Claims (27)
1. Устройство для возбуждения эллиптически поляризованных волн, содержащее источник СВЧ излучения, СВЧ камеру, и соединяющий источник СВЧ излучения с СВЧ камерой одномодовый прямоугольный волновод, который включает область, смежную с СВЧ камерой, и короткозамыкающую стенку, при этом в части широкой стенки одномодового прямоугольного волновода, ограничивающей указанную смежную область, размещен излучатель эллиптически поляризованных волн, включающий два пространственно разнесенных парциальных излучателя, ориентированных с возможностью излучения волн, поляризованных взаимно-ортогонально, при этом фазовые центры парциальных излучателей расположены на разных расстояниях от короткозамыкающей стенки, а фазовый центр одного из парциальных излучателей расположен вблизи короткозамыкающей стенки, отличающееся тем, что фазовый центр другого парциального излучателя также расположен вблизи короткозамыкающей стенки, а электрические длины парциальных излучателей приблизительно равны их резонансным длинам, при этом фазовый центр одного из парциальных излучателей расположен в пучности распределения продольного поверхностного тока, а фазовый центр другого парциального излучателя расположен в пучности распределения поперечного поверхностного тока.1. Device for the excitation of elliptically polarized waves, containing a microwave source, a microwave camera, and connecting a microwave source with a microwave camera, a single-mode rectangular waveguide, which includes a region adjacent to the microwave camera, and a short-circuit wall, while in part of a wide wall of a single-mode rectangular a waveguide bounding said adjacent region, a radiator of elliptically polarized waves is placed, including two spatially separated partial radiators oriented with the possibility of radiation of waves polarized mutually orthogonally, while the phase centers of the partial emitters are located at different distances from the short-circuit wall, and the phase center of one of the partial emitters is located near the short-circuit wall, characterized in that the phase center of the other partial emitter is also located near the short-circuit wall, and the electric lengths of the partial emitters are approximately equal to their resonant lengths, while the phase center of one of the partial emitters is located en at the crest of the longitudinal distribution of the surface current, and phase center of another partial emitter located at the crest of the transverse distribution of the surface current.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что электрическая длина парциального излучателя, фазовый центр которого расположен на большем расстоянии от короткозамыкающей стенки, несколько меньше его резонансной длины, а электрическая длина парциального излучателя, фазовый центр которого расположен на меньшем расстоянии от короткозамыкающей стенки, несколько превышает его резонансную длину.2. The device according to claim 1, characterized in that the electric length of the partial radiator, the phase center of which is located at a greater distance from the short-circuit wall, is slightly less than its resonant length, and the electric length of the partial radiator, the phase center of which is located at a shorter distance from the short-circuit wall slightly exceeds its resonant length.
3. Устройство по п.1 или 2, отличающееся тем, что фазовые центры парциальных излучателей расположены в соседних пучностях распределений взаимно-ортогональных поверхностных токов.3. The device according to claim 1 or 2, characterized in that the phase centers of the partial emitters are located in adjacent antinodes of the distribution of mutually orthogonal surface currents.
4. Устройство по п.1 или 2, или 3, отличающееся тем, что по меньшей мере один из парциальных излучателей расположен вблизи одной из узких стенок одномодового прямоугольного волновода.4. The device according to claim 1 or 2, or 3, characterized in that at least one of the partial emitters is located near one of the narrow walls of a single-mode rectangular waveguide.
5. Устройство по п.1 или 2, или 3, отличающееся тем, что по меньшей мере один из парциальных излучателей смещен относительно оси симметрии широкой стенки одномодового прямоугольного волновода.5. The device according to claim 1 or 2, or 3, characterized in that at least one of the partial emitters is offset relative to the axis of symmetry of the wide wall of a single-mode rectangular waveguide.
6. Устройство по п.1 или 2, или 3, отличающееся тем, что по меньшей мере один из парциальных излучателей по меньшей мере частично прилегает к одной из узких стенок одномодового прямоугольного волновода.6. The device according to claim 1 or 2, or 3, characterized in that at least one of the partial emitters is at least partially adjacent to one of the narrow walls of a single-mode rectangular waveguide.
7. Устройство по п.1 или 2, или 3, или 4, или 5, или 6, отличающееся тем, что по меньшей мере один из парциальных излучателей по меньшей мере частично прилегает к короткозамыкающей стенке.7. The device according to claim 1 or 2, or 3, or 4, or 5, or 6, characterized in that at least one of the partial emitters is at least partially adjacent to the short-circuit wall.
8. Устройство по п.1 или 2, или 3, или 4, или 5, или 6, или 7, отличающееся тем, что парциальные излучатели выполнены в виде щелевых излучателей, ориентированных взаимно-ортогонально.8. The device according to claim 1 or 2, or 3, or 4, or 5, or 6, or 7, characterized in that the partial emitters are made in the form of slot emitters oriented mutually orthogonally.
