RU196597U1 - Laboratory setup for dynamic measurement of input and output characteristics of a semiconductor transistor - Google Patents

Laboratory setup for dynamic measurement of input and output characteristics of a semiconductor transistor Download PDF

Info

Publication number
RU196597U1
RU196597U1 RU2019141328U RU2019141328U RU196597U1 RU 196597 U1 RU196597 U1 RU 196597U1 RU 2019141328 U RU2019141328 U RU 2019141328U RU 2019141328 U RU2019141328 U RU 2019141328U RU 196597 U1 RU196597 U1 RU 196597U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
transistor
input
step voltage
digital
output
Prior art date
Application number
RU2019141328U
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Дин Чер Ким
Александр Сергеевич Семенов
Павел Семенович Татаринов
Original Assignee
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Северо-Восточный федеральный университет имени М.К.Аммосова"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Северо-Восточный федеральный университет имени М.К.Аммосова" filed Critical Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Северо-Восточный федеральный университет имени М.К.Аммосова"
Priority to RU2019141328U priority Critical patent/RU196597U1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU196597U1 publication Critical patent/RU196597U1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices

Abstract

Полезная модель относится к измерительной технике и учебно-научному лабораторному оборудованию в области измерения и контроля электрофизических параметров полупроводниковых транзисторов. Лабораторная установка для динамического измерения семейств входных и выходных характеристик полупроводникового транзистора, содержащая основную измерительную цепь, состоящую из сопротивления и выполненную с возможностью подключения к нему исследуемого транзистора, генераторов пилообразного и ступенчатого напряжений, отличающаяся тем, что генератор ступенчатого напряжения выполнен на основе цифроаналогового преобразователя, преобразующего в ступенчатое напряжение цифровой код с цифрового счетчика, считывающего импульсы, формируемые задающим генератором прямоугольных напряжений. Кроме того, основная измерительная цепь выполнена с возможностью подключения как входной, так и выходной цепи исследуемого транзистора, осуществляемая простым переключением режима измерения посредством переключателя. Синхронизация всех основных частей устройства, заложенная в его конструкцию, освобождает потенциальных пользователей устройства от необходимости производить сложную и, возможно, длительную процедуру настройки. Заявленное устройство позволяет просматривать и демонстрировать как входные, так и выходные характеристике как биполярных, так и полевых транзисторов обеих структур. 5 ил.The utility model relates to measuring equipment and educational scientific laboratory equipment in the field of measurement and control of electrophysical parameters of semiconductor transistors. A laboratory setup for dynamically measuring the families of input and output characteristics of a semiconductor transistor, comprising a main measuring circuit consisting of a resistance and configured to connect an investigated transistor, sawtooth and step voltage generators to it, characterized in that the step voltage generator is based on a digital-to-analog converter, converting a digital code into a step voltage from a digital counter that reads pulses, forms uemye master oscillator rectangular voltages. In addition, the main measuring circuit is configured to connect both the input and output circuits of the transistor under study, carried out by simply switching the measurement mode by means of a switch. The synchronization of all the main parts of the device, embedded in its design, frees potential users of the device from the need to perform a complex and, possibly, lengthy setup procedure. The claimed device allows you to view and demonstrate both input and output characteristics of both bipolar and field effect transistors of both structures. 5 ill.

Description

Полезная модель относится к измерительной технике и учебно-научному лабораторному оборудованию в области измерения и контроля электрофизических параметров полупроводниковых транзисторов. Установка может быть использована для проведения учебно-научных лабораторных работ.The utility model relates to measuring equipment and educational scientific laboratory equipment in the field of measurement and control of electrophysical parameters of semiconductor transistors. The installation can be used for educational and scientific laboratory work.

