silicon carbide, gallium arsenide, indium phosphide, indium antimonide, indium arsenide, aluminum arsenide, zinc telluride or silicon nitride, and any combination of them.
17. Способ по п. 15 или 16, согласно которому подготовка слоя материала включает в себя легирование слоя материала легирующим материалом с целью получения заданной концентрации примеси. 17. The method according to p. 15 or 16, according to which the preparation of the material layer includes alloying the material layer with the alloying material in order to obtain a given concentration of impurities.
18. Способ по п. 17, согласно которому легирующий материал включает в себя фосфор, литий, сурьму, мышьяк, бор, алюминий, тантал, галлий, индий, висмут, кремний, германий, серу, олово, теллур, селен, углерод, бериллий, магний, цинк или кадмий, а также любую их комбинацию. 18. The method according to p. 17, according to which the alloying material includes phosphorus, lithium, antimony, arsenic, boron, aluminum, tantalum, gallium, indium, bismuth, silicon, germanium, sulfur, tin, tellurium, selenium, carbon, beryllium , magnesium, zinc or cadmium, as well as any combination thereof.
19. Способ по п. 17, согласно которому заданная степень легирования составляет менее 1•1018 см-3, например, менее 1•1016 см-3, например, менее 1•1014 см-3, например, менее 1•1013 см-3, например, менее 1•1012 см-3.19. The method according to p. 17, according to which the specified degree of doping is less than 1 • 10 18 cm -3 , for example, less than 1 • 10 16 cm -3 , for example, less than 1 • 10 14 cm -3 , for example, less than 1 • 10 13 cm -3 , for example, less than 1 • 10 12 cm -3 .
20. Способ по любому из пп. 15-19, согласно которому средство формирования первого электрического заряда на первой поверхности включает в себя, по меньшей мере, частично проводящий первый материал или комплекс материалов. 20. The method according to any one of paragraphs. 15-19, according to which the means for generating the first electric charge on the first surface includes at least partially conductive first material or a complex of materials.
21. Способ по любому из пп. 16-20, согласно которому средство формирования второго электрического заряда на второй поверхности включает в себя, по меньшей мере, частично проводящий второй материал или набор материалов. 21. The method according to any one of paragraphs. 16-20, according to which the means for generating a second electric charge on the second surface includes at least partially conductive second material or a set of materials.
22. Способ по п. 20, согласно которому по меньшей мере, частично проводящий первый материал или набор материалов образует слой, имеющий первую и вторую поверхность, причем вторая поверхность в ходе эксплуатации подключается к первой клемме накопителя заряда, а первая поверхность находится в непосредственном соприкосновении с первой поверхностью слоя материала элемента. 22. The method according to p. 20, according to which at least partially conductive first material or set of materials forms a layer having a first and second surface, the second surface during operation being connected to the first terminal of the charge storage device, and the first surface is in direct contact with the first surface of the layer of material of the element.
23. Способ по п. 21, согласно которому по меньшей мере, частично проводящий второй материал или набор материалов образует слой, имеющий первую и вторую поверхность, причем первая поверхность в ходе эксплуатации подключается ко второй клемме накопителя заряда, а вторая поверхность находится в непосредственном соприкосновении со второй поверхностью слоя материала элемента. 23. The method of claim 21, wherein the at least partially conductive second material or set of materials forms a layer having a first and second surface, the first surface being connected to the second terminal of the charge storage device during operation, and the second surface being in direct contact with the second surface of the layer of material of the element.
24. Способ по п. 22 или 23, согласно которому разность потенциалов между первой и второй клеммами накопителя заряда превышает 2 вольта. 24. The method according to p. 22 or 23, according to which the potential difference between the first and second terminals of the charge storage device exceeds 2 volts.
25. Способ по любому из пп. 20-23, согласно которому по меньшей мере, частично проводящие первый и второй материалы или наборы материалов включают в себя металл или высоколегированный полупроводниковый материал, степень легирования которого превышает 1х1017 см-3.25. The method according to any one of paragraphs. 20-23, according to which at least partially conductive first and second materials or sets of materials include metal or highly alloyed semiconductor material, the degree of doping of which exceeds 1x10 17 cm -3 .