9. Устройство по п.8, отличающееся тем, что парциальные щелевые излучатели выполнены в виде прямоугольных щелей.9. The device according to claim 8, characterized in that the partial slot emitters are made in the form of rectangular slots.
10. Устройство по п.8. отличающееся тем, что парциальные щелевые излучатели выполнены в виде фигурных щелей.10. The device according to claim 8. characterized in that the partial slot emitters are made in the form of curly slots.
11. Устройство по п.8, отличающееся тем, что один из парциальных излучателей выполнен в виде прямоугольной щели, а другой парциальный излучатель выполнен в виде фигурной щели.11. The device according to claim 8, characterized in that one of the partial emitters is made in the form of a rectangular slit, and the other partial emitter is made in the form of a figured slit.
12. Устройство по п.1 или 2, или 3, или 4, или 5, или 6, или 7, отличающееся тем, что парциальные излучатели выполнены в виде петлевых излучателей, плоскости петли которых ориентированы взаимно-ортогонально.12. The device according to claim 1 or 2, or 3, or 4, or 5, or 6, or 7, characterized in that the partial emitters are made in the form of loop emitters, the loop planes of which are oriented mutually orthogonally.
13. Устройство по п.1 или 2, или 3, или 4, или 5, или 6, или 7, отличающееся тем, что один из парциальных излучателей выполнен в виде петлевого излучателя, а другой парциальный излучатель выполнен в виде щелевого излучателя, при этом плоскость петли петлевого излучателя и щелевой излучатель ориентированы параллельно друг другу.13. The device according to claim 1 or 2, or 3, or 4, or 5, or 6, or 7, characterized in that one of the partial emitters is made in the form of a loop emitter, and the other partial emitter is made in the form of a slot emitter, when the loop plane of the loop radiator and the slot radiator are oriented parallel to each other.
14. Устройство по п.1 или 2, или 3, или 4, или 5, или 6, или 7, или 8, или 9, или 10, или 11, или 12, или 13, отличающееся тем, что по меньшей мере один из парциальных излучателей снабжен диэлектрическим телом, размещенным по меньшей мере частично в ближнем поле этого парциального излучателя.14. The device according to claim 1 or 2, or 3, or 4, or 5, or 6, or 7, or 8, or 9, or 10, or 11, 12, or 13, characterized in that at least one of the partial emitters is equipped with a dielectric body located at least partially in the near field of this partial emitter.
15. Устройство для возбуждения циркулярно поляризованных волн, содержащее источник СВЧ-излучения, СВЧ-камеру, и соединяющий источник СВЧ-излучения с СВЧ-камерой одномодовый прямоугольный волновод, который включает область, смежную с СВЧ-камерой, и короткозамыкаюшую стенку, при этом в части широкой стенки одномодового прямоугольного волновода, ограничивающей указанную смежную область, размещен излучатель циркулярно поляризованных волн, включающий два парциальных излучателя, ориентированных с возможностью излучения волн, поляризованных взаимно-ортогонально, отличающееся тем, что парциальные излучатели пространственно разнесены, их фазовые центры расположены вблизи короткозамыкающей стенки на разных расстояниях от нее, а электрические длины парциальных излучателей приблизительно равны их резонансным длинам, при этом фазовый центр одного из парциальных излучателей расположен в пучности распределения продольного поверхностного тока, а фазовый центр другого парциального излучателя расположен в пучности распределения поперечного поверхностного тока, электрическая длина парциального излучателя, фазовый центр которого расположен на большем расстоянии от короткозамыкающей стенки, несколько меньше его резонансной длины, а электрическая длина парциального излучателя, фазовый центр которого расположен на меньшем расстоянии от короткозамыкающей стенки, несколько превышает его резонансную длину.15. A device for exciting circularly polarized waves, containing a microwave source, a microwave camera, and connecting a microwave source with a microwave camera, a single-mode rectangular waveguide that includes a region adjacent to the microwave camera, and a short-circuit wall, while of the part of the wide wall of a single-mode rectangular waveguide that bounds the adjacent adjacent region, an emitter of circularly polarized waves is placed, including two partial emitters oriented with the possibility of emitting waves, polarized x mutually orthogonal, characterized in that the partial emitters are spatially spaced, their phase centers are located near the short-circuit wall at different distances from it, and the electric lengths of the partial emitters are approximately equal to their resonant lengths, while the phase center of one of the partial emitters is located in the distribution antinode longitudinal surface current, and the phase center of another partial emitter is located in the antinode of the distribution of transverse surface current, electric partial length of the radiator, the phase center of which is situated at a greater distance from the short-circuiting wall, somewhat less than the resonant length, and the electrical length of the partial transducer, the phase center of which is situated at a smaller distance from the short-circuiting wall, somewhat greater than the resonant length.