Известно устройство для моделирования входных характеристик транзистора (см. SU №1049932, кл. G06G 7/62, опубл. 23.10.1983), содержащее переменный резистор, первый транзистор, коллектор которого соединен с базой второго транзистора, коллектор которого соединен с эмиттером первого транзистора. При этом в целях повышения точности моделирования параллельно переходу база-эмиттер второго транзистора включен термокомпенсирующий резистор и во входную цепь подключен термокомпенсированный дополнительный транзистор. Установка может быть использована для исследования влияния высокой температуры на работоспособность полупроводниковых транзисторов путем имитационного моделирования. A device is known for simulating the input characteristics of a transistor (see SU No. 1049932, class G06G 7/62, publ. 10.23.1983) containing a variable resistor, a first transistor, the collector of which is connected to the base of the second transistor, the collector of which is connected to the emitter of the first transistor . At the same time, in order to increase the modeling accuracy, a thermally compensating resistor is included in parallel to the base-emitter junction of the second transistor, and a thermally compensated additional transistor is connected to the input circuit. The installation can be used to study the effect of high temperature on the performance of semiconductor transistors by simulation.

Аналоговое устройство для воспроизведения характеристик транзистора по патенту SU №1126977 (кл. G06G 7/48, опубл. 30.11.1984), используемое для моделирования и расчета статических характеристик различных объектов управления, содержит последовательно соединенные первый источник напряжения и разделительный диод, схему сравнения, сумматор на базе операционного усилителя, и два ограничительных резистора.An analog device for reproducing the characteristics of the transistor according to SU patent No. 1126977 (class G06G 7/48, published November 30, 1984), used to model and calculate the static characteristics of various control objects, contains a first voltage source and an isolation diode connected in series, a comparison circuit, an adder based on an operational amplifier, and two limiting resistors.

Недостатками вышеописанных известных устройств являются невозможность исследования реальных параметров полупроводниковых транзисторов, т.к. устройства только моделируют работу и характеристики реальных транзисторов.The disadvantages of the above known devices are the inability to study the real parameters of semiconductor transistors, because devices only simulate the operation and characteristics of real transistors.

Известно устройство для измерения крутизны характеристики полевых транзисторов (см. SU №1081574, кл. G01R 31/26, опубл. 23.03.1984), содержащее клеммы для подключения источника, затвора и стока полевого транзистора (ПТ), источник опорного напряжения, элемент сравнения, управляемый генератор, интегратор, частотомер и переключатель. При этом, первый неподвижный контакт переключателя через цепь калибровки соединен с клеммой стока ПТ и через последовательно соединенные нагрузку и источник напряжения стока с общей шиной и клеммой стока. Второй неподвижный контакт переключателя соединен с клеммой затвора ПТ и к первому выходу источника напряжения затвора, второй выход которого соединен с общей шиной. Причем, первый вход элемента сравнения подключен к стоковой клемме, а второй вход к выходу источника опорного напряжения, а выход к управляющему входу управляемого генератора. Первый выход управляемого генератора соединен с общей шиной, а второй выход с входом частотомера и через интегратор с подвижным контактом переключателя. A device is known for measuring the steepness of a field-effect transistor characteristic (see SU No. 1081574, class G01R 31/26, published March 23, 1984) containing terminals for connecting a source, gate, and drain of a field-effect transistor (PT), a reference voltage source, a comparison element , controlled generator, integrator, frequency meter and switch. In this case, the first fixed contact of the switch through the calibration circuit is connected to the drain terminal of the PT and through a series-connected load and drain voltage source with a common bus and drain terminal. The second fixed contact of the switch is connected to the gate terminal of the PT and to the first output of the gate voltage source, the second output of which is connected to a common bus. Moreover, the first input of the comparison element is connected to the drain terminal, and the second input to the output of the reference voltage source, and the output to the control input of the controlled generator. The first output of the controlled generator is connected to a common bus, and the second output with the input of the frequency meter and through an integrator with a movable contact of the switch.

Известное решение позволяет измерять только характеристики полевых транзисторов, при этом отсутствует возможность наглядно представить входные и выходные характеристики транзистора в виде семейств ВАХ на дисплее внешнего или встроенного измерительного прибора.The known solution allows you to measure only the characteristics of field-effect transistors, while it is not possible to visualize the input and output characteristics of the transistor in the form of families of I – V characteristics on the display of an external or built-in measuring device.

