RU183394U1 - POWERFUL HYBRID MICROWAVE INTEGRAL DIAGRAM - Google Patents
POWERFUL HYBRID MICROWAVE INTEGRAL DIAGRAM Download PDFInfo
- Publication number
- RU183394U1 RU183394U1 RU2017131322U RU2017131322U RU183394U1 RU 183394 U1 RU183394 U1 RU 183394U1 RU 2017131322 U RU2017131322 U RU 2017131322U RU 2017131322 U RU2017131322 U RU 2017131322U RU 183394 U1 RU183394 U1 RU 183394U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- microwave
- frame
- integrated circuit
- active
- heat sink
- Prior art date
Links
- 238000010586 diagram Methods 0.000 title 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- WUUZKBJEUBFVMV-UHFFFAOYSA-N copper molybdenum Chemical compound [Cu].[Mo] WUUZKBJEUBFVMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 12
- 238000003466 welding Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 4
- OFLYIWITHZJFLS-UHFFFAOYSA-N [Si].[Au] Chemical compound [Si].[Au] OFLYIWITHZJFLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000037230 mobility Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/02—Arrangements of circuit components or wiring on supporting structure
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Полезная модель относится к технике СВЧ и может быть использована в бортовых приемопередающих устройствах.К важным требованиям, предъявляемым к мощной СВЧ интегральной схеме, относятся герметичность и надежность с точки зрения защиты от воздействия окружающей среды, эффективный отвод тепла от тепловыделяющих элементов схемы, обеспечение параметров СВЧ интегральной схемы при работе в режиме высоких уровней мощности.Техническим результатом полезной модели является снижение КСВ СВЧ интегральной схемы и обеспечение герметизации шовно-роликовой сваркой, а также снижение неплоскостности опорной поверхности теплоотводящего основания и повышение температуры монтажа активных и пассивных элементов припоями до 450°C.Указанный технический результат обеспечивается в мощной гибридной СВЧ интегральной схеме, включающей теплоотводящее основание и рамку с СВЧ вводами, соединенными высокотемпературным припоем, активные и пассивные компоненты, размещенные на основании внутри корпуса, в которой рамка выполнена из отожженного никеля, а теплоотводящее основание выполнено из псевдосплава молибден-медь с выступом, предназначенным для монтажа пассивных и активных элементов интегральной схемы и имеющим размеры, соответствующие внутренним размерам рамки, причем разница в размерах выступа и соответствующих внутренних размеров рамки не превышает оптимальной толщины припоя. 6 фигур, 9 таблицThe utility model relates to microwave technology and can be used in airborne transceiver devices. Important requirements for a powerful microwave integrated circuit include tightness and reliability in terms of protection from environmental influences, efficient heat removal from heat-generating elements of the circuit, ensuring microwave parameters integrated circuit when operating in high power levels. The technical result of the utility model is to reduce the SWR of the microwave integrated circuit and provide sealing seam by roller welding, as well as a decrease in the non-flatness of the support surface of the heat sink base and an increase in the mounting temperature of active and passive elements with solders up to 450 ° C. The indicated technical result is ensured in a powerful hybrid microwave integrated circuit including a heat sink base and a frame with microwave inputs connected by high temperature solder, active and passive components placed on the base inside the housing, in which the frame is made of annealed nickel, and the heat sink base is made of pseudo molybdenum-copper alloy with a protrusion designed for mounting passive and active elements of the integrated circuit and having dimensions corresponding to the internal dimensions of the frame, and the difference in the size of the protrusion and the corresponding internal dimensions of the frame does not exceed the optimum thickness of the solder. 6 figures, 9 tables
Description
Полезная модель относится к технике СВЧ и может быть использована в бортовых приемопередающих устройствах.The utility model relates to microwave technology and can be used in airborne transceivers.
Известна гибридная СВЧ интегральная схема (ИС), содержащая расположенные в металлическом корпусе микросхемы на керамических подложках, припаянных к компенсирующей пластине из плакированного медью ковара или молибдена. Активный полупроводниковый элемент размещен на компенсирующей пластине [SU Авторское свидетельство №989764, 15.01.1983].A hybrid microwave integrated circuit (IC) is known, containing microcircuits located in a metal case on ceramic substrates soldered to a compensating plate made of copper-clad kovar or molybdenum. The active semiconductor element is placed on the compensating plate [SU Copyright Certificate No. 989764, 01/15/1983].