16. Устройство по п.15, отличающееся тем, что фазовые центры парциальных излучателей расположены в соседних пучностях распределений взаимно-ортогональных поверхностных токов.16. The device according to p. 15, characterized in that the phase centers of the partial emitters are located in adjacent antinodes of the distribution of mutually orthogonal surface currents.
17. Устройство по п.15 или 16, отличающееся тем, что фазовый центр парциального излучателя, электрическая длина которого несколько превышает его резонансную длину, расположен вблизи одной из узких стенок одномодового прямоугольного волновода.17. The device according to p. 15 or 16, characterized in that the phase center of the partial emitter, the electric length of which slightly exceeds its resonant length, is located near one of the narrow walls of a single-mode rectangular waveguide.
18. Устройство по п.15 или 16, или 17, отличающееся тем, что фазовый центр парциального излучателя, электрическая длина которого несколько меньше его резонансной длины, смещен относительно оси симметрии широкой стенки одномодового прямоугольного волновода.18. The device according to p. 15 or 16, or 17, characterized in that the phase center of the partial emitter, the electric length of which is slightly less than its resonant length, is offset from the axis of symmetry of the wide wall of a single-mode rectangular waveguide.
19. Устройство по п.15 или 16, или 17, или 18отличающееся тем, что по меньшей мере один из парциальных излучателей по меньшей мере частотно прилегает к одной из узких стенок одномодового прямоугольного волновода.19. The device according to clause 15 or 16, or 17, or 18, characterized in that at least one of the partial emitters at least frequency adjacent to one of the narrow walls of a single-mode rectangular waveguide.
20. Устройство по п.15 или 16, или 17, или 18, или 19, отличающееся тем, что парциальный излучатель, электрическая длина которого несколько превышает его резонансную длину, по меньшей мере частично прилегает к короткозамыкающей стенке.20. The device according to p. 15 or 16, or 17, or 18, or 19, characterized in that the partial emitter, the electric length of which slightly exceeds its resonant length, is at least partially adjacent to the short-circuit wall.
21. Устройство по п.5 или 16, или 17, или 18, или 19, или 20, отличающееся тем, что парциальные излучатели выполнены в виде щелевых излучателей, ориентированных взаимно-ортогонально.21. The device according to claim 5 or 16, or 17, or 18, or 19, or 20, characterized in that the partial emitters are made in the form of slot emitters oriented mutually orthogonally.
22. Устройство по п.21, отличающееся тем, что парциальные щелевые излучатели выполнены в виде прямоугольных щелей.22. The device according to item 21, wherein the partial slot emitters are made in the form of rectangular slots.
23. Устройство по п.21, отличающееся тем, что парциальные щелевые излучатели выполнены в виде фигурных щелей.23. The device according to item 21, wherein the partial slot emitters are made in the form of curly slots.
24. Устройство по п.23, отличающееся тем, что один из парциальных излучателей выполнен в виде прямоугольной щели, а другой парциальный излучатель выполнен в виде фигурной щели.24. The device according to item 23, wherein one of the partial emitters is made in the form of a rectangular slit, and the other partial emitter is made in the form of a figured slit.
25. Устройство по п.15 или 16, или 17, или 18, или 19, или 20, отличающееся тем, что парциальные излучатели выполнены в виде петлевых излучателей, плоскости петли которых ориентированы взаимно-ортогонально.25. The device according to p. 15 or 16, or 17, or 18, or 19, or 20, characterized in that the partial emitters are made in the form of loop emitters, the loop planes of which are oriented mutually orthogonally.
26. Устройство по п.15 или 16, или 17, или 18, или 19, или 20, отличающееся тем, что один из парциальных излучателей выполнен в виде петлевого излучателя, а другой парциальный излучатель выполнен в виде щелевого излучателя, при этом плоскость петли петлевого излучателя и щелевой излучатель ориентированы параллельно друг другу.26. The device according to p. 15 or 16, or 17, or 18, or 19, or 20, characterized in that one of the partial radiators is made in the form of a loop radiator, and the other partial radiator is made in the form of a slot radiator, while the loop plane the loop radiator and the slot radiator are oriented parallel to each other.
27. Устройство по п.15 или 16, или 17, или 18, или 19, или 20, или 21, или 22, или 23, или 24, или 25, или 26, отличающееся тем, что по меньшей мере один из парциальных излучателей снабжен диэлектрическим телом, размещенным по меньшей мере частично в ближнем поле этого парциального излучателя.27. The device according to clause 15 or 16, or 17, or 18, or 19, or 20, or 21, or 22, or 23, or 24, or 25, or 26, characterized in that at least one of the partial emitters is equipped with a dielectric body, located at least partially in the near field of this partial emitter.