Кроме того, известны характериограф для транзистора, разработанный В. Иноземцевым (см. В. Иноземцев, Характериограф для транзистора // Радио, № 12, 1990 г., с. 78-79.), и упрошенный вариант прибора (см. В. Иноземцев, Характериограф для транзистора: упрошенный вариант прибора // Радио, № 6, 1994 г., с. 43-44), содержащий генератор ступенчатого базового тока, двухполупериодный выпрямитель, исследуемые биполярные транзисторы разной структуры, и переключатель между ними. Фиксированные значения токов базы исследуемых транзисторов получают благодаря последовательному включению в цепь базы различных комбинаций «весовых» резисторов (кратных какому-то значению – весу). Включение «весовых» резисторов осуществляется под управлением цифрового счетчика импульсов, который считывает импульсы задающего генератора прямоугольных импульсов 100 Гц, частота и фаза которого задается пульсирующим напряжением от двухполупериодного выпрямителя переменного питающего напряжения в 50 Гц, который так же подается в основную измерительную цепь, содержащую исследуемый транзистор. Таким образом, в этом устройстве синхронизация организовано от цепи питания.In addition, the characterograph for the transistor developed by V. Inozemtsev (see V. Inozemtsev, The Characterograph for the Transistor // Radio, No. 12, 1990, pp. 78-79.), And a simplified version of the device (see B. Inozemtsev, Characteristic for a transistor: a simplified version of the device // Radio, No. 6, 1994, p. 43-44), containing a step-by-step base current generator, a half-wave rectifier, studied bipolar transistors of different structures, and a switch between them. The fixed values of the base currents of the studied transistors are obtained due to the sequential inclusion in the base circuit of various combinations of "weight" resistors (multiples of some value - weight). The inclusion of “weight” resistors is carried out under the control of a digital pulse counter, which reads the pulses of a 100 Hz square-wave pulse generator, the frequency and phase of which is determined by the pulsating voltage from a half-wave rectifier of an alternating supply voltage of 50 Hz, which is also supplied to the main measuring circuit containing the test transistor. Thus, in this device, synchronization is organized from the power circuit.

Исследовательские возможности известного устройства ограничены только выходными характеристиками биполярных транзисторов, при этом требуется подбор «весовых» значений резисторов в цепи базы для транзисторов разной мощности.The research capabilities of the known device are limited only by the output characteristics of bipolar transistors, and this requires the selection of "weight" values of the resistors in the base circuit for transistors of different power.

Ближайшим аналогом заявленного устройства является лабораторная установка ФЭЛ-18 «Изучение принципов работы полупроводникового транзистора» от НПО учебной техники «ТулаНаучПрибор» (см. http://physexperiment.narod.ru/methodics/fel18.pdf), содержащая генератор синусоидального напряжения, генератор ступенчатого напряжения, однополупериодный выпрямитель, исследуемый биполярный транзистор, подстроечный резистор и переключатель. При этом исследуемый транзистор соединен в цепь установки по схеме с общим эмиттером, то есть эмиттер транзистора подключен к общей шине через резистор 100 Ом. Выход генератора ступенчатого сигнала подключен в цепь базы транзистора через подстроечный резистор. Выход генератора синусоидального сигнала соединен в цепь коллектора транзистора через диод, служащий в качестве однополупериодного выпрямителя и резистора 1 кОм. Переключатель служит для выбора режима измерения: режим измерения входных или выходных характеристик. Первый неподвижный контакт переключателя соединен с базой транзистора, а второй неподвижный контакт соединен с коллектором, подвижный контакт соединен с X-входом осциллографа, на Y-вход которого подается сигнал с эмиттера транзистора.The closest analogue of the claimed device is a laboratory unit FEL-18 “Study of the principles of operation of a semiconductor transistor” from an educational institution “TulaNauchPribor” (see http://physexperiment.narod.ru/methodics/fel18.pdf), containing a sinusoidal voltage generator, generator step voltage, a half-wave rectifier, the studied bipolar transistor, a tuning resistor and a switch. In this case, the studied transistor is connected to the installation circuit according to the scheme with a common emitter, that is, the emitter of the transistor is connected to a common bus through a 100 Ohm resistor. The output of the step signal generator is connected to the base circuit of the transistor through a tuning resistor. The output of the sinusoidal signal generator is connected to the collector circuit of the transistor through a diode serving as a half-wave rectifier and a 1 kΩ resistor. The switch is used to select the measurement mode: the measurement mode of the input or output characteristics. The first fixed contact of the switch is connected to the base of the transistor, and the second fixed contact is connected to the collector, the movable contact is connected to the X-input of the oscilloscope, to the Y-input of which a signal from the emitter of the transistor is applied.