26. Способ по п. 25, согласно которому по меньшей мере, частично проводящие первый и второй материалы или наборы материалов включают в себя золото, хром, платину, алюминий, медь, цезий, рубидий, стронций, индий, празеодим, самарий, иттербий, франций или европий, а также любую их комбинацию. 26. The method of claim 25, wherein the at least partially conductive first and second materials or sets of materials include gold, chromium, platinum, aluminum, copper, cesium, rubidium, strontium, indium, praseodymium, samarium, ytterbium, France or Europium, as well as any combination thereof.
27. Способ по любому из пп. 15-26, согласно которому концентрация примеси в слое материала составляет менее 1013 см-3 или менее 1012 см-3.27. The method according to any one of paragraphs. 15-26, according to which the concentration of impurities in the layer of material is less than 10 13 cm -3 or less than 10 12 cm -3 .
28. Способ изготовления устройства с электронной проводимостью, согласно которому формируют слой полупроводникового материала, имеющий первую поверхность и вторую поверхность, практически параллельную первой поверхности, причем толщина слоя полупроводникового материала в направлении, по меньшей мере, приблизительно перпендикулярном первой или второй поверхности, равна 0,2 мкм или более, и слой материала подготовлен с целью обеспечения траекторий для баллистического или квазибаллистического переноса электронов в слое материала за счет того, что заданная кристаллографическая ориентация перпендикулярна первой или второй поверхности, и материал подготовлен с целью снижения рассеяния электронов в слое материала за счет того, что концентрация примеси в нем составляет менее 1014 см-3, и осуществляют поверхностную обработку первой и второй поверхностей с целью сглаживания поверхностных неровностей, формируют, по меньшей мере, частично проводящий первый материал или набор материалов, образующих слой, имеющий первую и вторую поверхность, причем вторая поверхность в ходе эксплуатации подключается к первой клемме накопителя заряда, а первая поверхность находится в непосредственном соприкосновении с первой поверхностью слоя материала элемента, и формируют, по меньшей мере, частично проводящий второй материал или набор материалов, образующих слой, имеющий первую и вторую поверхность, причем первая поверхность в ходе эксплуатации подключается ко второй клемме накопителя заряда, а вторая поверхность находится в непосредственном соприкосновении со второй поверхностью слоя материала элемента.28. A method of manufacturing a device with electronic conductivity, according to which a layer of semiconductor material is formed having a first surface and a second surface substantially parallel to the first surface, wherein the layer thickness of the semiconductor material in a direction at least approximately perpendicular to the first or second surface is 0, 2 μm or more, and the material layer is prepared to provide trajectories for ballistic or quasi-ballistic electron transfer in the material layer at the expense of the fact that the specified crystallographic orientation is perpendicular to the first or second surface, and the material is prepared to reduce electron scattering in the material layer due to the fact that the impurity concentration in it is less than 10 14 cm -3 , and surface treatment of the first and second surfaces with the purpose of smoothing surface irregularities, form at least partially conductive first material or a set of materials forming a layer having a first and second surface, the second surface during the plating is connected to the first terminal of the charge storage device, and the first surface is in direct contact with the first surface of the layer of material of the element, and form at least partially conductive second material or a set of materials forming a layer having a first and second surface, the first surface being during operation it is connected to the second terminal of the charge storage device, and the second surface is in direct contact with the second surface of the element material layer.
29. Способ по п. 28, согласно которому полупроводниковый материал включает в себя кремний, германий, карбид кремния, арсенид галлия, фосфид индия, антимонид индия, арсенид индия, арсенид алюминия, теллурид цинка или нитрид кремния, а также любую их комбинацию. 29. The method of claim 28, wherein the semiconductor material includes silicon, germanium, silicon carbide, gallium arsenide, indium phosphide, indium antimonide, indium arsenide, aluminum arsenide, zinc telluride or silicon nitride, as well as any combination thereof.
30. Способ по п. 28 или 29, согласно которому заданная кристаллографическая ориентация является направлением <111>, <110> или <100>. 30. The method according to p. 28 or 29, according to which the specified crystallographic orientation is the direction <111>, <110> or <100>.
31. Способ по любому из пп. 28-30, согласно которому поверхностная обработка включает в себя оптическое полирование. 31. The method according to any one of paragraphs. 28-30, according to which the surface treatment includes optical polishing.