Основными недостатками данной конструкции являются возможность использования полупроводникового активного элемента с мощностью до 6 Вт и наличие зазора между компенсирующим элементом и корпусом, что повышает КСВ СВЧ тракта, включающего микрополосковые линии на керамических подложках и СВЧ разъемы.The main disadvantages of this design are the possibility of using a semiconductor active element with a power of up to 6 W and the presence of a gap between the compensating element and the housing, which increases the SWR of the microwave path, including microstrip lines on ceramic substrates and microwave connectors.
Известен СВЧ микроблок, содержащий металлический корпус и микрополосковую плату на диэлектрической подложке, жестко зафиксированной в корпусе, отличающийся тем, что края подложки металлизированы и припаяны непосредственно к внутренним поверхностям стенок корпуса. Монтаж радиоэлементов может осуществляться на обеих сторонах диэлектрической подложки [RU Патент на полезную модель №139742, 20.04.2014]. Недостатком данной конструкции является отсутствие эффективного теплоотвода от тепловыделяющих компонентов СВЧ микроблока, т.к. все компоненты микроблока расположены на диэлектрической подожке, соединенной с корпусом только краями. Кроме того, корпус изготовлен из плохо проводящего тепло - титана.Known microwave microblock containing a metal housing and a microstrip board on a dielectric substrate rigidly fixed in the housing, characterized in that the edges of the substrate are metallized and soldered directly to the inner surfaces of the walls of the housing. Installation of radio elements can be carried out on both sides of the dielectric substrate [RU Utility Model Patent No. 139742, 04/20/2014]. The disadvantage of this design is the lack of efficient heat removal from the fuel components of the microwave microblock, because all components of the microblock are located on a dielectric substrate connected to the housing only by the edges. In addition, the case is made of poorly conductive heat - titanium.
Наиболее близким аналогом, принятым за прототип предлагаемой полезной модели, является мощный СВЧ-полупроводникового прибора [RU Патент на изобретение №2494494, 27.09.2013], состоящий из теплоотводящего основания, выполненного из меди к которому припаяны высокотемпературным припоем компенсатор из псевдосплава МД-50 и рамка из пластичной меди, в стенках которой размещены СВЧ вводы. В корпусе размещен по меньшей мере один активный кристалл.The closest analogue adopted for the prototype of the proposed utility model is a powerful microwave semiconductor device [RU Patent for the invention No. 2494494, 09/27/2013], consisting of a heat sink made of copper to which a compensator made of pseudo-alloy MD-50 is soldered a frame made of ductile copper, the walls of which contain microwave inputs. At least one active crystal is placed in the housing.
Недостатком данной конструкции является большая величина неплоскостности опорной поверхности основания, обусловленная большой разницей в КЛТР меди и псевдосплава МД-50, из которых изготовлены основание и термокомпенсатор, спаянные высокотемпературным припоем по плоскости, что ухудшает отвод тепла от прибора, отрицательно сказывается на его СВЧ параметрах, снижает надежность прибора при циклических изменениях температуры, а монтаж активных и пассивных компонентов прибора допускается проводить при температуре не более 350 , в то время, как для подавляющего большинства полупроводниковых приборов посадку кристаллов осуществляют припоем золото-кремний при температуре до 450°C.The disadvantage of this design is the large non-flatness of the support surface of the base, due to the large difference in the CTE of copper and the pseudo-alloy MD-50, of which the base and thermal compensator are made, soldered by high-temperature solder along the plane, which affects the heat removal from the device, negatively affects its microwave parameters, reduces the reliability of the device during cyclic changes in temperature, and the installation of active and passive components of the device can be carried out at a temperature of not more than 350, at that time, For the vast majority of semiconductor devices, crystals are planted by soldering gold-silicon at temperatures up to 450 ° C.