К недостаткам известной лабораторной установки можно отнести невозможность управляемой или жесткой синхронизации разных частей устройства, отсутствие возможности быстрой замены исследуемого транзистора, допустимость работы только с биполярными транзисторами и необходимость в наличии подстроечного резистора в цепи базы исследуемого транзистора.The disadvantages of the known laboratory setup include the impossibility of controlled or tight synchronization of different parts of the device, the inability to quickly replace the investigated transistor, the permissibility of working only with bipolar transistors, and the need for a tuning resistor in the base circuit of the studied transistor.

Задача, на решение которой направлено заявленное техническое решение, выражается в создании прибора несложной конструкции и универсального назначения, позволяющего исследовать характеристики как биполярных, так и полевых транзисторов.The problem to which the claimed technical solution is directed is expressed in the creation of a device of simple construction and universal purpose, which allows to study the characteristics of both bipolar and field-effect transistors.

Технический результат, получаемый при решении поставленной задачи, выражается в создании компактной установки в виде модульного блока-приставки к осциллографу для просмотра и демонстрации как входных, так и выходных характеристик, как биполярных, так и полевых транзисторов обеих структур – универсального характериографа транзистора. The technical result obtained by solving the problem is expressed in the creation of a compact installation in the form of a modular unit-set-top box for the oscilloscope for viewing and demonstrating both input and output characteristics of both bipolar and field-effect transistors of both structures - a universal characterization transistor.

Для решения поставленной задачи лабораторная установка для динамического измерения входных и выходных характеристик полупроводникового транзистора, выполненная в виде независимого модульного блока, включает в себя достоинства последних аналогов и лишена их недостатков, для чего, содержит в своем составе основную измерительную цепь, состоящую из сопротивления, включенного в выходную цепь исследуемого транзистора, причем, цепь выполнена с возможностью подключения к исследуемому транзистору, и генераторов пилообразного и ступенчатого напряжений. При этом генератор ступенчатого напряжения выполнен на основе цифро-аналогового преобразователя, который преобразует цифровой код с цифрового счетчика, считывающего импульсы задающего генератора прямоугольных напряжений. Импульсы генератора прямоугольных сигналов одновременно преобразуются в пилообразный сигнал в транзисторном интеграторе, что обеспечивает синхронную работу обоих основных частей устройства. Кроме того, имеется дополнительная возможность переключения в основную измерительную цепь, как входную цепь транзистора, так и выходную.To solve this problem, a laboratory setup for dynamic measurement of the input and output characteristics of a semiconductor transistor, made in the form of an independent modular unit, includes the advantages of the latest analogs and is free from their shortcomings, for which it contains the main measuring circuit, which consists of a resistance connected in the output circuit of the investigated transistor, moreover, the circuit is configured to connect to the studied transistor, and sawtooth and step generators stress. In this case, the step voltage generator is made on the basis of a digital-to-analog converter, which converts the digital code from a digital counter that reads the pulses of the master square-wave generator. The pulses of the rectangular signal generator are simultaneously converted into a sawtooth signal in a transistor integrator, which ensures synchronous operation of both main parts of the device. In addition, there is an additional possibility of switching to the main measuring circuit, both the input circuit of the transistor and the output.