32. Способ по любому из пп. 28-31, дополнительно производят легирование слоя материала легирующим материалом с целью получения заданной концентрации примеси. 32. The method according to any one of paragraphs. 28-31, additionally doping the material layer with the alloying material in order to obtain a given concentration of impurities.
33. Способ по п. 32, согласно которому легирующий материал включает в себя один или несколько материалов из группы, которую составляют кремний, германий, карбид кремния, арсенид галлия, фосфид индия, антимонид индия, арсенид индия, арсенид алюминия, теллурид цинка или нитрид кремния. 33. The method according to p. 32, according to which the alloying material includes one or more materials from the group consisting of silicon, germanium, silicon carbide, gallium arsenide, indium phosphide, indium antimonide, indium arsenide, aluminum arsenide, zinc telluride or nitride silicon.
34. Способ по любому из пп. 28-33, согласно которому по меньшей мере, частично проводящие первый и второй материалы или наборы материалов включают в себя металл или высоколегированный полупроводниковый материал, степень легирования которого превышает 1•1017 см-3.34. The method according to any one of paragraphs. 28-33, according to which at least partially conductive first and second materials or sets of materials include metal or a highly alloyed semiconductor material, the degree of doping of which exceeds 1 • 10 17 cm -3 .
35. Способ по п. 34, согласно которому по меньшей мере, частично проводящие первый и второй материалы или комплексы материалов включают в себя золото, платину, хром, алюминий или медь, а также любую их комбинацию. 35. The method according to p. 34, according to which at least partially conductive first and second materials or complexes of materials include gold, platinum, chromium, aluminum or copper, as well as any combination thereof.
36. Способ по любому из пп. 28-35, согласно которому концентрация примеси в слое материала составляет менее 1013 см-3 или менее 1012 см-3.36. The method according to any one of paragraphs. 28-35, according to which the concentration of impurities in the layer of material is less than 10 13 cm -3 or less than 10 12 cm -3 .
37. Экранный дисплей, включающий в себя электронный эмиттер, светоизлучающий слой, предназначенный для излучения света, характеризующегося совокупностью длин волны, при облучении его электронами, причем упомянутый светоизлучающий слой образует в плоскости, практически параллельной первой и второй поверхностям элемента, двухмерную матрицу, имеющую один или несколько поверхностных элементов, каждый из которых предназначен для излучения света заданной длины волны, и средство избирательного облучения электронами одного или нескольких поверхностных элементов двухмерной матрицы. 37. The screen display, which includes an electronic emitter, a light emitting layer, designed to emit light characterized by a combination of wavelengths when irradiated with electrons, said light emitting layer forming, in a plane substantially parallel to the first and second surfaces of the element, a two-dimensional matrix having one or several surface elements, each of which is designed to emit light of a given wavelength, and a means of selective irradiation by electrons of one or more of surface elements of a two-dimensional matrix.
38. Экранный дисплей по п. 37, в котором светоизлучающий слой для излучения совокупности длин волны включает в себя соответствующие люминофоры или стандартные телевизионные цветные люминофоры. 38. The screen display of claim 37, wherein the light emitting layer for emitting a plurality of wavelengths includes respective phosphors or standard television color phosphors.
39. Экранный дисплей по п. 37 или 38, в котором излучаемый свет включает в себя, по меньшей мере, три длины волны, соответствующие, по меньшей мере, трем цветам. 39. The screen display of claim 37 or 38, wherein the emitted light includes at least three wavelengths corresponding to at least three colors.
40. Экранный дисплей по п. 39, в котором любой цвет можно получить, комбинируя, по меньшей мере, три цвета, излучаемых слоем. 40. The screen display of claim 39, wherein any color can be obtained by combining at least three colors emitted by the layer.
41. Экранный дисплей по любому из пп. 37-40, в котором излучаемые длины волны соответствуют красному, желтому и синему цветам или красному, зеленому и синему цветам. 41. The screen display according to any one of paragraphs. 37-40, in which the emitted wavelengths correspond to red, yellow and blue or red, green and blue.
42. Экранный дисплей по любому из пп. 37-41, в котором электроны включают в себя квазибаллистические электроны. 42. The screen display according to any one of paragraphs. 37-41, in which the electrons include quasiballistic electrons.