Параметры мощной СВЧ ИС, собранной в рассматриваемой конструкции корпуса могут изменяться в процессе эксплуатации при изменении температуры окружающей среды от -60°C до +85°C, в частности, из-за возникающих, в полупроводниковом кристалле механических напряжений, в том числе и циклических. В элементах ИС могут быть вызваны механические напряжения под действием температуры на конструкцию ИС в процессе производства, при климатических испытаниях и эксплуатации. Причинами напряжений при этом являются деформация из-за различных температурных коэффициентов линейного расширения (ТКЛР) материалов компонентов, из которых состоит ИС. Под действием деформации изменяется структура энергетических зон и, следовательно, изменяется ширина запрещенной зоны, концентрация, эффективные массы, подвижности и время жизни носителей тока. Изменения большинства параметров полупроводниковых структур связаны в определенной степени с изменением ширины запрещенной зоны полупроводникового материала [Напряжения и деформации в элементах микросхем / Н 27 B.C. Сергеев, О.А. Кузнецов, Н.П. Захаров, В.А. Летягин. - Радио и связь, 1987. стр. 10, 11, 36, 37].The parameters of a powerful microwave IC assembled in the case design under consideration can change during operation when the ambient temperature changes from -60 ° C to + 85 ° C, in particular, due to mechanical stresses arising in the semiconductor crystal, including cyclic . In the elements of the IC, mechanical stresses under the influence of temperature on the design of the IC during production, during climatic tests and operation can be caused. The causes of stress in this case are deformation due to different temperature coefficients of linear expansion (TEC) of the materials of the components that make up the IC. Under the action of deformation, the structure of energy bands changes and, consequently, the band gap, concentration, effective masses, mobilities and lifetimes of current carriers change. Changes in most parameters of semiconductor structures are associated to a certain extent with a change in the band gap of the semiconductor material [Stresses and strains in microcircuit elements / Н 27 B.C. Sergeev, O.A. Kuznetsov, N.P. Zakharov, V.A. Letyagin. - Radio and communications, 1987. p. 10, 11, 36, 37].
Система из меди и псевдосплава МД-50, из которых изготовлены основание и термокомпенсатор, спаянные высокотемпературным припоем по плоскости, из-за большой разницы в КЛТР представляет собой биметаллическую конструкцию, в которой возникают напряжения изгиба при малейшем изменении температур. Неплоскостность конструкции может проявляться сразу же после соединения компенсатора с основанием, что ухудшает отвод тепла от опорной поверхности корпуса интегральной схемы.The system of copper and the MD-50 pseudo-alloy, of which the base and thermal compensator are made, soldered by high-temperature solder in the plane, due to the large difference in the CTE, is a bimetallic structure in which bending stresses arise at the slightest temperature change. The non-flatness of the structure can occur immediately after the compensator is connected to the base, which affects the heat removal from the supporting surface of the integrated circuit housing.
Также существенным недостаткам полупроводникового прибора-прототипа является невозможность герметизации прибора высокопроизводительной шовно-роликовой сваркой, поскольку медь не поддается сварке, а также то, что монтаж активных и пассивных компонентов прибора допускается проводить при температуре не более 350°С, в то время, как для подавляющего большинства полупроводниковых приборов посадку кристаллов осуществляют припоем золото-кремний при температуре до 450°С.Also significant disadvantages of the prototype semiconductor device is the impossibility of sealing the device with high-performance seam-roller welding, since copper cannot be welded, and the fact that the installation of active and passive components of the device can be carried out at a temperature of not more than 350 ° C, while the vast majority of semiconductor devices, crystals are planted by soldering gold-silicon at temperatures up to 450 ° C.
Техническим результатом предлагаемой полезной модели является снижение неплоскостности опорной поверхности теплоотводящего основания.The technical result of the proposed utility model is to reduce the non-flatness of the supporting surface of the heat sink base.
Указанный технический результат обеспечивает мощная гибридная СВЧ ИС, включающая теплоотводящее основание и рамку с СВЧ вводами, соединенные высокотемпературным припоем, активные и пассивные компоненты размещены на основании внутри корпуса в которой рамка выполнена из отожженного никеля, а теплоотводящее основание выполнено из псевдосплава молибден-медь с выступом, предназначенным для монтажа пассивных и активных элементов ИС.The indicated technical result is ensured by a powerful hybrid microwave IC, including a heat sink base and a frame with microwave inputs, connected by high-temperature solder, active and passive components are placed on the base inside the housing in which the frame is made of annealed nickel, and the heat sink is made of molybdenum-copper pseudo-alloy with a protrusion designed for mounting passive and active elements of the IC.
Согласно техническим условиям ЯеО.021.105 ТУ, псевдосплавы на основе молибден-медь имеют высокую теплопроводность и КЛТР близкий к КЛТР керамики. Эти материалы широко используются в электронной промышленности и допускают монтаж полупроводниковых кристаллов на эвтектический припой золото-кремний при температурах до 450°С без возникновения напряжений, достаточных для разрушения пластин из керамики According to the technical specifications of YaeO.021.105 TU, pseudo-alloys based on molybdenum-copper have high thermal conductivity and the CLTE close to that of ceramics. These materials are widely used in the electronic industry and allow the installation of semiconductor crystals on a gold-silicon eutectic solder at temperatures up to 450 ° C without the occurrence of stresses sufficient to destroy ceramic plates
33
и полупроводниковых кристаллов.and semiconductor crystals.