Сопоставительный анализ признаков заявленного решения с признаками аналогов свидетельствует о соответствии заявленного решения критерию «новизна».A comparative analysis of the features of the claimed solution with the signs of analogues indicates the conformity of the claimed solution to the criterion of "novelty."

Совокупность признаков обеспечивает решение заявленной технической задачи, а именно, создание универсального прибора, который позволяет исследовать характеристики как биполярных, так и полевых транзисторов, обеспечение надежности устройства лабораторной установки в совокупности с эргономикой и простотой использования для проведения научных исследований и в учебном процессе в курсах физики и электроники.The combination of features provides a solution to the stated technical problem, namely, the creation of a universal device that allows you to study the characteristics of both bipolar and field-effect transistors, ensuring the reliability of the device of the laboratory setup in combination with ergonomics and ease of use for scientific research and in the educational process in physics courses and electronics.

Заявленное устройство иллюстрируется чертежами: на фигуре 1 показана функциональная схема установки, где 1 – задающий генератор прямоугольных импульсов, 2 – формирователь пилообразного напряжения, 3 и 5 – согласующие усилители, 4 – формирователь ступенчатого напряжения, 6 – магазин токоограничивающих сопротивлений, 7 – основная измерительная цепь с исследуемым транзистором на сменной клемме; на фигуре 2 - принципиальные электрические схемы: задающего генератора прямоугольных сигналов (А) и генератора пилообразного сигнала на базе транзисторного интегратора (Б); на фигуре 3 - принципиальная электрическая схема формирователя ступенчатого сигнала на базе цифрового счетчика импульсов и цифроаналогового преобразователя; на фигуре 4 - принципиальная электрическая схема основной измерительной цепи с переключателем режима измерения выходных или входных характеристик и клеммой для быстрой смены исследуемых транзисторов; на фигуре 5 - принципиальная электрическая схема согласующих усилителей с возможностью переключения коэффициента усиления и полярности выходного сигнала (допустимы и другие исполнения).The claimed device is illustrated by drawings: the figure 1 shows a functional diagram of the installation, where 1 is the driving generator of rectangular pulses, 2 is a sawtooth voltage shaper, 3 and 5 are matching amplifiers, 4 is a step voltage shaper, 6 is a current limiting resistance shop, 7 is the main measuring a circuit with an investigated transistor on a removable terminal; figure 2 - circuit diagrams: a master oscillator of rectangular signals (A) and a sawtooth signal generator based on a transistor integrator (B); figure 3 is a circuit diagram of a step-by-step signal generator based on a digital pulse counter and a digital-to-analog converter; figure 4 is a circuit diagram of a main measuring circuit with a switch for measuring the output or input characteristics and a terminal for quickly changing the investigated transistors; figure 5 is a circuit diagram of matching amplifiers with the ability to switch the gain and polarity of the output signal (other versions are acceptable).

Лабораторная установка для динамического измерения входных и выходных характеристик полупроводникового транзистора работает следующим образом. Laboratory installation for dynamic measurement of the input and output characteristics of a semiconductor transistor operates as follows.

Основным задающим генератором является генератор прямоугольных сигналов 1, собранный на базе таймера, например, NE 555 (см. фиг. 2 А), со сравнительно высокой частотой около 600 Гц. При этом импульсы задающего генератора прямоугольных импульсов подаются на входы формирователя пилообразного напряжения 2 и цифрового счетчика импульсов формирователя ступенчатого напряжения 4, что обеспечивает, гарантированно, синхронизацию работы всего устройства (см. фиг. 1). The main master oscillator is a square-wave generator 1, assembled on the basis of a timer, for example, NE 555 (see Fig. 2 A), with a relatively high frequency of about 600 Hz. In this case, the pulses of the driving generator of rectangular pulses are fed to the inputs of the sawtooth voltage shaper 2 and the digital pulse counter of the step voltage shaper 4, which ensures guaranteed synchronization of the operation of the entire device (see Fig. 1).