43. Экранный дисплей по любому из пп. 37-42, в котором средство выбора может включать в себя структуру, задающую в плоскости, практически параллельной первой или второй поверхности, двухмерную матрицу электрически управляемых элементов матрицы, причем упомянутая структура образована, по меньшей мере, частично проводящим материалом или набором материалов. 43. The screen display according to any one of paragraphs. 37-42, in which the selection means may include a structure defining, in a plane substantially parallel to the first or second surface, a two-dimensional matrix of electrically controlled matrix elements, said structure being formed at least partially by a conductive material or a set of materials.
44. Способ облучения пленки совокупностью электронов, согласно которому формируют электронный эмиттер, формируют второй элемент, предназначенный для размещения пленки, подлежащей облучению электронами, эмитируемыми электронным эмиттером, размещают структурированный поглощающий слой между первым и вторым элементами, причем упомянутый поглощающий слой предназначен для поглощения электронов, эмитированных электронным эмиттером, в позициях, задаваемых структурой, формируют первый электрический заряд на первой поверхности слоя материала электронного эмиттера, формируют второй электрический заряд на второй поверхности слоя материала электронного эмиттера, причем второй электрический заряд противоположен по знаку первому электрическому заряду, с целью перемещения электронов от первой поверхности ко второй поверхности, и облучают пленки второго элемента по меньшей мере, частью электронов, эмитированных электронным эмиттером, которая не поглощена структурированным поглощающим слоем. 44. A method for irradiating a film with a plurality of electrons, according to which an electronic emitter is formed, a second element is formed for placing a film to be irradiated with electrons emitted by an electronic emitter, a structured absorption layer is placed between the first and second elements, said absorption layer being used to absorb electrons, emitted by an electronic emitter, in the positions specified by the structure, the first electric charge is formed on the first surface of the material layer la electronic emitter, form a second electric charge on the second surface of the layer of material of the electronic emitter, and the second electric charge is opposite in sign to the first electric charge, in order to move electrons from the first surface to the second surface, and irradiate the films of the second element with at least some of the electrons, emitted by an electronic emitter that is not absorbed by a structured absorption layer.
45. Способ по п. 44, согласно которому первый электрический заряд поступает на первую поверхность слоя материала электронного эмиттера с первой клеммы накопителя заряда. 45. The method according to p. 44, according to which the first electric charge enters the first surface of the material layer of the electronic emitter from the first terminal of the charge storage device.
46. Способ по п. 44 или 45, согласно которому второй электрический заряд поступает на вторую поверхность слоя материала электронного эмиттера со второй клеммы накопителя заряда. 46. The method according to p. 44 or 45, according to which the second electric charge enters the second surface of the material layer of the electronic emitter from the second terminal of the charge storage device.
47. Способ по п. 45, согласно которому разность потенциалов между первой и второй клеммами накопителя заряда превышает 2 В. 47. The method according to p. 45, according to which the potential difference between the first and second terminals of the charge storage device exceeds 2 V.
48. Способ по любому из пп. 44-47, согласно которому второй элемент состоит из металла или полупроводникового материала в частности, кремния, германия, карбида кремния, арсенида галлия, фосфида индия, антимонида индия, арсенида индия, арсенида алюминия, теллурида цинка или нитрида кремния, а также любой их комбинации. 48. The method according to any one of paragraphs. 44-47, according to which the second element consists of a metal or semiconductor material, in particular, silicon, germanium, silicon carbide, gallium arsenide, indium phosphide, indium antimonide, indium arsenide, aluminum arsenide, zinc telluride or silicon nitride, as well as any combination thereof .
49. Способ по любому из пп. 44-48, согласно которому пленка включает в себя резист. 49. The method according to any one of paragraphs. 44-48, according to which the film includes a resist.
50. Способ по любому из пп. 44-49, согласно которому электроны, эмитированные электронным эмиттером, включают в себя электроны, которые проявляли квазибаллистические свойства в слое материала электронного эмиттера. 50. The method according to any one of paragraphs. 44-49, according to which the electrons emitted by the electronic emitter include electrons that exhibit quasi-ballistic properties in the material layer of the electronic emitter.