В месте спая рамки, выполненной из отожженного никеля, с теплоотводящим основанием из псевдосплава молибден-медь, благодаря повышенной пластичности материала рамки, механические напряжения в спаянном соединении, возникающие из-за разницы в КЛРТ материалов рамки и основания, оказываются недостаточными для изгиба спаянных рамки с основанием. Релаксация напряжений происходит в отожженном пластичном никеле. В результате после пайки не плоскостность опорной поверхности теплоотводящего основания из псевдосплава молибден-медь остается, практически, такой же, как у основания до пайки.Due to the increased plasticity of the frame material, mechanical stresses in the soldered joint due to the difference in the CLCT of the materials of the frame and base are insufficient for bending the brazed frame with base. Stress relaxation occurs in annealed plastic nickel. As a result, after soldering, the non-flatness of the supporting surface of the heat-removing base from the pseudo-alloy of molybdenum-copper remains practically the same as that of the base before brazing.
В мощной гибридной СВЧ ИС наличие зазора между выступом, предназначенным для монтажа пассивных и активных элементов схемы существенно увеличивает КСВ СВЧ тракта схемы из-за дополнительного несогласованного по волновому сопротивлению участка тракта, равному удвоенной величине высоты выступа. Этот зазор образуется из-за разницы в размерах выступа и соответствующих внутренних размеров рамки. При размерах выступа и соответствующих внутренних размеров рамки с разницей, не превышающей оптимальной толщины припоя, припой полностью заполняет зазор [Рот А., Вакуумные уплотнения. Пер. с англ. М., «Энергия», 1971, стр. 69], исключая дополнительную «паразитную» индуктивность, вносимую удвоенной высотой выступа и несогласованный по волновому сопротивлению участок в СВЧ тракте.In a powerful hybrid microwave IC, the presence of a gap between the protrusion intended for mounting passive and active circuit elements significantly increases the SWR of the microwave circuit path due to the additional path section inconsistent in wave impedance equal to twice the height of the protrusion. This gap is formed due to the difference in the size of the protrusion and the corresponding internal dimensions of the frame. With the dimensions of the protrusion and the corresponding internal dimensions of the frame with a difference not exceeding the optimal thickness of the solder, the solder completely fills the gap [Rot A., Vacuum seals. Per. from English M., "Energy", 1971, p. 69], excluding the additional "parasitic" inductance introduced by the double height of the protrusion and inconsistent in the wave impedance section in the microwave path.
Сущность заявленного технического решения поясняется фигурами 1-5.The essence of the claimed technical solution is illustrated by figures 1-5.
На фиг. 1 представлено основание из высокотеплопроводного псевдосплава молибден-медь с выступом, предназначенном для монтажа пассивных и активных элементов ГИС и имеющим размеры, а, в, с. Опорная поверхность А имеет размеры е, д.In FIG. 1 shows a base made of a highly conductive pseudo-alloy of molybdenum-copper with a protrusion intended for mounting passive and active elements of well logging and having dimensions a, b, p. The supporting surface A has dimensions e, d.
На фиг. 2 представлена рамка с внутренними размерами a1 и в1. Внешние размеры рамки е, д соответствуют внешним размерам основания. На боковых стенках рамки выполнены отверстия для вводов.In FIG. 2 shows a frame with internal dimensions a 1 and 1 . The external dimensions of the frame e, e correspond to the external dimensions of the base. On the side walls of the frame made holes for inputs.
4four
На фиг. 3 представлена ИС в корпусе, состоящем из теплоотводящего основания 1, к которому высокотемпературным припоем, например, ПСр-72 В ТУ 48-1-329-89 припаяна рамка 2, в сквозных отверстиях которой размещены СВЧ вводы, вводы питания и управления 3, 4. Корпус загерметизирован посредством шовно-роликовой приварки никелевой крышки 5 к рамке 2.In FIG. Figure 3 shows the IC in a case consisting of a heat-removing
На фиг. 4 представлено место пайки в случае, когда разница в размерах, a1-a и в1 - превышала оптимальную толщину припоя. Виден зазор между пьедесталом и рамкой.In FIG. 4 shows the place of soldering in the case when the difference in size, a 1 -a and 1 - exceeded the optimal thickness of the solder. The gap between the pedestal and the frame is visible.