Формирователь пилообразного напряжения 2 представляет собой транзисторный интегратор, (см. фиг. 2 А) сопротивление R6 интегрирующей RC, цепочки которого включен в коллекторную цепь транзистора, а конденсатор C3 включен параллельно цепи, состоящей из последовательно соединенных сопротивления R5 и перехода коллектор-эмиттер транзистора.The sawtooth voltage generator 2 is a transistor integrator, (see Fig. 2 A) the resistance R 6 of the integrating RC, the chains of which are included in the collector circuit of the transistor, and the capacitor C 3 is connected in parallel with the circuit, consisting of series-connected resistance R 5 and the collector transistor emitter.

Генератор ступенчатого сигнала (см. фиг. 3) представляет собой цифровой формирователь ступенчатого напряжения 4, состоящий из цифрового счетчика импульсов и цифроаналогового преобразователя (ЦАП). В формирователе ступенчатого напряжения ЦАП с большой точностью формирует на своем выходе ступенчатое напряжение под управлением цифровых сигналов из выходов цифрового счетчика, который считывает импульсы задающего генератора. Каждому импульсу задающего генератора соответствует импульс генератора пилообразного напряжения и одна ступенька напряжения на выходе генератора ступенчатого напряжения, таким образом, уже в конструкции заявленного прибора заложена жесткая синхронизация работы всех основных частей устройства.The step signal generator (see Fig. 3) is a digital step voltage generator 4, consisting of a digital pulse counter and a digital-to-analog converter (DAC). In a step voltage shaper, the DAC with high accuracy generates a step voltage at its output under the control of digital signals from the outputs of a digital counter that reads the pulses of the master oscillator. Each pulse of the master oscillator corresponds to a pulse of a sawtooth voltage generator and one voltage step at the output of the step voltage generator, so that the design of the claimed device already has a strict synchronization of the operation of all the main parts of the device.

Для работы прибора в различных режимах, например, наблюдение входных или выходных характеристик или наблюдение характеристик транзисторов разной структуры и принципа действия, используются согласующие усилители 3, 5 с переменными коэффициентами усиления и возможностью переключения полярности выходного сигнала. Таким образом, на фигуре 5 приведено возможное исполнение согласующих усилителей 3, 5, показанных на фигуре 1. При этом слово «возможное» допускает и другое исполнение этих усилителей с сохранением их функций. Переключатель SA2 служит для переключения полярности выходного сигнала, а SA3 - коэффициента усиления. При этом, схема магазина токоограничивающих сопротивлений 6 ввиду очевидности не приводится.To operate the device in various modes, for example, observing input or output characteristics or observing the characteristics of transistors of different structures and operating principles, matching amplifiers 3, 5 with variable gain and the ability to switch the polarity of the output signal are used. Thus, figure 5 shows the possible performance of matching amplifiers 3, 5, shown in figure 1. The word "possible" allows another performance of these amplifiers while maintaining their functions. The switch SA2 is used to switch the polarity of the output signal, and SA3 - gain. At the same time, the scheme of the current limiting resistance shop 6 is not given due to obviousness.

Для смены режима работы, то есть, наблюдение и снятие выходных или входных характеристик, возможно быстрое переключение в основную измерительную цепь 7 как выходной цепи, так и входной цепи исследуемого транзистора (см. фиг. 1). To change the operating mode, that is, monitoring and removing the output or input characteristics, it is possible to quickly switch to the main measuring circuit 7 both the output circuit and the input circuit of the investigated transistor (see Fig. 1).

На фигуре 4 изображена схема основной измерительной цепи, содержащей последовательно соединенные сопротивления R16 цепи транзистора (выходной и входной цепи), которые можно быстро сменить переключателем SA1. Здесь же схематически показана возможность быстрой смены транзисторов с помощью быстроразъёмной клеммы. The figure 4 shows a diagram of the main measuring circuit containing series-connected resistance R16 of the transistor circuit (output and input circuit), which can be quickly changed by switch SA1. Here, the possibility of a quick change of transistors with a quick disconnect terminal is shown schematically.

Конструктивные особенности собранного несложного устройства является залогом его надежности в работе. Синхронизация всех основных частей устройства, заложенная в его конструкцию, освобождает потенциальных пользователей устройства от необходимости производить сложную и, возможно, длительную процедуру настройки. Отсутствие в составе устройства редких и сложных для изготовления частей делает его себестоимость небольшой, не снижая при этом потребительские качества. Легкий вес, компактность и универсальность прибора определяют перспективу устройства для использования в научно-учебном процессе учебных заведений.Design features of the assembled simple device is the key to its reliability in operation. The synchronization of all the main parts of the device, embedded in its design, frees potential users of the device from the need to perform a complex and, possibly, lengthy setup procedure. The absence of rare and difficult to manufacture parts in the device makes its cost price small, without compromising consumer qualities. Light weight, compactness and versatility of the device determine the prospects of the device for use in the scientific and educational process of educational institutions.

Claims (1)

Лабораторная установка для динамического измерения семейств входных и выходных характеристик полупроводникового транзистора, содержащая основную измерительную цепь, состоящую из сопротивления и выполненную с возможностью подключения к нему исследуемого транзистора, генераторов пилообразного и ступенчатого напряжений, отличающаяся тем, что генератор ступенчатого напряжения выполнен на основе цифроаналогового преобразователя, преобразующего в ступенчатое напряжение цифровой код с цифрового счетчика, считывающего импульсы, формируемые задающим генератором прямоугольных напряжений, при этом основная измерительная цепь выполнена с возможностью подключения как входной, так и выходной цепи исследуемого транзистора, осуществляемая простым переключением режима измерения посредством переключателя.A laboratory setup for dynamically measuring the families of input and output characteristics of a semiconductor transistor, comprising a main measuring circuit consisting of a resistance and configured to connect an investigated transistor, sawtooth and step voltage generators to it, characterized in that the step voltage generator is based on a digital-to-analog converter, converts a digital code into a step voltage from a digital counter that reads pulses, forms uemye master oscillator rectangular voltages, wherein the main measuring circuit is arranged to connect both the input and output of the test circuit transistor, is as simple as switching the measurement mode by the switch.
RU2019141328U 2019-12-13 2019-12-13 Laboratory setup for dynamic measurement of input and output characteristics of a semiconductor transistor RU196597U1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2019141328U RU196597U1 (en) 2019-12-13 2019-12-13 Laboratory setup for dynamic measurement of input and output characteristics of a semiconductor transistor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2019141328U RU196597U1 (en) 2019-12-13 2019-12-13 Laboratory setup for dynamic measurement of input and output characteristics of a semiconductor transistor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU196597U1 true RU196597U1 (en) 2020-03-06

Family

ID=69768609

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2019141328U RU196597U1 (en) 2019-12-13 2019-12-13 Laboratory setup for dynamic measurement of input and output characteristics of a semiconductor transistor

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU196597U1 (en)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU928376A1 (en) * 1980-03-28 1982-05-15 Московский Институт Радиотехники,Электроники И Автоматики Device for simulating bipolar transistor
SU1529941A1 (en) * 1988-04-04 1999-05-20 Ульяновский политехнический институт DEVICE FOR AUTOMATIC MEASUREMENT OF THE SAFE OPERATION AREA OF TRANSISTORS
US20020109504A1 (en) * 1999-09-01 2002-08-15 Champlin Keith S. Method and apparatus using a circuit model to evaluate cell/battery parameters
RU2265859C1 (en) * 2004-05-24 2005-12-10 Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского Method of measuring characteristics of nonlinear units
RU2310878C1 (en) * 2003-11-04 2007-11-20 Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф. Switching device
JP2008008664A (en) * 2006-06-27 2008-01-17 Fujitsu Ltd Integration circuit
US20150130647A1 (en) * 2013-11-13 2015-05-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Current amplifier circuit, integrator, and ad converter
RU2652650C1 (en) * 2017-03-29 2018-04-28 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет геосистем и технологий" Method of adequate measurement of s-parameters of transistors on the imitator-analyzer of amplifiers and shf active oscillator
RU185719U1 (en) * 2018-02-20 2018-12-14 Акционерное общество "ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС" STAND FOR TESTS OF POWER SEMICONDUCTOR DEVICES ON RESISTANCE TO ACTION OF SHOCK CURRENT