На фиг. 5 представлено место пайки в случае, когда разница в размерах, a1-a и в1-в не превышала оптимальную толщину припоя. Зазор между пьедесталом и рамкой отсутствует, поскольку полностью заполнен припоем.In FIG. Figure 5 shows the place of soldering in the case where the difference in size, a 1 -a and 1 -c did not exceed the optimum thickness of the solder. There is no gap between the pedestal and the frame because it is completely filled with solder.
На фиг. 6 представлен вид микросхемы без крышки.In FIG. 6 is a view of a chip without a cover.
Были собраны образцы корпусов с размерами основания из псевдосплава 50×30 мм при толщине 1,5 мм и выступа 46×26 мм при высоте 1 мм. Внешние размеры рамки из никеля НП1 (содержание никеля 99,9%) 50×30 мм, внутренние 46×26 при толщине 2 мм. Пайку проводили припоями при температуре пайки 700°С и припоем ПСр-72 В при температуре пайки 820°С.Samples of cases were collected with a base size of a pseudo-alloy of 50 × 30 mm with a thickness of 1.5 mm and a protrusion of 46 × 26 mm at a height of 1 mm. The external dimensions of the NP1 nickel frame (99.9% nickel content) are 50 × 30 mm, and the internal ones are 46 × 26 with a thickness of 2 mm. Soldering was carried out with solders at a soldering temperature of 700 ° C and PSr-72 V solder at a soldering temperature of 820 ° C.
Основания были изготовлены из псевдосплава МД 50 и МД 30. у псевдосплава МД-50 КЛТР в направлении прокатки (7,5-8,4)⋅10-6⋅К-1 и поперек прокатки (9,1-9,9)⋅10-6⋅К-1, а у псевдосплава МД 30 (7,1-7,9)⋅10-6⋅К-1 в любом направлении (ЯеО.021.105 ТУ). Были использованы рамки после термообработки при температуре рекристаллизации никеля 480-640°С и при температуре отжига никеля 750-900°С [Справочник металлурга, т. 2, стр. 448, Москва, «Машиностроение», 1976].The bases were made of the pseudo-alloy MD 50 and MD 30. for the pseudo-alloy MD-50 KLTR in the direction of rolling (7.5-8.4) ⋅ 10 -6 ⋅K -1 and across the rolling (9.1-9.9) ⋅ 10 -6 ⋅K -1 , and for the pseudo-alloy MD 30 (7.1-7.9) ⋅10 -6 ⋅K -1 in any direction (Re0.021.105 TU). The frames were used after heat treatment at a temperature of nickel recrystallization of 480-640 ° С and at annealing temperature of nickel of 750-900 ° С [Handbook of metallurgist, vol. 2, p. 448, Moscow, Mashinostroyenie, 1976].
После пайки припоем ПСр-72 В ТУ 48-1-329-89 была измерена неплоскостность опорной поверхности основания. Результаты испытаний приведены в таблицах 1-9. Неплоскостность опорной поверхности корпусов, соответствующих изобретению, после сборки с основанием высокотемпературной пайкой практически не увеличивалась.After soldering with PSr-72 solder, TU 48-1-329-89 measured non-flatness of the base support surface. The test results are shown in tables 1-9. The non-flatness of the supporting surface of the housings according to the invention practically did not increase after assembly with a base by high-temperature soldering.