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU928376A1 (en) * 1980-03-28 1982-05-15 Московский Институт Радиотехники,Электроники И Автоматики Device for simulating bipolar transistor
SU1529941A1 (en) * 1988-04-04 1999-05-20 Ульяновский политехнический институт DEVICE FOR AUTOMATIC MEASUREMENT OF THE SAFE OPERATION AREA OF TRANSISTORS
US20020109504A1 (en) * 1999-09-01 2002-08-15 Champlin Keith S. Method and apparatus using a circuit model to evaluate cell/battery parameters
RU2310878C1 (en) * 2003-11-04 2007-11-20 Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф. Switching device
RU2265859C1 (en) * 2004-05-24 2005-12-10 Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского Method of measuring characteristics of nonlinear units
JP2008008664A (en) * 2006-06-27 2008-01-17 Fujitsu Ltd Integration circuit
US20150130647A1 (en) * 2013-11-13 2015-05-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Current amplifier circuit, integrator, and ad converter
RU2652650C1 (en) * 2017-03-29 2018-04-28 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет геосистем и технологий" Method of adequate measurement of s-parameters of transistors on the imitator-analyzer of amplifiers and shf active oscillator
RU185719U1 (en) * 2018-02-20 2018-12-14 Акционерное общество "ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС" STAND FOR TESTS OF POWER SEMICONDUCTOR DEVICES ON RESISTANCE TO ACTION OF SHOCK CURRENT

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5423953B2 (en) Battery simulator
RU196597U1 (en) Laboratory setup for dynamic measurement of input and output characteristics of a semiconductor transistor
Solovyeva et al. Using the NI ELVIS II complex for improvement of laboratory course in electrical engineering
US10120405B2 (en) Single-junction voltage reference
RU53055U1 (en) ELECTRONIC LABORATORY EQUIPMENT KIT
Elfasi et al. Oscilloscope using arduino interface labview
Lyubomirov et al. Engineering Education And Examination Of Electronic Circuits Using Multisim
Andrews et al. Reference waveform flat pulse generator
CN107677894B (en) Nonlinear load power output device
RU96430U1 (en) DEVICE FOR EXPRESS DIAGNOSTICS OF IDENTITY OF TRANSISTORS
Shehova et al. Computer modeling and research of diode rectifiers and voltage regulators
CN205404692U (en) MOS device PK appearance
Subtirelu Simulation versus real world of operational amplifier circuits
Hadjidemetriou et al. Low-cost real-time monitoring of a laboratory scale power system
ES2204313B1 (en) GENERATOR OF THREE PHASE FUNCTIONS.
SU693278A1 (en) Device for selecting pairs of transistors
RU150413U1 (en) ADDITION TO DIGITAL VOLTMETER FOR MEASURING CURRENT FEMTOAMPER RANGE
Guvench et al. Automated Measurement of Frequency Response of Electrical Networks, Filters and Amplifiers
Noriega et al. Automation Of An lV Characterization System
Asadi Commonly Used Labaratory Equipmentes
ŢEBREAN et al. Acquisition and Monitoring System for Basic Laboratory Measurements on Electrical Networks Parameters
WO2023085057A1 (en) Measurement device and measurement method
Payal et al. A Virtual Instrument Oscilloscope for signal measurements
Pătrășcoiu et al. Using virtual instrumentation in the application study of electronic devices
RU2450280C2 (en) Method and apparatus for instant diagnosis of identity of paired transistors