Для измерения КСВ были изготовлены корпуса, в которых за счет допусков на внутренние размеры рамки и размеры выступа, разница в размерах To measure the SWR, cases were made in which, due to tolerances on the internal dimensions of the frame and the dimensions of the protrusion, the difference in size
55
составляла 0,2 мм и 0,07 мм. В корпусах были собраны платы с несимметричными полосковыми линиями, соединенными с СВЧ разъемами и измерены КСВ СВЧ трактов на частоте 12 ГГц. При измерении КСВ использовали анализатор цепей типа PNAL. В первом случае зазор между выступом и рамкой не был заполнен припоем и КСВ СВЧ тракта составил 1,35-1,5. Во втором случае (при зазоре 0,07 мм) зазор был полностью заполнен припоем ПСр-72В и КСВ СВЧ тракта составил 1,2-1,25.was 0.2 mm and 0.07 mm. Boards with asymmetrical strip lines connected to microwave connectors were assembled in the cases and the SWR of microwave paths at a frequency of 12 GHz were measured. When measuring the SWR, a PNAL type network analyzer was used. In the first case, the gap between the protrusion and the frame was not filled with solder and the SWR of the microwave path was 1.35-1.5. In the second case (with a gap of 0.07 mm), the gap was completely filled with PSr-72V solder and the SWR of the microwave path was 1.2-1.25.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017131322U RU183394U1 (en) | 2017-09-06 | 2017-09-06 | POWERFUL HYBRID MICROWAVE INTEGRAL DIAGRAM |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017131322U RU183394U1 (en) | 2017-09-06 | 2017-09-06 | POWERFUL HYBRID MICROWAVE INTEGRAL DIAGRAM |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU183394U1 true RU183394U1 (en) | 2018-09-21 |
Family
ID=63671299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017131322U RU183394U1 (en) | 2017-09-06 | 2017-09-06 | POWERFUL HYBRID MICROWAVE INTEGRAL DIAGRAM |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU183394U1 (en) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0006443A1 (en) * | 1978-06-16 | 1980-01-09 | International Business Machines Corporation | Magnetic bubble mounting unit |
| RU2345444C1 (en) * | 2007-06-04 | 2009-01-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток (ФГУП НПП "Исток") | Method of packaging for shf semiconductor device |
| RU2351037C1 (en) * | 2007-07-23 | 2009-03-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Case for microwave semiconductor device and method of its manufacture |
| RU2494494C1 (en) * | 2012-04-20 | 2013-09-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Method to manufacture body of high-capacity semiconductor microwave instrument |
-
2017
- 2017-09-06 RU RU2017131322U patent/RU183394U1/en active IP Right Revival
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0006443A1 (en) * | 1978-06-16 | 1980-01-09 | International Business Machines Corporation | Magnetic bubble mounting unit |
| RU2345444C1 (en) * | 2007-06-04 | 2009-01-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток (ФГУП НПП "Исток") | Method of packaging for shf semiconductor device |
| RU2351037C1 (en) * | 2007-07-23 | 2009-03-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Case for microwave semiconductor device and method of its manufacture |
| RU2494494C1 (en) * | 2012-04-20 | 2013-09-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Method to manufacture body of high-capacity semiconductor microwave instrument |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11335645B2 (en) | High-frequency module and manufacturing method thereof | |
| TWI471986B (en) | Joined structural body of members, joining method of members, and package for containing an electronic component | |
| US11699670B2 (en) | High-frequency module | |
| GB2292010A (en) | Ceramic package for a semiconductor device | |
| KR20010071766A (en) | A capsule for semiconductor components | |
| EP3327767B1 (en) | Mount structure, method of manufacturing mount structure, and wireless device | |
| US20130012145A1 (en) | Radio module and manufacturing method therefor | |
| CN107039355B (en) | Semiconductor device with a plurality of semiconductor chips | |
| KR100230894B1 (en) | Power amplifying module | |
| KR100419428B1 (en) | High Power Micro Hybrid Integrated Circuits | |
| RU183394U1 (en) | POWERFUL HYBRID MICROWAVE INTEGRAL DIAGRAM | |
| RU2659304C1 (en) | Case of powerful hybrid ultra-high frequency integrated circuit | |
| RU193449U1 (en) | RIM FOR SEALING POWER SEMICONDUCTOR CASES | |
| RU2494494C1 (en) | Method to manufacture body of high-capacity semiconductor microwave instrument | |
| RU2690092C1 (en) | Microwave integrated circuit housing | |
| RU2498455C1 (en) | Powerful hybrid integral circuit of shf range | |
| RU2579544C1 (en) | Housing for semiconductor microwave device | |
| CN112366183A (en) | Microwave power amplification chip package of integrated metal tube shell and preparation method thereof | |
| JP2003031987A (en) | Electromagnetic shielding cap | |
| JP2016166807A (en) | Current test method | |
| RU2329568C1 (en) | Casing of integral circuit | |
| RU2749572C1 (en) | Microwave housing for microwave semiconductor electronics product | |
| RU2688035C1 (en) | Metal-ceramic housing of power semiconductor module based on high-heat-conducting ceramics and method of its manufacturing | |
| JP2664774B2 (en) | High frequency circuit module | |
| RU137936U1 (en) | SWITCH BOARD |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM9K | Utility model has become invalid (non-payment of fees) |
Effective date: 20181002 |
|
| NF9K | Utility model reinstated |
Effective date: 20191120 |
|
| PD9K | Change of name of utility model owner |